TriQuint半導體公司(納斯達克代碼:TQNT),推出四款具有卓越增益和效率,并且非常耐用的新氮化鎵(GaN)HEMT射頻功率晶體管產品。
2012-12-18 09:13:261196 TriQuint半導體公司(納斯達克代碼:TQNT),推出四款具有卓越增益和效率,并且非常耐用的新氮化鎵 (GaN) HEMT 射頻功率晶體管產品。TriQuint的氮化鎵晶體管可使放大器的尺寸減半,同
2012-12-19 10:19:091139 納維半導體?氮化鎵功率集成電路的性能影響?氮化鎵電源集成電路的可靠性影響?應用示例:高密度手機充電器?應用實例:高性能電機驅動器?應用示例;高功率開關電源?結論
2023-06-16 10:09:51
GaN功率半導體(氮化鎵)的系統集成優勢
2023-06-19 09:28:46
GaN功率半導體與高頻生態系統(氮化鎵)
2023-06-25 09:38:13
GaN功率半導體在快速充電市場的應用(氮化鎵)
2023-06-19 11:00:42
GaN功率半導體帶來AC-DC適配器的革命(氮化鎵)
2023-06-19 11:41:21
寬禁帶半導體材料氮化鎵(GaN)以其良好的物理化學和電學性能成為繼第一代元素半導體硅(Si)和第二代化合物半導體砷化鎵(GaAs)、磷化鎵(GaP)、磷化銦(InP)等之后迅速發展起來的第三代半導體
2019-06-25 07:41:00
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應用
2023-06-19 12:05:19
,以及基于硅的 “偏轉晶體管 “屏幕產品的消亡。
因此,氮化鎵是我們在電視、手機、平板電腦、筆記本電腦和顯示器中,使用的高分辨率彩色屏幕背后的核心技術。在光子學方面,氮化鎵還被用于藍光激光技術(最明顯
2023-06-15 15:50:54
被譽為第三代半導體材料的氮化鎵GaN。早期的氮化鎵材料被運用到通信、軍工領域,隨著技術的進步以及人們的需求,氮化鎵產品已經走進了我們生活中,尤其在充電器中的應用逐步布局開來,以下是采用了氮化鎵的快
2020-03-18 22:34:23
的挑戰絲毫沒有減弱。氮化鎵(GaN)等新技術有望大幅改進電源管理、發電和功率輸出的諸多方面。預計到2030年,電力電子領域將管理大約80%的能源,而2005年這一比例僅為30%1。這相當于30億千瓦時以上
2020-11-03 08:59:19
能源并占用更小空間,所面臨的挑戰絲毫沒有減弱。氮化鎵(GaN)等新技術有望大幅改進電源管理、發電和功率輸出的諸多方面。預計到2030年,電力電子領域將管理大約80%的能源,而2005年這一比例僅為30
2018-11-20 10:56:25
在所有電力電子應用中,功率密度是關鍵指標之一,這主要由更高能效和更高開關頻率驅動。隨著基于硅的技術接近其發展極限,設計工程師現在正尋求寬禁帶技術如氮化鎵(GaN)來提供方案。
2020-10-28 06:01:23
氮化鎵功率半導體技術解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
氮化鎵為單開關電路準諧振反激式帶來了低電荷(低電容)、低損耗的優勢。和傳統慢速的硅器件,以及分立氮化鎵的典型開關頻率(65kHz)相比,集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更小:GaNFast? 功率芯片,可實現比傳統硅器件芯片 3 倍的充電速度,其尺寸和重量只有前者的一半,并且在能量節約方面,它最高能節約 40% 的能量。
更快:氮化鎵電源 IC 的集成設計使其非常
2023-06-15 15:32:41
度大、擊穿電場高、熱導率大、電子飽和漂移速度高、介電常數小等獨特的性能,被譽為第三代半導體材料。氮化鎵在光電器件、功率器件、射頻微波器件、激光器和探測器件等方面展現出巨大的潛力,甚至為該行業帶來跨越式
2022-06-14 11:11:16
是什么氮化鎵(GaN)是氮和鎵化合物,具體半導體特性,早期應用于發光二極管中,它與常用的硅屬于同一元素周期族,硬度高熔點高穩定性強。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導體材料,具有寬帶隙、高熱導率等特點,應用在充電器方面,主要是集成氮化鎵MOS管,可適配小型變壓器和高功率器件,充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
滿足軍方對小型高功率射頻器件的需求,WBST 計劃在一定程度上依托早期氮化鎵在藍光 LED 照明應用中的成功經驗。為了快速跟蹤氮化鎵在軍事系統中的應用,WBST 計劃特準計劃參與方深耕 MMIC 制造
2017-08-15 17:47:34
封裝技術的效率。三維散熱是GaN封裝的一個很有前景的選擇。
生活更環保
為了打破成本和大規模采用周期,一種新型功率半導體技術需要解決最引人注目應用中現有設備的一些缺點。氮化鎵為功率調節的發展創造了機會
2019-03-14 06:45:11
。在此基礎上,增加單管激光器的發光區寬度和長度,單管激光器的光功率可以進一步提升,并結合正在發展的GaN激光器的光束整形和合束技術,將實現更高功率的激光器模組。氮化鎵激光器的應用也將更加廣泛。 垂直腔GaN
2020-11-27 16:32:53
GaN如何實現快速開關?氮化鎵能否實現高能效、高頻電源的設計?
