兩個(gè)主要類型的功率晶體管：MOSFET和IGBT非常流行，它們?cè)陔娫聪到y(tǒng)設(shè)計(jì)中已經(jīng)使用了多年，因此，很容易假定它們之間的差異一直保持不變。本文通過(guò)解釋最新一代MOSFET和IGBT的工作特性，使用戶能夠更好地了解最能滿足應(yīng)用需求的最合適的器件類型，并解釋了目前的功率晶體管選擇的灰色區(qū)域。
2016-11-04 20:43:07
1290 
本帖最后由 xuehumaiya 于 2016-7-15 10:29 編輯
N溝道MOSFET PowerTrench??[N-Channel PowerTrench?? MOSFET]常用管...................
2013-03-01 08:23:44
到100KHZ，那已經(jīng)是不錯(cuò)了。不過(guò)相對(duì)于MOSFET的工作頻率還是九牛一毛，MOSFET可以工作到幾百KHZ，上MHZ，以至幾十MHZ，射頻領(lǐng)域的產(chǎn)品。3. 就其應(yīng)用，根據(jù)其特點(diǎn)：MOSFET應(yīng)用于
2018-08-27 20:50:45
MOSFET和IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)不同,于是也決定了其應(yīng)用領(lǐng)域的不同，今天就讓小編帶大家一起來(lái)了解一下MOSFET與IGBT的本質(zhì)區(qū)別吧~1、由于MOSFET的結(jié)構(gòu)，通常它可以做到電流很大，可以到上KA
2021-06-16 09:21:55
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:54 編輯
MOSFET工作原理是一段動(dòng)畫(huà)，解釋mosfet工作原理的，比看模電課本方便，其他都是比較實(shí)用的資料，關(guān)于功率mosfet的。`
2012-08-16 00:48:15
MOSFET及MOSFET驅(qū)動(dòng)電路基礎(chǔ)
2021-02-25 06:05:27
菜鳥(niǎo)沒(méi)有做過(guò)實(shí)際東西，最近有個(gè)想法，但仿真時(shí)發(fā)現(xiàn)Vs小于0時(shí)，雖Vds大于0，但MOSFET不受柵極控制，為什么會(huì)這樣？有什么方法解決嗎？希望各位說(shuō)說(shuō)自己的看法，感激不盡
2015-11-30 22:55:25
MOSFET教程
2020-05-24 09:22:48
MOSFET是指的什么？MOSFET的特性是什么？MOSFET有哪些應(yīng)用？
2021-07-09 07:45:34
MOSFET簡(jiǎn)介MOSFET的一些主要參數(shù)MOSFET的驅(qū)動(dòng)技術(shù)
2021-03-04 06:43:10
MOSFET柵極電路常見(jiàn)的作用MOSFET常用的直接驅(qū)動(dòng)方式
2021-03-29 07:29:27
關(guān)于MOSFET的寄生容量和溫度特性關(guān)于MOSFET的開(kāi)關(guān)及其溫度特性關(guān)于MOSFET的VGS(th) (界限値)ID-VGS特性和溫度特性關(guān)于MOSFET的寄生容量和溫度特性MOSFET的靜電
2019-04-10 06:20:15
什么是MOSFET管？由哪幾部分組成？MOSFET的主要參數(shù)是什么？如何選型？
2022-02-23 06:57:53
Marking為KDK3Y的MOSFET是什么型號(hào)的？先謝謝了！
2015-12-16 09:35:37
MOSFET的失效機(jī)理至此，我們已經(jīng)介紹了MOSFET的SOA失效、MOSFET的雪崩失效和MOSFET的dV/dt失效。要想安全使用MOSFET，首先不能超過(guò)MOSFET規(guī)格書(shū)中的絕對(duì)最大
2022-07-26 18:06:41
MOSFET的輸出電容和輸入電容是什么？
2017-07-21 11:24:47
繼上一篇MOSFET的開(kāi)關(guān)特性之后，本篇介紹MOSFET的重要特性–柵極閾值電壓、ID-VGS特性、以及各自的溫度特性。MOSFET的VGS(th)：柵極閾值電壓MOSFET的VGS(th)：柵極
2018-11-28 14:28:20
