IDT70V9289是IDT公司新推出的一款高速同步雙口靜態(tài)存儲器(SRAM)，可實(shí)現(xiàn)不同傳輸方式的雙路高速數(shù)據(jù)流的無損傳輸。文中詳細(xì)介紹該電路的結(jié)構(gòu)和原理，給出IDT70V9289的典型應(yīng)用電路及設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)注意的問題。

　　1 引言

　　隨著科技的發(fā)展和高速設(shè)備的不斷涌現(xiàn)，數(shù)據(jù)傳輸率也越來越高。而由于傳輸方式的不同，各種高速設(shè)備在連接時(shí)能否實(shí)現(xiàn)可靠的數(shù)據(jù)交換就顯得十分重要。高速雙口SRAM的出現(xiàn)為解決這一問題提供了一種有效途徑。IDT70V9289是IDT公司新推出的高速同步雙口靜態(tài)存儲器，其容量為64k×16bit，具有設(shè)計(jì)簡單，應(yīng)用靈活等特點(diǎn)。

　　2 IDT70V9289的結(jié)構(gòu)及功能

　　2.1 內(nèi)部結(jié)構(gòu)

　　圖1示出IDT70V9289的結(jié)構(gòu)框圖，它主要由I/O控制器、存儲器陣列、計(jì)數(shù)器/地址寄存器和一些邏輯電路組成。

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　　2.2 功能特點(diǎn)

　　·真正的雙端口存儲器，完全同步操作

　　3.5ns時(shí)鐘建立時(shí)間，0ns保持時(shí)間(所有控制、數(shù)據(jù)和地址輸入)

　　具有數(shù)據(jù)輸入、地址和控制寄存器

　　·存儲容量達(dá)1024kbit(64k×16bit);

　　·高速數(shù)據(jù)存取，其TCD(時(shí)鐘上升沿與數(shù)據(jù)輸入/輸出的時(shí)延)為

　　商業(yè)級：6/7.5/9/12ns(最大)

　　工業(yè)級：9ns(最大)

　　·應(yīng)用IDT公司的高性能CMOS技術(shù)，所耗低

　　工作時(shí)：500mW(典型值)

　　待機(jī)時(shí)：1.5mw(典型值)

　　·計(jì)數(shù)使能和重置功能

　　·通過FT/PIPE引腳選擇任意端口的流通(folw-through)或流水線輸出模式

　　·可對多路傳輸總線中的獨(dú)立高位字節(jié)和低位字節(jié)進(jìn)行控制

　　·LVTTL接口電平，3.3V(±0.3V)單電源供電

　　2.3 引腳功能(以左邊端口引腳為例)

　　VDD：電源輸入端，起濾波作用的旁路電容器應(yīng)盡可能靠近電源引腳，并直接連接到地;

　　VSS：接地引腳;

　　CE0L，CE1L：使能端，當(dāng)CE0L為低電平且CE1L為高電平時(shí)，電路工作。該引腳可允許每個(gè)端口的片上電路進(jìn)入低功耗的待機(jī)模式;

　　R/WL：讀/寫使能，此端為高電平時(shí)讀出，為低電平時(shí)寫入;

　　OEL：異步輸出使能;

　　A0L-A15L：地址同步輸入端;

　　I/O0L-I/O15L：數(shù)據(jù)輸入/輸出端;

　　CLK：：存儲器工作時(shí)鐘，所以輸入信號在該時(shí)鐘上升沿有效;

　　UBL：高位字節(jié)選擇，低電平有效;

　　LBL：低位字節(jié)選擇，低電平有效;

　　CNTENL：計(jì)數(shù)器使能，當(dāng)時(shí)鐘上升沿到來時(shí)，如果該引腳為低電平，則地址計(jì)數(shù)器工作，優(yōu)先級高于其它引腳;

　　CNTRSTL：計(jì)數(shù)器重置，低電平有效，優(yōu)先級高于其他引腳;