在驅動MOS管時，我們希望給到MOS管柵極是標準的電壓方波波形，但是在實際情況下，我們在測得的Ugs波形往往是帶有振蕩的。
2023-06-25 14:26:26
2112 
上一篇文章我們介紹過，為了使MOS管完全導通，需要盡量提高柵極的驅動電流。那是不是柵極驅動電流越大越好呢，即驅動電路的內阻越小越好？
2023-08-14 09:34:182447 
前一段時間有個兄弟問了個問題，把我問住了，問題是這個： 如上圖，串聯的電阻R1到底是放在靠近IC端，還是靠近MOS端？（注意，圖中的L1是走線寄生電感，并不是這里放了個電感器件） 我們具體溝通的情況
2023-09-26 16:51:26646 
由于MOS管柵極寄生電容以及寄生電感的存在使得MOS管驅動時柵極很容易發生諧振，常采用的辦法是在柵極串接一個小電阻，我想問為什么電阻可以抑制振蕩？請眾位大神解釋原因，呵呵，知其然不知其所以然！
2014-05-24 15:28:54
大功率電源的PFC電路中，根據MOS管的Qg和導通時間計算柵極驅動電流約5A。按照一般的說法，如果驅動電流設計的太大，會引起電壓過沖和振蕩，除此之外，還會有什么不利后果？會損壞MOS管嗎？根據經驗一般最大在多少A比較好？謝謝指教！
2022-05-05 23:01:18
MOS管一個ESD敏感器件，它本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場或靜電的感應而帶電(少量電荷就可能在極間電容上形成相當高的電壓(想想U=Q/C)將管子損壞)，又因
2017-06-01 15:59:30
柵極開路或者是源極開路。JFET管和MOS管一樣，有很高的輸入電阻，只是MOS管的輸入電阻更高。靜電放電形成的是短時大電流，放電脈沖的時間常數遠小于器件散熱的時間常數。因此，當靜電放電電流通過面積很小
2016-07-21 10:55:02
的順著MOS管驅動器的回路到地。而且，這個電阻也會讓正常的MOS管關閉的更加迅速?！ 〉牵荒苷f關斷速度越快越好，我們的實際應用中，驅動器到MOS管柵極的走線以及MOS管的輸出所接的負載或多或少都會
2023-03-15 16:55:58
的改進，可以使MOS管的VT值降到2～3V。2. 直流輸入電阻RGS ·即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比 ·這一特性有時以流過柵極的柵流表示 ·MOS管的RGS可以很容易地超過1010
2012-08-15 21:08:49
1、首先看一個普通SOT-23封裝mos管的開關參數Qg表示MOS管開關導通時柵極需要的總的電荷量，這個參數直接反應mos管的開關速度，越小的話MOS管的開關速度就越快。
2021-10-29 08:10:05
三極管放大好理解，輸入電流被放大，波形相位都保持不變，峰峰值變大。但是MOS管放大我就不理解了，柵極絕緣沒有電流流入，那么他放大的是什么呢？看起來MOS管只是由柵極電壓控制的一個開關，或者說是由柵極電壓控制一個可變電阻。請前輩們來解答疑惑
2020-03-04 14:22:43
的等效模型(以我最熟悉的N-MOS管舉例)。給大家介紹幾個必須掌握的名詞VDSS:漏極于源極之間所施加的最大電壓值。VGSS:柵極與源極之間所能施加的最大電壓值。IDC:漏極允許通過的最大直流電流值。Tch:MOS管的溝道的上限溫度熱阻：表示熱傳導的難易程度，熱阻值越小，散熱性能越好。IDSS:漏極
2021-07-05 06:47:47
，可以使MOS管的VT值降到2～3V?！ ?.直流輸入電阻RGS 即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比，這一特性有時以流過柵極的柵流表示，MOS管的RGS可以很容易地超過1010Ω。 3.漏源擊穿
2018-11-20 14:06:31
～3V?！ ?.直流輸入電阻RGS 即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比，這一特性有時以流過柵極的柵流表示，MOS管的RGS可以很容易地超過1010Ω?！ ?.漏源擊穿電壓BVDS 在VGS=0
2018-11-20 14:10:23