上一章基于ROHM的SJ-MOSFET產(chǎn)品陣容，以標(biāo)準(zhǔn)AN系列、低噪聲EN系列、高速KN系列為例介紹了SJ-MOSFET的特征。本章將以SJ-MOSFET的trr速度更高的PrestoMOS?的兩個(gè)
2018-11-28 14:27:08
MOSFET管的耐壓在150左右，電流在80A左右，MOSFET管怎么選擇？什么型號(hào)的MOSFET管子合適。主要用在逆變器上面的。謝謝？？
2016-12-24 14:26:59
本帖最后由 mtss 于 2015-11-11 09:50 編輯
論壇的大神們好，我現(xiàn)在需要設(shè)計(jì)一款4MHz的E型功放，要求100V,1mA。請(qǐng)問(wèn)，需要什么型號(hào)的MOSFET芯片和MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片。對(duì)這個(gè)不太了解，求大神們幫助。多謝了。
2015-10-22 11:41:26
想做一個(gè)DCDC驅(qū)動(dòng) 不知道MOSFET如何驅(qū)動(dòng)？之前使用的法子速度慢，請(qǐng)問(wèn)各位大神有沒(méi)有好辦法。
2014-10-22 13:54:10
摘要：本文闡述了MOSFET驅(qū)動(dòng)的基本要求以及在各種應(yīng)用中如何優(yōu)化驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)關(guān)鍵詞： MOSFET 驅(qū)動(dòng)， MOSFET 并聯(lián) 1．引言隨著電源高效，高功率密度的要求，電源的頻率由原來(lái)的工頻，到
2018-12-10 10:04:29
有的文獻(xiàn)說(shuō)mosfet并聯(lián)緩沖電容，可以提升效率？？ 是否有這一說(shuō)法
2017-02-22 18:19:40
我看mosfet的技術(shù)手冊(cè)，有兩個(gè)轉(zhuǎn)移特性曲線，但是不知道這兩個(gè)的區(qū)別在哪，為什么不一樣？
2015-10-23 20:51:09
` 誰(shuí)來(lái)闡述一下mosfet是什么型器件？`
2019-10-25 16:06:28
誰(shuí)來(lái)闡述一下mosfet是電壓型器件嗎
2019-10-25 15:58:03
要選擇一個(gè)大概工作400hz,24電源的mosfet要怎么選擇型號(hào)
2018-12-04 10:10:09
mosfet沒(méi)有上電時(shí)，mosfet驅(qū)動(dòng)電壓很正常，mosfet上電后，mosfet的驅(qū)動(dòng)電壓卻變成了這個(gè)樣子，請(qǐng)問(wèn)這是為什么？
2019-03-05 09:53:17
DSP是如何定義的？DSP芯片有哪些應(yīng)用領(lǐng)域？
2021-10-15 08:02:52
電路應(yīng)運(yùn)而生。LLC諧振變換器能夠在較寬的電源和負(fù)載波動(dòng)范圍內(nèi)調(diào)節(jié)輸出，而開(kāi)關(guān)頻率波動(dòng)卻較小。在整個(gè)工作范圍內(nèi)，能夠獲得零電壓開(kāi)關(guān)（ZVS）半橋LLC諧振變換器LLC電路MOSFET應(yīng)用不同于PFC
2019-09-17 09:05:04
功率放大器的需求將進(jìn)一步提高。RF 功率 MOSFET在無(wú)線電通訊領(lǐng)域也有應(yīng)用，其頻率已延伸至低微波段且輸出功率可達(dá)百W以上。它同時(shí)也應(yīng)用于電視(特別是數(shù)字電視)功率放大器、雷達(dá)系統(tǒng)和軍事通訊中。隨著
2019-07-08 08:28:02
有使用過(guò)SIC MOSFET 的大佬嗎 想請(qǐng)教一下驅(qū)動(dòng)電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
從本文開(kāi)始，將逐一進(jìn)行SiC-MOSFET與其他功率晶體管的比較。本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過(guò)SiC-MOSFET的人，與其詳細(xì)研究每個(gè)參數(shù)，不如先弄清楚驅(qū)動(dòng)方法等
2018-11-30 11:34:24
