模擬設(shè)計領(lǐng)域兩位前輩Bob Pease（模擬巨星Bob Pease隕落）與Jim Williams的辭世（悼念凌力爾特模擬巨匠Jim大師），讓我憂慮好一段時間的某個問題浮上臺面：當你退休之后，世界會變怎樣？
2012-03-27 11:18:19
2525 模擬設(shè)計 Labview 項目套件
2024-03-14 21:13:53
如圖，是N溝JFET的傳輸特性，按理論說最大漏源飽和電流IDSS就是VGS等于零時候的值，但是在實際的應(yīng)用中，當VGS稍微大于零的情況下，IDSS有一小部分的增長。因此，JFET可應(yīng)用于小信號的零
2017-11-06 14:36:09
JFET短路失效是什么原因
2017-09-05 09:58:04
在MAX配置虛擬設(shè)備時，自檢失敗怎么辦？
2016-03-26 11:14:39
在高速應(yīng)用中使用JFET輸入放大器的優(yōu)勢
2021-01-26 07:43:03
噪聲是模擬電路設(shè)計的一個核心問題，它會直接影響能從測量中提取的信息量，以及獲得所需信息的經(jīng)濟成本。遺憾的是，關(guān)于噪聲有許多混淆和誤導(dǎo)信息，可能導(dǎo)致性能不佳、高成本的過度設(shè)計或資源使用效率低下。今天我們就聊聊關(guān)于模擬設(shè)計中噪聲分析的11個由來已久的誤區(qū)。
2019-07-30 06:21:34
很快，我被認為是創(chuàng)造者2.1，我認為這個創(chuàng)造者向前邁出了一大步。…模擬設(shè)備編輯器，橡皮筋模式，新的電源監(jiān)控部件…我認為這是一個偉大的完成。其中，我發(fā)現(xiàn)一些新的特性是歐姆表。它可以簡單地從右側(cè)選項卡
2019-04-30 07:27:22
采用0.13um的混合工藝 模擬設(shè)計中用到的MOS的柵長選擇就是0.13um嗎？ / C5 @, o6 U8 I% q! X而如果采用0.18um的混合工藝 模擬設(shè)計中用到的MOS的柵長選擇就是0.18um嗎？
2012-01-12 16:33:54
本文闡述關(guān)于模擬設(shè)計中噪聲分析的11個由來已久的誤區(qū)。
2021-03-09 08:27:51
作者：Scott Hunt噪聲是模擬電路設(shè)計的一個核心問題，它會直接影響能從測量中提取的信息量，以及獲得所需信息的經(jīng)濟成本。遺憾的是，關(guān)于噪聲有許多混淆和誤導(dǎo)信息，可能導(dǎo)致性能不佳、高成本的過度設(shè)計或資源使用效率低下。本文闡述關(guān)于模擬設(shè)計中噪聲分析的11個由來已久的誤區(qū)。
2019-07-23 06:01:39
本書是模擬設(shè)計領(lǐng)域牛人經(jīng)驗的濃縮，總結(jié)了100個問題，下載：[hide] [/hide]
2013-09-09 13:32:29
噪聲是模擬電路設(shè)計的一個核心問題，它會直接影響能從測量中提取的信息量，以及獲得所需信息的經(jīng)濟成本。遺憾的是，關(guān)于噪聲有許多混淆和誤導(dǎo)信息，可能導(dǎo)致性能不佳、高成本的過度設(shè)計或資源使用效率低下。今天咱們就跟隨ADI攻城獅的腳步了解下關(guān)于模擬設(shè)計中噪聲分析的11個由來已久的誤區(qū)吧~
2021-03-02 06:48:16
模擬設(shè)計的100條圣經(jīng)
2021-02-25 07:24:42
在過去的十年里，模擬設(shè)計人員和電源設(shè)計人員的角色一直在發(fā)生變化。最近，隨著半導(dǎo)體集成水平越來越高以及產(chǎn)品制造領(lǐng)域的全球性變化，這種角色變化的趨勢進一步加劇。概括地講，集成正在從處理器延伸到各種模擬
2019-07-19 06:07:00
模擬設(shè)計經(jīng)驗電子書，供參考學(xué)習(xí)。
2017-12-09 11:20:46
耗盡型MOSFET在各類開關(guān)電源啟動電路中的應(yīng)用
2023-11-09 14:18:50
和濾波器等模擬電路。MOSFET的設(shè)計主要是為了克服FET的缺點，例如高漏極電阻、中等輸入阻抗和運行緩慢。按照形式劃分，MOSFET有增強型和耗盡型兩種。在本文中，小編簡單介紹下耗盡型MOSFET類型
2022-09-13 08:00:00
供電，其中輸入電壓V在直接來自總線電壓。這可能會有很大的電壓變化，包括由于應(yīng)用環(huán)境而導(dǎo)致的高壓尖峰。耗盡型MOSFET可用于在線性穩(wěn)壓器電路中實現(xiàn)浪涌保護，如圖5所示。MOSFET 以源極跟隨器配置連接
2023-02-21 15:46:31
