本文將重點討論使用雙極性結(jié)型晶體管(BJT)和NMOS晶體管的穩(wěn)定電流源。
2022-08-01 09:03:57
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為大家奉上GP,multisim對雙極性晶體管模型進(jìn)行模擬分析是基于GP模型的。
2016-01-16 09:13:21
雙極結(jié)型晶體管（BJT）是放大或切換電子信號和電力的常用設(shè)備。 當(dāng)BJT在集電極和發(fā)射極之間傳導(dǎo)電流時，BJT將消耗功率。那么，應(yīng)該如何估算BJT額定功率(Power Rating)？功率額定值
2018-08-26 23:03:52
NPN型雙極性晶體管可以視為共用陽極的兩個二極管接合在一起。在雙極性晶體管的正常工作狀態(tài)下，基極-發(fā)射極結(jié)（稱這個PN結(jié)為“發(fā)射結(jié)”）處于正向偏置狀態(tài)，而基極-集電極（稱這個PN結(jié)為“集電結(jié)”）則處于反向偏置狀態(tài)。
2019-09-26 09:00:23
的B和C對稱、和E極同樣是N型。也就是說，逆接C、E也同樣有晶體管的功效。即電流由E→C流動。3. 逆向晶體管有如下特點。hFE低（正向約10%以下）耐壓低 (7 to 8Ｖ 與VEBO一樣低)↑通用
2019-04-09 21:27:24
晶體管并聯(lián)時，當(dāng)需要非常大的電流時，可以將幾個晶體管并聯(lián)使用。因為存在VBE擴(kuò)散現(xiàn)象，有必要在每一個晶體管的發(fā)射極上串聯(lián)一個小電阻。電阻R用以保證流過每個晶體管的電流近似相同。電阻值R的選擇依據(jù)
2024-01-26 23:07:21
晶體管發(fā)射極結(jié)間的正向壓差越大電流是越小吧
2016-01-19 22:27:49
本帖最后由 gongddz 于 2017-3-29 09:06 編輯
晶體管作為電流單方向通過的電子開關(guān)使用晶體管也可以作為電子開關(guān)使用。但這個開關(guān)的電流方向只能是單向的，pnp型管和npn型
2017-03-28 15:54:24
晶體管(BJT)和場效應(yīng)晶體管(FET)，接下來我們就以BJT和FET為例來講述晶體管的工作原理。1.雙極性晶體管雙極性晶體管，英語名稱為Bipolar Transistor，是雙極性結(jié)型晶體管的簡稱
2016-06-29 18:04:43
1．反向擊穿電流的檢測 普通晶體管的反向擊穿電流（也稱反向漏電流或穿透電流），可通過測量晶體管發(fā)射極E與集電極C之間的電阻值來估測。測量時，將萬用表置于R×1k檔， NPN型管的集電極C接黑表筆
2012-04-26 17:06:32
雙極性晶體管是利用兩種離子導(dǎo)電，空穴和自由電子，但是對于一個實際存在的系統(tǒng)，其整體上是呈現(xiàn)電中性的，當(dāng)其中的電子或者空穴移動形成電流時，與之對應(yīng)的空穴或者電子為什么不會一起隨著移動？
這個問題困擾
2024-02-21 21:39:24
晶體管的 電流放大原理 該怎么解釋？
2017-03-12 20:30:29
晶體管的半導(dǎo)體的電流由空穴（正極性）和電子（負(fù)極性）產(chǎn)生。一般而言的晶體管是指這種由硅構(gòu)成的晶體管。FETField Effect Transistor的簡稱，是指場效應(yīng)晶體管。有接合型FET和MOS型
2019-04-10 06:20:24
。與MOSFET同樣能通過柵極電壓控制進(jìn)行高速工作，還同時具備雙極晶體管的高耐壓、低導(dǎo)通電阻特征。工作上與MOSFET相同，通過給柵極施加電壓形成通道來流過電流。結(jié)構(gòu)上MOSFET（以Nch為例）是相同N型的源極