請(qǐng)教各位大神，ibeacon在近年來(lái)漸漸雄起，請(qǐng)問(wèn)你們覺(jué)得ibeacon的應(yīng)用領(lǐng)域有哪些？給一些使用的例子。。。
2016-08-16 09:05:09
本帖最后由 24不可說(shuō) 于 2018-10-10 08:23 編輯
MOSFET和IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)不同,決定了其應(yīng)用領(lǐng)域的不同. 1,由于MOSFET的結(jié)構(gòu),通常它可以做到電流很大,可以到上
2017-04-15 15:48:51
項(xiàng)目名稱：SiC MOSFET元器件性能研究試用計(jì)劃：申請(qǐng)理由本人在半導(dǎo)體失效分析領(lǐng)域有多年工作經(jīng)驗(yàn)，熟悉MOSET各種性能和應(yīng)用，掌握各種MOSFET的應(yīng)用和失效分析方法，熟悉MOSFET的主要
2020-04-24 18:09:12
電機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)中MOSFET驅(qū)動(dòng)器與MOSFET的匹配設(shè)計(jì)相關(guān)文章資料，大家可以看看，對(duì)大家很有幫助！
2021-03-29 16:18:09
Navitas的GeneSiC碳化硅(SiC) mosfet可為各種器件提供高效率的功率傳輸應(yīng)用領(lǐng)域，如電動(dòng)汽車快速充電、數(shù)據(jù)中心電源、可再生能源、能源等存儲(chǔ)系統(tǒng)、工業(yè)和電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施。具有更高的效率
2023-06-16 06:04:07
如圖所示，為什么光耦驅(qū)動(dòng)MOSFET經(jīng)常被燒壞？
2018-12-25 16:04:01
有人可以向我解釋以下MOSFET差分放大器電路的定性和定量分析，以解釋為什么Vs = -0.5 V且右手MOSFET“導(dǎo)通”？該電路的目標(biāo)是使M2（左側(cè)）MOSFET在Vg = ~0.25V時(shí)導(dǎo)通，而不是Vg = ~0.7V，其中S點(diǎn)接地。目前的來(lái)源是我能想到實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的唯一方法。
2018-09-14 11:42:58
要充分認(rèn)識(shí) SiC MOSFET 的功能，一種有用的方法就是將它們與同等的硅器件進(jìn)行比較。SiC 器件可以阻斷的電壓是硅器件的 10 倍，具有更高的電流密度，能夠以 10 倍的更快速度在導(dǎo)通和關(guān)斷
2017-12-18 13:58:36
運(yùn)動(dòng)。MOSFET的控制柵壓作用于橫跨絕緣層的溝道區(qū)，而不像結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管那樣橫跨PN結(jié)。柵極用二氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiN)來(lái)絕緣。MOSFET可以是P溝道也可以是N溝道，其工作可以是耗盡型或者增強(qiáng)型
2012-12-10 21:37:15
什么是MOSFET驅(qū)動(dòng)器？MOSFET驅(qū)動(dòng)器功耗包括哪些部分？如何計(jì)算MOSFET的功耗？
2021-04-12 06:53:00
在通孔板上建立電路數(shù)小時(shí)后，我發(fā)現(xiàn)使用P-MOSFET時(shí)Vgs并不容易。經(jīng)過(guò)搜索，我發(fā)現(xiàn)我需要使用N-MOSFET或BJT（NPN）將源極電壓帶到柵極，以便關(guān)斷MOSFET。對(duì)我來(lái)說(shuō)非常重要的是，當(dāng)
2018-08-23 10:30:01
各位大神，可否用IR2113 驅(qū)動(dòng)共源集MOSfet ,且mosfet關(guān)斷時(shí)，源集漏集電壓最高為700V。
2017-08-16 16:03:26
N溝道和P溝道MOSFET哪個(gè)常用?增強(qiáng)型和耗盡型的哪個(gè)常用?
