晶體管之間的差異性：就三極管，mos管和可控硅之間的差別和相同點的相關概念有點模糊，請各位大俠指點！！！
2016-06-07 23:27:44
晶體管分類 按半導體材料和極性分類 按晶體管使用的半導體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管。 按結構
2010-08-12 13:59:33
1．反向擊穿電流的檢測 普通晶體管的反向擊穿電流（也稱反向漏電流或穿透電流），可通過測量晶體管發射極E與集電極C之間的電阻值來估測。測量時，將萬用表置于R×1k檔， NPN型管的集電極C接黑表筆
2012-04-26 17:06:32
晶體管測量模塊的基本特性有哪些？晶體管測量模塊的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
`非常不錯的晶體管電路設計書籍！`
2016-11-08 14:12:33
晶體管的主要參數有哪些？晶體管的開關電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
本文為大家介紹“Si晶體管”（之所以前面加個Si,是因為還有其他的晶體管，例如SiC）。 雖然統稱為“Si晶體管”，但根據制造工藝和結構，還可分為“雙極”、“MOSFET”等種類。另外，還可根據處理
2020-06-09 07:34:33
本篇開始將為大家介紹“Si晶體管”。雖然統稱為“Si晶體管”，不過根據制造工藝和結構，還可分為“雙極”、“MOSFET”等種類。另外，還可根據處理的電流、電壓和應用進行分類。下面以“功率元器件”為主
2018-11-28 14:29:28
晶體管概述的1. 1948年、在貝爾電話研究所誕生。1948年，晶體管的發明給當時的電子工業界來帶來了前所未有的沖擊。而且，正是這個時候成為了今日電子時代的開端。之后以計算機為首，電子技術取得急速
2019-05-05 00:52:40
1．晶體管的結構晶體管內部由兩PN結構成，其三個電極分別為集電極（用字母C或c表示），基極（用字母B或b表示）和發射極（用字母E或e表示）。如圖5-4所示，晶體管的兩個PN結分別稱為集電結（C、B極
2013-08-17 14:24:32
集中制造在一塊很小的硅片上，封裝成一個獨立的元件.晶體管是半導體三極管中應用最廣泛的器件之一，在電路中用“V”或“VT”（舊文字符號為“Q”、“GB”等）表示。 晶體管被認為是現代歷史中最偉大的發明
2010-08-12 13:57:39
，以及基于硅的 “偏轉晶體管 “屏幕產品的消亡。
因此，氮化鎵是我們在電視、手機、平板電腦、筆記本電腦和顯示器中，使用的高分辨率彩色屏幕背后的核心技術。在光子學方面，氮化鎵還被用于藍光激光技術（最明顯
2023-06-15 15:50:54
和功率密度，這超出了硅MOSFET技術的能力。開發工程師需要能夠滿足這些要求的新型開關設備。因此，開始了氮化鎵晶體管（GaN）的概念。 HD-GIT的概述和優勢 松下混合漏極柵極注入晶體管（HD-GIT
2023-02-27 15:53:50
的熱量，需要更大的散熱器。不幸的是，這增加了系統成本、重量和解決方案總尺寸，這在空間受限的應用中是不期望的或不可接受的。氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）具有優于硅MOSFET的多種優勢
2017-08-21 14:36:14
器件的速度提高，這種外部電感會導致接地反彈增加［4］。 增強型氮化鎵晶體管采用晶圓級芯片級封裝 （WLCSP），端子采用焊盤柵格陣列 （LGA） 或球柵陣列 （BGA） 格式。其中一些器件不提供單獨
2023-02-24 15:15:04
被譽為第三代半導體材料的氮化鎵GaN。早期的氮化鎵材料被運用到通信、軍工領域，隨著技術的進步以及人們的需求，氮化鎵產品已經走進了我們生活中，尤其在充電器中的應用逐步布局開來，以下是采用了氮化鎵的快
2020-03-18 22:34:23
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導體特性，早期應用于發光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點高穩定性強。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導體材料，具有寬帶隙、高熱導率等特點，應用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
本文討論了商用氮化鎵功率晶體管與Si SJMOS和SiC MOS晶體管相比在軟開關LLC諧振轉換器方面的優勢。介紹隨著更高功率、更小尺寸和更高效率的明顯趨勢，高頻 LLC 諧振轉換器是業內隔離式
2023-02-27 09:37:29
氮化鎵功率半導體技術解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