嗎，為什么？2、導通之后，三極管基極和MOS管柵極的電流幾乎一樣，而且是pf級別的，非常小。所以具體過程是不是剛開始MOS柵極電流很大，等到MOS管完全導通后柵極電流就變小，但為什么這個電流會變小呢？
2021-04-27 12:03:09
MOS管是由加在輸入端柵極的電壓來控制輸出端漏極的電流。MOS管是壓控器件它通過加在柵極上的電壓控制器件的特性，不會發生像三極管做開關時的因基極電流引起的電荷存儲效應，因此在開關應用中，MOS管的開關速度比三極管快。
2023-03-12 05:16:04
MOS管的開關電路中柵極電阻R5和柵源極級間電阻R6是怎么計算的？在這個電路中有什么用。已知道VDD=3.7V，在可變電阻狀態中，作為開關電路是怎么計算R5和R6？
2021-04-19 00:07:09
了電荷泵，要注意的是應該選擇合適的外接電容，以得到足夠的短路電流去驅動MOS管?！ ∩线呎f的4V或10V是常用的MOS管的導通電壓，設計時當然需要有一定的余量。而且電壓越高，導通速度越快，導通電阻也越小
2019-02-14 11:35:54
有一定的余量。而且電壓越高，導通速度越快，導通電阻也越小?，F在也有導通電壓更小的MOS管用在不同的領域里，但在12V汽車電子系統里，一般4V導通就夠用了。MOS管的驅動電路及其損失，可以
2011-11-07 15:56:56
一般認為MOSFET是電壓驅動的，不需要驅動電流。然而，在MOS的G S兩級之間有結電容存在，這個電容會讓驅動MOS變的不那么簡單。如果不考慮紋波和EMI等要求的話， MOS管 開關速度越快越好
2021-11-12 08:20:58
，發熱也會增大，極易損壞MOS,所以高頻時柵極柵極串的電阻不但要小，一般要加前置驅動電路的。下面我們先來了解一下MOS管開關的基礎知識。1.MOS管種類和結構MOSFET管是FET的一種(另一種
2019-07-03 07:00:00
，發熱也會增大，極易損壞MOS,所以高頻時柵極柵極串的電阻不但要小，一般要加前置驅動電路的。下面我們先來了解一下MOS管開關的基礎知識。1.MOS管種類和結構MOSFET管是FET的一種(另一種
2019-07-05 08:00:00
，發熱也會增大，極易損壞MOS,所以高頻時柵極柵極串的電阻不但要小，一般要加前置驅動電路的。下面我們先來了解一下MOS管開關的基礎知識。1.MOS管種類和結構MOSFET管是FET的一種(另一種
2019-07-05 07:30:00
MOS管用于開關電路時候G極有必要串聯電阻嗎？我用N溝道的，另外還需要接下拉電阻嗎？下拉電阻接多少歐姆合適？還有G極串多少歐姆電阻合適？我項目是通過單片機IO口PWM輸出信號控制MOS管的G極，請問單片機IO口到MOS管G極串電阻和不串電阻有什么區別？越詳細越好。
2017-04-20 10:42:01
老規矩先放結論：與反向并聯的二極管一同構成硬件死區電路形如：驅動電路電壓源為mos結電容充電時經過柵極電阻，柵極電阻降低了充電功率，延長了柵極電容兩端電壓達到mos管開啟電壓的速度；結電容放電時經
2021-11-16 08:27:47
關于mos管的驅動知識點不看肯定后悔柵極電阻的作用是什么？
2021-09-18 09:17:37
本帖最后由 QWE4562009 于 2020-5-19 13:57 編輯
電阻和MOS串聯再和另一個電阻并聯問題如果是這樣導通電壓不需要考慮不過增加了新的問題G點電壓可能會影響到S端 從而
2020-05-15 10:01:27
)：290NS工作溫度：-55~+150℃引線數量：3 1、去掉連接6N60柵極和源極的電阻，萬用表紅黑表筆不變。如果去掉電阻后針逐漸恢復到高阻或無窮大，則MOS管就漏電，不變則完好。2、然后用一根導線
2021-10-23 15:15:38
全橋逆變后接的是容性負載，全橋的高壓是220v整流的，驅動是用的ir21834做的 自舉電容是用的1uf快速二極管用的是rf107mos管耐壓是500v 電流8a 全橋逆變接容性負載工作大概3分鐘mos管的漏極和柵極通了且mos管的封轉裂了 是由于負載引起的過熱還是什么其他原因
2015-01-30 00:35:51