2019-05-13 09:00:00
有沒(méi)有XDJM可以講講關(guān)于MOSFET損壞的知識(shí)，例如損壞類型（短路，斷路等），如何測(cè)定MOSFET是損壞的，有沒(méi)有什么樣的電路可以自定探測(cè)到MOSFET已損壞等等，多謝！！講n-MOSFET，增強(qiáng)型就行。
2009-07-02 04:08:59
有沒(méi)有XDJM可以講講關(guān)于MOSFET損壞的知識(shí)，例如損壞類型（短路，斷路等），如何測(cè)定MOSFET是損壞的，有沒(méi)有什么樣的電路可以自定探測(cè)到MOSFET已損壞等等，多謝！！講n-MOSFET，增強(qiáng)型就行。
2009-07-02 04:09:29
剛做了一個(gè)驅(qū)動(dòng)芯片驅(qū)動(dòng)的mosfet電路，但是mosfet輸出波形占空比只能在20%以下和80%以上，這段區(qū)間之內(nèi)卻顯示方波上面高電平一直存在。請(qǐng)問(wèn)這是什么原因引起的呢？圖1為mosfet大致的電路
2017-10-31 17:15:10
功率MOSFET的概念是什么 MOSFET的耗散功率如何計(jì)算 同步整流器的功耗如何計(jì)算
2021-03-11 07:32:50
[size=13.63636302948px]BUCK電路里面如果用MOSFET做開(kāi)關(guān)管，TL494做脈沖寬度調(diào)制 (Pwm) 控制電路，請(qǐng)問(wèn)怎么驅(qū)動(dòng)MOSFET，，，加在柵極上的電壓好像要很高。。 求大神解答！
2014-11-15 16:35:11
我正在嘗試使用 ESP-01 驅(qū)動(dòng) MOSFET 來(lái)控制 12V 電源。附上原理圖。這是我的簡(jiǎn)單代碼 -
代碼：全選#include
#define MOSFET 2
#define
2023-05-04 08:52:27
如何連接MOSFET和MOSFET的驅(qū)動(dòng)，還有MOSFET的驅(qū)動(dòng)如何選型
2016-04-24 18:05:56
功率MOSFET是便攜式設(shè)備中大功率開(kāi)關(guān)電源的主要組成部分。此外，對(duì)于散熱量極低的筆記本電腦來(lái)說(shuō)，這些MOSFET是最難確定的元件。本文給出了計(jì)算MOSFET功耗以及確定其工作溫度的步驟，并通過(guò)
2021-01-11 16:14:25
計(jì)算MOSFET非線性電容
2021-01-08 06:54:43
使用功率 MOSFET 也有兩年多時(shí)間了，這方面的技術(shù)文章看了不少，但實(shí)際應(yīng)用選型方面的文章不是很多。在此，根據(jù)學(xué)到的理論知識(shí)和實(shí)際經(jīng)驗(yàn)，和廣大同行一起分享、探討交流下功率 MOSFET 的選型
2019-11-17 08:00:00
請(qǐng)問(wèn)如何通過(guò)MOSFET上的導(dǎo)通時(shí)間tdon，上升沿時(shí)間tr，關(guān)斷時(shí)間toff，下降沿時(shí)間tf 來(lái)確定 MOSFET 的開(kāi)關(guān)頻率大概是多少？
2019-01-09 18:29:44
開(kāi)關(guān)管MOSFET的功耗分析MOSFET的損耗優(yōu)化方法及其利弊關(guān)系
2020-12-23 06:51:06
也是不允許的。下面是我對(duì)MOSFET及MOSFET驅(qū)動(dòng)電路基礎(chǔ)的一點(diǎn)總結(jié)，其中參考了一些資料，非全部原創(chuàng)。包括MOS管的介紹，特性，驅(qū)動(dòng)以及應(yīng)用電路。1、MOS管種類和結(jié)構(gòu)MOSFET管是FET的...
