，快速切換能力和非常好的熱穩定性，因此可以滿足所有這些要求，但是由于成本高，這些器件并未廣泛用于開發轉換器[4]。SiC MOSFET的成本是其兩倍，但與Si IGBT相比，它的高電流范圍是其8倍。為了減少成本問題，現在的重點是混合Si和SiC器件。在[5]中，介
2021-03-22 13:00:16
3753 
最終的器件是額定電壓為650 V的FET，具有4 V的高閾值，小于15mΩ的導通電阻以及類似于單芯片的封裝。
2020-12-07 13:43:053055 在很寬的范圍內實現對器件制造所需的p型和n型的控制。因此，SiC被認為是有望超越硅極限的功率器件材料。SiC具有多種多型（晶體多晶型），并且每種多型顯示不同的物理特性。對于功率器件，4H-SiC被認為是理想的，其單晶4英寸到6英寸之間的晶圓目前已量產。
2022-11-22 09:59:261373 其中一個優勢是，MOSFET 器件在高頻開關應用中使用 應用非常重要。MOSFET 晶體管更加容易驅動，因為其控制電極與導電器件隔離，所以不需要連續的導通電流。一旦 MOSFET 晶體管開通
2023-02-03 14:48:24827 
EV、混合動力車和燃料電池車等電動車應用市場。 與Si器件相比，SiC功率器件可以有效實現電力電子系統的 高效率、小型化和輕量化。 據了解，SiC功率器件的能量損耗只有Si器件的50%，發熱量只有Si器件的50%，且有更高的電流密度。在相同功率等級下，SiC功率
2019-07-05 11:56:2833343 13.56Mhz SI522兼容MFRC522的資料以及對比性Si522（超低功耗13.56M芯片）是一顆專門替代替代RC522 FM17522，PIN對PIN，完全軟硬件兼容。相對于MFRC522
2020-09-11 14:05:14
。下面是25℃和150℃時的Vd-Id特性。請看25℃時的特性圖表。SiC及Si MOSFET的Id相對Vd（Vds）呈線性增加，但由于IGBT有上升電壓，因此在低電流范圍MOSFET元器件的Vds
2018-12-03 14:29:26
半導體相比，損耗更低，高溫環境條件下工作特性優異，有望成為新一代低損耗元件的“碳化硅（SiC）功率元器件”。提及功率元器件，人們當然關注SiC之類的新材料，但是，目前占有極大市場份額和應用領域的Si功率
2018-11-28 14:34:33
一樣，商用SiC功率器件的發展走過了一條喧囂的道路。本文旨在將SiC MOSFET的發展置于背景中，并且 - 以及器件技術進步的簡要歷史 - 展示其技術優勢及其未來的商業前景。 碳化硅或碳化硅的歷史
2023-02-27 13:48:12
1. 器件結構和特征SiC能夠以高頻器件結構的SBD（肖特基勢壘二極管）結構得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現在主流產品快速PN結
2019-03-14 06:20:14
的小型化。 另外，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅動，從而也可以實現無源器件的小型化。 與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優勢在于芯片
2023-02-07 16:40:49
，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅動，從而也可以實現無源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優勢在于芯片面積小（可實現小型封裝），而且體
2019-04-09 04:58:00
與Si-MOSFET有怎樣的區別。在這里介紹SiC-MOSFET的驅動與Si-MOSFET的比較中應該注意的兩個關鍵要點。與Si-MOSFET的區別：驅動電壓SiC-MOSFET與Si-MOSFET相比，由于漂移層
2018-11-30 11:34:24
、對溫度穩定是比較理想的，但事實是不是零、并會受溫度影響而變動。為了使大家了解SiC-SBD的VF特性，下面與Si-PND的FRD（快速恢復二極管）進行比較。下圖是相對于SiC-SBD和Si-FRD的正向
2018-11-30 11:52:08