2021-06-17 10:56:45
。
與硅芯片相比:
1、氮化鎵芯片的功率損耗是硅基芯片的四分之一
2、尺寸為硅芯片的四分之一
3、重量是硅基芯片的四分之一
4、并且比硅基解決方案更便宜
然而,雖然 GaN 似乎是一個更好的選擇,但它
2023-08-21 17:06:18
的轉換器。在氮化鎵(GaN)功率FET的早期階段,故障很常見。更嚴格的柵極環路設計要求,更高的dv/dt和共源電感的影響使得電路對寄生和噪聲更敏感。當TI推出第一個600V GaN功率級樣品時,我驚嘆于該
2019-07-29 04:45:12
AN011: NV612x GaNFast功率集成電路(氮化鎵)的熱管理
2023-06-19 10:05:37
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產品相比,這些GaN內部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵
2024-01-19 09:27:13
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)在碳化硅(SiC)基板上。 該GaN內部匹配(IM)FET與其他技術相比,具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
Cree的CMPA801B025是氮化鎵(GaN)高電子遷移率基于晶體管(HEMT)的單片微波集成電路(MMIC)。 氮化鎵與硅或砷化鎵相比具有更好的性能,包括更高的擊穿電壓,更高的飽和電子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
集成在一顆芯片中。合封的設計消除了寄生參數導致的干擾,并充分簡化了氮化鎵器件的應用門檻,像傳統集成MOS的控制器一樣應用,得到了很高的市場占有率。鈺泰半導體瞄準小功率氮化鎵合封應用的市場空白,推出
2021-11-28 11:16:55
應用。加拿大多倫多大學教授吳偉東分享了關于用于GaN功率晶體管的智能柵極驅動器IC的精彩報告,并提出了一種適用于氮化鎵功率晶體管的智能柵極驅動集成電路,該集成電路帶有電流傳感特性、可調節輸出電阻、可調
2018-11-05 09:51:35
本帖最后由 kuailesuixing 于 2018-2-28 11:36 編輯
整合意法半導體的制造規模、供貨安全保障和電涌耐受能力與MACOM的硅上氮化鎵射頻功率技術,瞄準主流消費
2018-02-12 15:11:38
,尤其是2010年以后,MACOM開始通過頻繁收購來擴充產品線與進入新市場,如今的MACOM擁有包括氮化鎵(GaN)、硅鍺(SiGe)、磷化銦(InP)、CMOS、砷化鎵等技術,共有40多條生產線
2017-09-04 15:02:41
多個方面都無法滿足要求。在基站端,由于對高功率的需求,氮化鎵(GaN)因其在耐高溫、優異的高頻性能以及低導通損耗、高電流密度的物理特性,是目前最有希望的下一代通信基站功率放大器(PA)芯片材料。5G采用
2017-07-18 16:38:20
Qorvo的QPA3333是款功率倍增器放大器 SMD 模塊。QPA3333選用 GaAs MESFET、GaAs pHemt 和 GaN Hemt 芯片,頻率范圍為 45 MHz 至 1218
2024-03-04 14:44:22
的離散GaN-on-SiC HEMT運行30至1200 MHz的50 V供電軌。集成輸入匹配網絡使寬帶增益和功率性能,而輸出可以在板上匹配,以優化功率和效率的任何區域內的樂隊。產品型號: QPD1004
2018-07-30 15:25:55