場效應(yīng)管分類場效應(yīng)管分結(jié)型、絕緣柵型兩大類。結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）因有兩個PN結(jié)而得名，絕緣柵型場效應(yīng)管（JGFET）則因柵極與其它電極完整絕緣而得名。目前在絕緣柵型場效應(yīng)管中，應(yīng)用最為普遍
2018-10-29 22:20:31
Multisim10.0元件庫沒P溝道耗盡型MOSFET管，為什么，我其他幾種都找到了結(jié)型FET增強型FET，耗盡型沒P的啊
2012-11-03 10:45:54
`N型JFET的Vgs如果大于0，管子工作在什么狀態(tài)`
2017-12-24 11:20:27
NI MAX 中創(chuàng)建虛擬設(shè)備后 無法在測試面板測試該如何解決
2017-04-18 19:14:23
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-9 22:04 編輯
N溝道耗盡型MOS管的二氧化硅中摻有大量的正離子(不是摻入低價元素形成的P型半導(dǎo)體),也就是說在不加電的情況下G(柵極)也
2009-07-04 16:00:27
耗盡型的MOS場效應(yīng)管制造過程中預(yù)先在二氧化硅的絕緣層中摻入了大量的正離子，因此，即使柵極不加電壓（UGS=0），由于靜電感應(yīng)，這些正離子產(chǎn)生的電場也能在P型襯底中“感應(yīng)”出足夠多的負電荷，形成
2015-06-15 18:03:40
N溝道耗盡型mos管，電路工作過程，還望大神指導(dǎo)。
2016-11-12 16:36:00
耗盡層就是在PN結(jié)附近,其中的載流子因擴散而耗盡,只留下不能移動的正負離子的區(qū)域,又稱空間電荷區(qū).在 P 型半導(dǎo)體中有許多帶正電荷的空穴和帶負電荷的電離雜質(zhì).在電場的作用下,空穴是可以移動的,而電離
2017-04-13 10:09:24
在SIC JFET 驅(qū)動電路中要求輸入一個-25V電壓，有什么方法可以產(chǎn)生負的電壓？
2016-12-12 11:10:34
誰有multisim中耗盡型MOS管的元件庫嗎？有指點
2017-06-23 09:45:19
放大器設(shè)計。考慮下面的公共源JFET放大器電路配置。共源JFET放大器放大器電路由一個N溝道JFET組成，但該器件也可以是一個等效的N溝道耗盡型MOSFET，因為電路圖只是在FET的變化上是相同的，以
2020-09-16 09:40:54
的界面如下：機智云已經(jīng)根據(jù)我們的數(shù)據(jù)節(jié)點生成APP界面，雖然不太美觀，但已經(jīng)很完美了。給我等APP文盲一福音啊。。。在虛擬設(shè)備中修改參數(shù)，點擊推送，可以看到APP界面相應(yīng)的參數(shù)發(fā)生改變，同理，修改APP
2016-09-05 22:02:32
模擬／數(shù)字混合系統(tǒng)設(shè)計的數(shù)字工程師、學(xué)生、教師及應(yīng)用工程人員。本書是一本有用的參考資料，既可以幫助讀者完成數(shù)字系統(tǒng)中的模擬設(shè)計，也可以作為掌握許多模擬電子方面重要內(nèi)容的指導(dǎo)手冊。內(nèi)容簡介 本書為那些
2017-12-14 17:49:51
【招聘】射頻/模擬、ASIC設(shè)計/驗證、系統(tǒng)、模擬設(shè)計等 射頻集成電路工程師（TRX 方向）-BJ 射頻/模擬集成電路工程師（RF/Analog IC Engineer）-BJ 射頻IC工程師
2017-03-03 14:54:37
下面的公共源JFET放大器電路配置。共源JFET放大器放大器電路由一個N溝道JFET組成，但是該器件也可以是一個等效的N溝道耗盡型MOSFET，因為電路圖只是一個FET的變化而以相同的方式連接
2020-11-03 09:34:54
JFET的運放很多都提到打了JFET-INPUT的概念問題來了在某些電路中，使用JFET器件而不是MOSFET器件，優(yōu)點在哪里呢？換句換說JFET存在的意義究竟是什么？跪求高手解答本人疑惑
2013-05-14 21:18:04
電壓反饋放大器可根據(jù)器件中的晶體管類型進行分類：雙極互補金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）或是結(jié)型場效應(yīng)晶體管（JFET）。一些放大器同時使用這兩種晶體管，在放大器各階段中獲得對應(yīng)的益處。例如，JFET
2022-11-11 06:43:52