繼SiC功率元器件的概述之后，將針對具體的元器件進行介紹。首先從SiC肖特基勢壘二極管開始。SiC肖特基勢壘二極管和Si肖特基勢壘二極管下面從SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SBD”）的結構開始
2018-11-29 14:35:50
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉換器SiC/GaN具有的優勢
2021-03-10 08:26:03
與硅相比，SiC有哪些優勢？SiC器件與硅器件相比有哪些優越的性能？碳化硅器件的缺點有哪些？
2021-07-12 08:07:35
，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅動，從而也可以實現無源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優勢在于芯片面積小（可實現小型封裝），而且體
2019-05-07 06:21:55
1. SiC材料的物性和特征SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構成的化合物半導體材料。不僅絕緣擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，而且在器件制作時可以在較寬范圍內控制必要的p型、n型
2019-07-23 04:20:21
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-05-06 09:15:52
具有成本效益的大功率高溫半導體器件是應用于微電子技術的基本元件。SiC是寬帶隙半導體材料，與Si相比，它在應用中具有諸多優勢。由于具有較寬的帶隙，SiC器件的工作溫度可高達600℃，而Si器件
2018-09-11 16:12:04
前面對SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征進行了介紹。SiC功率元器件具有優于Si功率元器件的更高耐壓、更低導通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發背景和具體優點
2018-11-29 14:35:23
，關斷時電子可以迅速被抽走，沒有拖尾電流，因而關斷損耗更小，且基本不隨溫度變化。相比于其它SiCMOSFET, CoolSiCTM MOSFET有以下獨特的優勢為了與方便替換現在的Si IGBT
2019-04-22 02:17:17
在市場上開始流通是在二十世紀初，而SiC MOSFET則僅有5年左右的歷史。首先對SiC半導體材料的物理性質稍作說明。SiC是在熱、化學、機械方面都非常穩定的化合物半導體，對于功率元器件來說很重
2018-12-03 15:12:02
AD625失調電壓相對于時間的比值指標，這個參數在datasheet里沒有給出來
2019-02-18 14:26:32
操作系統（包括內核、驅動等）是使用C語言和匯編編寫的，Windows,UNIX,Linux都是這樣的。絕大部分是C語言，極少情況使用匯編寫的。C語言相對于其他語言有哪些特點：1、有出色的可移植性2、能夠訪問硬件3、運行效率高良好的移植性：C語言在不同的軟件平臺，擁有相同的語法。在不同的硬件平臺
2021-10-27 08:25:21
半導體材料可實現比硅基表親更小，更快，更可靠的器件，并具有更高的效率，這些功能使得在各種電源應用中減少重量，體積和生命周期成本成為可能。 Si，SiC和GaN器件的擊穿電壓和導通電阻。 Si，SiC
2022-08-12 09:42:07
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:10 編輯
問:LED相對于CCFL而言，優勢在哪里？LED背光的興起是不是意味著CCFL的淘汰呢？答:LED（發光二極管）背光相對于
2012-05-22 10:40:09
什么是LPDDR5？LPDDR4又是什么？LPDDR5相對于LPDDR4，性能上又有哪些提升呢？
2021-06-18 08:22:53
一、你真的決定要轉嵌入式Linux嗎？1. 單片機開發相對于Linux嵌入式最大的劣勢在于基層的打工崗位平均薪資偏低2. 你所在的城市嵌入式Linux崗位多嗎？3. 單片機雖然待遇較低，但是就業機會更多，對大齡求職者相對友好4. 單片機也有一些較高薪職位二、 單片機和嵌入式...