更小：GaNFast? 功率芯片，可實現比傳統硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節約方面，它最高能節約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設計使其非常
2023-06-15 15:32:41
晶體管如今已與碳化硅基氮化鎵具有同樣的電源效率和熱特性。MACOM 的第四代硅基氮化鎵 (Gen4 GaN) 代表了這種趨勢，針對 2.45GHz 至 2.7GHz 的連續波運行可提供超過 70
2017-08-15 17:47:34
本文展示氮化鎵場效應晶體管并配合LM5113半橋驅動器可容易地實現的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
2000 年代初就已開始，但 GaN 晶體管仍處于起步階段。 毫無疑問，它們將在未來十年內取代功率應用中的硅晶體管，但距離用于數據處理應用還很遠。
Keep Tops氮化鎵有什么好處？
氮化鎵的出現
2023-08-21 17:06:18
` 本帖最后由 射頻技術 于 2021-4-8 09:16 編輯
Wolfspeed的CG2H80015D是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。GaN具有比硅或砷化鎵更高的性能，包括
2021-04-07 14:31:00
Cree的CGH40010是無與倫比的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。 CGH40010，正在運行從28伏電壓軌供電，提供通用寬帶解決方案應用于各種射頻和微波應用。 GaN HEMT
2020-12-15 15:06:50
`Cree的CGH40010是無與倫比的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。 CGH40010，正在運行從28伏電壓軌供電，提供通用寬帶解決方案應用于各種射頻和微波應用。 GaN
2020-12-03 11:51:58
Wolfspeed的CGHV40030是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），專為高效率，高增益和寬帶寬功能而設計。 該器件可部署在L，S和C頻段放大器應用中。 數據手冊中的規格
2020-02-25 09:37:45
Wolfspeed的CGHV40030是無與倫比的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），專為高效率，高增益和寬帶寬功能而設計。 該器件可部署在L，S和C頻段放大器應用中。 數據手冊中的規格
2020-02-24 10:48:00
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產品相比，這些GaN內部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵
2024-01-19 09:27:13
是碳化硅（SiC）襯底上的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。這種GaN內匹配（IM）場效應晶體管與其他技術相比，提供了優異的功率附加效率。GaN與硅或砷化鎵相比具有更高的性能，包括更高
2018-08-13 10:58:03
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 該GaN內部匹配（IM）FET與其他技術相比，具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
鎵晶體管CHKA012a99F氮化鎵晶體管CHK015AaQIA氮化鎵晶體管CHK8101a99F氮化鎵晶體管CHK9013-99F氮化鎵晶體管CHK8013-99F氮化鎵晶體管CHK9014-99F
2021-04-02 16:25:08
Cree的CMPA801B025是氮化鎵（GaN）高電子遷移率基于晶體管（HEMT）的單片微波集成電路（MMIC）。 氮化鎵與硅或砷化鎵相比具有更好的性能，包括更高的擊穿電壓，更高的飽和電子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
°C常規芯片FHC30LG砷化鎵晶體管FHC40LG砷化鎵晶體管FHX04LG砷化鎵晶體管FHX04X砷化鎵晶體管FHX06X砷化鎵晶體管FHX13LG砷化鎵晶體管FHX13X砷化鎵晶體管
2021-03-30 11:21:24
所需的功率模塊和各種控制單元模塊。與功率MOS場效應晶體管相比，驅動氮化鎵功率晶體管存在諸多困難，這些困難包括閾值電壓低、最大柵極電壓和額定柵極電壓之間的公差狹小、高轉換速率帶來的電流變化率和電壓變化率
2018-11-05 09:51:35
