射頻（RF）應用的氮化鎵（GaN）電晶體已面世多年，最近業界的重點開發面向為電力電子應用的經濟型高性能GaN功率電晶體。十幾家半導體公司都在積極開發幾種不同的方法，以實現GaN功率場效應電晶體（FET）商業化。
2014-01-10 11:18:53
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功率GaN落后于RF GaN的主要原因在于需要花時間執行數個供貨商所使用的成本縮減策略。最知名的就是改用6英寸的硅基板，以及更低成本的塑料封裝。對于電源設計人員來說，理解GaN有可能帶來的性能提升，以及某些會隨時間影響到最終產品性能的退化機制很重要。
2015-11-08 18:00:004908 
長期以來，寬帶隙氮化鎵硅（GaN-on-Si）晶體管現已上市。他們被吹捧為取代硅基MOSFET，這對于許多高性能電源設計而言效率低下。最近，市場上出現了幾家基于GaN-on-Si的HEMT和FET
2019-01-24 09:07:003145 
或消除了對散熱片的需求。通過使用基于GaN的晶體管和IC，設計人員一直在生產小型充電器。Power Integrations一直處于GaN革命的最前沿，可為許多客戶批量提供完整的電源解決方案。本文探討了GaN器件的功能，并討論了解決該技術帶來的挑戰的
2021-04-07 17:15:013447 
氮化鎵（GaN）器件以最小的尺寸提供了最佳的性能，提高了效率，并降低了48 V電源轉換應用的系統成本。迅速增長的采納的eGaN的?在大批量這些應用FET和集成電路已經在高密度計算，以及許多新的汽車
2021-03-31 11:47:002732 GaN FET 實現了高頻電源轉換器設計。憑借出色的開關特性和零反向恢復損耗，這種輕量級設計具有更高的功率密度和更小的尺寸。
2020-12-10 12:03:511366 鑒于氮化鎵 (GaN) 場效應晶體管 (FET) 能夠提高效率并縮小電源尺寸，其采用率正在迅速提高。但在投資這項技術之前，您可能仍然會好奇GaN 是否具有可靠性。令我驚訝的是，沒有人詢問硅是否具有可靠性。畢竟仍然有新的硅產品不斷問世，電源設計人員對硅功率器件的可靠性也很關心。
2022-07-18 10:06:19779 對于 48V 電源系統中的 GaN FET 應用，現有的一種方法是使用基于 DSP 的數字解決方案來實現高頻和高效設計。這在很大程度上是由于缺乏設計用于 GaN FET 的合適控制器的可用性。DSP
2022-07-26 11:57:091274 
。對于當今的大電流、高功率應用和 650 V GaN 功率場效應晶體管，通常需要更高效的器件散熱方式，甚至已成為強制性的要求。因此，頂部散熱方式的 CCPAK 封裝，可以提供更佳散熱性能。
2022-08-30 11:25:511297 的權衡標準和注意事項，包括 PCB 布局、熱界面、散熱器選擇和安裝方法指南。還將提供使用 50mΩ 和 70mΩ GaN 器件的設計示例。
2022-11-18 09:42:25719 TI LMG1210是一款50 MHz半橋驅動器，經過特別設計，能與電壓高達200V的增強模式GaN FET搭配使用。
2019-09-29 15:47:001421 不久前，英飛凌科技股份公司宣布其適用于高壓MOSFET的QDPAK和DDPAK頂部散熱（TSC）封裝技術正式注冊為JEDEC標準。
2023-04-29 03:28:004586 
首批支持低電壓(100/150 V)和高電壓(650 V)應用的E-mode（增強型）功率GaN FET。Nexperia在其級聯型氮化鎵產品系列上增加了七款新型E-mode器件，從GaN FET到其他
2023-05-10 09:24:51420 
新推出器件是業界首款采用頂部散熱的 TOLT 氮化鎵晶體管，擴展Transphorm多樣化的產品封裝組合 ? 加利福尼亞州戈萊塔 – 2023 年 11 月 29 日 － 代表著下一代電源系統未來
2023-12-01 14:11:45406 
的專業知識，如今成功將這一突破性的封裝方案CCPAK應用于級聯氮化鎵場效應管（GaN FET），Nexperia對此
2023-12-11 11:43:37259 
