?集成電路定義

集成電路（integratedcircuit，港臺稱之為積體電路）是一種微型電子器件或部件。采用一定的工藝，把一個電路中所需的晶體管、二極管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起，制作在一小塊或幾小塊半導體晶片或介質基片上，然后封裝在一個管殼內，成為具有所需電路功能的微型結構；其中所有元件在結構上已組成一個整體，這樣，整個電路的體積大大縮小，且引出線和焊接點的數目也大為減少，從而使電子元件向著微小型化、低功耗和高可靠性方面邁進了一大步。它在電路中用字母“IC”（也有用文字符號“N”等）表示。

????集成電路特點

????集成電路具有體積小，重量輕，引出線和焊接點少，壽命長，可靠性高，性能好等優點，同時成本低，便于大規模生產。它不僅在工、民用電子設備如收錄機、電視機、計算機等方面得到廣泛的應用，同時在軍事、通訊、遙控等方面也得到廣泛的應用。用集成電路來裝配電子設備，其裝配密度比晶體管可提高幾十倍至幾千倍，設備的穩定工作時間也可大大提高。

????集成電路的分類

????（一）按功能結構分類集成電路按其功能、結構的不同，可以分為模擬集成電路、數字集成電路和數/?；旌霞呻娐啡箢?。模擬集成電路又稱線性電路,用來產生、放大和處理各種模擬信號（指幅度隨時間邊疆變化的信號。例如半導體收音機的音頻信號、錄放機的磁帶信號等），其輸入信號和輸出信號成比例關系。而數字集成電路用來產生、放大和處理各種數字信號（指在時間上和幅度上離散取值的信號。例如VCD、DVD重放的音頻信號和視頻信號）。

??? （二）按制作工藝分類集成電路按制作工藝可分為半導體集成電路和薄膜集成電路。膜集成電路又分類厚膜集成電路和薄膜集成電路。

??? （三）按集成度高低分類集成電路按集成度高低的不同可分為小規模集成電路、中規模集成電路、大規模集成電路、超大規模集成電路、特大規模集成電路和巨大規模集成電路。

??? （四）按導電類型不同分類集成電路按導電類型可分為雙極型集成電路和單極型集成電路,他們都是數字集成電路.雙極型集成電路的制作工藝復雜，功耗較大，代表集成電路有TTL、ECL、HTL、LST-TL、STTL等類型。單極型集成電路的制作工藝簡單，功耗也較低，易于制成大規模集成電路，代表集成電路有CMOS、NMOS、PMOS等類型。

??? （五）按用途分類集成電路按用途可分為電視機用集成電路、音響用集成電路、影碟機用集成電路、錄像機用集成電路、電腦（微機）用集成電路、電子琴用集成電路、通信用集成電路、照相機用集成電路、遙控集成電路、語言集成電路、報警器用集成電路及各種專用集成電路。1.電視機用集成電路包括行、場掃描集成電路、中放集成電路、伴音集成電路、彩色解碼集成電路、AV/TV轉換集成電路、開關電源集成電路、遙控集成電路、麗音解碼集成電路、畫中畫處理集成電路、微處理器（CPU）集成電路、存儲器集成電路等。2.音響用集成電路包括AM/FM高中頻電路、立體聲解碼電路、音頻前置放大電路、音頻運算放大集成電路、音頻功率放大集成電路、環繞聲處理集成電路、電平驅動集成電路，電子音量控制集成電路、延時混響集成電路、電子開關集成電路等。3.影碟機用集成電路有系統控制集成電路、視頻編碼集成電路、MPEG解碼集成電路、音頻信號處理集成電路、音響效果集成電路、RF信號處理集成電路、數字信號處理集成電路、伺服集成電路、電動機驅動集成電路等。4.錄像機用集成電路有系統控制集成電路、伺服集成電路、驅動集成電路、音頻處理集成電路、視頻處理集成電路。

??? （六）按應用領域分集成電路按應用領域可分為標準通用集成電路和專用集成電路。(七)按外形分集成電路按外形可分為圓形(金屬外殼晶體管封裝型,一般適合用于大功率)、扁平型(穩定性好,體積小)和雙列直插型.?集成電路（integratedcircuit，港臺稱之為積體電路）是一種微型電子器件或部件。采用一定的工藝，把一個電路中所需的晶體管、二極管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起，制作在一小塊或幾小塊半導體晶片或介質基片上，然后封裝在一個管殼內，成為具有所需電路功能的微型結構；其中所有元件在結構上已組成一個整體，這樣，整個電路的體積大大縮小，且引出線和焊接點的數目也大為減少，從而使電子元件向著微小型化、低功耗和高可靠性方面邁進了一大步。它在電路中用字母“IC”（也有用文字符號“N”等）表示。