2018-11-28 14:29:28
給柵極施加電壓形成通道來流過電流。結(jié)構(gòu)上MOSFET（以Nch為例）是相同N型的源極與漏極間流過電流，而IGBT是從P型的集電極向N型的發(fā)射極流過電流，也就是與雙極晶體管相同。因此，具有MOSFET的柵極
2020-06-09 07:34:33
得到了晶體管的h參數(shù)后，就可以畫出晶體管的線性等效電路，圖Z0214是晶體管的h參數(shù)等效電路。 關(guān)于h參數(shù)等效電路，應(yīng)注意以下幾點： （1）電壓的參考極性為上正下負(fù)，電流的參考正方向是流入為正
2021-05-25 07:25:25
之間）和發(fā)射結(jié)（B、E極之間），發(fā)射結(jié)與集電結(jié)之間為基區(qū)。 根據(jù)結(jié)構(gòu)不同，晶體管可分為PNP型和NPN型兩類。在電路圖形符號上可以看出兩種類型晶體管的發(fā)射極箭頭（代表集電極電流的方向）不同。PNP型
2013-08-17 14:24:32
晶體管進(jìn)行舉例。如果是PNP型晶體管，則只要把晶體管的極性由正換成負(fù)就行。如果要從基極電流、集電極電流、發(fā)射極電流的組成、流動，PN結(jié)的能級等等方面來講清晶體管的放大機(jī)理，就更復(fù)雜了。這在許多專業(yè)
2012-02-13 01:14:04
1. 晶體管的結(jié)構(gòu)及類型 晶體管有雙極型和單極型兩種，通常把雙極型晶體管簡稱為晶體管，而單極型晶體管簡稱為場效應(yīng)管。 晶體管是半導(dǎo)體器件，它由摻雜類型和濃度不同的三個區(qū)（發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū)
2021-05-13 06:43:22
的B和C對稱、和E極同樣是N型。也就是說，逆接C、E也同樣有晶體管的功效。即電流由E→C流動。3. 逆向晶體管有如下特點。hFE低（正向約10%以下）耐壓低 (7 to 8Ｖ 與VEBO一樣低)↑通用
2019-05-09 23:12:18
20 mA 的電流。其他電流源設(shè)計還有其他幾種設(shè)計電流源的方法。下面是一些示例，包括之前的所有關(guān)于電路的文章中詳細(xì)描述的一些示例：使用MOSFET電流源（FET 電流鏡）使用結(jié)型晶體管電流鏡使用穩(wěn)壓器
2023-02-15 11:41:23
MOS型電流鏡、低壓共源共柵MOS型電流鏡、Wilson MOS型電流鏡、雙極型電流鏡參考源：Widlar電流源、電源電壓不靈敏型偏置、恒溫偏置（Bandgap）、恒跨導(dǎo)源電流鏡和參考源教程——清華大學(xué)微電子學(xué)研究所[hide][/hide]
2011-11-04 16:07:43
分別連接每個并聯(lián)晶體管，再同時與傳統(tǒng)硅晶體管的標(biāo)準(zhǔn)驅(qū)動器連接。并聯(lián)的幾個晶體管只需要一個隔離型驅(qū)動器，例如隔離型EiceDRIVER?1EDI20N12AF，使用源極（OUT +）和漏極（OUT-
2021-01-19 16:48:15
。圖 6. (a) 低 ZIN電流鏡反相 (b) 低 ZIN電流鏡同相采用基本電流鏡和電流源，則輸入和輸出電流極性相同。通常，輸出晶體管的射極/源極直接或通過檢測電阻接地，且輸出電流從集電極/漏極流入
2018-10-23 17:12:08
電路的功能，與晶體管的共射放大電路一樣。由于結(jié)型FET的正常工作，要求柵極和源極間的電壓VGS為反向偏置電壓，因此其偏置電路的構(gòu)造有些不同。與晶體管的電流反饋偏置電路一樣構(gòu)成的FET“自偏置電路”，由于其
2017-04-19 15:53:29
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)...
