隔離式柵極驅動器提供電平轉換、隔離和柵極驅動強度，以便操作功率器件。這些柵極驅動器的隔離特性允許高側和低側器件驅動，并且能夠在使用合適的器件時提供安全柵。示例應用程序如圖 1 所示。VDD1
2022-12-19 11:46:18
1809 
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款面向絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)與MOSFET的隔離式柵極驅動器，其速度比同等光學柵極驅動器快40%。
2012-10-11 14:04:331610 對 MOSFET 的柵極進行充電和放電需要同樣的能量， 無論充放電過程快或慢 (柵極電壓的上升和下降)。因 此，MOSFET 驅動器的電流驅動能力并不影響由 MOS- FET 柵極的容性負載產生的驅動器功耗。
2018-04-28 09:11:0612542 
英飛凌提供500多種EiceDRIVER?柵極驅動器解決方案，用于驅動MOSFET、IGBT、SiC MOSFET 以及GaN HEMT。其中包括隔離型柵極驅動器、 電平轉換柵極驅動器以及非隔離低邊驅動器，從而滿足各種功率半導體技術和功率轉換拓撲的設計要求。
2019-01-29 09:58:3227184 
常規的雙極晶體管是電流驅動器件，而MOSFET 是電壓驅動器件。
2023-05-22 09:52:08748 
MOSFET 和 IGBT 柵極驅動器電路的基本原理
2019-08-29 13:30:22
MOSFET柵極驅動器LTC44411資料下載內容包括：LTC4441-1功能和特點LTC4441-1引腳功能LTC4441-1內部方框圖LTC4441-1典型應用電路LTC4441-1電氣參數
2021-03-24 07:13:00
MOSFET柵極驅動器LTC4441資料下載內容主要介紹了：LTC4441功能和特點LTC4441引腳功能LTC4441內部方框圖LTC4441典型應用電路LTC4441電氣參數
2021-03-29 06:26:56
你好，我正在尋找這兩個MOSFET的驅動器IC，FDD7N20TMCT-ND和FQD7P20TMCT-ND。我的邏輯由CPLD產生，為3.3V。我在想使用MD1822K6-GCT-ND。這些
2018-10-25 14:27:53
MOSFET柵極電路常見的作用MOSFET常用的直接驅動方式
2021-03-29 07:29:27
ID-VGS的溫度特性一致。另外，VGS(th)可用于推算Tj。VGS(th)的溫度特性中有直線性，因此可除以系數，根據VGS(th)的變化量計算溫度上升。關鍵要點:?使MOSFET導通的電壓稱為“柵極閾值
2019-05-02 09:41:04
NCP51530AMNTWG
2023-03-28 13:11:17
NCP51530BMNTWG
2023-03-29 21:53:48
描述：NCP302045MNTWG在一個封裝中集成了 MOSFET 驅動器、高壓側 MOSFET 和低壓側 MOSFET。該驅動器和 MOSFET 適用于高電流 DC?DC 降壓功率轉換器
2022-02-10 13:07:46
描述：NCP302155MNTWG是一款集成了MOSFET驅動器，高?側面MOSFET而且很低?將側邊MOSFET封裝成單個封裝。驅動器和MOSFET已經過優化，以實現高性能?現在的直流?直流降壓
2021-07-14 19:55:16
NCP5106BA36WGEVB，NCP5106,36 W鎮流器評估板。 NCP5106是一款高壓柵極驅動器IC，提供兩路輸出，用于直接驅動2個N溝道功率MOSFET或IGBT，采用半橋配置版本B或任何其他高端+低端配置版本A.它使用自舉技術，以確保正確驅動高端電源開關。該驅動程序使用2個獨立輸入
2019-10-12 10:31:24
本帖最后由 Sillumin驅動 于 2021-11-23 14:05 編輯
NCP5106是一款高壓柵極驅動IC，提供兩個輸出，用于直接驅動2個N溝道功率MOSFET或IGBT，使用自舉技術
2021-11-23 13:57:47
NCP5181BAL36WEVB，NCP5181,36 W鎮流器評估板。 NCP5181是一款高壓功率MOSFET驅動器，提供兩路輸出，用于直接驅動2個N溝道功率MOSFET，這些功率MOSFET
2019-10-12 10:29:07
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅動器和其它系統中的開關元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為集電極