2021-11-05 08:47:17
效果相對于貼片元器件來說是很不錯的，在SMT包工包料中使用插件加工對于產品的性能穩定來說會有更好的效果。 3、在極端環境中面對顛簸震動的穩定性插件會表現得更加出色。不同的元器件有不同的優勢這個需要工程師在電子設計階段做全盤考慮從而選擇合適的元器件進而使SMT加工達到最好的實現效果。
2020-09-02 17:23:10
工業領域的特點有哪些？WiFi為什么會被用于工業控制中？SimpleWiFi相對于常見的UARTWiFi具有哪些優勢？
2021-07-19 08:17:40
paas的優勢是什么？為什么選擇paas而不是laas
2020-04-07 12:58:23
zynq是xilinx的新一代的嵌入ARM硬核的SOC，請問1、這種FPGA器件相對以往傳統FPGA有哪些優勢和劣勢？2、針對圖像和視頻處理的，這兩類哪一種器件更適合？3、相同價格的情況下，ARM硬核的引入相比傳統FPGA是否會降低zynq的性價比和靈活度？
2022-11-07 15:28:45
、SiC 和 Si 功率器件概述 2、SiC 功率器件的特征 3、SiC 功率器件的注意點，可靠性 4、SiC 功率器件的活用（動作、回路、實驗例
2018-07-27 17:20:31
項目名稱：SiC MOSFET元器件性能研究試用計劃：申請理由本人在半導體失效分析領域有多年工作經驗，熟悉MOSET各種性能和應用，掌握各種MOSFET的應用和失效分析方法，熟悉MOSFET的主要
2020-04-24 18:09:12
我國“新基建”的各主要領域中發揮重要作用。
一、 SiC的材料優勢
碳化硅（SiC）作為寬禁帶材料相較于硅（Si）具有很多優勢，如表1所示：3倍的禁帶寬度，有利于碳化硅器件工作在更高的溫度；10倍
2023-10-07 10:12:26
引言：前段時間，Tesla Model3的拆解分析在行業內確實很火，現在我們結合最新的市場進展，針對其中使用的碳化硅SiC器件，來了解一下SiC器件的未來需求。我們從前一段時間的報道了解到：目前
2021-09-15 07:42:00
？下面，小編就為大家詳細介紹一下什么是QSFP28光模塊？QSFP28光模塊相對于其他光模塊有什么優勢？ 首先，我們先來了解一下： 什么是QSFP28光模塊 我們要了解的就是光模塊封裝。 通俗的說光模塊
2017-10-24 15:18:08
元件來適應略微增加的開關頻率，但由于無功能量循環而增加傳導損耗［2］。因此，開關模式電源一直是向更高效率和高功率密度設計演進的關鍵驅動力。 基于 SiC 和 GaN 的功率半導體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
關于SiC-SBD，前面介紹了其特性、與Si二極管的比較、及當前可供應的產品。本篇將匯總之前的內容，并探討SiC-SBD的優勢。SiC-SBD、Si?SBD、Si-PND的特征SiC-SBD為形成
2018-11-29 14:33:47
我正在使用 STM32WLE5JCI6 開發硬件設計。作為參考，我正在查看項目“MB1842.PrjPcb”（參考設計）和“MB1389.PrjPcb”（Nucleo-WL55JC1 設計文件）降低功耗是使用 RFO_LP 輸出相對于 RFO_HP 的唯一優勢嗎？
2022-12-08 08:42:05
、機械方面都非常穩定的化合物半導體，對于功率元器件來說的重要參數都非常優異。作為元件，具有優于Si半導體的低阻值，可以高速工作，高溫工作，能夠大幅度削減從電力傳輸到實際設備的各種功率轉換過程中的能量損耗
2018-11-29 14:39:47
小，因此在高溫條件下特性也很穩定。上述的trr特性也相對于溫度非常穩定。Si-FRD的trr隨溫度上升而増加，而SiC-SBD則能夠保持幾乎恒定的trr。此外，高溫工作時，開關損耗也幾乎沒有増加。另外
2018-12-04 10:26:52
現在的labview使用初始化鼠標控件，再用輸入控件采集。得到的是鼠標相對于電腦屏幕的絕對位置。但是我想要鼠標相對于前面板窗格的絕對位置。請問如何實現？
2019-01-06 18:51:35
開關電源相對于線性電源的優點效率高，但是雜波多，不管是線性電源還是開關電源都需要濾波。下面是嘉立創的方案以及測評。https://www.szlcsc.com/info/12160.html在這里做
2021-10-29 06:43:08
在開關電源轉換器中,如何充分利用SiC器件的性能優勢？