`SUMITOMO的GaN-HEMT SGN2729-250H-R為S波段雷達應用提供2.7至2.9 GHz的高功率,高效率和更高的一致性,具有50V工作電壓和高達120μsec脈沖寬度的脈沖條件
2021-03-30 11:14:59
`SUMITOMO的GaN-HEMT SGN2729-600H-R為S波段雷達應用提供2.7至2.9 GHz的高功率,高效率和更高的一致性,具有50V工作電壓和高達120μsec脈沖寬度的脈沖條件
2021-03-30 11:24:16
基于碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導體的新型高效率、超快速功率轉換器已經開始在各種創新市場和應用領域攻城略地——這類應用包括太陽能光伏逆變器、能源存儲、車輛電氣化(如充電器
2019-07-31 06:16:52
書籍:《炬豐科技-半導體工藝》文章:氮化鎵發展技術編號:JFSJ-21-041作者:炬豐科技網址:http://www.wetsemi.com/index.html 摘要:在單個芯片上集成多個
2021-07-06 09:38:20
:傳統升壓CCM PFC對比采用GaN的無橋圖騰柱PFC氮化鎵提供更低的開關損耗、更快的開關速度、更高的功率密度、更好的熱預算、從而提高電動汽車的功率輸出和能效,且降低了重量和成本。采購和品質保證演變
2018-07-19 16:30:38
的設計和集成度,已經被證明可以成為充當下一代功率半導體,其碳足跡比傳統的硅基器件要低10倍。據估計,如果全球采用硅芯片器件的數據中心,都升級為使用氮化鎵功率芯片器件,那全球的數據中心將減少30-40
2023-06-15 15:47:44
1MHz 以上。新的控制器正在開發中。微控制器和數字信號處理器(DSP),也可以用來實現目前軟開關電路拓撲結構,而目前廣泛采用的、為1-2 MHz范圍優化的磁性材料,已經可被使用了。
氮化鎵功率芯片
2023-06-15 15:53:16
氮化鎵(GaN)功率芯片,將多種電力電子器件整合到一個氮化鎵芯片上,能有效提高產品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中,氮化鎵功率芯片,能令先進的電源轉換拓撲結構,從學術概念和理論達到
2023-06-15 14:17:56
通過SMT封裝,GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現氮化鎵器件、驅動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
兩年多前,德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵(GaN)功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率,且易于設計,帶集成柵極驅動和穩健的器件保護。從那時起,我們就致力于利用這項尖端技術將功率級
2020-10-27 09:28:22
氮化鎵,由鎵(原子序數 31)和氮(原子序數 7)結合而來的化合物。它是擁有穩定六邊形晶體結構的寬禁帶半導體材料。禁帶,是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量,氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV,是硅
2023-06-15 15:41:16
、高功率、高效率的微電子、電力電子、光電子等器件方面的領先地位。『三點半說』經多方專家指點查證,特推出“氮化鎵系列”,告訴大家什么是氮化鎵(GaN)?