2022-02-16 06:48:11
）的三層結(jié)構(gòu)的Field-Effect Transistor（場效應(yīng)晶體管）。BIPOLAR是指使用了雙極性元件，將稱為p型和n型的兩種半導(dǎo)體構(gòu)成n-p-n及p-n-p結(jié)構(gòu)的電流工作型晶體管。
2019-05-06 05:00:17
）的三層結(jié)構(gòu)的Field-Effect Transistor（場效應(yīng)晶體管）。BIPOLAR是指使用了雙極性元件，將稱為p型和n型的兩種半導(dǎo)體構(gòu)成n-p-n及p-n-p結(jié)構(gòu)的電流工作型晶體管。
2019-03-27 06:20:04
。晶體管NPN型和PNP型結(jié)晶體管工作狀態(tài)晶體管的工作原理類似于電子開關(guān)。它可以打開和關(guān)閉電流。晶體管背后的基本思想是，它允許您通過改變流經(jīng)第二個通道的較小電流的強(qiáng)度來控制通過一個通道的電流。1）截止
2023-02-15 18:13:01
兩個PN結(jié)。晶體管NPN型和PNP型結(jié)晶體管工作狀態(tài)晶體管的工作原理類似于電子開關(guān)。它可以打開和關(guān)閉電流。晶體管背后的基本思想是，它允許您通過改變流經(jīng)第二個通道的較小電流的強(qiáng)度來控制通過一個通道的電流
2023-02-08 15:24:58
PNP雙極型晶體管的設(shè)計
2012-08-20 08:29:56
一、引言PNP 晶體管是雙極結(jié)型晶體管（BJT）。PNP晶體管具有與NPN晶體管完全不同的結(jié)構(gòu)。在PNP晶體管結(jié)構(gòu)中，兩個PN結(jié)二極管相對于NPN晶體管反轉(zhuǎn)，使得兩個P型摻雜半導(dǎo)體材料被一層薄薄的N
2023-02-03 09:44:48
` 本帖最后由 OneyacSimon 于 2019-6-3 15:11 編輯
ROHM 2Sx雙極結(jié)型晶體管（BJT）設(shè)計用于工業(yè)和消費類應(yīng)用。 這些BJT有PNP和NPN兩種極性。 2Sx
2019-06-03 14:41:13
工作電壓的極性而可分為NPN型或PNP型。雙極結(jié)型晶體管 雙極結(jié)型晶體管（Bipolar Junction Transistor—BJT）又稱為半導(dǎo)體三極管，它是通過一定的工藝將兩個PN結(jié)結(jié)
2010-08-13 11:36:51
電流鏡電路可以用晶體管和MOSFET來搭建，盡管我們可以用這兩個簡單的有源器件或直接使用一個放大器電路，但其輸出并不完美，而且有著自身的局限并依賴于外部因素。所以為了得到穩(wěn)定的輸出，我們必須在電流鏡
2019-11-05 16:27:10
源電流IDSS是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)晶體管中，柵極電壓UGS＝0時的漏源電流。（2）夾斷電壓夾斷電壓UP是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)晶體管中，使漏源間剛截止時的柵極電壓。如同4-25所示為N溝道
2019-04-04 10:59:27
本設(shè)計實例是一個2線式電流調(diào)節(jié)器（圖1），它在性能和器件數(shù)目之間達(dá)到了很好的平衡。通過使用三個晶體管、三個電阻和一個LED燈，可實現(xiàn)很好的調(diào)節(jié)效果（在大部分電壓范圍內(nèi)準(zhǔn)確度好于1%）、較低的工作
2018-09-29 17:15:25
行業(yè)真正的“領(lǐng)頭羊”？一、三極管定義：三極管，全稱應(yīng)為半導(dǎo)體三極管，也稱雙極型晶體管、晶體三極管，是一種控制電流的半導(dǎo)體器件其作用是把微弱信號放大成幅度值較大的電信號， 也用作無觸點開關(guān)。三極管
2019-04-08 13:46:25
類型。
雙極結(jié)型晶體管(BJT)
雙極結(jié)型晶體管是由基極、集電極和發(fā)射極 3 個區(qū)域組成的晶體管。雙極結(jié)型晶體管（與 FET 晶體管不同）是電流控制器件。進(jìn)入晶體管基極區(qū)的小電流會導(dǎo)致從發(fā)射極流向集電極
2023-08-02 12:26:53