）。另一方面，功率GaN的技術路線從不同的層面看還有非常豐富的種類。 ? 器件模式 ? 功率GaN FET目前有兩種主流方向，包括增強型E-Mode和耗盡型D-Mode。其中增強型GaN FET是單芯片常關器件，而耗盡型GaN FET是雙芯片常關器件（共源共柵Cascode結構）。 ? E-
2024-02-28 00:13:001844 的 FET 和柵極驅動器。GaN FET 的開關速度比硅質 FET 快得多，而將驅動器集成在同一封裝內可減少寄生電感，并且可優化開關性能以降低功率損耗，從而有助于設計人員減小散熱器的尺寸。節省的空間
2018-10-31 17:33:14
使用 TI 的高壓 GaN FET 作為輸入開關采用 UCD7138/UCD3138A 實現優化的 LLC SR 導通功率級尺寸：2" x 2.1" x 1.7"峰值效率高達 97.6%
2018-10-26 10:32:18
應用，實現新型電源和轉換系統。（例如，5G通信電源整流器和服務器計算）GaN不斷突破新應用的界限，并開始取代汽車、工業和可再生能源市場中傳統硅基電源解決方案。 圖1：硅設計與GaN設計的磁性元件功率密度
2022-11-07 06:26:02
需要臨界偏置網絡才能正常工作。這種電力系統配置通常用于數據中心。更新的發展是增強型GaN FET或eGaN。這是絕緣門品種。像所有的GaN器件一樣，它們提供了更高速度的切換，更高的電壓操作和改善散熱
2017-05-03 10:41:53
作者: 德州儀器設計工程師謝涌；設計與系統經理Paul Brohlin導讀：將GaN FET與它們的驅動器集成在一起可以改進開關性能，并且能夠簡化基于GaN的功率級設計。氮化鎵 (GaN) 晶體管
2018-08-30 15:28:30
散熱解決方案規格去哪里下載以上來自于谷歌翻譯以下為原文Thermal Solution Specification去哪里下載
2018-11-09 11:31:01
你好我需要知道Artix 7的頂部表面可以施加多大的壓力，以使鋁制散熱器和Artix 7 23mm X 23mm之間的導熱墊足夠接觸。
2020-05-05 14:43:28
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 該GaN內部匹配（IM）FET與其他技術相比，具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
單芯片半橋式STDRIVEG600柵極驅動器專為特定的GaN FET驅動要求而設計，具有較短的45ns傳播延遲和低至5V的工作電壓。STDRIVEG600通過較高的共模瞬態抗擾度、一套集成式保護功能
2023-09-05 06:58:54
下以更高的轉換頻率運行。這意味著，在同樣的條件下，GaN可實現比基于硅材料的解決方案更高的效率。TI日前發布了LMG5200，隨著這款全集成式原型機的推出，工程師們能夠輕松地將GaN技術融入到電源
2018-09-11 14:04:25
全新的電源應用在同等的電壓下以更高的轉換頻率運行。這意味著，在同樣的條件下，GaN可實現比基于硅材料的解決方案更高的效率。TI日前發布了LMG5200，隨著這款全集成式原型機的推出，工程師們能夠輕松地將
2018-09-10 15:02:53
LMG5200 GaN FET moduleFull digital control with UCD3138A enable flexible designS.R buck topology and half-bridge current-doubler
2018-09-26 08:45:25
。 圖2： 數字平均電流模式控制圖 GaN FET 需要一個散熱器才能在 1.5 kW 的全輸出功率下工作。使用標準的市售 1/8 磚散熱器。PCB上安裝了四個金屬墊片，為散熱器安裝提供適當的間隙
2023-02-21 15:57:35
描述PMP10534 是一種單相同步降壓變換器，采用 LM53603 調節器 IC，該 IC 包含頂部集成式 FET 和底部集成式 FET。該設計可接受 7V 到 36V 的輸入電壓，提供 5V
2022-09-19 07:42:31
使用 TI 的高壓 GaN FET 作為輸入開關采用 UCD7138/UCD3138A 實現優化的 LLC SR 導通功率級尺寸：2" x 2.1" x 1.7"峰值效率高達 97.6%
2022-09-23 07:12:02