2019-07-31 06:53:03
流,但隨著5G的到來,砷化鎵器件將無法滿足在如此高的頻率下保持高集成度。[color=rgb(51, 51, 51) !important]于是,GaN成為下一個熱點。氮化鎵作為一種寬禁帶半導體,可承受更高
2019-07-08 04:20:32
7. Fly-Buck隔離電源和Fly-Back的電路比較高功率密度GaN伺服驅動器的設計 采用TI氮化鎵和電容隔離方案設計的伺服驅動器如圖8所示。LMG3410是集成了驅動的GaN FET功率級芯片
2019-03-14 06:45:08
傳統的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導體電力電子器件的誕生,以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
(GaN)原廠來說尤為常見,其根本原因是氮化鎵芯片的優異開關性能所引起的測試難題,下游的氮化鎵應用工程師往往束手無策。某知名氮化鎵品牌的下游客戶,用氮化鎵半橋方案作為3C消費類產品的電源,因電源穩定性
2023-02-01 14:52:03
在過去的十多年里,行業專家和分析人士一直在預測,基于氮化鎵(GaN)功率開關器件的黃金時期即將到來。與應用廣泛的MOSFET硅功率器件相比,基于GaN的功率器件具有更高的效率和更強的功耗處理能力
2019-06-21 08:27:30
高頻150W PFC-LLC與GaN功率ic(氮化鎵)
2023-06-19 08:36:25
氮化鎵(GaN)是最接近理想的半導體開關的器件,能夠以非常高的能效和高功率密度實現電源轉換。但GaN器件在某些方面不如舊的硅技術強固,因此需謹慎應用,集成正確的門極驅動對于實現最佳性能和可靠性至關重要。本文著眼于這些問題,給出一個驅動器方案,解決設計過程的風險。
2020-10-28 06:59:27
氮化鎵(GaN) 功率放大器(PA) 設計是當前的熱門話題。出于多種原因,GaN HEMT 器件已成為滿足大多數新型微波功率放大器需求的領先解決方案。過去,PA 設計以大致的起點開始并運用大量
2019-07-31 08:13:22
的測試,讓功率半導體設備更快上市并盡量減少設備現場出現的故障。為幫助設計工程師厘清設計過程中的諸多細節問題,泰克與電源行業專家攜手推出“氮化鎵電源設計從入門到精通“8節系列直播課,氮化鎵電源設計從入門到
2020-11-18 06:30:50
導讀:將GaN FET與它們的驅動器集成在一起可以改進開關性能,并且能夠簡化基于GaN的功率級設計。氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關速度比硅MOSFET快很多,從而有可能實現更低的開關損耗。然而,當
2022-11-16 06:23:29
如何設計GaN氮化鎵 PD充電器產品?
2021-06-15 06:30:55
在德州儀器不斷推出的“技術前沿”系列博客中,一些TI最優秀的人才討論當今最大的技術趨勢以及如何應對未來挑戰等問題。相較于先前使用的硅晶體管,氮化鎵(GaN)可以讓全新的電源應用在同等電壓條件下以更高
2018-08-30 15:05:40
和功率因數校正 (PFC) 配置。 簡單的電路提供了將硅控制器用于GaN器件的過渡能力。對于單個氮化鎵器件,隔離式負 V一般事務(關閉)EZDrive?電路是一種低成本、簡單的方法,可以使用12V驅動器
2023-02-21 16:30:09
兩年多前,德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵(GaN)功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率,且易于設計,帶集成柵極驅動和穩健的器件保護。從那時起,我們就致力于利用這項尖端技術將功率級
2022-11-10 06:36:09
功率/高頻射頻晶體管和發光二極管。2010年,第一款增強型氮化鎵晶體管普遍可用,旨在取代硅功率MOSFET。之后隨即推出氮化鎵功率集成電路- 將GaN FET、氮化鎵基驅動電路和電路保護集成為單個器件
2023-06-25 14:17:47
。在這次活動中,劍橋 GaN 器件公司宣布了其集成電路增強氮化鎵(ICeGaN)技術,以修改 GaN 基功率晶體管的柵極行為。這種新技術基于增強型 GaN 高電子遷移率晶體管,具有超低比導通電阻和非常低
2022-06-15 11:43:25
受益于集成器件保護,直接驅動GaN器件可實現更高的開關電源效率和更佳的系統級可靠性。高電壓(600V)氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)的開關特性可實現提高開關模式電源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
GaN將在高功率、高頻率射頻市場及5G 基站PA的有力候選技術。未來預估5-10年內GaN 新型材料將快速崛起并占有多半得半導體市場需求。。。以下內容均摘自網絡媒體,如果不妥,請聯系站內信進行刪除
2019-04-13 22:28:48
納微集成氮化鎵電源解決方案及應用
2023-06-19 11:10:07
氮化鎵GaN是什么?