作者：德州儀器Bharat Agrawal電壓反饋放大器可根據(jù)器件中的晶體管類型進行分類：雙極互補金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）或是結(jié)型場效應(yīng)晶體管（JFET）。一些放大器同時使用這兩種晶體管，在
2019-08-21 04:45:05
《【畢業(yè)設(shè)計】單片機計算器模擬設(shè)計方案.doc》由會員分享，可免費在線閱讀全文，更多與《畢業(yè)設(shè)計單片機計算器模擬設(shè)計方案(V7.1)》相關(guān)文檔資源請在幫幫文庫數(shù)億1、蹤跡
2021-09-13 07:02:22
場效應(yīng)管的分類 場效應(yīng)管分結(jié)型、絕緣柵型兩大類。結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）因有兩個PN結(jié)而得名，絕緣柵型場效應(yīng)管（JGFET）則因柵極與其它電極完全絕緣而得名。目前在絕緣柵型場效應(yīng)管中，應(yīng)用最為廣泛
2009-04-25 15:38:10
索性直接辭職了，準備專心再搞半年，重新找工作，還為此專門找了個培訓(xùn)機構(gòu)，選定模擬設(shè)計方向。我倒不是指望培訓(xùn)能學(xué)到多高深的東西，只是給自己找個理由好好看書，我一貫認為凡事靠自己，別人只是幫你指點個方向
2021-06-24 06:09:35
本帖最后由 pengwon 于 2012-8-10 14:05 編輯
第一次上傳資料，不知會不會有問題。《嵌入式系統(tǒng)中的模擬設(shè)計》。
2012-08-10 13:35:10
英文原版名：A.Bakers.Dozen：Real.Analog.Solutions.for.Digital.Designers中文版：嵌入式系統(tǒng)中的模擬設(shè)計附件
2018-11-19 09:27:00
嵌入式系統(tǒng)中的模擬設(shè)計（英文原版）Real Analog Solutions for Digital Designers附件1.rar.zip957.4 KB2.rar.zip957.4 KB3.rar.zip957.4 KB4.rar.zip957.4 KB5.rar.zip957.4 KB
2018-11-28 09:13:14
電壓等于0的時候，漏極電流是等于0.其中JFET中柵級與襯底之間的PN結(jié)工作在反偏，當所有的討論都是基于源級接地的電路時，當耗盡型MOSFET、JFET的柵源電壓大于0時，電流怎么變化，兩種管子工作在
2019-04-08 03:57:38
模擬設(shè)計工程師發(fā)布日期2013-12-11工作地點江蘇-無錫市學(xué)歷要求本科工作經(jīng)驗3~5年招聘人數(shù)1待遇水平面議年齡要求 性別要求不限有效期2013-12-15職位描述招聘人數(shù)：1 工作地點：蘇州
2013-12-11 09:54:50
`結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)的結(jié)構(gòu)及工作原理一、結(jié)型場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)如圖1(a)所示，在一塊N型半導(dǎo)體材料的兩邊各擴散一個高雜質(zhì)濃度的P+區(qū),就形成兩個不對稱的P+N結(jié)，即耗盡層。把兩個P+區(qū)并聯(lián)
2011-12-19 16:41:25
可將N溝道JFET看作帶“人工智能開關(guān)”的水龍頭。這就有三部分：進水、人工智能開關(guān)、出水，可以分別看成是JFET的 d極 、g 極、s極。“人工”體現(xiàn)了開關(guān)的“控制”作用即vGS。JFET工作時，在
2012-08-13 12:51:29
選擇“開發(fā)中的產(chǎn)品”來模擬真實開發(fā)流程，您可以選擇任一款 “開發(fā)中的產(chǎn)品”進行實操。我們選擇《機智云智能燈2代》，并點擊紅框“在線調(diào)試設(shè)備”進入下一頁“虛擬設(shè)備”頁面。步驟三：啟動虛擬設(shè)備點擊紅框
2017-02-16 16:55:04
實現(xiàn)產(chǎn)品與云端通訊呢？如果你不想折騰硬件產(chǎn)品，就想知道設(shè)備和機智云互聯(lián)的原理，同樣OK。機智云新推出的虛擬設(shè)備，可以模擬真實設(shè)備上報數(shù)據(jù)的行為，可以快速驗證接口功能的開發(fā)。使用指南如下：step1:在
2017-02-23 16:43:25