我最近訪問了德州儀器（TI）的先進技術戰略和營銷，寬帶隙解決方案的Masoud Beheshti，以及應用工程師Lixing Fu進行了演示，該演示演示了TI聲稱是業界最小的納秒級GaN驅動器
2019-11-11 15:48:09
，實現了更高的開關頻率，減少甚至去除了散熱器。圖2顯示了GaN和硅FET之間48V至POL的效率比較。 圖 2：不同負載電流下GaN與硅直流/直流轉換器的48V至POL效率 TI的新型48V至POL
2019-07-29 04:45:02
諸多應用難點，極高的開關速度容易引發振蕩，過電流和過電壓導致器件在高電壓場合下容易失效[2]。 GaN HEMT 的開通門限電壓和極限柵源電壓均明顯低于 MOS鄄FET，在橋式拓撲的應用中容易發生誤
2023-09-18 07:27:50
設計。基于雙向6.6kw OBC和3.0kW LV-DC/DC的一體化“二合一”設計，本文提出了一種高效散熱方案采用Navitas集成驅動GaN-Power-IC器件的技術。CCMPFC的開關頻率設置為
2023-06-16 08:59:35
今天觀看了電子研習社的直播課程，由TI工程師王蕊講解了TI的基于GaN的CrM模式的圖騰柱無橋PFC參考方案的設計（TIDA00961）。下面是對該方案的介紹：高頻臨界導電模式 (CrM) 圖騰柱
2022-01-20 07:36:11
與碳化硅 (SiC)FET 和硅基FET 相比，氮化鎵 (GaN) 場效應晶體管 (FET) 可顯著降低開關損耗和提高功率密度。這些特性對于數字電源轉換器等高開關頻率應用大有裨益，可幫助減小磁性元件
2022-11-04 06:18:50
明需要進行一些改動來降低頂部層附近裸片上的FET最高溫度，以防止熱點超出150C的T結點。系統用戶可以選擇控制該特定序列下的功率分布，以此來降低裸片上的功率溫度。散熱仿真是開發電源產品的一個重要組成部分
2021-04-07 09:14:48
明需要進行一些改動來降低頂部層附近裸片上的FET最高溫度，以防止熱點超出150C的T結點。系統用戶可以選擇控制該特定序列下的功率分布，以此來降低裸片上的功率溫度。散熱仿真是開發電源產品的一個重要組成部分
2022-07-18 15:26:16
較GaN FET與硅FET二者的退化機制，并討論波形監視的必要性。使用壽命預測指標功率GaN落后于RF GaN的主要原因在于需要花時間執行數個供貨商所使用的成本縮減策略。最知名的就是改用6英寸的硅基板，以及
2019-07-12 12:56:17
空間和每克減輕的重量都可以延長兩次電池充電之間的運行時間。Efficient Power Conversion 的 GaN FET 可幫助設計人員提高功率密度以應對挑戰。EPC9145 電機驅動電源
2022-03-25 11:02:29
伴隨著更高的開關頻率，從而導致更高的功率密度。但熱管理和寄生效應無法縮放!在更小的體積中集中更多的功率為散熱和封裝帶來新的挑戰。較小的模面面積限制了傳統封裝技術的效率。三維散熱是GaN封裝的一個很有前景
2018-11-20 10:56:25
各位大便，有沒有用SM2083在PCB上的散熱方案，現在只將SM2083焊接在PCB上，出現過熱保護。
2016-01-15 18:17:43
到驅動集成電路（IC）中，感測FET和電流感測電路可為GaN FET提供過流保護。這是增強整體系統可靠性的關鍵功能。使用增強型GaN器件時，這種電流檢測方案無法實現。當大于40 A的電流流經GaN
2023-02-14 15:06:51
FET 的控制器解決方案與采用集成 FET 的轉換器相比，更具挑戰性。主要有兩方面的考量因素。首先，在緊湊性方面，采用 MOSFET 和控制器的功率級的印刷電路板 (PCB) 布局比不上采用優化引腳布局和內部柵極驅動器的功率轉換器集成電路…
2022-11-09 08:02:39
描述 PMP10534 是一種單相同步降壓變換器，采用 LM53603 調節器 IC，該 IC 包含頂部集成式 FET 和底部集成式 FET。該設計可接受 7V 到 36V 的輸入電壓，提供 5V
2018-11-07 16:46:31
困擾著LED技術人員。下面是一組精心收集的文章供大家參考：?? 高功率LED照明設計中的散熱控制方案?? 解析高功率白光LED芯片的散熱問題 ?? 如何改善LED散熱性能 ?? 氧化鋁及硅作為LED
2011-03-06 16:18:57