。 圖1:離線高電壓 BJT 適配器反激電路 在深入探討計算 BJT 損耗的方法之前，需要對雙極性晶體管模型做一個基本了解。一個雙極性晶體管的最簡單形式是一個電流控制型電流汲/開關(guān)。基極（B）輸入可控
2018-10-09 14:20:15
引用:IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極性三極管)和MOSFET(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率
2023-02-10 15:33:01
本實驗的目的是研究雙極性結(jié)型晶體管(BJT)電流源或電流鏡。電流源的重要特性包括：在寬順從電壓范圍保持高輸出阻抗、能抑制外部變化（如電源或溫度）的影響。
2021-02-24 06:24:07
類型。3.2 晶體管的種類及其特點》巨型晶體管GTR是一種高電壓、高電流的雙極結(jié)型晶體管（BJT），因此有時被稱為功率BJT。特點：電壓高，電流大，開關(guān)特性好，驅(qū)動功率高，但驅(qū)動電路復(fù)雜;GTR和普通雙極結(jié)型
2023-02-03 09:36:05
PNP 和 NPN 是兩種類型的雙極結(jié)型晶體管 （BJT）。BJT由可以放大電流的摻雜材料制成。它具有PNP和NPN配置選項。PNP 和 NPN晶體管可用于放大或開關(guān)。本文將解釋NPN和PNP之間
2023-02-03 09:50:59
暴露在入射光中。除了曝光的半導(dǎo)體材料是雙極性晶體管晶體管(BJT)的基礎(chǔ)之外，光電晶體管的功能也是類似的。一個光敏晶體管被描述為一個去掉基極端子的 BJT，箭頭暗示基極對光敏感。本文中的其他圖只描述了
2022-04-21 18:05:28
可能就會成為大問題。 Power Integrations最新推出的LinkSwitch-4系列IC，支持安全地使用低成本的雙極結(jié)型晶體管(BJT)開關(guān)，能夠提供比現(xiàn)有BJT或MOSFET開關(guān)更高的效率
2018-10-10 16:55:54
本文將重點討論使用雙極性結(jié)型晶體管(BJT)和NMOS晶體管的穩(wěn)定電流源。穩(wěn)定電流源(BJT)目標(biāo)本實驗旨在研究如何利用零增益概念來產(chǎn)生穩(wěn)定（對輸入電流電平的變化較不敏感）的輸出電流。材料
2021-11-01 09:53:18
的兩種主要類型是什么？晶體管基本上分為兩種類型;它們是雙極結(jié)型晶體管（BJT）和場效應(yīng)晶體管（FET）。BJT再次分為NPN和PNP晶體管。5.晶體管有多少種？兩種類型晶體管有兩種類型，它們在電路中
2023-02-03 09:32:55
的規(guī)則，則可以互換使用NPN和PNP晶體管。雙極晶體管實際上是兩個背靠背連接的二極管，基極用作公共連接。PNP 結(jié)點如何工作？PNP晶體管是由夾在兩個P型半導(dǎo)體之間的N型半導(dǎo)體組成的雙極結(jié)型晶體管
2023-02-03 09:45:56
)NPN-NPN型、(b)PNP-NPNxing達(dá)林頓結(jié)構(gòu)是提高電流增益的一種有效方式。達(dá)林頓GTR由兩個或多個晶體管復(fù)合而成，可以是PNP或NPN型，如圖2所示，其中V1為驅(qū)動管，可飽和，而V2為輸出管
2018-01-15 11:59:52
)NPN-NPN型、(b)PNP-NPNxing達(dá)林頓結(jié)構(gòu)是提高電流增益的一種有效方式。達(dá)林頓GTR由兩個或多個晶體管復(fù)合而成，可以是PNP或NPN型，如圖2所示，其中V1為驅(qū)動管，可飽和，而V2為輸出管
2018-01-25 11:27:53
單極型晶體管也稱場效應(yīng)管，簡稱FET（FieldEffectTransistor）。它是一種電壓控制型器件，由輸入電壓產(chǎn)生的電場效應(yīng)來控制輸出電流的大小。它工作時只有一種載流子（多數(shù)載流子）參與
2020-06-24 16:00:16
“步”。有兩種類型的步進(jìn)電機(jī)，單極型和雙極型晶體管，而且知道你正在使用哪種類型是非常重要的。每種電機(jī)，都有一個不同的電路。示例代碼將控制兩種電機(jī)。看看單極性和雙極性電機(jī)的原理圖，和關(guān)于如何連接你的電...