，就是導通電阻。這個內阻大小基本決定了mos芯片能承受的最大導通電流（當然和其它因素有關，最有關的是熱阻）。內阻越小承受電流越大（因為發熱小）。Mos問題遠沒這么簡單，麻煩在它的柵極和源級間，源級和漏
2019-07-26 07:00:00
～200K電阻連接于柵極和漏極，如圖5-4所示；這時表針指示歐姆數應該越小越好，一般能指示到0歐姆，這時是正電荷通過100K電阻對MOS管的柵極充電，產生柵極電場，由于電場產生導致導電溝道致使漏極和源極導
2012-08-09 14:45:18
如圖所示，為什么要串聯一個電感呢？這么做不會減慢MOS管的打開速度嗎，或許還有什么作用？
2019-01-12 13:44:13
和源極是絕緣的，所以柵極上無需串聯電阻進行限流。 相反，考慮到MOS管柵極存在的寄生電容，為了加快MOS管導通和截止的速度，降低MOS管在導通和截止過程中的損耗，它的柵極上的等效電阻應該越小越好
2023-03-10 15:06:47
1. 什么是MOS管？MOS管是金屬-氧化物-半導體場效應晶體管的簡稱。1.1 如何判斷MOS管的G柵極、D漏極、S源極?（1）引腳一般如上圖所示。（2）萬用表測量，方法如下S源極與D漏極之間應該有
2021-12-31 06:20:08
，并聯復合管管子一般不超過4個，而且在每管基極或柵極上串接防寄生振蕩電阻?！ 。?）結型MOS管的柵源電壓不能接反，可以在開路狀態下保存，而絕緣柵型MOS管在不使用時，由于它的輸入電阻非常高，須將各
2020-06-28 16:41:02
有兩個MOS管串聯，起到雙向導通截止作用，左右兩邊是電池和電源。驅動用tlp250這樣可以嗎，如果可以，那電池電源和驅動的電源需要隔離還是共地也可以。
2017-11-08 16:07:52
不能用?！ ”３稚鲜鰻顟B；此時用一只100K～200K電阻連接于柵極和漏極，如下圖所示；這時表針指示歐姆數應該越小越好，一般能指示到0歐姆，這時是正電荷通過100K電阻對MOS管的柵極充電，產生柵極
2018-11-01 15:21:31
我們經常看到，在電源電路中，功率MOS管的G極經常會串聯一個小電阻，幾歐姆到幾十歐姆不等，那么這個電阻用什么作用呢？ 如上圖開關電源，G串聯電阻R13這個電阻的作用有2個作用：限制G極電流，抑制振蕩。限制G極電流MOS管是由電壓驅動的，是以G級電流很小，但是因為寄生電容的存在，在MO...
2021-11-12 08:20:11
都怕靜電； Mos開關原理（簡要）：Mos是電壓驅動型器件，只要柵極和源級間給一個適當電壓，源級和漏級間通路就形成。這個電流通路的電阻被成為mos內阻，就是導通電阻。這個內阻大小基本決定了mos芯片
2020-06-26 13:11:45
兩個mos管，第一個MOS管柵極接單片機io口，通過io口控制通斷繼而控制第二個mos管通斷，開關頻率要求不高，對開關時間和導通電阻有要求，開關時間和導通電阻都要盡可能小，有沒有推薦的電路圖和MOS管，圖片是我畫的簡單示意圖
2018-10-16 22:40:53
在保護電路中三極管的放大倍數是越大越好還是越小越好呢？
2023-05-05 17:57:03
增大MOSFET柵極電阻可消除高平震蕩，是否柵極電阻越大越好，為什么？請你分析一下增大柵極電阻能消除高平震蕩的原因。
2023-03-15 17:28:37
增大MOSFET柵極電阻可消除高平震蕩，是否柵極電阻越大越好，為什么？請你分析一下增大柵極電阻能消除高平震蕩的原因
2023-05-16 14:32:26
（因為我在做電機時候，逆變橋用自舉驅動MOS管是要GND網絡的，不知道這個是否需要），我有個想法就是不需要此GND網絡，但是在柵極和源極之間需要并個大電阻，不知這樣是否可行。
2020-11-11 20:39:43
，實際上MOS管并聯多了容易引起走線很長，分布電感電容加大，對于高頻電路工作產生不利的影響。下面以4顆為例說明MOS管的應用。并聯的一般電路圖如下 上圖中，R1-4為柵極驅動電阻，每個MOS管都由獨立
2018-10-12 16:47:54
利用MOS 管實現串聯電阻以消除補償電容帶來的低頻零點，通過高 輸出阻抗鏡像電流鏡增大了電路的增益，并用共源共柵電流源為電路提供偏置電流以減小電 源電壓的變化對偏置電流影響。