2021-07-29 09:46:38
開(kāi)關(guān)MOSFET中的噪聲（STGF20NB60S）以上來(lái)自于谷歌翻譯以下為原文 NOISE IN SWITCHING MOSFET(STGF20NB60S)
2019-05-06 14:28:23
怎么實(shí)現(xiàn)MOSFET的半橋驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)？
2021-10-11 07:18:56
怎樣解決MOSFET并聯(lián)工作時(shí)出現(xiàn)的問(wèn)題？ 來(lái)糾正傳統(tǒng)認(rèn)識(shí)的局限性和片面性。
2021-04-07 07:05:04
需要采購(gòu)MOSFET 測(cè)試設(shè)備， 滿足手工測(cè)試MOSFET的電參數(shù)（IDSS/IGSS/VTH/RDSON/VDSS/VGSS等等），ID電流最大100A，VDS電壓高至1500V， 求推薦生產(chǎn)廠家和設(shè)備型號(hào)。謝謝。
2021-05-06 09:57:38
核電池都有哪些應(yīng)用領(lǐng)域?
2021-03-11 06:16:10
MOSFET Spice 模型
2023-04-20 11:30:18
您好，我想知道 NXP UCODE 7 芯片內(nèi)部使用的 MOSFET 的 IV 特性，該 MOSFET 開(kāi)關(guān)用于數(shù)據(jù)輸出鏈中的反向散射。有人可以提供這些數(shù)據(jù)嗎？非常感謝~
2023-03-31 07:53:20
的門檻變得越來(lái)越低，價(jià)格也在逐步下降，應(yīng)用領(lǐng)域也在慢慢扭轉(zhuǎn)被海外品牌一統(tǒng)天下的局面。據(jù)統(tǒng)計(jì)，目前國(guó)內(nèi)多家龍頭企業(yè)已開(kāi)始嘗試與內(nèi)資品牌合作。而SiC-MOSFET, 當(dāng)前國(guó)內(nèi)品牌尚不具備競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。碳化硅
2019-09-17 09:05:05
當(dāng)電源與其負(fù)載突然斷開(kāi)時(shí)，電路寄生電感元件上的大電流擺動(dòng)會(huì)產(chǎn)生巨大的尖峰電壓，對(duì)電路上的電子元件造成十分不利的影響。與電池保護(hù)應(yīng)用類似，此處MOSFET可以將輸入電源與其他電路隔離開(kāi)來(lái)。但此時(shí)
2019-08-06 06:28:49
群體智能系統(tǒng)具有哪些應(yīng)用領(lǐng)域？
2021-12-20 07:46:16
SMPS的輸入電壓工作范圍有限。或者，可以采用基于耗盡模式MOSFET的方法，如圖4所示。耗盡型 MOSFET 提供 PWM IC 啟動(dòng)操作所需的初始電流。在啟動(dòng)階段之后，輔助繞組將為PWM IC產(chǎn)生
2023-02-21 15:46:31
如何去仿真MOSFET噪聲？MOSFET噪聲有哪幾種？
2021-06-22 07:26:47
運(yùn)放正負(fù)12伏供電，運(yùn)放輸出端連接mosfet的G極。mosfet的D連接500v直流高壓，mosfet的S極連接一個(gè)20歐姆電阻到地，20歐姆電阻連接運(yùn)放反饋端，我想把運(yùn)放個(gè)mosfet進(jìn)行隔離，求方案。求器件。整個(gè)原理其實(shí)就是運(yùn)放控制mosfet實(shí)現(xiàn)電流源。
2018-08-02 08:55:51
請(qǐng)問(wèn)如何在軟件中找到下圖的MOSFET管？這種MOSFET管型號(hào)是什么？
2021-07-02 20:09:43
小弟是電子初學(xué)者，經(jīng)常在設(shè)計(jì)電路時(shí)MOSFET管出現(xiàn)損壞，請(qǐng)問(wèn)造成MOSFET管損壞有哪些原因？
2019-02-19 10:15:25
從本篇開(kāi)始，介紹近年來(lái)MOSFET中的高耐壓MOSFET的代表超級(jí)結(jié)MOSFET。功率晶體管的特征與定位首先來(lái)看近年來(lái)的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的功率與頻率
2018-11-28 14:28:53