輻射散熱解決方案:輻射散熱的原理和特點 熱能是能量的一種，可以用輻射（放射）、傳導和對流的方式進行轉換。 CHDS品牌的散熱方案是通過金屬介質
2009-08-27 18:36:34
22 TI推出通過封裝頂部散熱的標準尺寸功率MOSFET
日前，德州儀器 (TI) 宣布面向高電流 DC/DC 應用推出業界第一個通過封裝頂部散熱的標準尺寸功率 MOSFET 產品系列。相對
2010-01-22 09:40:49932 基于數十年的電源管理創新經驗，德州儀器（TI）近日宣布推出一款600V氮化鎵（GaN）70 mù場效應晶體管（FET）功率級工程樣片，從而使TI成為首家，也是唯一一家能夠向公眾提供集成有高壓驅動器的GaN解決方案的半導體廠商。
2016-05-05 14:41:39874 氮化鎵 （GaN） 晶體管的開關速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實現更低的開關損耗。然而，當壓擺率很高時，特定的封裝類型會限制GaN FET的開關性能。將GaN FET與驅動器集成在一個封裝內可以減少寄生電感，并且優化開關性能。集成驅動器還可以實現保護功能。
2016-05-09 17:06:562888 產品包括SBD、常關型FET、常開型FET、級聯FET等產品，面向無線充電、電源開關、包絡跟蹤、逆變器、變流器等市場。而按工藝分，GaN器件則分為HEMT、HBT射頻工藝和SBD、Power FET電力電子器件工藝兩大類。
2019-02-03 12:54:0011330 3月7日下午，小米公司產品總監王騰科普了小米9散熱方案。王騰表示，大家對小米9散熱控制評價還不錯，一方面是驍龍855功耗控制良好，另一方面小米9做了非常細致完整的散熱方案。
2019-03-07 15:31:543316 ）功率級工程樣品，使TI成為第一家也是唯一一家公開提供高壓驅動器集成GaN解決方案的半導體制造商。與基于硅FET的解決方案相比，新型12-A LMG3410功率級與TI的模擬和數字電源轉換控制器相結合
2019-08-07 10:17:061929 作為半導體材料，人們關注GaN（氮化鎵）是從上世紀90年代的LED燈應用開始的。然而，但我們看到GaN充電器在更小的體積中實現更高的效率，以及更好的散熱性能之后，GaN在消費電子領域的爆發便勢不可擋
2021-01-11 11:45:212093 
GaN FET 實現了高頻電源轉換器設計。憑借出色的開關特性和零反向恢復損耗，這種輕量級設計具有更高的功率密度和更小的尺寸。為了充分利用 GaN 的快速開關速度，需要更大限度地減小電源環路電感。
2021-03-16 17:40:322671 
氮化鎵(GaN)半導體的物理特性與硅器件不相上下。傳統的電源供應器金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)和絕緣柵極雙極晶體管(IGBT)只有在犧牲效率、外形尺寸和散熱的前提下才能提高功率密度
2022-01-12 16:22:471173 
與碳化硅 (SiC)FET 和硅基FET 相比，氮化鎵 (GaN) 場效應晶體管 (FET) 可顯著降低開關損耗和提高功率密度。
2022-02-08 16:32:444 GaN晶體管擁有開關速度快、效率高等優勢，本方案結合Transphorm公司的GaN FET和士蘭微電子的有源鉗位反激式（ACF）PWM控制器，實現了94.5%的峰值效率和30W/in3的無封裝功率密度，用于筆記本電腦、平板電腦、智能手機和其他終端設備的電源供電。
2022-06-15 09:29:53933 
本文將展示芯片級封裝 (CSP) GaN FET 如何提供至少與硅 MOSFET 相同（如果不優于）的熱性能。由于其卓越的電氣性能，GaN FET 的尺寸可以減小，從而在尊重溫度限制的同時提高功率密度。這種行為將通過 PCB 布局的詳細 3D 有限元模擬來展示，同時還提供實驗驗證以支持分析。
2022-07-25 09:15:05488 
本文將展示芯片級封裝 (CSP) GaN FET 如何提供至少與硅 MOSFET 相同（如果不優于）的熱性能。由于其卓越的電氣性能，GaN FET 的尺寸可以減小，從而在尊重溫度限制的同時提高功率密度。這種行為將通過 PCB 布局的詳細 3D 有限元模擬來展示，同時還提供實驗驗證以支持分析。
2022-07-29 08:06:37394 