2021-04-22 06:17:30
MOS管簡單模型MOS管帶載能力與漏源電流和內阻息息相關。漏源電流越大，內阻越小，帶載能力越強。分析如下:MOSFET在導通之后，其特性可以近似認為是一個電阻，VCC→RDS(on) →RL→GND
2023-02-16 15:21:14
維修過程中的攔路虎，如何區分和判斷成為必要手段。MOS管和IGBT管的辨別帶阻尼的NPN型IGBT管與N溝道增強型MOMS管的識別帶阻尼的NPN型IGBT管與N溝道增強型MOMS管它們的柵極位置一樣
2019-05-02 22:43:32
一個LC振蕩電路，如果直接把驅動芯片的輸出端接到MOS管柵極的話，在PWM波的上升下降沿會產生很大的震蕩，導致MOS管急劇發熱甚至爆炸，一般的解決方法是在柵極串聯10歐左右的電阻，降低LC振蕩電路的Q
2019-04-29 08:00:00
怎樣去計算MOS管柵極的驅動電流呢？如何對MOS管的驅動波形進行測試呢？
2021-09-28 07:36:15
1、溝道 上面圖中，下邊的p型中間一個窄長條就是溝道，使得左右兩塊P型極連在一起，因此mos管導通后是電阻特性，因此它的一個重要參數就是導通電阻，選用MOS管必須清楚這個參數是否符合需求
2019-01-03 13:43:48
是常用的MOS管的導通電壓，設計時當然需要有一定的余量。而且電壓越高，導通速度越快，導通電阻也越小?，F在也有導通電壓更小的MOS管用在不同的領域，但在12V汽車電子系統里，一般4V導通就夠用
2018-12-03 14:43:36
無線收發模塊體積真的是越小越好么？無線收發模塊傳輸距離越遠越好么？
2021-07-14 07:40:08
開關MOS管與線性MOS管的區別，1.是不是開關MOS管的只有“開”與“關”2種狀態？2.是不是線性MOS管可以利用柵極的電壓大小來控制導通的比率?3.開關的MOS管是使用數字信號控制。而線性的MOS管使用模擬信號控制？
2023-03-15 11:51:44
，實際上MOS管并聯多了容易引起走線很長，分布電感電容加大，對于高頻電路工作產生不利的影響。下面以4顆為例說明MOS管的應用。并聯的一般電路圖如下 上圖中，R1-4為柵極驅動電阻，每個MOS管都由獨立
2018-11-28 12:08:27
對MOS管是有害的。如果必須在MOS管柵極前加齊納二極管,那么可以在MOS管的柵極和齊納極管之間插入一個5~10歐的小電阻或在柵源之間接一個小電容(電容值要小于MOS管輸入電容的1/50)來消除自振蕩
2018-10-19 16:21:14
，或者有可能造成功率管遭受過高的di／dt而引起誤導通。為避免上述現象的發生，通常在MOS驅動器的輸出與MOS管的柵極之間串聯一個電阻，電阻的大小一般選取幾十歐姆?！ ?)防止柵源極間過電壓，由于柵極與源
2018-12-10 14:59:16
外界或驅動電路損壞超過允許最高電壓（柵極電壓一般需低于20v安全）以及靜電損壞。 4、MOS管的開關原理（簡要） MOS管是電壓驅動型器件，只要柵極G和源級S間給一個適當電壓，源級S和漏級D間導電
2019-02-28 10:53:29
濕敏電阻的特征阻抗，越大越好還是越小越好？ 在制程上是如何達成的？
2022-08-29 13:52:01
為0，此時mos管柵極電壓變為-6.3V（正常情況下，AI+輸入0時，柵極電壓受ref反偏影響在-3v左右），即使再次給定AI+AI-至50a電流的給定值，mos管仍無法開通，柵極電壓仍維持在-6.3v。請大家幫忙分析下什么原因？謝謝
2018-08-22 11:27:10
Rg具體會影響到那些參數？我個人的理解是①這個電阻對MOS管的開關頻率有關，決定了對mos管的輸入輸出電容的充放電時間②匹配集成驅動的驅動能力，電阻越到，集成驅動所需的最大驅動電流也就越小。大家有什么看法，請教一下
2017-06-05 11:28:22
這個是一個升壓電路的部分電路，6腳PWM輸出控制N-MOS，我仿真發現不同的柵極電阻R6，PWM經過R6后，波形失真很嚴重，請問這個R6是如何影響到后級波形，圖中灰色的代表PWM輸出，黃色代表經過R6后的柵極門波形
2017-08-11 10:24:02
MOS管柵極接的100K電阻起什么作用，這個電阻取值是的依據是什么。