?????集成電路發展簡史

　1.世界集成電路的發展歷史

　　　1947年：貝爾實驗室肖克萊等人發明了晶體管，這是微電子技術發展中第一個里程碑；

　　1950年：結型晶體管誕生；

　　1950年： R Ohl和肖特萊發明了離子注入工藝；

　　1951年：場效應晶體管發明；

　　1956年：C S Fuller發明了擴散工藝；

　　1958年：仙童公司Robert Noyce與德儀公司基爾比間隔數月分別發明了集成電路，開創了世界微電子學的歷史；

　　1960年：H H Loor和E Castellani發明了光刻工藝；

　　1962年：美國RCA公司研制出MOS場效應晶體管；

　　1963年：F.M.Wanlass和C.T.Sah首次提出CMOS技術，今天，95%以上的集成電路芯片都是基于CMOS工藝；

　　1964年：Intel摩爾提出摩爾定律，預測晶體管集成度將會每18個月增加1倍；

　　1966年：美國RCA公司研制出CMOS集成電路，并研制出第一塊門陣列（50門）；

　　1967年：應用材料公司（Applied Materials）成立，現已成為全球最大的半導體設備制造公司；

　　1971年：Intel推出1kb動態隨機存儲器（DRAM），標志著大規模集成電路出現；

　　1971年：全球第一個微處理器4004由Intel公司推出，采用的是MOS工藝，這是一個里程碑式的發明；

　　1974年：RCA公司推出第一個CMOS微處理器1802；

　　1976年：16kb DRAM和4kb SRAM問世；

　　1978年：64kb動態隨機存儲器誕生，不足0.5平方厘米的硅片上集成了14萬個晶體管，標志著超大規模集成電路（VLSI）時代的來臨；

　　1979年：Intel推出5MHz 8088微處理器，之后，IBM基于8088推出全球第一臺PC；

　　1981年：256kb DRAM和64kb CMOS SRAM問世；

　　1984年：日本宣布推出1Mb DRAM和256kb SRAM；

　　1985年：80386微處理器問世，20MHz；

　　1988年：16M DRAM問世，1平方厘米大小的硅片上集成有3500萬個晶體管，標志著進入超大規模集成電路（VLSI）階段；

　　1989年：1Mb DRAM進入市場；

　　1989年：486微處理器推出，25MHz，1μm工藝，后來50MHz芯片采用 0.8μm工藝；

　　1992年：64M位隨機存儲器問世；

　　1993年：66MHz奔騰處理器推出,采用0.6μｍ工藝；

　　1995年:Pentium Pro, 133MHz，采用0.6-0.35μｍ工藝；

　　1997年：300MHz奔騰Ⅱ問世,采用0.25μｍ工藝；

　　1999年：奔騰Ⅲ問世，450MHz，采用0.25μｍ工藝，后采用0.18μm工藝；

　　2000年: 1Gb RAM投放市場；

　　2000年：奔騰4問世，1.5GHz，采用0.18μｍ工藝；

　　2001年：Intel宣布2001年下半年采用0.13μｍ工藝。

　　2003年：奔騰4 E系列推出，采用90nm工藝。

　　2005年：intel 酷睿2系列上市，采用65nm工藝。

　　2007年：基于全新45納米High-K工藝的intel酷睿2 E7/E8/E9上市。

　　2009年：intel酷睿i系列全新推出，創紀錄采用了領先的32納米工藝，并且下一代22納米工藝正在研發。

　　2.我國集成電路的發展歷史

　　我國集成電路產業誕生于六十年代，共經歷了三個發展階段：

　　1965年-1978年：以計算機和軍工配套為目標，以開發邏輯電路為主要產 品，初步建立集成電路工業基礎及相關設備、儀器、材料的配套條件；

　　1978年-1990年：主要引進美國二手設備，改善集成電路裝備水平，在“治散治亂”的同時，以消費類整機作為配套重點，較好地解決了彩電集成電路的國產化；

　　1990年-2000年：以908工程、909工程為重點，以CAD為突破口，抓好科技攻關和北方科研開發基地的建設，為信息產業服務，集成電路行業取得了新的發展。 集成電路的封裝種類