2021-01-27 07:59:24
為何需要柵極驅動器柵極驅動器的關鍵參數
2020-12-25 06:15:08
摘要IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅動器和其它系統中的開關元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為
2021-07-09 07:00:00
同時施加一個信號，則兩個通道輸出的時間延遲是延遲匹配數值。延遲匹配數值越小，柵極驅動器可以實現的性能越好。延遲匹配有兩個主要好處：· 確保同時驅動的并聯MOSFET具有最小的導通延遲差。· 簡化了柵極
2019-04-15 06:20:07
本文通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關來研究柵極驅動器隔離柵的耐受性能。
2021-06-17 07:24:06
隔離電源轉換器詳解柵極驅動器解決方案選項最優隔離柵極驅動器解決方案
2021-03-08 07:53:35
LED驅動器NCP5602資料下載內容主要介紹了：NCP5602功能和特性NCP5602引腳功能NCP5602內部方框圖NCP5602典型應用電路
2021-03-31 07:42:20
安裝，靈活性和成本效益使Si8751成為各種隔離MOSFET柵極驅動應用的理想選擇。 Si8751評估板允許設計人員評估Si8751系列MOSFET驅動器
2020-06-08 12:07:42
變的危險，這可能會影響甚至損壞處理器邏輯。因此，為IGBT提供合適柵極信號的柵極驅動器，還執行提供短路保護并影響開關速度的功能。然而，在選擇柵極驅動器時，某些特性至關重要。
2020-10-29 08:23:33
本文通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關來研究柵極驅動器隔離柵的耐受性能。在高度可靠、高性能的應用中，如電動/混合動力汽車，隔離柵級驅動器需要確保隔離柵在所有情況下完好無損。隨著
2021-01-22 06:45:02
，使用雙極結型晶體管(BJT)圖騰柱驅動低側配置中的電源開關。但是，由于柵極驅動器IC的諸多優勢及其附加特性，它日益取代了這些分立式解決方案。圖2顯示了典型BJT圖騰柱配置與典型柵極驅動器IC。 圖 2
2022-11-04 06:40:48
什么是MOSFET驅動器？MOSFET驅動器功耗包括哪些部分？如何計算MOSFET的功耗？
2021-04-12 06:53:00
在功率MOSFET的數據表的開關特性中，列出了柵極電荷的參數，包括以下幾個參數，如下圖所示。Qg(10V)：VGS=10V的總柵極電荷。Qg(4.5V))：VGS=4.5V的總柵極電荷。Qgd：柵極
2017-01-13 15:14:07
簡介NCP4305是NCP4303/4的升級版，支持高達1 MHz的工作頻率，提供大電流門驅動器及高速邏輯電路，用于為同步整流MOSFET提供時序恰當的驅動信號。由于其新穎的架構，能在任何工作模式下使
2019-06-17 05:00:09
顯示了IGBT的理想導通特性以及針對不同類型驅動器的相應柵極電流。在整篇文章中，僅考慮開啟特性。 （A） 圖片由Bodo的電力系統公司提供 （B） 圖片由Bodo的電力系統提供 （C
2023-02-21 16:36:47
碳化硅 （SiC） MOSFET 成為 MOSFET 市場的可見部分，需要能夠提供負電壓的特殊柵極驅動器碳化硅 （SiC） MOSFET 成為 MOSFET 市場的可見部分，需要特殊的柵極驅動器
2023-02-27 09:52:17
您好，我正在嘗試使用 MC34GD3000 柵極驅動器，但我們遇到了設備故障和損壞高側 MOSFET 柵極驅動器的問題。首先，是否有任何關于正確設置柵極驅動器輸出的應用說明。我們看到的是在沒有任何
2023-04-19 06:36:06
、時序特性更精確，與光耦合器相比，具有速度優勢。在圖3中，采用的是一個脈沖變壓器，其工作速度可以達到半橋柵極驅動器應用通常所需的水平(最高1 MHz)。柵極驅動器IC可用于提供容性MOSFET柵極充電
2018-10-23 11:49:22
驅動器解決方案在提供高性能和小尺寸方面的卓越能力。隔離式半橋驅動器的功能是驅動上橋臂和下橋臂N溝道MOSFET(或IGBT)的柵極，通過低輸出阻抗降低導通損耗，同時通過快速開關時間降低開關損耗。上橋臂
2018-10-16 16:00:23
展現采用小型封裝的隔離式半橋柵極驅動器IC在造就高性能方面的卓越能力。 采用光耦合器隔離的基本半橋驅動器（如圖1所示）以極性相反的信號來驅動高端和低端N溝道MOSFET（或IGBT）的柵極，由此來控制