2021-07-08 09:14:42
:dodo1999@vip.163.com雙極晶體管陣列 (BJT)DMMT5401-7晶體管, PNP, 最大直流集電極電流 200 mA, SOT-26封裝, 300 MHz, 6引腳規(guī)格 TRANS
2020-02-25 11:39:26
用一個運(yùn)放和一個分立的外接晶體管就可以實現(xiàn)一個恒流電路，但也可以用一只運(yùn)放和一些電阻器，設(shè)計出一個雙極型的電流源或接收器。
2021-04-08 06:24:36
管子多用于集成放大電路中的電流源電路。
請問對于這種多發(fā)射極或多集電極的晶體管時候該如何分析？按照我的理解，在含有多發(fā)射極或多集電極的晶體管電路時，如果多發(fā)射極或多集電極的每一極分別接到獨立的電源回路中
2024-01-21 13:47:56
場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應(yīng)管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導(dǎo)電,因此稱為雙極型晶體管,而FET
2011-12-19 16:30:31
。場效應(yīng)晶體管有時被稱為單極性晶體管，以它的單載流子型作用對比雙極性晶體管（bipolar juncTIon transistors，縮寫：BJT）。盡管由于半導(dǎo)體材料的限制，以及曾經(jīng)雙極性晶體管比
2019-05-08 09:26:37
先焊源極后焊柵極。3、絕緣柵場效應(yīng)晶體管由于輸出電阻極高，故不能在開路形態(tài)下保管。即無論管子運(yùn)用與否，都應(yīng)將三個電極短路或用鋁(錫)箔包好，不要用手指觸摸以避免感應(yīng)電勢將柵極擊穿。結(jié)型場效應(yīng)晶體管可以
2019-03-22 11:43:43
場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應(yīng)管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導(dǎo)電,因此稱為雙極型晶體管,而FET
2021-05-24 06:27:18
載流子導(dǎo)電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱之為雙極型器件。（3）有些場效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負(fù)，靈活性比晶體管好。（4）場效應(yīng)管能在很小
2021-05-13 07:09:34
。（2）場效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱之為雙極型器件。（3）有些場效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負(fù)，靈活性比晶體管
2017-05-06 15:56:51
）場效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱之為雙極型器件。（3）有些場效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負(fù)，靈活性比晶體管
2009-04-25 15:43:51
）場效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱之為雙極型器件。（4）場效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應(yīng)管集成在一塊硅片上，因此場效應(yīng)管
2018-11-05 17:16:04