　　1、BGA(ball grid array)

　　球形觸點陳列，表面貼裝型封裝之一。在印刷基板的背面按陳列方式制作出球形凸點用 以 代替引腳，在印刷基板的正面裝配LSI 芯片，然后用模壓樹脂或灌封方法進行密封。也 稱為凸 點陳列載體(PAC)。引腳可超過200，是多引腳LSI 用的一種封裝。 封裝本體也可做得比QFP(四側引腳扁平封裝)小。例如，引腳中心距為1.5mm 的360 引腳 BGA 僅為31mm 見方；而引腳中心距為0.5mm 的304 引腳QFP 為40mm 見方。而且BGA 不 用擔心QFP 那樣的引腳變形問題。 該封裝是美國Motorola 公司開發的，首先在便攜式電話等設備中被采用，今后在美國有 可 能在個人計算機中普及。最初，BGA 的引腳(凸點)中心距為1.5mm，引腳數為225。現在 也有 一些LSI 廠家正在開發500 引腳的BGA。 BGA 的問題是回流焊后的外觀檢查?，F在尚不清楚是否有效的外觀檢查方法。有的認為 ， 由于焊接的中心距較大，連接可以看作是穩定的，只能通過功能檢查來處理。 美國Motorola 公司把用模壓樹脂密封的封裝稱為OMPAC，而把灌封方法密封的封裝稱為 GPAC(見OMPAC 和GPAC)。

　　2、BQFP(quad flat package with bumper)

　　帶緩沖墊的四側引腳扁平封裝。QFP 封裝之一，在封裝本體的四個角設置突起(緩沖墊) 以 防止在運送過程中引腳發生彎曲變形。美國半導體廠家主要在微處理器和ASIC 等電路中 采用 此封裝。引腳中心距0.635mm，引腳數從84 到196 左右(見QFP)。

　　4、C－(ceramic)

　　表示陶瓷封裝的記號。例如，CDIP 表示的是陶瓷DIP。是在實際中經常使用的記號。

　　5、Cerdip

　　用玻璃密封的陶瓷雙列直插式封裝，用于ECL RAM，DSP(數字信號處理器)等電路。帶有 玻璃窗口的Cerdip 用于紫外線擦除型EPROM 以及內部帶有EPROM 的微機電路等。引腳中 心 距2.54mm，引腳數從8 到42。在日本，此封裝表示為DIP－G(G 即玻璃密封的意思)。

　　6、Cerquad

　　表面貼裝型封裝之一，即用下密封的陶瓷QFP，用于封裝DSP 等的邏輯LSI 電路。帶有窗 口的Cerquad 用于封裝EPROM 電路。散熱性比塑料QFP 好，在自然空冷條件下可容許1. 5～ 2W 的功率。但封裝成本比塑料QFP 高3～5 倍。引腳中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、 0.5mm、 0.4mm 等多種規格。引腳數從32 到368。

　　帶引腳的陶瓷芯片載體，表面貼裝型封裝之一，引腳從封裝的四個側面引出，呈丁字形 。 帶有窗口的用于封裝紫外線擦除型EPROM 以及帶有EPROM 的微機電路等。此封裝也稱為 QFJ、QFJ－G(見QFJ)。

　　8、COB(chip on board)

　　板上芯片封裝，是裸芯片貼裝技術之一，半導體芯片交接貼裝在印刷線路板上，芯片與 基 板的電氣連接用引線縫合方法實現，芯片與基板的電氣連接用引線縫合方法實現，并用 樹脂覆 蓋以確?？煽啃?。雖然COB 是最簡單的裸芯片貼裝技術，但它的封裝密度遠不如TAB 和 倒片 焊技術。

　　9、DFP(dual flat package)

　　雙側引腳扁平封裝。是SOP 的別稱(見SOP)。以前曾有此稱法，現在已基本上不用。

　　10、DIC(dual in-line ceramic package)

　　陶瓷DIP(含玻璃密封)的別稱(見DIP).