請(qǐng)問(wèn)：驅(qū)動(dòng)功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考慮哪些因素？
2019-07-31 10:13:38
當(dāng)今多種MOSFET 技術(shù)和硅片制程并存，而且技術(shù)進(jìn)步日新月異。要根據(jù)MOSFET 的電壓/ 電流或管芯尺寸，對(duì)如何將MOSFET 驅(qū)動(dòng)器與MOSFET 進(jìn)行匹配進(jìn)行一般說(shuō)明，實(shí)際上顯得頗為
2009-07-04 13:49:05
95 MOSFET與MOSFET驅(qū)動(dòng)電路原理及應(yīng)用
下面是我對(duì)MOSFET及MOSFET驅(qū)動(dòng)電路基礎(chǔ)的一點(diǎn)總結(jié)，其中參考了一些資料，非全部原創(chuàng)。包括MOS管的
2009-12-29 10:41:099784 P溝MOSFET,P溝MOSFET是什么意思
MOSFET是Metal-Oxide-Silicon Field Effect Transistor的英文縮寫(xiě)，平面型器件結(jié)構(gòu)，按照導(dǎo)電溝道的不同可以分為NMOS和PMOS器件。MOS
2010-03-05 14:50:554867 《mosfet的應(yīng)用_mosfet品牌-精華匯總》技術(shù)專題包括mosfet品牌、mosfet的應(yīng)用、mosfet基礎(chǔ)知識(shí)（含mosfet工作原理和mosfet參數(shù)）、mosfet驅(qū)動(dòng)（含驅(qū)動(dòng)電路
2012-08-10 14:30:46
MOSFET和IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)不同，
決定了其應(yīng)用領(lǐng)域的不同。
1. 由于MOSFET的結(jié)構(gòu)，通常它可以做到電流很大，可以到上KA，但是前提耐壓能力沒(méi)有IGBT強(qiáng)。
2018-06-05 10:00:00193 本文主要介紹了mosfet命名方法及MOSFET電路符號(hào)。
2020-08-12 10:28:4510911 MOSFET大致可以分為以下幾類：平面型MOSFET；Trench （溝槽型）MOSFET，主要用于低壓領(lǐng)域；SGT（Shielded Gate Transistor，屏蔽柵溝槽）MOSFET，主要用于中壓和低壓領(lǐng)域；SJ-（超結(jié)）MOSFET，主要在高壓領(lǐng)域應(yīng)用。
2021-01-22 08:41:429130 MOSFET是具有源極（Source），柵極（Gate），漏極（Drain）和主體（Body）端子的四端子設(shè)備。通常，MOSFET的主體與源極端子連接，從而形成諸如場(chǎng)效應(yīng)晶體管的三端子器件。MOSFET通常被認(rèn)為是晶體管，并且在模擬和數(shù)字電路中都使用。
2021-04-27 10:03:4240179 
シリコン NチャネルMOSFET シリーズ 電力スイッチング
2023-03-21 19:38:560 パパーMOSFETの安全動(dòng)作領(lǐng)域ニツいテ
2023-04-27 20:03:580 MOSFET的種類有哪些 1. Enhancement MOSFET（增強(qiáng)型MOSFET） 2. Depletion MOSFET（耗盡型MOSFET） 3. MOSFET
2023-06-02 14:15:36940 的性能，限制了其在一些特定應(yīng)用領(lǐng)域的應(yīng)用。因此，研究如何降低MOSFET的1/f噪聲是非常重要的。 1. 優(yōu)化器件結(jié)構(gòu) MOSFET的1/f噪聲來(lái)源于復(fù)雜的表面效應(yīng)。為了減小這種噪聲，可以從優(yōu)化器件結(jié)構(gòu)的角度入手。一種方法是增加器件面積。隨著面積的增加，器件中的1/f噪聲相對(duì)于總噪聲
2023-09-17 17:17:361208 MOSFET和IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)不同，決定了其應(yīng)用領(lǐng)域的不同。
2023-11-03 14:53:42500 
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論