2021-02-22 07:16:36
地感線圈這一從20世紀中期就被使用的車輛檢測設備，正面遭遇了無線地磁的挑戰。相對于地感線圈來說，無線地磁傳感器在關鍵的數據采集、施工簡便程度都有自己的優勢。無線地磁傳感器的優勢地球的磁場在幾公里之內
2020-05-09 21:47:44
。但是，SiC器件需要對其關鍵規格和驅動要求有新的了解才能充分發揮其優勢。本文概述了EV和HEV的功率要求，解釋了為什么基于SiC的功率器件非常適合此功能，并闡明了其輔助器件驅動器的功能。在簡要討論了
2019-08-11 15:46:45
，損耗更低，高溫環境條件下工作特性優異，有望成為新一代低損耗元件。②SiC功率元器件SiC是在熱、化學、機械方面都非常穩定的化合物半導體，對于功率元器件來說的重要參數都非常優異。作為元件，具有優于Si
2017-07-22 14:12:43
，一直被視為“理想器件”而備受期待。然而，相對以往的Si材質器件，SiC功率器件在性能與成本間的平衡以及其對高工藝的需求，將成為SiC功率器件能否真正普及的關鍵。近年來，隨著國內多品牌的進入，SiC技術
2019-09-17 09:05:05
1. 器件結構和特征SiC能夠以高頻器件結構的SBD（肖特基勢壘二極管）結構得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現在主流產品快速PN結
2019-05-07 06:21:51
甚至無法工作。解決方法就是在管殼內引入內匹配電路，因此內匹配對發揮GaN功率管性能上的優勢，有非常重要的現實意義。 2.SIC碳化硅(SiC)以其優良的物理化學特性和電特性成為制造高溫、大功率電子器件
2017-06-16 10:37:22
本文描述了ROHM推出的SiC-SBD其特性、與Si二極管的比較、及當前可供應的產品，并探討SiC-SBD的優勢。ROHM的SiC-SBD已經發展到第3代。第3代產品的抗浪涌電流特性與漏電流特性得到
2019-07-10 04:20:13
請問Arm Cortex-M85內核相對于M7內核有哪些提升？有沒有哪位大神科普一下
2022-09-22 10:37:06
PLC相對于繼電器線路的優勢1、功能強，性能價格比高一臺小型PLC內有成百上千個可供用戶使用的編程元件，有很強的功能，可以實現非常復雜的控制功能。與相同功能的繼電
2009-11-24 16:22:03
21 3GPP R4相對于R99的優勢
相對于傳統電路交換網絡，軟交換網絡可以實現更簡單的目標網絡結構，主要是從節約運營成本、易于維護和保
2009-06-13 22:27:091050 分析了SiC半導體材料的結構類型和基本特性， 介紹了SiC 單晶材料的生長技術及器件工藝技術， 簡要討論了SiC 器件的主要應用領域和優勢
2011-11-01 17:23:2081 SIC是什么呢？相比于Si器件，SiC功率器件的優勢體現在哪些方面？電子發燒友網根據SIC器件和SI器件的比較向大家講述了兩者在性能上的不同。
2012-12-04 10:23:4411979 引言SiC功率器件已經成為高效率、高電壓及高頻率的功率轉換應用中Si功率器件的可行替代品。正如預期的優越材料
2018-03-20 11:43:024444 SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構成的化合物半導體材料。SiC臨界擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，熱導率是Si的3倍，所以被認為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在
2018-07-15 11:05:419257 
SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構成的化合物半導體材料。SiC臨界擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，熱導率是Si的3倍，所以被認為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在
2018-09-29 09:08:008115 山東康道資訊：桁架機器人相對于人工的優勢，桁架機器人相對于人工來說，具有很高的效率和產品質量穩定性，結構簡單更易于維護，可以滿足不同種類產品的生產，對用戶來說，只需要作出有限調整，就可以很快