，可幫助系統設計人員簡化和加快產品開發，使其能夠輕松微調射頻能量輸出水平，從而最大限度地提高效率和增強性能。MACOM的射頻能量工具包將其硅基氮化鎵功率晶體管的優勢與直觀、靈活的軟件和信號控制能力相結合
2017-08-03 10:11:14
用于無線基礎設施的半導體技術正在經歷一場重大的變革，特別是功率放大器(PA)市場。橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管在功率放大器領域幾十年來的主導地位正在被氮化鎵(GaN)撼動，這將對無線
2017-08-30 10:51:37
`作為一家具有60多年歷史的公司，MACOM在射頻微波領域經驗豐富，該公司的首款產品就是用于微波雷達的磁控管，后來從真空管、晶體管發展到特殊工藝的射頻及功率器件（例如砷化鎵GaAs）。進入2000年
2017-09-04 15:02:41
測試背景地點：國外某知名品牌半導體企業，深圳氮化鎵實驗室測試對象：氮化鎵半橋快充測試原因：因高壓差分探頭測試半橋上管Vgs時會炸管，需要對半橋上管控制信號的具體參數進行摸底測試測試探頭：麥科信OIP
2023-01-12 09:54:23
求大神相助，Multisim里面雪崩晶體管的過壓擊穿怎么放著那，當我設的電壓已經大于了Vcbo滯后還是不見晶體管導通。
2014-08-08 10:42:58
化鎵或砷化鋁鎵技術的這類二極管。產品型號：NPT2020產品名稱：射頻晶體管NPT2020產品特性GaN上硅HEMT耗盡型晶體管適合線性和飽和應用從直流3.5 GHz調諧48 V操作3.5 GHz
2018-09-26 09:04:23
一、引言PNP 晶體管是雙極結型晶體管（BJT）。PNP晶體管具有與NPN晶體管完全不同的結構。在PNP晶體管結構中，兩個PN結二極管相對于NPN晶體管反轉，使得兩個P型摻雜半導體材料被一層薄薄的N
2023-02-03 09:44:48
QPD1004氮化鎵晶體管產品介紹QPD1004報價QPD1004代理QPD1004咨詢熱線QPD1004現貨,王先生 深圳市首質誠科技有限公司QPD1004是25W（p3db），50歐姆輸入匹配
2018-07-30 15:25:55
QPD1018氮化鎵晶體管產品介紹QPD1018報價QPD1018代理QPD1018咨詢熱線QPD1018現貨,王先生 深圳市首質誠科技有限公司QPD1018內部匹配離散GaN-on-SiC
2018-07-27 09:06:34
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2019-07-17 13:58:50
）1.1脈沖條件脈沖寬度：120μsec，占空比10％筆記Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:14:59
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2021-03-30 11:24:16
）= + 25°CSGN19H181M1H砷化鎵晶體管SGN19H240M1H砷化鎵晶體管SGN21H180M1H砷化鎵晶體管SGN21H121M1H砷化鎵晶體管SGN21H181M1H砷化鎵晶體管
2021-03-30 11:32:19
TGF2023-2-20碳化硅晶體管產品介紹TGF2023-2-20報價TGF2023-2-20代理TGF2023-2-20咨詢熱線TGF2023-2-20現貨,王先生*** 深圳市首質誠
2018-06-22 11:09:47
功率增益13 dB的增益和55%的功率附加效率在1 dB壓縮。這種性能使tgf2040適合高效率的應用。帶有氮化硅的保護層提供了環境魯棒性和劃痕保護級別。產品型號：TGF2040產品名稱：砷化鎵晶體管
2018-07-18 12:00:19
TGF2160砷化鎵晶體管產品介紹TGF2160報價TGF2160代理TGF2160咨詢熱線TGF2160現貨,王先生 深圳市首質誠科技有限公司. TGF2160離散的1600微米pHEMT由DC至
2018-07-19 10:35:47
TGF2977-SM氮化鎵晶體管產品介紹TGF2977-SM報價TGF2977-SM代理TGF2977-SM咨詢熱線TGF2977-SM現貨,王先生 深圳市首質誠科技有限公司TGF2977-SM是5
2018-07-25 10:06:15
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個晶體管來代替，MFR151管子能用哪個來代替？或是誰有這兩個高頻管子的原件庫？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
氮化鎵(GaN)的重要性日益凸顯，增加。因為它與傳統的硅技術相比，不僅性能優異，應用范圍廣泛，而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發和應用中，傳統硅器件在能量轉換方面，已經達到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