2018-09-26 09:57:10
求助，使用ncp1652做的驅動器，不知道用什么仿真
2013-05-14 21:50:20
NCP4303B采用無鉛8引腳SOIC封裝,門驅動鉗位電壓為6V，門驅動鉗位電壓為6 V。為全功能同步整流控制器及驅動器集成電路。用于為同步整流MOSFET提供時序恰當的驅動信號。典型值40 ns
2021-04-19 07:11:34
如果一個特殊的功率器件需要正負柵極驅動，電路設計人員無需特別尋找可進行雙極性操作的特殊柵極驅動器。使用一個簡單的技巧，就可以使單極性柵極驅動器提供雙極性電壓！
2019-08-06 06:08:24
描述此參考設計是一種通過汽車認證的隔離式柵極驅動器解決方案，可在半橋配置中驅動碳化硅 (SiC) MOSFET。此設計分別為雙通道隔離式柵極驅動器提供兩個推挽式偏置電源，其中每個電源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55
安森美半導體的NCP51530是700 V高低邊驅動器，用于AC-DC電源和逆變器，提供高頻工作下同類最佳的傳播延遲、低靜態電流和開關電流。NCP51530具有行業最低的電平漂移損耗，使電源能在高頻
2020-10-28 09:07:43
MOSFET的柵極電荷特性與開關過程MOSFET的漏極導通特性與開關過程
2021-04-14 06:52:09
IGBT/功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅動器和其它系統中的開關元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為
2018-10-25 10:22:56
討論柵極驅動器是什么，為何需要柵極驅動器？考慮一個具有微控制器的數字邏輯系統，其I/O引腳之一上可以輸出一個0 V至5 V的PWM信號。這種PWM將不足以使電源系統中使用的功率器件完全導通，因為其過驅電壓一般超過標準CMOS/TTL邏輯電壓。如此，請大神分析下面兩種方式：
2018-08-29 15:33:40
Sanket Sapre摘要IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅動器和其它系統中的開關元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對
2018-11-01 11:35:35
新年伊始，設計師們似乎在永遠不停地追求更高效率。在此系列的第一部分中，我討論了高電流柵極驅動器如何幫助系統實現更高的效率。高速柵極驅動器可以實現相同的效果。高速柵極驅動器可以通過降低FET的體二極管
2019-03-08 06:45:10
高速柵極驅動器可以實現相同的效果。高速柵極驅動器可以通過降低FET的體二極管的功耗來提高效率。體二極管是寄生二極管，對于大多數類型的FET是固有的。它由p-n結點形成并且位于漏極和源極之間。圖1所示
2022-11-14 07:53:24
MOSFET驅動器與MOSFET的匹配設計本應用筆記將詳細討論與MOSFET 柵極電荷和工作頻率相關的MOSFET 驅動器功耗。還將討論如何根據MOSFET 所需的導通和截止時間將MOSFET 驅動器的
2010-06-11 15:23:20
212 單通道MOSFET或IGBT柵極驅動器集成電路IR2117
IR2117是美國IR公司專為驅動單個MOSFET或IGBT而設計的柵極驅動器集成電路。文中介紹了它的引腳排列、功能
2009-12-08 10:21:006016 
當今多種模式風頭技術和鬼片支撐并存，而且技術進步越來越快，要根據MOSFET的電壓/電流或管芯吃困，對如何將MOSFET驅動器與MOSFET進行匹配進行了一般說明。 本筆記詳細討論與MOSFET柵
2011-03-31 16:29:21142 高壓MOSFET驅動器電路的LTC1154被用作電荷泵，從而來驅動一個高壓側功率MOSFET的柵極。
2011-12-17 00:02:004947 
10 月 1 日 – 凌力爾特公司 （Linear Technology Corporation） 推出高端、高頻率 N 溝道 MOSFET 柵極驅動器 LTC4440A-5，該器件能以高達 80V
2013-10-09 15:41:271040 
Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的DGD21xx系列包括六款半橋柵極驅動器及六款高/低側600V柵極驅動器，可在半橋或全橋配置下輕易開關功率MOSFET與IGBT。