2018-12-10 15:27:47225 SiC主要用于實現電動車逆變器等驅動系統的小量輕化。SiC器件相對于Si器件的優勢之處在于，降低能量損耗、更易實現小型化和更耐高溫。
2019-05-09 10:06:545171 
隨著我國新能源汽車市場的不斷擴大，充電樁市場發展前景廣闊。SiC材料的功率器件可以實現比Si基功率器件更高的開關頻繁，可以提供高功率密度、超小的體積，因此SiC功率器件在充電樁電源模塊中的滲透率不斷增大。
2019-06-18 17:24:501774 
直到最近，功率模塊市場仍被硅（Si）絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）把持。需求的轉移和對更高性能的關注，使得這些傳統模塊不太適合大功率應用，這就帶來了 SiC 基功率器件的應運而生。
2019-11-08 11:41:5317040 FPGA相對于CPU和GPU，在進行感知處理等簡單重復的任務的時候的優勢很明顯，按照現在的趨勢發展下去，FPGA或許會在未來取代機器人開發中GPU的工作。
2019-12-20 14:39:312425 文章來源：電子工程世界 作者：湯宏琳 就在我們還沉浸在Si器件帶來的低成本紅利時，很多關鍵型應用已經開始擁抱SiC了。 雖然SiC成本還有些略高，但它卻有著自己得天獨厚的優勢：與Si相比，SiC
2020-10-26 10:12:252654 
首先，5G基站相對于之前基站最大的變革在于，行業對于虛擬化和開放RAN（radio access network，無線接入網絡）的接受和推廣。
2020-10-26 15:05:183050 碼垛機器人相對于傳統的碼垛機而言，效率、功能、自由度更高，且易于維護。騰陽為各種類型的包裝和碼垛作業提供對應的關節機器人，他能很方便的集成在任何生產線中，并很好的處理紙箱、塑箱、瓶類、袋裝桶裝等物料
2020-11-06 17:27:29657 的 3 倍，而且在器件制造時可以在較寬的范圍內實現必要的 P 型、N 型控制，所以被認為是一種超越 Si 極限的用于制造功率器件的材料。SiC 存在各種多型體（結晶多系），它們的物性值也各不相同。最適合于制造功率器件的是 4H-SiC，現在 4inch～6inch 的單晶晶圓已經實現了量產。
2021-04-20 16:43:0957 硅 （Si） 基功率器件由于其技術的成熟性和相對容易的可獲性，長期占據著電力電子行業的主導地位。然而，碳化硅 （SiC） 器件因其先天的巨大優勢能夠很好地契合當前的工業趨勢，正在獲得越來越多的采用
2021-06-17 18:20:045732 
碳化硅器件正在幾個大容量功率應用中取代其現有的硅對應物。隨著 SiC 市場份額的持續增長，該行業正在消除大規模商業化的最后一道障礙，包括高于 Si 器件的成本、相對缺乏晶圓平面度、存在
2022-07-30 16:11:17471 
的 SiO 2界面處的本征缺陷。這使得氧化物更容易受到過電壓和其他電應力的影響，相對于基于硅的器件，V GSMax相當大。
2022-08-04 09:23:041129 
ROHM 具有電流隔離功能的新型晶體管柵極驅動器 ( BM6112 ) 非常適合應對驅動 SiC MOSFET 的獨特挑戰。它可以驅動高達 20A 的大電流，驅動高達 20V 的柵極電壓，并且以小于 150ns 的最大 I/O 延遲完成所有操作。
2022-11-01 10:43:391331 碳化硅（SiC）功率器件具有提高效率、動態性能和可靠性的顯著優勢電子和電氣系統。回顧了SiC功率器件發展的挑戰和前景
2022-11-11 11:06:141503 近年來，SiC功率器件結構設計和制造工藝日趨完善，已經接近其材料特性決定的理論極限，依靠Si器件繼續完善來提高裝置與系統性能的潛力十分有限。本文首先介紹了SiC功率半導體器件技術發展現狀及市場前景，其次闡述了SiC功率器件發展中存在的問題，最后介紹了SiC功率半導體器件的突破。
2022-11-24 10:05:102020 SiC 器件取代服務器、電機、EV 中的 Si MOSFET 和二極管
2023-01-05 09:43:43529 隨著硅接近其物理極限，電子制造商正在轉向非常規半導體材料，特別是寬帶隙（WBG）半導體，如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）。由于寬帶隙材料具有相對較寬的帶隙（與常用的硅相比），寬帶隙器件可以在高壓、高溫和高頻下工作。寬帶隙器件可以提高能效并延長電池壽命，這有助于推動寬帶隙半導體的市場。