2021-06-16 08:03:56
,是氮化鎵功率芯片發展的關鍵人物。
首席技術官 Dan Kinzer在他長達 30 年的職業生涯中,長期擔任副總裁及更高級別的管理職位,并領導研發工作。他在硅、碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08
解決方案,累計近100家客戶選用了茂睿芯的氮化鎵解決方案。致力于為客戶提供最優解,進一步提高PD快充的功率密度,提高GaN系統可靠性,茂睿芯重磅推出33W集成氮化鎵PD方案MK2787/MK2788,集成
2021-11-12 11:53:21
倍增器作為最早成功應用于加速器的RF脈沖壓縮器,是各種RF脈沖壓縮技術的基礎,使用能量倍增器作為初級波源的功率放大器,對于獲得更高功率的微波脈沖也是一種很好的方法。能量倍增器自問世以來,即受到了廣泛
2010-04-22 11:48:46
就可以實現。正是由于我們推出了LMG3410—一個用開創性的氮化鎵 (GaN) 技術搭建的高壓、集成驅動器解決方案,相對于傳統的、基于硅材料的技術,創新人員將能夠創造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26
就可以實現。正是由于我們推出了LMG3410—一個用開創性的氮化鎵 (GaN) 技術搭建的高壓、集成驅動器解決方案,相對于傳統的、基于硅材料的技術,創新人員將能夠創造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2018-08-30 15:05:50
集成功率放大電路實驗
一、實驗目的 1.掌握測量集成功率放大電路主要電路指標的方法 2.理解功率放大電路的工作原
2008-12-05 16:50:348213
電容倍增器電路圖
2009-04-03 08:38:145264
穩定的Q值倍增器電路圖
2009-06-25 11:43:06699 單片集成功率放大電路
5G37集成功率放大器,內部是由兩級直接耦合電路組成的
2009-09-17 08:11:281792 大功率集成功率放大器
大功率集成功率放大器是一種新型的音響功放集成模塊,它和一般的集成功率放大器相比,具有增益高、失真小、頻率響應寬、功耗小、輸出功
2009-09-19 16:05:101919 電容倍增器
2009-09-25 14:30:28877 首批商用氮化鎵集成功率級器件
國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出行業首個商用集成功率級產品系列,采用了IR革命性的氮化鎵 (GaN) 功率
2010-03-06 09:44:01836 IR推出首批商用氮化鎵集成功率級器件iP2010和iP2011
國際整流器公司(IR)推出行業首個商用集成功率級產品系列,采用了IR革命性的氮化鎵 (GaN) 功率器件技術平臺。嶄新的i
2010-03-09 10:24:50947 Vishay發布新款集成功率光敏
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出兩款新的集成功率光敏,分別是輸出電流為0.9A的VO2223和輸出電流為1A的VO2223A,擴
2010-03-26 11:38:56722 新型射頻前端解決方案(TriQuint)
TriQuint推出新型射頻前端解決方案,支持高通(Qualcomm)*最新發布的3G芯片組。TriQuint此次推出的解決
2010-04-29 11:35:38856 RFMD公司推出氮化鎵有線電視表面貼裝功率倍增模塊。RFCM2680 是業界首款專門針對有線電視網絡的表面貼裝氮化鎵功率倍增模塊。該器件同時采用了氮化鎵 HEMT 和砷化鎵 pHEMT 技術,可在
2011-11-16 10:06:461337 技術創新的射頻解決方案領導廠商TriQuint半導體(納斯達克代碼:TQNT),今天發布了15款新型氮化鎵( GaN )放大器和晶體管以及兩套全新的氮化鎵工藝。這些產品為通訊系統提供了性能、尺寸
2013-07-01 11:20:20953 淺析電容倍增器的原理及應用 李文元
2021-11-15 16:15:3459 集成功率器件可簡化FPGA和SoC設計
2022-11-02 08:15:591 Channeltron?電子倍增器是電子倍增器的一種特殊形式,兩者其主要區別在于其結構和工作原理。 Channeltron電子倍增器的特點是在環形電極內嵌入了一個微型的鋼管,這個鋼管通常由玻璃或陶瓷
2023-03-28 09:04:15544 SILERGY矽力杰集成功率級DrMOS方案
2023-06-07 15:17:17735 電動汽車驅動電機控制器基本結構可分為:殼體、高低壓連接器、電子控制元件、電氣控制元件、電氣功率元件。 電氣功率元件主要為IGBT集成功率模塊,是電氣控制器關鍵零部件。 通過電子控制元件與電氣控制
2023-07-28 11:03:451569 論文研究氮化鎵GaN功率集成技術
2023-01-13 09:07:473
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