2016-03-14 18:13:231403 觀看視頻系列，“了解您的柵極驅動器”。 柵極驅動器雖然經常被忽視，但是它在電源和電機控制系統等系統中發揮著很重要的作用。我喜歡把柵極驅動器比作肌肉！該視頻系列說明了柵極驅動器的工作原理，并重點介紹
2017-04-26 15:18:383420 
的柵極驅動要求等。與在這種設計中正式使用的雙極晶體管相比，IGBT在驅動電路的尺寸和復雜度上都有相當大的降低。最近在IGBT開關速度的改進取得了設備適用于電源的應用，因此IGBT將與某些高電壓MOSFET以及應用。許多設計者因此轉向MOSFET驅動器以滿足其
2017-07-04 10:51:0522 高壓MOSFET驅動器電路的LTC1154被用作電荷泵，從而來驅動一個高壓側功率MOSFET的柵極。高壓MOSFET驅動器電路：
2017-10-19 16:02:3723 TI公司的DRV8305-Q1是三相馬達驅動用的柵極驅動器,提供三個半橋驅動器,每個能驅動高邊和低邊N溝MOSFET;電荷泵驅動器支持100%占空比.器件滿足AEC-Q100標準,4.4-V
2018-04-27 06:17:008876 
ADP3110A是一個單相12V MOSFET柵極驅動器，它被優化成在同步降壓轉換器中同時驅動高_側和低_側功率MOSFET的柵極。高_側和低_側驅動器能夠以25ns的傳播延遲和30ns的過渡時間驅動3000pF負載。
2018-08-27 10:44:0078 視頻簡介：在本視頻中，您將了解NCP1568的主要優勢，并觀看演示，使用相應的高速半橋驅動器NCP51530和次級端同步整流器NCP4305。
2019-03-14 06:02:005807 
通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關來研究柵極驅動器隔離柵的耐受性能。
2019-04-16 17:07:394943 
安森美半導體的NCP51530是700 V高低邊驅動器，用于AC-DC電源和逆變器，提供高頻工作下同類最佳的傳播延遲、低靜態電流和開關電流。NCP51530具有行業最低的電平漂移損耗，使電源能在高頻
2019-06-02 09:28:084137 電子發燒友網為你提供ON Semiconductor(ti)NCP51530相關產品參數、數據手冊，更有NCP51530的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，NCP51530真值表，NCP51530管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2019-07-31 01:02:17
Important Characteristics of Insulated Gate Drivers隔離式柵極驅動器的重要特性Thomas
2019-09-29 13:47:303445 
柵極驅動器可以驅動開關電源如MOSFET，JFET等，因為如MOSFET有個柵極電容，在導通之前要先對該電容充電，當電容電壓超過閾值電壓（VGS-TH）時MOSFET才開始導通。
2020-01-29 14:18:0019390 
來源：羅姆半導體社區 柵極驅動器的作用 柵極驅動器可以驅動開關電源如MOSFET,JFET等，因為MOSFET有個柵極電容，在導通之前要先對該電容充電，當電容電壓超過閾值電壓(VGS-TH
2022-11-16 17:50:18987 本應用筆記涵蓋了計算柵極驅動光耦合器 IC 的柵極驅動器功率和熱耗散的主題。柵極驅動光耦合器用于驅動、導通和關斷、功率半導體開關、MOSFET/IGBT。柵極驅動功率計算可分為三部分；驅動器內部電路
2021-06-14 03:51:003144 
摘要
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅動器和其它系統中的開關元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為
2021-01-28 08:13:3820 6A N 溝道 MOSFET 柵極驅動器在 -55°C 至 125°C 的節溫范圍內工作
2021-03-19 01:44:181 LTC4441：N溝道MOSFET柵極驅動器數據表
2021-05-26 08:42:545 ADI隔離柵極驅動器和WOLFSPEED SiC MOSFET
2021-05-27 13:55:0830 本手冊概述了 ACPL-P349/W349 評估板的特性以及評估隔離式 IGBT 或 SiC/GaN MOSFET 柵極驅動器所需的配置。需要目視檢查以確保收到的評估板處于良好狀態。
