、柔性輸電等新能源領域中應用的不斷擴展，現(xiàn)代社會對電力電子變換器的效率和功率密度提出了更高的要求，需要器件在較高溫度環(huán)境時仍具有更優(yōu)越的開關性能以及更小的結(jié)溫和結(jié)溫波動。SiC肖特基勢壘二極管(SBD
2019-10-24 14:25:15
。 SiC肖特基勢壘二極管（SBD）在大功率應用方面的最大優(yōu)勢在于近乎理想的動態(tài)特性。在反向恢復瞬態(tài)，當二極管從正向?qū)Ｊ睫D(zhuǎn)變?yōu)榉聪蜃钄嗄Ｊ綍r，有很低的反向恢復時間，而且在整個工作溫度范圍內(nèi)保持
2020-09-24 16:22:14
SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11
理解其波形和溫度特性，這樣有助于有效使用二極管。SiC-SBD和Si-PND的反向恢復特性的不同首先，反向恢復或恢復是指二極管在呈反向偏置狀態(tài)時，無法立即完全關斷，有時會出現(xiàn)反向電流的現(xiàn)象。trr是其
2018-11-29 14:34:32
兩者間權(quán)衡時，要想選出最適當?shù)?b class="flag-6" style="color: red">二極管，需要理解兩者的特性。另外，毋庸置言，在探討事項中“損耗降低”是最重要的課題。前篇的trr對應開關損耗，本篇的VF對應傳導損耗。關于Si-FRD和SiC-SBD
2018-11-30 11:52:08
，已實施了評估的ROHM的SiC-SBD，在與我們熟知的Si晶體管和IC可靠性試驗相同的試驗中，確保了充分的可靠性。另外，關于SiC-SBD，可能有人聽說過有與dV/dt或dI/dt相關的破壞模式
2018-11-30 11:50:49
，在功率二極管中可以說是損耗最小的二極管。促進電源系統(tǒng)應用的效率提高與小型化前面已經(jīng)介紹了SiC-SBD的特征，下面將介紹一些其典型應用。主要是在電源系統(tǒng)應用中，將成為代替以往的Si二極管，解決當今
2019-03-27 06:20:11
為了使大家了解SiC-SBD，前面以Si二極管為比較對象，對特性進行了說明。其中，也談到SiC-SBD本身也發(fā)展到第2代，性能得到了提升。由于也有宣布推出第3代產(chǎn)品的，所以在此匯總一下SiC-SBD
2018-11-30 11:51:17
10倍的絕緣擊穿場強,所以不僅能保持實際應用特性且可耐高壓。ROHM的650V和1200V的SiC-SBD已經(jīng)實現(xiàn)量產(chǎn)，1700V產(chǎn)品正在開發(fā)中。SiC-SBD和Si-PN結(jié)二極管通過Si二極管來應對
2018-11-29 14:35:50
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-03-14 06:20:14
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-04-22 06:20:22
的傳遞函數(shù)導出示例 其1升降壓轉(zhuǎn)換器的傳遞函數(shù)導出示例 其2開關的導通電阻對傳遞函數(shù)的影響總結(jié)總結(jié)關鍵詞開關損耗 傳遞函數(shù) 電源設計 SiC-SBD 快速恢復二極管 SJ-MOSFET IGBT 狀態(tài)空間
2018-11-27 16:40:24
ROHM推出了SiC肖特基勢壘二極管（以下SiC SBD）的第三代產(chǎn)品“SCS3系列”。SCS3系列是進一步改善了第二代SiC SBD實現(xiàn)的當時業(yè)界最小正向電壓，并大幅提高了抗浪涌電流性能的產(chǎn)品
2018-12-03 15:12:02
在開關電源常用拓撲中，除了功率MOS器件，還有不可或缺的二極管器件，但是不一樣的電路拓撲中，二極管的選擇需要承擔不一樣的作用，對二極管的性能就有一定的要求，所以本文就列舉目前常用拓撲結(jié)構(gòu)中二極管
2021-09-20 07:00:00
在開關電源常用拓撲中，除了功率MOS器件，還有不可或缺的二極管器件，但是不一樣的電路拓撲中，二極管的選擇需要承擔不一樣的作用，對二極管的性能就有一定的要求，所以本文就列舉目前常用拓撲結(jié)構(gòu)中二極管
2022-04-12 15:53:31