對于 48V 電源系統中的 GaN FET 應用，現有的一種方法是使用基于 DSP 的數字解決方案來實現高頻和高效率設計。這在很大程度上是由于缺乏設計用于GaN FET的合適控制器的可用性。DSP
2022-08-04 09:58:08570 
650V GaN FET 較低的寄生電容降低了開關損耗。此外，與 650-V Si MOSFET 相比，650-V GaN FET 在相同芯片尺寸內具有更低的導通電阻 （R on ），并且 GaN
2022-08-05 08:04:511049 
氮化鎵 (GaN) 開關技術推動了充電器和適配器的小型化。與使用等效硅器件的電路相比，它允許開發可以在高開關頻率下運行的轉換器。GaN 減小了變壓器尺寸，提供了顯著提高系統效率的解決方案，減少或消除了對散熱器的需求。通過使用基于 GaN 的晶體管和 IC，設計人員一直在生產小型充電器。
2022-08-05 09:57:45595 
Nexperia在 TO-247 和專有 CCPAK 表面貼裝封裝中采用下一代高壓 GaN HEMT H2 技術的新系列GaN FET 解決方案將主要面向汽車、5G 和數據中心應用。Nexperia
2022-08-08 08:09:49897 
大多數高密度功率轉換器的限制因素是結溫，這促使需要更有效的熱設計。eGaN FET 和 IC 的芯片級封裝提供六面冷卻，從管芯的底部、頂部和側面充分散熱。高性能熱設計可以保證基于 eGaN 的功率轉換器設計具有更高的輸出功率，具有緊湊的尺寸和低導通電阻。
2022-08-09 09:41:461331 
電子發燒友網站提供《具有高電壓GaN FET的高效率和高功率密度1kW諧振轉換器設計.zip》資料免費下載
2022-09-07 11:30:0510 具有集成式驅動器和自我保護功能的GaN FET如何實現下一代工業電源設計
2022-10-28 12:00:200 指標。為了提高電源的效率，80 PLUS鈦金級電源的設計人員正在尋找650 V GaN FET，實現更小、更快、更涼、更輕的系統，同時降低總體系統成本。
2023-02-08 09:17:05758 
在過去幾年里，GaN技術，特別是硅基GaN HEMT技術，已成為電源工程師的關注重點。該技術承諾提供許多應用所需的大功率高性能和高頻開關能力。然而，隨著商用GaN FET變得更容易獲得，一個關鍵問題仍然存在。為何選擇共源共柵？
2023-02-09 09:34:12419 
在半橋拓撲中并聯 Nexperia GaN FET-AN90030
2023-02-15 19:06:190 采用 CCPAK1212 封裝的 650 V、33 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN039-650NBA
2023-02-16 20:47:212 采用 CCPAK1212i 封裝的 650 V、33 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN039-650NTBA
2023-02-16 20:47:323 采用 CCPAK1212i 封裝的 650 V、33 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN039-650NTB
2023-02-16 20:47:450 采用 CCPAK1212 封裝的 650 V、33 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN039-650NBB
2023-02-16 20:48:020 采用 TO-247 封裝的 650 V、35 mΩ 氮化鎵 (GaN) FET-GAN041-650WSB
2023-02-17 18:46:495 MOSFET 和 GaN FET 應用手冊-Nexperia_document_bo...
2023-02-17 19:13:1625 650 V、50 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN063-650WSA
2023-02-17 19:47:245 白皮書：GaN FET 技術和 AEC-Q101 認證所需的穩健性 – 中文（650 V GaN FET 技術可提供出色效率，以及 AEC-Q101 認證所需的耐久性）-nexperia_whitepaper_...