　　11、DIL(dual in-line)

　　DIP 的別稱(見DIP)。歐洲半導體廠家多用此名稱。

　　12、DIP(dual in-line package)

　　雙列直插式封裝。插裝型封裝之一，引腳從封裝兩側引出，封裝材料有塑料和陶瓷兩種 。 DIP 是最普及的插裝型封裝，應用范圍包括標準邏輯IC，存貯器LSI，微機電路等。 引腳中心距2.54mm，引腳數從6 到64。封裝寬度通常為15.2mm。有的把寬度為7.52mm 和10.16mm 的封裝分別稱為skinny DIP 和slim DIP(窄體型DIP)。但多數情況下并不加 區分， 只簡單地統稱為DIP。另外，用低熔點玻璃密封的陶瓷DIP 也稱為cerdip(見cerdip)。

　　13、DSO(dual small out-lint)

　　雙側引腳小外形封裝。SOP 的別稱(見SOP)。部分半導體廠家采用此名稱。

　　14、DICP(dual tape carrier package)

　　雙側引腳帶載封裝。TCP(帶載封裝)之一。引腳制作在絕緣帶上并從封裝兩側引出。由于 利 用的是TAB(自動帶載焊接)技術，封裝外形非常薄。常用于液晶顯示驅動LSI，但多數為 定制品。 另外，0.5mm 厚的存儲器LSI 簿形封裝正處于開發階段。在日本，按照EIAJ(日本電子機 械工 業)會標準規定，將DICP 命名為DTP。

　　15、DIP(dual tape carrier package)

　　同上。日本電子機械工業會標準對DTCP 的命名(見DTCP)。

　　16、FP(flat package)

　　扁平封裝。表面貼裝型封裝之一。QFP 或SOP(見QFP 和SOP)的別稱。部分半導體廠家采 用此名稱。

　　17、flip-chip

　　倒焊芯片。裸芯片封裝技術之一，在LSI 芯片的電極區制作好金屬凸點，然后把金屬凸 點 與印刷基板上的電極區進行壓焊連接。封裝的占有面積基本上與芯片尺寸相同。是所有 封裝技 術中體積最小、最薄的一種。 但如果基板的熱膨脹系數與LSI 芯片不同，就會在接合處產生反應，從而影響連接的可 靠 性。因此必須用樹脂來加固LSI 芯片，并使用熱膨脹系數基本相同的基板材料。

　　18、FQFP(fine pitch quad flat package)

　　小引腳中心距QFP。通常指引腳中心距小于0.65mm 的QFP(見QFP)。部分導導體廠家采 用此名稱。

　　19、CPAC(globe top pad array carrier)

　　美國Motorola 公司對BGA 的別稱(見BGA)。

　　20、CQFP(quad fiat package with guard ring)

　　帶保護環的四側引腳扁平封裝。塑料QFP 之一，引腳用樹脂保護環掩蔽，以防止彎曲變 形。 在把LSI 組裝在印刷基板上之前，從保護環處切斷引腳并使其成為海鷗翼狀(L 形狀)。 這種封裝 在美國Motorola 公司已批量生產。引腳中心距0.5mm，引腳數最多為208 左右。

　　21、H-(with heat sink)

　　表示帶散熱器的標記。例如，HSOP 表示帶散熱器的SOP。

　　22、pin grid array(surface mount type)

　　表面貼裝型PGA。通常PGA 為插裝型封裝，引腳長約3.4mm。表面貼裝型PGA 在封裝的 底面有陳列狀的引腳，其長度從1.5mm 到2.0mm。貼裝采用與印刷基板碰焊的方法，因而 也稱 為碰焊PGA。因為引腳中心距只有1.27mm，比插裝型PGA 小一半，所以封裝本體可制作得 不 怎么大，而引腳數比插裝型多(250～528)，是大規模邏輯LSI 用的封裝。封裝的基材有 多層陶 瓷基板和玻璃環氧樹脂印刷基數。以多層陶瓷基材制作封裝已經實用化。

　　23、JLCC(J-leaded chip carrier)

　　J 形引腳芯片載體。指帶窗口CLCC 和帶窗口的陶瓷QFJ 的別稱(見CLCC 和QFJ)。部分半 導體廠家采用的名稱。

　　24、LCC(Leadless chip carrier)

　　無引腳芯片載體。指陶瓷基板的四個側面只有電極接觸而無引腳的表面貼裝型封裝。是 高 速和高頻IC 用封裝，也稱為陶瓷QFN 或QFN－C(見QFN)。

　　25、LGA(land grid array)

