引言

　　有源元件和無源元件——在工程設計領域真的是非白即黑嗎？

　　晶體管和集成電路由于利用來自電源的能量改變信號，所以被認為是有源元件。基于這個依據，我們將電容、電阻、電感、連接器，甚至是印刷電路板（PCB）稱為無源元件，因為它們看起來不耗電。然而，由于無源元件均具有寄生參數，它們實際上也會以不可預知的方式改變信號。所以，許多所謂的無源元件并非真的“無源”。本文分為3部分，這里為第1部分，專注于討論電容的有源特性。

　　并非完全無源的電容

　　無源可定義為惰性和/或不活躍，但無源電子元件會以不可預知的方式成為有源電路的一部分。所以，純容性電容實際上是不存在的。所有電容在本質上都存在一定的寄生成分（圖1）。

　　圖1. 電容（C）及其最大的寄生元件。

　　我們進一步觀察圖1所示寄生元件。標有“C”的電容是我們的考察對象，其它所有元件則是不希望存在的寄生元件1。并聯電阻RL引起泄漏，從而改變有源電路的偏置電壓、濾波器的Q因子，并影響采樣-保持電路的保持能力2。等效串聯電阻（ESR）則會降低電容抑制紋波和通過高頻信號的能力，因為等效串聯電感（ESL）形成諧振電路（即自諧電路）。這意味著，在自諧頻率以上時，電容呈現為電感，不再具備電源與地之間的高頻噪聲去耦作用。電容介質可能是壓電介質，增加振動產生的噪聲 （AC），就好像電容C內部嵌入了電池（未繪出）。冷焊應力造成的壓電效應可以改變電容值。壓電電解電容也具有等效的串聯寄生二極管（未繪出），這些二極管會對高頻信號進行整流，改變偏置或增大信號失真。

　　較小的電池SB1至SB4表示塞貝克（Seebeck）結3，是由不同金屬（寄生熱電偶）在此形成的電壓源。當我們連接測試設備時，需要考慮共用連接器的塞貝克效應。Jim Williams在參考文獻4中指出，BNC和橡膠插頭連接器對的熱電勢范圍為0.07μV/°C至1.7μV/°C （附錄J，圖J5）。這一變化只適合我們日常在實驗室內部的簡單連接。將看起來較小的失調增益乘以1000，就達到1.7mV——這是我們尚未實際開始操作就存在的。

　　SB2和SB3可能是電容內部連接引線的箔，或連接至焊盤或表貼元件焊料的金屬化物。SB1和SB4表示器件通過焊料到PCB銅線的結。以往的焊料是63%的鉛和37%的錫，但現在使用的符合RoHS標準的無鉛焊料成分變化很大，會影響電容附近的電壓，所以必須查詢合金成分。

　　可對介質吸收（DA）或Bob Pease所稱的“滲透”進行建模，等效為無數個RC時間常數：DA1至DAINFINITY，其中每個時間常數由電阻RDA和電容CDA組成。Bob Pease列舉了一些“滲透”非常重要的實例，本文附錄中介紹了一段關于吸收的有趣經歷。

　　“如果您關閉彩色電視機，然后打開后蓋，那么在您開始操作之前首先必須要做的是什么？在螺絲刀上連接一條地線，然后接觸高壓插頭上的橡膠墊圈下方，對CRT放電。那好，現在電容已經放電了，如果讓這一過程持續大約10分鐘，那么有多少電壓將“滲透”回顯像管的“電容”？當您第二次放電時，足以造成可見的電弧這就是我所說的介質吸收5?！?/p>

　　由此可見，電容會隨著作用電壓的改變而改變。然后再加上老化、溫度的影響，以及其它可能造成電容器物理損壞的眾多因素6，這種簡單的無源元件就變得非常復雜。

　　現在，我們應該討論一下與自激有關的因素，這是去耦電容以及接地不良的電容最常見的問題。如果接地不良，任何電容都不能正常工作。電容自激主要受圖1所示ESL的影響，當然，PCB過孔也會產生一定的影響。工作在射頻頻段時，這些過孔將影響小電容的自激點。以圖2為例，討論了1μF電容的曲線。

　　圖2. 三個電容的自激頻率（曲線的最低點），圖示表明，電容的性能并不完全一致。在左側，當曲線（阻抗）向下移動時，電容表現為電容。當達到其最低點時，電容呈現為電感（ESL），不再是有效的去耦電容。

　　1μF曲線在4.6MHz時達到最小，高于該頻率時，ESL占支配地位，電容的工作特性表現為電感。由此，去耦電容在高頻下稱為一個雙向導體：對于電源總線上的高頻信號而言，電源線與地短接，反之亦然。電容模糊了電源和地之間的差異。

　　隨著對信號頻率和電容的深入考察，我們可能忘記了所產生的諧波或邊帶。例如，一個50MHz方波的SPI時鐘，具有無限次的奇次諧波。大多數系統（并非所有系統）會忽略5次以上的諧波，因為這些諧波的能量已經非常低，在噪底以下。如果諧波在半導體器件中經過整流，仍可造成負面的影響，因為它們會轉換成新的低頻干擾。