與Si的比較開發(fā)背景SiC的優(yōu)點SiC-SBD（肖特基勢壘二極管）與Si二極管比較采用示例SiC-MOSFET與各種功率MOSFET比較運用事例全SiC模塊模塊的構(gòu)成開關損耗運用要點SiC是在熱、化學
2018-11-29 14:39:47
SiC-SBD，藍色是第二代，可確認VF的降低。SiC-SBD因高速trr而使開關損耗降低，加之VF的改善，在功率二極管中可以說是損耗最小的二極管。促進電源系統(tǒng)應用的效率提高與小型化前面已經(jīng)介紹了
2018-12-04 10:26:52
? 一、ESD靜電二極管，主要功能是防靜電，然而防靜電要求電容值低，一般在1--3.5PF之間最好；而TVS二極管的電容值卻比較高。二、ESD保護二極管，主要應用于板級保護；TVS二極管用于初級
2022-05-18 11:23:17
二極管中觀察到的電容恢復特性為獨立于溫度，正向電流水平以及關斷dI/dt。在Si技術(shù)中，不切實際外延規(guī)范將肖特基二極管降級為< 600 V的應用。GeneSiC的1200 V SiC肖特基二極管是專門設計的，以盡量減少電容電荷，從而實現(xiàn)更快的開關瞬變。
2023-06-16 11:42:39
湊的系統(tǒng)），內(nèi)部體二極管能夠像mosfet一樣處理電流嗎？可以說25A電流，還是應該使用外部體二極管？如果我使用外部體二極管;我可以使用快速恢復二極管嗎？那將是什么缺點。外部SiC SBD是昂貴
2019-05-29 06:12:00
做得更薄，在相同的電場強度下可以減低導通損耗。這一技術(shù)不僅僅用于肖特基二極管，也用于IGBT和功率PN二極管。`
2019-01-02 13:57:40
Si整流器與SiC二極管：誰會更勝一籌
2021-06-08 06:14:04
。C：電容值，對于同功率等級的TVS管而言，電壓越低電容值就越大。在通信線路的防護中，尤其要注意TVS管的電容值。二極管封裝形式：從TVS管的封裝形式，可以看出其功率大小。TVS管的芯片面積直接決定其功率等級。TVS二極管規(guī)格書下載：
2021-11-12 17:35:11
穩(wěn)壓管是穩(wěn)壓作用的，超過它的穩(wěn)壓值，只要功率不超過它的耐受值，就會穩(wěn)定在它的穩(wěn)壓值范圍內(nèi)。TVS是瞬態(tài)抑制二極管，主要是用來抑制瞬時電壓尖峰，減少尖峰電壓對元器件的損耗。穩(wěn)壓二極管主要...
2021-11-15 07:36:54
過電壓保護器件的一種。瞬態(tài)二極管是在穩(wěn)壓二極管的基礎上發(fā)明的，是一種新型高效的電路保護器件，專門用于抑制暫態(tài)過電壓，具有優(yōu)越的過電壓防浪涌保護作用。電路正常工作時，瞬態(tài)二極管呈高阻態(tài)，不會影響電路的正產(chǎn)
2022-05-25 14:16:57
所無法比擬的。中、小功率肖特基整流二極管大多采用封裝形式
2010-08-17 09:31:20
，有助于滿足現(xiàn)代電子技術(shù)對高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等惡劣條件的新要求。
二、 SiC的性能優(yōu)勢
1、SiC SBD可將耐壓提高到3.3kV，極大擴展了SBD的應用范圍
肖特基二極管
2023-10-07 10:12:26
續(xù)流二極管作用及工作原理是什么？續(xù)流二極管為什么要反向接個二極管呢？續(xù)流二極管在正激開關電源的作用是什么？在變流技術(shù)中，續(xù)流二極管在電路里起什么作用？
2021-07-06 06:53:37
擴展了其650伏(V) SiC二極管系列，提供更高的能效、更高的功率密度和更低的系統(tǒng)成本。工程師在設計用于太陽能光伏逆變器、電動車/混和動力電動車（EV / HEV）充電器、電信電源和數(shù)據(jù)中心電源等
2018-10-29 08:51:19
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開關性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復電流，且具有不受溫度影響的開關特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導體。
2020-07-30 07:14:58