　　觸點陳列封裝。即在底面制作有陣列狀態坦電極觸點的封裝。裝配時插入插座即可?，F 已 實用的有227 觸點(1.27mm 中心距)和447 觸點(2.54mm 中心距)的陶瓷LGA，應用于高速 邏輯 LSI 電路。 LGA 與QFP 相比，能夠以比較小的封裝容納更多的輸入輸出引腳。另外，由于引線的阻 抗 小，對于高速LSI 是很適用的。但由于插座制作復雜，成本高，現在基本上不怎么使用 。預計 今后對其需求會有所增加。

　　26、LOC(lead on chip)

　　芯片上引線封裝。LSI 封裝技術之一，引線框架的前端處于芯片上方的一種結構，芯片 的 中心附近制作有凸焊點，用引線縫合進行電氣連接。與原來把引線框架布置在芯片側面 附近的 結構相比，在相同大小的封裝中容納的芯片達1mm 左右寬度。

　　27、LQFP(low profile quad flat package)

　　薄型QFP。指封裝本體厚度為1.4mm 的QFP，是日本電子機械工業會根據制定的新QFP 外形規格所用的名稱。

　　28、L－QUAD

　　陶瓷QFP 之一。封裝基板用氮化鋁，基導熱率比氧化鋁高7～8 倍，具有較好的散熱性。 封裝的框架用氧化鋁，芯片用灌封法密封，從而抑制了成本。是為邏輯LSI 開發的一種 封裝， 在自然空冷條件下可容許W3的功率。現已開發出了208 引腳(0.5mm 中心距)和160 引腳 (0.65mm 中心距)的LSI 邏輯用封裝，并于1993 年10 月開始投入批量生產。

　　29、MCM(multi-chip module)

　　多芯片組件。將多塊半導體裸芯片組裝在一塊布線基板上的一種封裝。根據基板材料可 分 為MCM－L，MCM－C 和MCM－D 三大類。 MCM－L 是使用通常的玻璃環氧樹脂多層印刷基板的組件。布線密度不怎么高，成本較低 。 MCM－C 是用厚膜技術形成多層布線，以陶瓷(氧化鋁或玻璃陶瓷)作為基板的組件，與使 用多層陶瓷基板的厚膜混合IC 類似。兩者無明顯差別。布線密度高于MCM－L。

　　MCM－D 是用薄膜技術形成多層布線，以陶瓷(氧化鋁或氮化鋁)或Si、Al 作為基板的組 件。 布線密謀在三種組件中是最高的，但成本也高。

　　30、MFP(mini flat package)

　　小形扁平封裝。塑料SOP 或SSOP 的別稱(見SOP 和SSOP)。部分半導體廠家采用的名稱。

　　31、MQFP(metric quad flat package)

　　按照JEDEC(美國聯合電子設備委員會)標準對QFP 進行的一種分類。指引腳中心距為 0.65mm、本體厚度為3.8mm～2.0mm 的標準QFP(見QFP)。

　　32、MQUAD(metal quad)

　　美國Olin 公司開發的一種QFP 封裝。基板與封蓋均采用鋁材，用粘合劑密封。在自然空 冷 條件下可容許2.5W～2.8W 的功率。日本新光電氣工業公司于1993 年獲得特許開始生產 。

　　33、MSP(mini square package)

　　QFI 的別稱(見QFI)，在開發初期多稱為MSP。QFI 是日本電子機械工業會規定的名稱。

　　34、OPMAC(over molded pad array carrier)

　　模壓樹脂密封凸點陳列載體。美國Motorola 公司對模壓樹脂密封BGA 采用的名稱(見 BGA)。

　　35、P－(plastic)

　　表示塑料封裝的記號。如PDIP 表示塑料DIP。

　　36、PAC(pad array carrier)

　　凸點陳列載體，BGA 的別稱(見BGA)。

　　37、PCLP(printed circuit board leadless package)

　　印刷電路板無引線封裝。日本富士通公司對塑料QFN(塑料LCC)采用的名稱(見QFN)。引

　　腳中心距有0.55mm 和0.4mm 兩種規格。目前正處于開發階段。

　　38、PFPF(plastic flat package)