2021-06-23 10:45:213357 
隔離式柵極驅動器的特性及應用綜述
2021-06-25 10:17:3021 ROHM不僅提供電機驅動器IC，還提供適用于電機驅動的非隔離型柵極驅動器，以及分立功率器件IGBT和功率MOSFET。 我們將先介紹羅姆非隔離型柵極驅動器，再介紹ROHM超級結MOSFET
2021-08-09 14:30:512409 MOSFET和IGBT柵極驅動器電路的基本原理
2021-11-29 16:29:1763 NCP302155AMNTWG 柵極驅動器（31-PQFN）
2022-05-14 14:19:45726 STMicroelectronics (ST) 的 STGAP2SiCSN 單通道柵極驅動器旨在調節碳化硅 (SiC) MOSFET。它采用窄體 SO-8 封裝，可節省空間并具有精確的PWM 控制
2022-08-03 09:47:011355 
并聯MOSFET可實現高功率設計（如交錯式升壓轉換器），并且可以在多個級別完成。在為并聯MOSFET實現驅動器時，其柵極不應直接連接在一起，而應將柵極電阻分別施加到每個柵極。
2022-10-19 10:03:241017 高壓柵極驅動器的功耗和散熱考慮分析
2022-11-15 20:16:281 IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制器件，用作電源電路和電機驅動器等系統中的開關元件。柵極是每個設備的電氣隔離控制端子。 MOSFET的其他端子是源極和漏極，對于IGBT，它們被稱為集電極
2023-01-30 17:17:121151 
柵極驅動參考 1.PWM直接驅動2.雙極Totem-Pole驅動器3.MOSFET Totem-Pole驅動器4.速度增強電路5.dv/dt保護 1.PWM直接驅動 在電源應用中，驅動主開關
2023-02-23 15:59:0017 高側非隔離柵極驅動 1.適用于P溝道的高側驅動器2.適用于N溝道的高側直接驅動器 1.適用于P溝道的高側驅動器 高側非隔離柵極驅動可按照所驅動的器件類型或涉及的驅動電路類型來分類。相應地，無論是
2023-02-23 15:35:241 LTC7001 是一款快速、高壓側 N 溝道 MOSFET 柵極驅動器，選用高達 135V 的輸入電壓作業。該器材包括一個擔任全面增強外部 N 溝道 MOSFET 開關的內部充電泵，因此使其可以無限期地堅持導通。
2023-03-23 09:46:45515 功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅動器和其他系統中的開關元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET 的其他端子是源極和漏極。
2023-04-04 09:58:391004 
柵極驅動器是一個用于放大來自微控制器或其他來源的低電壓或低電流的緩沖電柵極驅動器的原理及應用分析用中，微控制器輸出通常不適合用于驅動功率較大的晶體管。
2023-05-17 10:14:526261 
功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅動器和其他系統中的開關元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET 的其他端子是源極和漏極。
為了操作 MOSFET，通常須將一個電壓施加于柵極（相對于源極或發射極）。使用專用驅動器向功率器件的柵極施加電壓并提供驅動電流。
2023-05-17 10:21:391475 常規的雙極晶體管是電流驅動器件，而MOSFET 是電壓驅動器件。
2023-05-22 09:54:02518 
寬禁帶生態系統的一部分，還將提供? NCP51705（用于 SiC MOSFET 的隔離柵極驅動器）的使用指南 。本文為
2023-06-25 14:35:02378 
介紹
在設計電源開關系統（例如電機驅動器或電源）時，設計人員必須做出重要決定。什么電機或變壓器符合系統要求？什么是最好的MOSFET或IGBT來匹配該電機或變壓器？以及哪種柵極驅動器 IC 最適合
2023-07-24 15:51:430 意法半導體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅動器旨在提供穩健性、可靠性、系統集成性和靈活性的完美結合。
2024-02-27 09:05:36578 
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