這一節繼續對共射放大電路進行總結分析，講述放大電路中提高放大倍數的手段!

關鍵：共射放大器電路;

表1-1 共射放大電路的設計規格

我們知道，放大電路的放大倍數Av與集電極電阻Rc與發射極電阻RE有關，所以常用的提高放大倍數的方法就是改變這兩個值就可以改變放大倍數。 但是，如果隨意地改變Rc與RE的值，就會連偏置的狀態也改變了，從而導致最大輸出振幅下降(集電極電位顯著地偏向電源或GND而引起的)，或者偏置隨溫度而變得不穩定。

因此為了不破壞直流電位關系而又提高交流增益，可以采取如圖1-1所示方法：

圖1-1 提高交流放大倍數的方法

如圖1-1(a)所示，并聯連接發射極電阻RE和電容C或者如圖1-1(b)那樣，將RE進行分割成R與RE’用C并聯接地。 這樣一來，發射極–GND間的交流電阻變小，所以增加了交流放大倍數，C將發射極電流旁路到地，所以稱為發射極旁路電容。 圖1-2是測得的交流放大倍數變化時增益與頻率的特性。

圖 1-2 交流方法倍數改變時的頻率特性

圖1-2中的Av是計算值(用Rc//(RE//R)求得)。 可以知道，當交流發射極電阻值下降，放大倍數就會變大。 另外，設R=0Ω，則電容直接并聯到RE上，所以交流發射極電阻幾乎為0，因此，在計算上交流放大倍數應該是∞，但是，實際上如圖1-2所示，為有限值(圖中表示為49dB)。 最大放大倍數如果是作為目標hFE的值就可以了。 嚴格地進行考慮，則RE=0Ω時Av為：

其中hIE是表示晶體管輸入阻抗的常數，它隨晶體管的品種和工作點不同而不同，大體上為1~10kΩ左右。

在實際電路中，集電極負載電阻Rc的值大體上也是kΩ的數量級，所以式(1.1)分母的hIE與分子Rc可以認為幾乎相等，所以，式(1.1)變為：

因此，在共發射放大電路中能夠實現的最大放大倍數為hIE值，在Rc極小或者極大時，是不適用的，在這種條件下，認為“Av”與Rc的大小成正比即可。為此，用一個晶體管就能實現低頻范圍的最大放大倍數為40~60dB左右(hFE=100~1000)。R=0時，因為發射極直接接地，完全是“共發射極”，但是，如圖1-3所示:，發射極不是直接接地電路，當R=0時，顯然也是共發射極放大電路。所以，所謂共發射極放大電路，是發射極電位作為基準而進行放大工作的電路。

圖1-3 共發射極放大電路實例