　　塑料扁平封裝。塑料QFP 的別稱(見QFP)。部分LSI 廠家采用的名稱。

　　39、PGA(pin grid array)

　　陳列引腳封裝。插裝型封裝之一，其底面的垂直引腳呈陳列狀排列。封裝基材基本上都 采 用多層陶瓷基板。在未專門表示出材料名稱的情況下，多數為陶瓷PGA，用于高速大規模 邏輯 LSI 電路。成本較高。引腳中心距通常為2.54mm，引腳數從64 到447 左右。 了為降低成本，封裝基材可用玻璃環氧樹脂印刷基板代替。也有64～256 引腳的塑料PG A。 另外，還有一種引腳中心距為1.27mm 的短引腳表面貼裝型PGA(碰焊PGA)。(見表面貼裝 型PGA)。

　　40、piggy back

　　馱載封裝。指配有插座的陶瓷封裝，形關與DIP、QFP、QFN 相似。在開發帶有微機的設 備時用于評價程序確認操作。例如，將EPROM 插入插座進行調試。這種封裝基本上都是 定制 品，市場上不怎么流通。

　　41、PLCC(plastic leaded chip carrier)

　　帶引線的塑料芯片載體。表面貼裝型封裝之一。引腳從封裝的四個側面引出，呈丁字形 ， 是塑料制品。美國德克薩斯儀器公司首先在64k 位DRAM 和256kDRAM 中采用，現在已經 普 及用于邏輯LSI、DLD(或程邏輯器件)等電路。引腳中心距1.27mm，引腳數從18 到84。 J 形引腳不易變形，比QFP 容易操作，但焊接后的外觀檢查較為困難。 PLCC 與LCC(也稱QFN)相似。以前，兩者的區別僅在于前者用塑料，后者用陶瓷。但現 在已經出現用陶瓷制作的J 形引腳封裝和用塑料制作的無引腳封裝(標記為塑料LCC、PC LP、P －LCC 等)，已經無法分辨。為此，日本電子機械工業會于1988 年決定，把從四側引出 J 形引 腳的封裝稱為QFJ，把在四側帶有電極凸點的封裝稱為QFN(見QFJ 和QFN)。

　　42、P－LCC(plastic teadless chip carrier)(plastic leaded chip currier)

　　有時候是塑料QFJ 的別稱，有時候是QFN(塑料LCC)的別稱(見QFJ 和QFN)。部分

　　LSI 廠家用PLCC 表示帶引線封裝，用P－LCC 表示無引線封裝，以示區別。

　　43、QFH(quad flat high package)

　　四側引腳厚體扁平封裝。塑料QFP 的一種，為了防止封裝本體斷裂，QFP 本體制作得 較厚(見QFP)。部分半導體廠家采用的名稱。

　　44、QFI(quad flat I-leaded packgac)

　　四側I 形引腳扁平封裝。表面貼裝型封裝之一。引腳從封裝四個側面引出，向下呈I 字 。 也稱為MSP(見MSP)。貼裝與印刷基板進行碰焊連接。由于引腳無突出部分，貼裝占有面 積小 于QFP。 日立制作所為視頻模擬IC 開發并使用了這種封裝。此外，日本的Motorola 公司的PLL IC 也采用了此種封裝。引腳中心距1.27mm，引腳數從18 于68。

　　45、QFJ(quad flat J-leaded package)

　　四側J 形引腳扁平封裝。表面貼裝封裝之一。引腳從封裝四個側面引出，向下呈J 字形 。 是日本電子機械工業會規定的名稱。引腳中心距1.27mm。

　　材料有塑料和陶瓷兩種。塑料QFJ 多數情況稱為PLCC(見PLCC)，用于微機、門陳列、 DRAM、ASSP、OTP 等電路。引腳數從18 至84。

　　陶瓷QFJ 也稱為CLCC、JLCC(見CLCC)。帶窗口的封裝用于紫外線擦除型EPROM 以及 帶有EPROM 的微機芯片電路。引腳數從32 至84。

　　46、QFN(quad flat non-leaded package)

　　四側無引腳扁平封裝。表面貼裝型封裝之一?，F在多稱為LCC。QFN 是日本電子機械工業 會規定的名稱。封裝四側配置有電極觸點，由于無引腳，貼裝占有面積比QFP 小，高度 比QFP 低。但是，當印刷基板與封裝之間產生應力時，在電極接觸處就不能得到緩解。因此電 極觸點 難于作到QFP 的引腳那樣多，一般從14 到100 左右。 材料有陶瓷和塑料兩種。當有LCC 標記時基本上都是陶瓷QFN。電極觸點中心距1.27mm。