度為1.1 eV，而氮化鎵的禁帶寬度為3.4 eV。由于寬禁帶材料具備高電場強度，耗盡區窄短，從而可以開發出載流子濃度非常高的器件結構。例如，一個典型的650V橫向氮化鎵晶體管，可以支持超過800V
2023-06-15 15:53:16
次，與之相反，因此它具有更低的功耗（工作效率）。那么，為何碳化硅比氮化鎵更早用于耐高壓應用？原因是，在 MOS場效應管的制造中，碳化硅更容易形成SiO2 (SiO2)，「氮化鎵晶片面臨三大難題」（森
2023-02-23 15:46:22
互補晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
的電荷量變化小于一個電子，則不會有電流通過量子點。因此，電流-電壓關系不是正常的線性關系，而是階梯形關系。該實驗是歷史上第一次手動控制電子的運動，為制造單個電子晶體管提供了實驗基礎。》 絕緣柵雙極晶體管
2023-02-03 09:36:05
氮化鎵(GaN)功率芯片，將多種電力電子器件整合到一個氮化鎵芯片上，能有效提高產品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化鎵功率芯片，能令先進的電源轉換拓撲結構，從學術概念和理論達到
2023-06-15 14:17:56
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現氮化鎵器件、驅動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設計，帶集成柵極驅動和穩健的器件保護。從那時起，我們就致力于利用這項尖端技術將功率級
2020-10-27 09:28:22
氮化鎵南征北戰縱橫半導體市場多年，無論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強和良好的化學穩定性等優越性質，確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
鎵具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優勢，氮化鎵充電器的充電器件運行速度，比傳統硅器件要快 100倍。
更重要的是，氮化鎵相比傳統的硅，可以在更小的器件空間內處理更大的電場，同時提供更快的開關速度。此外，氮化鎵比硅基半導體器件，可以在更高的溫度下工作。
2023-06-15 15:41:16
SiC、藍寶石、AlN和原生塊體氮化鎵。不過，所有這些材料價格昂貴，而最常用的透明電路基板——玻璃，則非常便宜。 我們的解決方案是一個兩步式制程，可在玻璃基板上形成氮化鎵晶體管。第一步是在將氮化鎵層
2020-11-27 16:30:52
達林頓晶體管是一對雙極晶體管，連接在一起，從低基極電流提供非常高的電流增益。輸入晶體管的發射極始終連接到輸出晶體管的基極;他們的收藏家被綁在一起。結果，輸入晶體管放大的電流被輸出晶體管進一步放大
2023-02-16 18:19:11
產的Guidance Enhanced Missile-TBM（GEM-T）攔截器中使用氮化鎵（GaN）計算機芯片，以取代目前在導彈發射器中使用的行波管（TWT）。雷神希望通過使用GaN芯片升級
2019-07-08 04:20:32
應用領域，SiC和GaN形成競爭。隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續應用在二極管、場效晶體管(MOSFET)等組件上，電力電子產業的技術大革命已揭開序幕。這些新組件雖然在成本上仍比傳統硅
2021-09-23 15:02:11
明佳達電子優勢供應氮化鎵功率芯片NV6127+晶體管AON6268絲印6268，只做原裝，價格優勢，實單歡迎洽談。產品信息型號1：NV6127絲印：NV6127屬性：氮化鎵功率芯片封裝：QFN芯片
2021-01-13 17:46:43
請教：單結晶體管在什么位置，有人說是UJT，但好象用不了呀？
2013-09-26 16:55:49
各位高手，小弟正在學習單結晶體管，按照網上的電路圖做的關于單結晶體管的仿真，大多數都不成功，請問誰有成功的單結晶體管的仿真仿真啊，可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
晶體管開關對電子產品至關重要。了解晶體管開關，從其工作區域到更高級的特性和配置。 晶體管開關對于低直流開/關開關的電子設備至關重要，其中晶體管在其截止或飽和狀態下工作。一些電子設備（如 LED
2023-02-20 16:35:09
我經常感到奇怪，我們的行業為什么不在加快氮化鎵 (GaN) 晶體管的部署和采用方面加大合作力度；畢竟，大潮之下，沒人能獨善其身。每年，我們都看到市場預測的前景不太令人滿意。但通過共同努力，我們就能
2022-11-16 06:43:23