發(fā)光二極管與激光二極管在發(fā)光原理上有何差別？發(fā)光二極管與激光二極管在工作原理上有何差別？發(fā)光二極管與激光二極管在架構(gòu)上有何差別？發(fā)光二極管與激光二極管在效能上有何差別？
2021-07-28 07:02:48
關于SiC-SBD，前面介紹了其特性、與Si二極管的比較、及當前可供應的產(chǎn)品。本篇將匯總之前的內(nèi)容，并探討SiC-SBD的優(yōu)勢。SiC-SBD、Si?SBD、Si-PND的特征SiC-SBD為形成
2018-11-29 14:33:47
從本文開始進入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
3賽季）與文圖瑞車隊簽署官方技術(shù)合作協(xié)議，并在上個賽季為其提供了SiC肖特基勢壘二極管（SiC-SBD）。通過將FRD更換為SiC-SBD，第2賽季由IGBT和快速恢復二極管（FRD）組成的逆變器成功
2018-12-04 10:24:29
內(nèi)置SiC肖特基勢壘二極管的IGBT：RGWxx65C系列內(nèi)置SiC SBD的Hybrid IGBT在FRD＋IGBT的車載充電器案例中開關損耗降低67%關鍵詞* ? SiC肖特基勢壘二極管（SiC
2022-07-27 10:27:04
`快恢復二極管從名稱上很好理解，肖特基二極管是以人名命名，由于制造I藝完全不同，是肖特基博士的一個創(chuàng)新。肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士(Schottky) 命名的，SBD是肖特基二極管
2018-11-01 15:26:11
各位有壓降最小的二極管推薦嗎？
2015-08-14 16:01:03
變?nèi)?b class="flag-6" style="color: red">二極管，以及固體功率源中倍頻、移相的功率階躍變?nèi)?b class="flag-6" style="color: red">二極管，用于電視機高頻頭的頻道轉(zhuǎn)換和調(diào)諧電路，多以硅材料制作。4.快速二極管快速二極管的工作原理與普通二極管是相同的，但由于普通二極管工作在開關狀態(tài)下
2018-10-18 15:45:32
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開關性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復電流，且具有不受溫度影響的開關特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導體。
2019-07-25 07:51:59
耗散，因此降低了熱和電傳導損耗。它的高結(jié)溫能力提高了高環(huán)境溫度下或無法獲得充分冷卻的應用中的可靠性。肖特基二極管的應用:MBR系列肖特基勢壘整流器的典型應用包括不間斷電源、高頻開關式電源和直流-直流
2020-08-28 17:12:29
和下方之間的工作邊界。值得注意的是，邊界曲線直接映射到功率損耗等值線中的拐點。這表明，無論使用何種二極管類型，高于諧振的操作都會增加轉(zhuǎn)換器的功率損耗。 從功率損耗圖中可以看出，GaAs和SiC的性能
2023-02-21 16:27:41
電路損耗，提高電路工作頻率。在PFC電路中用SiC SBD（肖特基勢壘二極管）代替原來的硅FRD（快速恢復二極管）可以使電路在300kHz以上工作，效率基本保持不變，而使用100kHz以上硅FRD的電路效率急劇下降。隨著工作頻率的增加，電感器等無源元件的體積相應減小，整個電路板的體積減小30%以上。
2023-02-07 15:59:32
省去輸入二極管橋。圖1：傳統(tǒng)的PFC仿真數(shù)據(jù)（圖2）表面，在PFC塊中，輸入二極管橋的功率損耗比其他所有元器件損耗都要大。圖2： PFC中的功率損耗分布為了提高OBC系統(tǒng)的能效，人們研究了不同的PFC
2022-04-19 08:00:00
SiC-MOSFET和SiC-SBD（肖特基勢壘二極管）組成的類型，也有僅以SiC-MOSFET組成的類型。與Si-IGBT功率模塊相比，開關損耗大大降低處理大電流的功率模塊中，Si的IGBT與FRD
2018-12-04 10:14:32