　　塑料QFN 是以玻璃環氧樹脂印刷基板基材的一種低成本封裝。電極觸點中心距除1.27mm 外， 還有0.65mm 和0.5mm 兩種。這種封裝也稱為塑料LCC、PCLC、P－LCC 等。

　　47、QFP(quad flat package)

　　四側引腳扁平封裝。表面貼裝型封裝之一，引腳從四個側面引出呈海鷗翼(L)型。基材有 陶 瓷、金屬和塑料三種。從數量上看，塑料封裝占絕大部分。當沒有特別表示出材料時， 多數情 況為塑料QFP。塑料QFP 是最普及的多引腳LSI 封裝。不僅用于微處理器，門陳列等數字 邏輯LSI 電路，而且也用于VTR 信號處理、音響信號處理等模擬LSI 電路。引腳中心距 有1.0mm、0.8mm、 0.65mm、0.5mm、0.4mm、0.3mm 等多種規格。0.65mm 中心距規格中最多引腳數為304。

　　日本將引腳中心距小于0.65mm 的QFP 稱為QFP(FP)。但現在日本電子機械工業會對QFP 的外形規格進行了重新評價。在引腳中心距上不加區別，而是根據封裝本體厚度分為 QFP(2.0mm～3.6mm 厚)、LQFP(1.4mm 厚)和TQFP(1.0mm 厚)三種。

　　另外，有的LSI 廠家把引腳中心距為0.5mm 的QFP 專門稱為收縮型QFP 或SQFP、VQFP。 但有的廠家把引腳中心距為0.65mm 及0.4mm 的QFP 也稱為SQFP，至使名稱稍有一些混亂 。 QFP 的缺點是，當引腳中心距小于0.65mm 時，引腳容易彎曲。為了防止引腳變形，現已 出現了幾種改進的QFP 品種。如封裝的四個角帶有樹指緩沖墊的BQFP(見BQFP)；帶樹脂 保護 環覆蓋引腳前端的GQFP(見GQFP)；在封裝本體里設置測試凸點、放在防止引腳變形的專 用夾 具里就可進行測試的TPQFP(見TPQFP)。 在邏輯LSI 方面，不少開發品和高可靠品都封裝在多層陶瓷QFP 里。引腳中心距最小為 0.4mm、引腳數最多為348 的產品也已問世。此外，也有用玻璃密封的陶瓷QFP(見Gerqa d)。

　　48、QFP(FP)(QFP fine pitch)

　　小中心距QFP。日本電子機械工業會標準所規定的名稱。指引腳中心距為0.55mm、0.4mm 、 0.3mm 等小于0.65mm 的QFP(見QFP)。

　　49、QIC(quad in-line ceramic package)

　　陶瓷QFP 的別稱。部分半導體廠家采用的名稱(見QFP、Cerquad)。

　　50、QIP(quad in-line plastic package)

　　塑料QFP 的別稱。部分半導體廠家采用的名稱(見QFP)。

　　51、QTCP(quad tape carrier package)

　　四側引腳帶載封裝。TCP 封裝之一，在絕緣帶上形成引腳并從封裝四個側面引出。是利 用 TAB 技術的薄型封裝(見TAB、TCP)。

　　52、QTP(quad tape carrier package)

　　四側引腳帶載封裝。日本電子機械工業會于1993 年4 月對QTCP 所制定的外形規格所用 的 名稱(見TCP)。

　　53、QUIL(quad in-line)

　　QUIP 的別稱(見QUIP)。

　　54、QUIP(quad in-line package)

　　四列引腳直插式封裝。引腳從封裝兩個側面引出，每隔一根交錯向下彎曲成四列。引腳 中 心距1.27mm，當插入印刷基板時，插入中心距就變成2.5mm。因此可用于標準印刷線路板 。是 比標準DIP 更小的一種封裝。日本電氣公司在臺式計算機和家電產品等的微機芯片中采 用了些 種封裝。材料有陶瓷和塑料兩種。引腳數64。

　　55、SDIP (shrink dual in-line package)