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
導讀：將GaN FET與它們的驅動器集成在一起可以改進開關性能，并且能夠簡化基于GaN的功率級設計。氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實現更低的開關損耗。然而，當
2022-11-16 06:23:29
如何設計GaN氮化鎵 PD充電器產品？
2021-06-15 06:30:55
來至網友的提問：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
MOS管對向串聯來實現電池關斷的，因為硅MOS管內部存在體二極管，只能控制充電方向或者放電方向的關閉，無法徹底關斷電路，所以需要使用兩顆對向串聯來使用。氮化鎵鋰電保護板應用可以說是有鋰電池的地方就離不開
2023-02-21 16:13:41
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻，它們在型號上的大致區別是什么？例如《晶體管電路設計》中列舉的：高頻（2SA****，2SC*****）、低頻（2SB****，2SD****）。現在產品設計中最常用的型號是哪些？
2017-10-11 23:53:40
bandgap中晶體管的熱噪聲比較大，通過什么手段能解決？
2021-06-24 07:29:25
。LMG3410和LMG3411系列產品的額定電壓為600 V，提供從低功率適配器到超過2 kW設計的各類解決方案。通過導通電阻選擇器件內部氮化鎵場效應晶體管（FET）的額定值為RDS(on) - 漏極-源極或導通電阻…
2022-11-10 06:36:09
選定方法①使TR達到飽和的IC/IB的比率是IC/IB=20/1②輸入電阻：R1是±30% E-B間的電阻：R2/R1=±20%③VBE是0.55~0.75V數字晶體管具有下面的關系式。■數字晶體管
2019-04-22 05:39:52
選定方法數字晶體管的型號說明IO和IC的區別GI和hFE的區別VI(on)和VI(off)的區別關于數字晶體管的溫度特性關于輸出電壓 - 輸出電流特性的低電流領域（數字晶體管的情況）關于數字晶體管
2019-04-09 21:49:36
功率/高頻射頻晶體管和發光二極管。2010年，第一款增強型氮化鎵晶體管普遍可用，旨在取代硅功率MOSFET。之后隨即推出氮化鎵功率集成電路- 將GaN FET、氮化鎵基驅動電路和電路保護集成為單個器件
2023-06-25 14:17:47
晶體管的代表形狀晶體管分類圖：按照該分類，掌握其種類1. 按結構分類根據工作原理不同分類，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經構成
2019-05-05 01:31:57
請問半橋上管氮化鎵這樣的開爾文連接正確嗎？
2024-01-11 07:23:47
針對可靠的高功率和高頻率電子設備，制造商正在研究氮化鎵(GaN)來制造具有高開關頻率的場效應晶體管(FET)由于硅正在接近其理論極限，制造商現在正在研究使用寬帶隙(WBG)材料來制造高效率的大功率
2022-06-15 11:43:25
受益于集成器件保護，直接驅動GaN器件可實現更高的開關電源效率和更佳的系統級可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開關特性可實現提高開關模式電源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
氮化鎵GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
來至網友的提問：如何選擇分立晶體管？
2018-12-12 09:07:55
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學術研究，始于 2009 年左右的香港科技大學，但強大的高壓氮化鎵功率芯片平臺的量產，則是由成立于 2014 年的納微半導體最早進行研發的。納微半導體的三位聯合創始人
2023-06-15 15:28:08
的晶體管”。 伊斯曼和米什拉是對的。氮化鎵的寬帶隙（使束縛電子自由斷裂并有助于傳導的能量）和其他性質讓我們能夠利用這種材料承受高電場的能力，制造性能空前的器件。 如今，氮化鎵是固態射頻功率應用領域
2023-02-27 15:46:36
這個達林頓晶體管廠家是哪家
2022-05-30 16:36:56
作為第三代半導體的天之驕子，氮化鎵晶體管日益引起工業界的重視，且被更大規模應用
2023-02-07 17:13:06
357 法國和瑞士科學家首次使用氮化鎵在（100）-硅（晶體取向為100）基座上，成功制造出了性能優異的高電子遷徙率晶體管（HEMTs）。
2023-02-08 17:39:07616
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