電壓反饋放大器可根據(jù)器件中的晶體管類型進行分類：雙極互補金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）或是結(jié)型場效應(yīng)晶體管（JFET）。一些放大器同時使用這兩種晶體管，在放大器各階段中獲得對應(yīng)的益處。例如，JFET
2019-02-27 13:51:06
晶體管數(shù)量的倍增同樣增加了設(shè)計的復(fù)雜性，要求過去常用來實現(xiàn)這些復(fù)雜設(shè)計的方法和工具都需加以改變；請教大牛模擬設(shè)計有什么要注意的嗎？
2021-04-07 06:19:19
1.是N溝道，耗盡型的場效應(yīng)管，是耗盡型。像圖上這樣的話，帶？的那端應(yīng)該是什么極？是源極還是漏極？
2.電路不接管子之前電流還可以，接上場效應(yīng)管，上電就短路，焊下來后測量柵極和源極之間不導(dǎo)通，源漏
2023-05-16 14:24:38
本帖最后由 dewfn 于 2013-3-27 20:07 編輯
高手進來看看這個電路圖是不是畫錯了MOS管 圖上畫的是耗盡型，可是我查到的是增強型圖上型號是SI4435可是我查到
2013-03-27 13:48:45
采用P溝JFET的模擬開關(guān)電路圖
2009-08-15 17:35:074553 
Exar選擇微捷碼Titan ADX來加速模擬設(shè)計
芯片設(shè)計解決方案供應(yīng)商微捷碼（Magma(r)）設(shè)計自動化有限公司（納斯達克代碼：LAVA）日前宣布，Exar公司已
2009-12-10 09:48:02718 為了對飛行模擬設(shè)備進行鑒定和持續(xù)監(jiān)督檢查，保證其達到并持續(xù)符合相應(yīng)等級的飛行模擬設(shè)備鑒定性能標準，根據(jù)《中華人民共和國民用航空法》和《國務(wù)院對確需保留的行政審批項
2011-04-09 12:40:47
25 在研究了QEMU虛擬機的工作原理及其I/O框架基礎(chǔ)上，設(shè)計并實現(xiàn)了模擬QBUS設(shè)備之間，基于socket設(shè)備組通信模型，模擬QBUS設(shè)備與物理設(shè)備之間，基于虛擬設(shè)備轉(zhuǎn)發(fā)的通信模型。有效地解決
2011-10-08 15:09:0930 嵌入式系統(tǒng)中的模擬設(shè)計 英文版，好東西，喜歡的朋友可以下載來學(xué)習(xí)。
2016-01-18 14:55:520 從拆解日本儀器談模擬設(shè)計思路，感興趣的小伙伴們可以瞧一瞧。
2016-09-18 17:15:050 國內(nèi)搞模擬設(shè)計可能缺乏的是傳承，感興趣的小伙伴們可以瞧一瞧。
2016-09-18 17:15:050 精密模擬設(shè)計中的噪聲分析
2017-01-14 15:09:1617 模擬設(shè)備高速轉(zhuǎn)換器（HSC）接口板設(shè)計用于Eval控制為模擬器件的高速CMOS a/D轉(zhuǎn)換器提供完整的評估系統(tǒng)。HSC接口板用作高速緩沖器用于以高達50 MHz的速率捕獲數(shù)字數(shù)據(jù)的內(nèi)存來自大多數(shù)模擬設(shè)備的HSC評估板。然后將捕獲的并行數(shù)據(jù)傳輸?shù)皆?00 kHz頻率下評估控制板重新格式化并通過串行端口。
2022-07-18 16:51:3612 前言： 噪聲是模擬電路設(shè)計的一個核心問題，它會直接影響能從測量中提取的信息量，以及獲得所需信息的經(jīng)濟成本。遺憾的是，關(guān)于噪聲有許多混淆和誤導(dǎo)信息，可能導(dǎo)致性能不佳、高成本的過度設(shè)計或資源使用效率低下。本文闡述關(guān)于模擬設(shè)計中噪聲分析的11個由來已久的誤區(qū)。
2017-04-26 16:47:401490 
放大器和轉(zhuǎn)換器模擬設(shè)計技巧
2017-09-15 17:01:4429 TI各種模擬設(shè)計工具介紹
2017-10-16 12:56:457 雖然增強型FET比耗盡型FET的應(yīng)用要廣泛得多，但耗盡型FET尤其是JFET在模擬設(shè)計中仍占一席之地。增強型 MOSFET 器件需要能量來供電，而耗盡型器件需要能量“停止”供電，這是它們的主要區(qū)別。
2018-05-29 10:40:008985 
本手冊描述如何使用VieloSo模擬設(shè)計環(huán)境來模擬模擬設(shè)計。VieloSo模擬設(shè)計環(huán)境被記錄在一系列在線手冊中。下面的文件給你更多的信息。 FieloSo高級分析工具用戶指南提供有關(guān)蒙特卡洛、優(yōu)化和統(tǒng)計分析的信息。