　　收縮型DIP。插裝型封裝之一，形狀與DIP 相同，但引腳中心距(1.778mm)小于DIP(2.54 mm)，

　　因而得此稱呼。引腳數從14 到90。也有稱為SH－DIP 的。材料有陶瓷和塑料兩種。

　　56、SH－DIP(shrink dual in-line package)

　　同SDIP。部分半導體廠家采用的名稱。

　　57、SIL(single in-line)

　　SIP 的別稱(見SIP)。歐洲半導體廠家多采用SIL 這個名稱。

　　58、SIMM(single in-line memory module)

　　單列存貯器組件。只在印刷基板的一個側面附近配有電極的存貯器組件。通常指插入插 座 的組件。標準SIMM 有中心距為2.54mm 的30 電極和中心距為1.27mm 的72 電極兩種規格 。 在印刷基板的單面或雙面裝有用SOJ 封裝的1 兆位及4 兆位DRAM 的SIMM 已經在個人 計算機、工作站等設備中獲得廣泛應用。至少有30～40％的DRAM 都裝配在SIMM 里。

　　59、SIP(single in-line package)

　　單列直插式封裝。引腳從封裝一個側面引出，排列成一條直線。當裝配到印刷基板上時 封 裝呈側立狀。引腳中心距通常為2.54mm，引腳數從2 至23，多數為定制產品。封裝的形 狀各 異。也有的把形狀與ZIP 相同的封裝稱為SIP。

　　60、SK－DIP(skinny dual in-line package)

　　DIP 的一種。指寬度為7.62mm、引腳中心距為2.54mm 的窄體DIP。通常統稱為DIP(見 DIP)。

　　61、SL－DIP(slim dual in-line package)

　　DIP 的一種。指寬度為10.16mm，引腳中心距為2.54mm 的窄體DIP。通常統稱為DIP。

　　62、SMD(surface mount devices)

　　表面貼裝器件。偶而，有的半導體廠家把SOP 歸為SMD(見SOP)。

　　SOP 的別稱。世界上很多半導體廠家都采用此別稱。(見SOP)。

　　64、SOI(small out-line I-leaded package)

　　I 形引腳小外型封裝。表面貼裝型封裝之一。引腳從封裝雙側引出向下呈I 字形，中心 距 1.27mm。貼裝占有面積小于SOP。日立公司在模擬IC(電機驅動用IC)中采用了此封裝。引 腳數 26。

　　65、SOIC(small out-line integrated circuit)

　　SOP 的別稱(見SOP)。國外有許多半導體廠家采用此名稱。

　　66、SOJ(Small Out-Line J-Leaded Package)

　　J 形引腳小外型封裝。表面貼裝型封裝之一。引腳從封裝兩側引出向下呈J 字形，故此 得名。 通常為塑料制品，多數用于DRAM 和SRAM 等存儲器LSI 電路，但絕大部分是DRAM。用SO J 封裝的DRAM 器件很多都裝配在SIMM 上。引腳中心距1.27mm，引腳數從20 至40(見SIMM )。

　　67、SQL(Small Out-Line L-leaded package)

　　按照JEDEC(美國聯合電子設備工程委員會)標準對SOP 所采用的名稱(見SOP)。

　　68、SONF(Small Out-Line Non-Fin)

　　無散熱片的SOP。與通常的SOP 相同。為了在功率IC 封裝中表示無散熱片的區別，有意 增添了NF(non-fin)標記。部分半導體廠家采用的名稱(見SOP)。

　　69、SOP(small Out-Line package)

　　小外形封裝。表面貼裝型封裝之一，引腳從封裝兩側引出呈海鷗翼狀(L 字形)。材料有 塑料 和陶瓷兩種。另外也叫SOL 和DFP。

　　SOP 除了用于存儲器LSI 外，也廣泛用于規模不太大的ASSP 等電路。在輸入輸出端子不 超過10～40 的領域，SOP 是普及最廣的表面貼裝封裝。引腳中心距1.27mm，引腳數從8 ～44。

　　另外，引腳中心距小于1.27mm 的SOP 也稱為SSOP；裝配高度不到1.27mm 的SOP 也稱為 TSOP(見SSOP、TSOP)。還有一種帶有散熱片的SOP。

　　70、SOW (Small Outline Package(Wide-Jype))

　　寬體SOP。部分半導體廠家采用的名稱。