2023-02-17 19:53:032 了解功率 GaN FET 數據表參數-AN90005
2023-02-17 20:08:302 白皮書：GaN FET 技術和 AEC-Q101 認證所需的穩健性-nexperia_whitepaper_...
2023-02-17 20:08:503 GaN FET 半橋的電路設計和 PCB 布局建議-AN90006
2023-02-20 19:29:057 近期美闊電子推出了一款全新的氮化鎵65W（1A2C）PD快充充電器方案，該方案采用同系列控制單晶片：QR一次側控制IC驅動MTCD-mode GaN FET(MGZ31N65-650V)、二次側同步
2023-03-01 17:25:56993 
，從而有助于實現更緊湊的解決方案。盡管這些器件具有良好的功率能力，但有時散熱效果并不理想。 由于 器件的引線框架（包括裸露漏極焊盤）直接焊接到覆銅區， 這導致熱量主要通過 PCB進行 傳播 。而器件的其余部分均封閉在塑封料中，僅能通過空氣對流來散熱。因此，熱傳遞效率在
2023-03-10 21:50:04799 基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今天宣布推出首批支持低電壓(100/150 V)和高電壓(650 V)應用的E-mode（增強型）功率GaN FET。Nexperia在其級聯型氮化
2023-05-30 09:03:15385 保護和出色的散熱性能，方便安裝。應用包括高開關頻率和高密度轉換器。文章來源：http://www.ameya360.com/hangye/109156.html 特性 》650V E模式GaN FET
2023-06-19 15:09:18273 
鑒于氮化鎵 (GaN) 場效應晶體管 (FET) 能夠提高效率并縮小電源尺寸，其采用率正在迅速提高。但在投資這項技術之前，您可能仍然會好奇GaN是否具有可靠性。
2023-07-13 15:34:27411 
基礎半導體器件領域的高產能生產專家 Nexperia（安世半導體）近日宣布推出首批支持低電壓（100/150 V）和高電壓（650 V）應用的 E-mode（增強型）功率 GaN FET
2023-08-10 13:55:54500 電子發燒友網站提供《Xilinx器件設計散熱器和散熱解決方案.pdf》資料免費下載
2023-09-14 10:59:413 Transphorm, Inc.（Nasdaq：TGAN）是強大的GaN功率半導體（下一代電力系統的未來）領域全球領先的企業。該公司今天推出了三款TOLL封裝的SuperGaN?FET，其導通電
2023-10-12 16:40:56251 雖然穩壓器模塊的額定功率和轉換效率都在不斷提升，然而對其的預期尺寸卻正在不斷減小。因此，有效散熱依然是設計上的一大挑戰。本博客文章討論了Flex Power Modules旗下產品的一些散熱設計選項。
2023-11-24 12:46:49354 
基礎半導體器件領域的高產能生產專家 Nexperia（安世半導體）近日宣布推出新款 GaN FET 器件，該器件采用新一代高壓 GaN HEMT 技術和專有銅夾片 CCPAK 表面貼裝封裝，為工業和可再生能源應用的設計人員提供更多選擇。
2023-12-13 10:38:17312 電子發燒友網站提供《ISL73041SEH 12V半橋GaN FET驅動器的高劑量率總電離劑量測試.pdf》資料免費下載
2023-12-21 10:42:460 GAN039-650NTB 是一款 33 mΩ（典型值）的氮化鎵場效應管，采用 CCPAK1212i 頂部散熱封裝技術，開創了寬禁帶半導體和銅夾片封裝相結合的新時代。
2023-12-24 09:30:06430 電子發燒友網站提供《耐輻射12V半橋GaN FET驅動器 71441MM數據手冊.pdf》資料免費下載
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2024-01-14 11:02:050 近期，大阪公立大學的研究團隊成功利用金剛石為襯底，制作出了氮化鎵（GaN）晶體管，其散熱性能是使用碳化硅（SiC）襯底制造相同形狀晶體管的兩倍以上
2024-01-15 10:44:16436 電子發燒友網站提供《具有集成驅動器的 650V 120m? GaN FET LMG3612數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-21 10:20:580
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