振蕩電路，Q1-Q4相互導通，在導通-關斷過程中，會產(chǎn)生能量，這個二極管經(jīng)常被稱為寄生二極管或者續(xù)流二極管，IGBT作為開關用時候一般電壓達到上千伏，因此肖特基二極管不適合。3、快恢復二極管在BOOST
2023-02-16 14:56:38
振蕩電路，Q1-Q4相互導通，在導通-關斷過程中，會產(chǎn)生能量，這個二極管經(jīng)常被稱為寄生二極管或者續(xù)流二極管，IGBT作為開關用時候一般電壓達到上千伏，因此肖特基二極管不適合。3、快恢復二極管在BOOST
2023-02-20 15:22:29
的穩(wěn)壓二極管來更換。可以用具有相同穩(wěn)定電壓值的高耗散功率穩(wěn)壓二極管來代換耗散功率低的穩(wěn)壓二極管，但不能用耗散功率低的穩(wěn)壓二極管來代換耗散功率高的穩(wěn)壓二極管。例如，0.5W、6.2V的穩(wěn)壓二極管可以用1W
2021-07-07 14:58:27
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
新日本無線的這款新MUSES音頻系列產(chǎn)品 MUSES7001 是采用了粗銅線絲焊方式的音頻碳化硅肖特基二極管(SiC-SBD:Silicon Carbide-Schottky Barrier
2013-11-14 12:16:01
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-05-07 06:21:51
(SBD)結(jié)構(gòu)如圖1a所示，它是在肖特基二極管中增加了一個低摻雜濃度的n-漂移區(qū)，由肖特基結(jié)和n-漂移區(qū)及n+陰極區(qū)組成。結(jié)勢壘控制的肖特基二極管(JBS)結(jié)構(gòu)如圖1b所示，在形成肖特基結(jié)之前，先通過
2019-02-12 15:38:27
二極管是半導體器器件中結(jié)構(gòu)最為簡單的器件，但它是一種十分重要的基礎器件。從某種意義上講，是任何其他器件替代不了的。例如，自大功率器件IGBT問世后，在很大范圍內(nèi)代替了大功率晶體管GTR。但卻無其它
2016-11-14 20:01:52
電子元器件在模塊中運用的二極管有穩(wěn)壓二極管，整流二極管，其中整流二極管在電壓轉(zhuǎn)換進程中扮演了重要的角色。在變壓器的輸入端，兩個整流二極管在不同時段導通，使交流脈動電壓轉(zhuǎn)換為直流脈動。在本實驗中
2012-12-13 15:06:51
比如一個電源，全橋架構(gòu)，副邊用的是橋式整流輸出，輸出電流為10A，假設二極管的管子壓降為1.5V，那么副邊的二極管通態(tài)損耗怎么樣計算？可以這樣了解嗎：正半周期一組對角的二極管導通，此時功耗為1.5V*10*2=30W，同理負半周期也如此，則副邊二極管損耗為60W。
2018-12-18 14:52:44
二極管時，看的是功率和封裝形式；在實際應用中，二者通常相輔相成，緊密相連，各自發(fā)揮優(yōu)勢，更有效地為電路安全保駕護航！?TVS二極管規(guī)格書下載：
2020-12-24 14:55:58
二極管時，看的是功率和封裝形式；在實際應用中，二者通常相輔相成，緊密相連，各自發(fā)揮優(yōu)勢，更有效地為電路安全保駕護航！ESD二極管規(guī)格書下載：
2021-12-30 17:52:36
高壓硅二極管具有低正向傳導壓降，但由于其反向恢復行為，會在功率轉(zhuǎn)換器中造成顯著的動態(tài)損耗。與硅相比，SiC二極管的反向恢復行為可以忽略不計，但確實表現(xiàn)出更高的體電容和更大的正向傳導降。由于砷化鎵技術(shù)
2023-02-22 17:13:39
PN結(jié)器件優(yōu)越的指標是正向?qū)妷旱停哂械偷膶?b class="flag-6" style="color: red">損耗。 但硅肖特基二極管也有兩個缺點，一是反向耐壓VR較低，一般只有100V左右;二是反向漏電流IR較大。 二、碳化硅半導體材料和用它制成的功率
2019-01-11 13:42:03
Toshiba研發(fā)出一種SiC金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET)，其將嵌入式肖特基勢壘二極管（SBD）排列成格子花紋（check-pattern embedded SBD），以降低導通電