2018-09-20 08:00:000 本文檔的主要內(nèi)容詳細介紹的是如何模擬設(shè)計電磁曲射炮詳細競賽試題免費下載。
2019-12-23 17:35:1716 本視頻介紹了采用PSoC Creator進行模擬設(shè)計的各種技巧和注意事項。
2020-07-01 12:21:001885 本視頻介紹了采用PSoC Creator進行模擬設(shè)計的各種技巧和注意事項。
2020-07-01 12:19:002558 本視頻介紹了采用PSoC Creator進行模擬設(shè)計的各種技巧和注意事項。
2020-07-01 12:17:001733 本視頻介紹了采用PSoC Creator進行模擬設(shè)計的各種技巧和注意事項。
2020-07-01 12:16:001888 本視頻介紹了采用PSoC Creator進行模擬設(shè)計的各種技巧和注意事項。
2020-07-01 12:41:002668 本視頻介紹了采用PSoC Creator進行模擬設(shè)計的各種技巧和注意事項。
2020-07-01 12:04:003262 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供模擬設(shè)計中噪聲分析的11個誤區(qū)資料下載的電子資料下載，更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計、用戶指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-09 08:46:1420 AN639：模擬設(shè)備能耗(ADE)產(chǎn)品：常見問題
2021-04-24 14:32:212 EE-74：模擬設(shè)備串行端口開發(fā)和故障排除指南
2021-04-27 09:58:362 MUX28：16通道/雙8通道JFET模擬多路復(fù)用器(過壓保護)
2021-05-20 18:33:458 楷登電子（美國 Cadence 公司，NASDAQ：CDNS）今日宣布，其數(shù)字和定制 / 模擬設(shè)計流程已獲得 TSMC N3E 和 N4P 工藝認證，支持最新的設(shè)計規(guī)則手冊（DRM）。
2022-06-17 17:33:054800 首先，MOS管分為結(jié)型、絕緣柵型兩大類。結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）因有兩個PN結(jié)而得名，絕緣柵型場效應(yīng)管（JGFET）則因柵極與其它電極完全絕緣而得名。但按導(dǎo)電方式來劃分，場效應(yīng)管又可分成耗盡型與增強型，見下圖：
2022-10-21 11:35:021709 
模擬設(shè)計中的噪聲主要是由于電路中的電子元件，如晶體管、三極管、電容器等，在工作過程中產(chǎn)生的電磁波干擾而產(chǎn)生的。此外，電路中的電源噪聲也會影響電路的性能，因此，在模擬設(shè)計中，應(yīng)該重視電源噪聲的影響，并采取有效的措施來抑制噪聲。
2023-02-14 15:20:55248 噪聲是模擬電路設(shè)計的一個核心問題，它會直接影響能從測量中提取的信息量，以及獲得所需信息的經(jīng)濟成本。遺憾的是，關(guān)于噪聲有許多混淆和誤導(dǎo)信息，可能導(dǎo)致性能不佳、高成本的過度設(shè)計或資源使用效率低下。今天我們就聊聊關(guān)于模擬設(shè)計中噪聲分析的11個由來已久的誤區(qū)。
2023-08-30 10:33:11263 
模擬設(shè)計中噪聲分析的11個誤區(qū)，你知道嗎？ 噪聲是電路設(shè)計中不可避免的一個因素，因此，在進行模擬電路設(shè)計時，噪聲分析是非常重要的。噪聲分析的目的是確定電路中的各種噪聲源，并計算這些噪聲源對電路性能
2023-10-20 14:37:58164 JFET的全稱為結(jié)型場效應(yīng)晶體管，MOSFET的全稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管。耗盡型MOSFET與JFET均屬于電壓控制型場效應(yīng)晶體管（FET），場效應(yīng)晶體管通過電場來控制導(dǎo)電溝道的電導(dǎo)率
2023-11-07 14:36:342295 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《模擬設(shè)計中噪聲分析的11個誤區(qū).pdf》資料免費下載
2023-11-28 10:25:190
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