2018-10-24 15:51:49
文章介紹了MOS管柵極電阻會影響開通和關斷時的損耗，應該選用多大阻值的呢？
2016-05-06 16:57:53
35 功率MOS管的G極經常會串聯一個小電阻，幾歐姆到幾十歐姆不等，那么這個電阻有什么用呢？
2019-06-28 08:29:0733437 
我們經常看到，在電源電路中，功率MOS管的G極經常會串聯一個小電阻，幾歐姆到幾十歐姆不等，那么這個電阻用什么作用呢？ 如上圖開關電源，G串聯電阻R13 這個電阻的作用有2個作用：限制G極電流，抑制
2020-03-13 11:24:257832 
本文主要闡述了萬用表測接地電阻方法，另外還分析了接地電阻為什么越小越好。
2020-03-19 08:57:5517830 我們經常看到，在電源電路中，功率MOS管的G極經常會串聯一個小電阻，幾歐姆到幾十歐姆不等，那么這個電阻用什么作用呢？ 如上圖開關電源，G串聯電阻R13這個電阻的作用有2個作用：限制G極電流，抑制振蕩。限制G極電流MOS管是由電壓驅動的，是以G級電流很小，但是因為寄生電容的存在，在MO...
2021-11-07 12:50:5930 芯片為什么越小越好，首先我們需要了解芯片的工作原理及制成，目前大多數芯片都是由微型硅晶體管制成的，這些晶體管的尺寸非常小，一個芯片上有數百個晶體管。
2022-07-05 16:48:5124952 在一周前看到在公眾號“電機控制設計加油站”的一篇推文，“Why 100Ω? 較真的教授發現簡單結論背后不簡單的問題”（點擊加黑文字可以跳轉到該推文），對MOSFET管柵極為什么放置“一個約100Ω串聯電阻”進行討論。
2022-07-25 10:09:142929 MOS管也可以沒有柵極電阻的情況下工作，但添加一個柵極電阻可以防止一些潛在的問題。一般為1000 Ω就可以。
2022-07-29 16:18:324159 在了解mos管柵極電阻的作用之前，我們先了解一下mos管柵極及其他2個極的基礎知識。場效應管根據三極管的原理開發出的新一代放大元件，有3個極性，柵極，漏極，源極，它的特點是柵極的內阻極高，采用
2022-09-27 15:29:507349 如果沒有柵極電阻，或者電阻阻值太小MOS導通速度過快，高壓情況下容易擊穿周圍的器件。
2022-10-27 09:41:296054 1、如果沒有柵極電阻，或者電阻阻值太小 ? MOS導通速度過快，高壓情況下容易擊穿周圍的器件。 ? ? 2、柵極電阻阻值過大 ? MOS管導通時，Rds會從無窮大將至Rds(on)(一般0.1歐姆
2022-11-04 13:37:245049 在高壓下，PCB的設計也需要注意。柵極電阻最好緊靠柵極，并且導線不要與母線電壓平行分布。否則母線高壓容易耦合至下方導線，柵極電壓過高擊穿MOS管。
2023-01-10 11:33:55690 MOS管，又叫絕緣柵型場效應管，屬于電壓控制電流型元件，是開關電路中的基本元件。其特點是柵極（G）的內阻極高。場
效應管分為P型和N型，P型場效應管由于跨導小、閾值電壓高等原因，已經逐漸被NMOS所取代。
2023-03-20 11:21:432 吉事勵電壓源要求電阻越小，電源越好，電流源要求內阻越高越好
1、在分析和求解復雜電路時，我們需要將有功電路轉換為理想電源。實際電源的主要參數是內部電阻和電動勢。理想電源有兩種
2021-03-22 10:14:345221 
的正向電壓越小，其性能越好的原因如下。 首先，正向電壓越小，器件的正向導通能力越強。當二極管正向導通時，其表現為低電阻，這時器件內部形成一個穩定的電壓，即正向壓降，使電流能夠穩定地通過器件。如果正向電壓過大，
2023-10-18 16:54:01713 元器件越小越好嗎？
2023-12-14 18:32:28282 
電感作為電子電路中非常重要的一種電子元器件，它在電路中的作用是其他電子元器件無可替代的。電感對于整個電路的運行有著非常直接的影響。很多人好奇，電感究竟是越大越好，還是越小越好。本篇我們就來簡單探討
2023-12-25 08:52:28518
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