2023-04-11 15:29:18
各種耐高溫的高頻大功率器件，應用于硅器件難以勝任的場合，或在一般應用中產(chǎn)生硅器件難以產(chǎn)生的效果。 肖特基勢壘二極管（SBD）作為一種單極性器件，在導通過程中沒有額外載流子注入和儲存，因而基本沒有
2019-10-24 14:21:23
常用的穩(wěn)壓二極管的外形與普通小功率整流二極管的外形基本相似。當殼體上的型號標記清楚時，可根據(jù)型號加以鑒別。當其型號標志脫落時，可使用萬用表電阻擋很準確地將穩(wěn)壓二極管與普通整流二極管區(qū)別開來。具體方法
2021-08-16 17:04:51
，穩(wěn)壓二極管不討論響應時間，而是更關注穩(wěn)壓值。但對于TVS二極管來說，其特性決定了其具有不同的功能。TVS二極管具有瞬態(tài)抑制高能的功能，所以需要在短時間內(nèi)吸收高能，所以這個時間非常短，達到納秒級;4.功率大小
2021-12-21 11:16:32
穩(wěn)壓了，為了減小自身功率損耗，因此理想的管子在穩(wěn)壓時我們希望內(nèi)阻越小越好。因此要想讓穩(wěn)壓二極管實現(xiàn)穩(wěn)壓輸出，必須保證電流要達到額定穩(wěn)壓值，太小的話管子因無法導通而無法穩(wěn)壓，太大了則會因功率增大而燒毀
2012-07-12 15:31:26
的穩(wěn)定電壓為6～7.5V。 （2）耗散功率PM：反向電流通過穩(wěn)壓二極管的PN結(jié)時，要產(chǎn)生一定的功率損耗，PN結(jié)的溫度也將升高。根據(jù)允許的PN結(jié)工作溫度決定出管子的耗散功率。通常小功率管約為幾百毫瓦至幾瓦
2018-01-26 09:38:01
本文描述了ROHM推出的SiC-SBD其特性、與Si二極管的比較、及當前可供應的產(chǎn)品，并探討SiC-SBD的優(yōu)勢。ROHM的SiC-SBD已經(jīng)發(fā)展到第3代。第3代產(chǎn)品的抗浪涌電流特性與漏電流特性得到
2019-07-10 04:20:13
低，可靠性高，在各種應用中非常有助于設備實現(xiàn)更低功耗和小型化。本產(chǎn)品于世界首次※成功實現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝。內(nèi)部二極管的正向電壓（VF）降低70％以上，實現(xiàn)更低損耗的同時
2019-03-18 23:16:12
；trr約為10 ns數(shù)量級；適用于低電壓（小于50 V）的功率電子電路中（當電路電壓高于100 V以上時，則要選用PIV高的SBD，其正向電阻將增大許多）。肖特基二極管屬于大電流、低功耗、超高速半導體
2021-01-13 16:36:44
。Si-SBD的特點是：正向壓降PN結(jié)二極管的UDF低，僅為后者的1/2～1/3；trr約為10ns數(shù)量級；適用于低電壓（小于50V）的功率電子電路中（當電路電壓高于100V以上時，則要選用PIV高的SBD
2019-01-03 13:36:59
肖特基二極管正向?qū)妷汉艿停挥?.4V，反向在擊穿電壓之前不會導通，起到快速反應開關的作用。而穩(wěn)壓二極管正向?qū)妷焊胀?b class="flag-6" style="color: red">二級管一樣約為0.7V，反向狀態(tài)下在臨界電壓之前截止，在達到臨界電壓
2020-09-25 15:38:08
` 在電子產(chǎn)品生產(chǎn)中，都會用到一種材料，它也因此被譽為電子行業(yè)的“生命之源”這種材料就是肖特基二極管，又稱肖特基勢壘二極管（簡稱SBD），它屬一種低功耗、超高速半導體器件。最顯著的特點為反向恢復
2019-02-20 12:01:29
肖特基二極管一種應用電路，這是肖特基二極管在步進電動機驅(qū)動電路中的應用。利用肖特基二極管的管壓降小、恢復時間短的特點，這樣大部分電流就流過外部的肖特基二極管，從而集成電路內(nèi)部的功耗就小了很多，提高了熱穩(wěn)定性能，也就提高了可靠性。?肖特基二極管規(guī)格書下載：
2021-04-12 17:25:17
100A/cm2電流密度下為4.9V。這充分顯示了SiC材料制作功率二極管的巨大威力。 在SBD方面，采用SiC材料和JBS結(jié)構(gòu)的器件具有較大的發(fā)展?jié)摿Α?b class="flag-6" style="color: red">在高壓功率二極管領域，SBD肯定會