制作材料分，晶體管可分為鍺管和硅管兩種。 按極性分，三極管有PNP和NPN兩種，而二極管有P型和N型之分。多數(shù)國產(chǎn)管用xxx表示，其中每一位都有特定含義：如 3 A X 31，第一位3代表三極管，2
2012-07-11 11:36:52
電路功能與優(yōu)勢數(shù)字控制電流源在許多應(yīng)用中至關(guān)重要，如電源管理、電磁閥控制、電機(jī)控制、阻抗測量、傳感器激勵和脈搏血氧儀等。本文介紹三種利用 DAC、運(yùn)算放大器和 MOSFET 晶體管構(gòu)建支持串行接口
2018-10-16 08:45:57
。對于NPN，它是灌電流。 達(dá)林頓晶體管開關(guān) 這涉及使用多個開關(guān)晶體管，因為有時單個雙極晶體管的直流增益太低而無法切換負(fù)載電壓或電流。在配置中，一個小輸入雙極結(jié)型晶體管（BJT）晶體管參與打開和關(guān)閉
2023-02-20 16:35:09
IGBT是由哪些部分組成的？絕緣柵雙極型晶體管IGBT有哪些特點？如何去使用絕緣柵雙極型晶體管IGBT呢？
2021-11-02 06:01:06
如何去判別晶體管材料與極性？如何去檢測晶體管的性能？怎樣去檢測特殊晶體管？
2021-05-13 07:23:57
。晶體管的正確直流偏置還會通過使用兩個或四個電阻偏置網(wǎng)絡(luò)的實際偏置電路來建立其初始交流工作區(qū)域。在雙極型晶體管電路中， 對于NPN晶體管，Q點由（V CE，I C）表示， 對于PNP晶體管，Q點由
2020-11-12 09:18:21
電流源的重要特性 有哪些？有什么作用？ 如何進(jìn)行電流鏡配置？
2021-03-11 07:06:13
該分相器是另一種類型的雙極結(jié)型晶體管的，（BJT）的配置，其中單個正弦輸入信號被分成由180個電角度相位彼此不同兩個獨立的輸出。
2019-08-01 16:03:32
減小勢壘電容）和減小基極反向偏壓的大小（以使得發(fā)射結(jié)能夠盡快能進(jìn)入正偏而開啟晶體管）；而從晶體管使用來說，可以增大輸入基極電流脈沖的幅度，以加快對結(jié)電容的充電速度（但如果該基極電流太大，則將使晶體管在
2019-09-22 08:00:00
常用場效應(yīng)管及晶體管參數(shù)常用場效應(yīng)管及晶體管參數(shù)場效應(yīng)管的主要參數(shù) (1)直流參數(shù) 飽和漏極電流IDSS 它可定義為：當(dāng)柵、源極之間的電壓等于零，而漏、源極之間的電壓大于夾斷電壓時，對應(yīng)的漏極電流
2008-08-12 08:39:59
結(jié)型晶體管（BJT）和場效應(yīng)晶體管（FET）。前者是本次討論的重點。 雙極結(jié)型晶體管的類型 BJT安排有兩種基本類型：NPN和PNP。這些名稱是指構(gòu)成組件的P型（正極）和N型（負(fù)極）半導(dǎo)體材料
2023-02-17 18:07:22
減小勢壘電容）和減小基極反向偏壓的大小（以使得發(fā)射結(jié)能夠盡快能進(jìn)入正偏而開啟晶體管）；而從晶體管使用來說，可以增大輸入基極電流脈沖的幅度，以加快對結(jié)電容的充電速度（但如果該基極電流太大，則將使晶體管在
2019-08-19 04:00:00
晶體管的半導(dǎo)體的電流由空穴（正極性）和電子（負(fù)極性）產(chǎn)生。一般而言的晶體管是指這種由硅構(gòu)成的晶體管。FETField Effect Transistor的簡稱，是指場效應(yīng)晶體管。有接合型FET和MOS型
2019-05-05 01:31:57
。三極管是電流控制型器件。 Mos管是金屬(metal)-氧化物(oxid)-半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管。或者稱是金屬-絕緣體(insulator)-半導(dǎo)體。MOS管的源