2023-02-05 14:25:15677 SiC功率元器件具有優于Si功率元器件的更高耐壓、更低導通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發背景和具體優點進行介紹。通過將SiC應用到功率元器件上，實現以往Si功率元器件無法實現的低損耗功率轉換。不難發現這是SiC使用到功率元器件上的一大理由。
2023-02-09 11:50:19448 
關于SiC-SBD，前面介紹了其特性、與Si二極管的比較、及當前可供應的產品。本篇將匯總之前的內容，并探討SiC-SBD的優勢。
2023-02-08 13:43:18705 
前面對SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征進行了介紹。SiC功率元器件具有優于Si功率元器件的更高耐壓、更低導通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發背景和具體優點進行介紹。
2023-02-22 09:15:30346 
碳化硅（SiC）器件是一種新興的技術，具有傳統硅所缺乏的多種特性。SiC具有比Si更寬的帶隙，允許更高的電壓阻斷，并使其適用于高功率和高電壓應用。此外，SiC還具有比Si更低的熱阻，這意味著它可以更有效地散熱，具有更高的可靠性。
2023-04-13 11:01:161469 硅 (Si) 基功率器件由于其技術的成熟性和相對容易的可獲性，長期占據著電力電子行業的主導地位。然而，碳化硅 (SiC) 器件因其先天的巨大優勢能夠很好地契合當前的工業趨勢，正在獲得越來越多的采用
2023-05-20 16:45:131890 
碳化硅（SiC）作為寬禁帶半導體材料，相對于Si基器件具備降低電能轉換過程中的能量損耗、更容易小型化、更耐高溫高壓的優勢。如今，SiC“上車”已成為新能源汽車產業難以繞開的話題，而這要歸功于搭載
2022-11-25 18:14:081756 
一、什么是SiC半導體？1.SiC材料的物性和特征SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構成的化合物半導體材料。不僅絕緣擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，而且在器件制作時可以在較寬
2023-08-21 17:14:581145 
碳化硅(SiC)技術已達到臨界點，即不可否認的優勢推動技術快速采用的狀態。 如今，出于多種原因，希望保持競爭力并降低長期系統成本的設計人員正在轉向基于SiC的技術，其中包括： 降低總擁有
2023-10-13 09:24:17824 在逆變器、電機驅動器和電池充電器等應用中，碳化硅（SiC）器件具有更高的功率密度、更低的冷卻要求和更低的整體系統成本等優勢。
2023-11-07 09:45:59434 
了解SiC器件的命名規則
2023-11-27 17:14:49357 
SiC的導熱性大約是Si的三倍，并且將其他特性的所有優點結合在一起。導熱率是指熱量從半導體結傳遞到外部環境的速度。這意味著SiC器件可以在高達200°C的溫度下工作，而Si的典型工作溫度限制為150°C。
2023-11-23 15:08:11490 
的 R sp將導致更低的損耗，從而產生更高的效率。 電子漂移速度是電子由于電場而在材料中移動的速度。SiC 半導體的電子漂移速度比 Si 基半導體高 2 倍。電子移動得越快，設備開關的速度就越快。系統
2023-12-19 09:41:36348 
SiC材料具有兩倍于Si的電子飽和速度，使得SiC 器件具有極低的導通電阻（1/100 于Si），導通損耗低；SiC材料具有3倍于Si 的禁帶寬度，泄漏電流比Si 器件減少了幾個數量級，從而可以減少功率器件的功率損耗。
2023-12-20 15:47:44169 
SiC器件的核心優勢在于其寬禁帶、高熱導率、以及高擊穿電壓。具體來說，SiC的禁帶寬度是硅的近3倍，這意味著在高溫下仍可保持良好的電性能；其熱導率是硅的3倍以上，有利于高功率應用中的熱管理。
2024-03-08 10:27:1542 
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