2018-10-24 14:30:27
泛的器件之一，在電路中用“V”或“VT”（舊文字符號為“Q”、“GB”等）表示。半導(dǎo)體三極管主要分為兩大類：雙極性晶體管（BJT）和場效應(yīng)晶體管（FET）。晶體管有三個極；雙極性晶體管的三個極，分別由N型
2017-09-19 10:22:59
2000一5000（α＝0.995-0.9998）。 是以P型襯底作為集電極，因此只有集成元器件之間采用PN結(jié)隔離槽的集成電路才能制作這種結(jié)構(gòu)的管子。由于這種結(jié)構(gòu)管子的載流子是沿著晶體管斷面的垂直
2019-04-30 06:00:00
絕緣柵雙極型晶體管檢測方法
2009-12-10 17:18:39
絕緣柵極雙極性晶體管(IGBT)是適用于高壓應(yīng)用的經(jīng)濟(jì)高效型解決方案，如車載充電器、非車載充電器、DC-DC快速充電器、開關(guān)模式電源(SMPS)應(yīng)用。開關(guān)頻率范圍：直流至100 kHz。IGBT可以
2020-10-27 09:07:21
的比值，使其成為一個跨導(dǎo)器件，IGBT 也是如此。然后我們可以把 IGBT 看作是由 MOSFET 提供基極電流的功率 BJT。絕緣柵雙極性晶體管可以用在小信號放大電路中，與 BJT 或 MOSFET
2022-04-29 10:55:25
請問BJT工藝的線性穩(wěn)壓源為什么多是PNP型晶體管呢？
2023-03-31 11:56:49
雙極性晶體管與MOSFET對比分析哪個好？
2021-04-20 06:36:55
這個晶體管為什么是開關(guān)管的作用，還有電流方向是怎樣的？
2018-12-28 15:41:49
采用雙極性晶體管的基準(zhǔn)電源電路
2019-09-10 10:43:51
`在傳統(tǒng)MOSFET中，載流子從源極越過pn結(jié)勢壘熱注入到溝道中。而隧穿場效應(yīng)晶體管（Tunneling Field-Effect Transistor或者TFET）的工作原理是帶間隧穿
2018-10-19 11:08:33
、上位機(jī)等，給新手綜合學(xué)習(xí)的平臺，給老司機(jī)交流的平臺。所有文章來源于項目實戰(zhàn)，屬于原創(chuàng)。一、原理介紹晶體三極管中有兩種帶有不同極性電荷的載流子參與導(dǎo)電，故稱之為雙極性晶體管(BJT),又稱半導(dǎo)體三...
2021-07-21 06:31:06
晶體管，另一個則采用 PNP 晶體管，如圖 2 所示。圖 2：脈沖電流源方框圖盡管 SC 的輸出是雙極性，但我們開發(fā)的是單極性輸出，可快速評估該電源的可行性和性能。我們將晶體管陣列用于電流鏡實施
2018-09-20 15:19:42
本實驗的目的是研究雙極性結(jié)型晶體管(BJT)電流源或電流鏡。電流源的重要特性包括:在寬順從電壓范圍保持高輸出阻抗、能抑制外部變化(如電源或溫度)的影響。背景知識電流鏡是一種電路模塊,通過復(fù)制輸出端子的電流來產(chǎn)生完全一樣的流入/流出輸入端子電流
2020-12-24 14:39:15741 首先介紹了雙極性晶體管（BJT）的工作原理，接著演示了晶體管的伏安（I-V）特性，電流增益（current gain）和輸出電導(dǎo)（conductance）。高能注入和重?fù)诫s帶來的能帶狹窄也會介紹
2022-12-05 11:20:09842 首先介紹了雙極性晶體管（BJT）的工作原理，接著演示了晶體管的伏安（I-V）特性，電流增益（current gain）和輸出電導(dǎo)（conductance）。高能注入和重?fù)诫s帶來的能帶狹窄也會介紹到。
2023-02-02 14:15:301101 
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