2017-10-19 11:33:48
?肖特基二極管具有開關頻率高和正向壓降低等優(yōu)點，但其反向擊穿電壓比較低，大多不高于60V，*高僅約100V，以致于限制了其應用范圍。像在開關電源（SMPS）和功率因數(shù)校正（PFC）電路中功率開關器件
2021-11-16 17:02:37
）電路中功率開關器件的續(xù)流二極管、變壓器次級用100V以上的高頻整流二極管、RCD緩沖器電路中用600V～1.2kV的高速二極管以及PFC升壓用600V二極管等，只有使用快速恢復外延二極管（FRED）和超
2021-09-09 15:19:01
肖特基二極管原理； 肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢壘二極管（SchottkyBarrierDiode，縮寫成SBD）的簡稱。SBD不是利用P型
2021-04-17 14:10:23
（Schottky Barrier Diode 縮寫成SBD）的簡稱。肖特基：Schottky整流：RectifierSR:即為肖特基整流二極管Schottky Rectifier Diode:肖特基整二極管
2021-06-30 17:04:44
在不同的電路部分。這是一個追求性能和用戶體驗，對成本不敏感的行業(yè)，是肖特基二極管(同時也是sic功率器件)的第1個民用下游領域，曾經(jīng)在早期為siC功率器件廠家提供了最初的現(xiàn)金流。由于我國缺乏高端音響制造業(yè)
2018-11-14 14:54:30
整流二極管、續(xù)流二極管、保護二極管，也有用在微波通信等電路中作整流二極管、小信號檢波二極管使用。在通信電源、變頻器等中比較常見。 肖特基二極管優(yōu)點包括兩個方面: 1、由于肖特基勢壘高度低于PN結(jié)
2018-10-25 14:48:50
二極管的Tj超過最大額定值，嚴重時可能會導致某種破壞性結(jié)果。如前所述，切勿忽視因Si-SBD的IR損耗。發(fā)熱是IR和VR（反向電壓）的積，即漏電流產(chǎn)生的反向功率損耗乘以熱阻之積。與普通的熱計算公式相同
2018-12-03 14:31:01
相連）和串聯(lián)（一只二極管的正極接另一只二極管的負極）三種管腳引出方式。二、肖特基二極管在電源中的優(yōu)劣對比：肖特基二極管優(yōu)勢：1：低壓降，損耗電壓小。2：開關速度快，損耗小，適用于高頻電路。肖特基二極管
2019-04-12 11:37:43
我發(fā)現(xiàn)現(xiàn)在大家在選型這個二極管的時候，一般都是采用那種快恢復的二極管，有些場合明明不需要高速的快恢復二極管，但是大家也一樣的采用了，看來是不是快恢復二極管已經(jīng)可以通吃整個二極管應用了？
2019-05-16 00:12:23
采芯網(wǎng)轉(zhuǎn)載：大功率肖特基二極管（SBD）是貴金屬A為正極，以N型半導體B為負極，利用二者接觸面上形成的勢壘具有整流特性而制成的金屬半導體器件。大功率肖特基二極管的結(jié)構(gòu)和特點使其適合于在低壓、大電流
2016-12-06 18:25:12
省去輸入二極管橋。圖1：傳統(tǒng)的PFC仿真數(shù)據(jù)（圖2）表面，在PFC塊中，輸入二極管橋的功率損耗比其他所有元器件損耗都要大。圖2： PFC中的功率損耗分布為了提高OBC系統(tǒng)的能效，人們研究了不同的PFC
2022-05-30 10:01:52
二極管的正向電壓VF無限接近零、對溫度穩(wěn)定是比較理想的，但事實是不是零、并會受溫度影響而變動。為了使大家了解SiC-SBD的VF特性，下面與Si-PND的FRD（快速恢復二極管）進行比較。
2023-02-08 13:43:18
378 
為了使大家了解SiC-SBD，前面以Si二極管為比較對象，對特性進行了說明。其中，也談到SiC-SBD本身也發(fā)展到第2代，性能得到了提升。
2023-02-08 13:43:18396 
關于SiC-SBD，前面介紹了其特性、與Si二極管的比較、及當前可供應的產(chǎn)品。本篇將匯總之前的內(nèi)容，并探討SiC-SBD的優(yōu)勢。
2023-02-08 13:43:18705 
ROHM在全球率先實現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關并可大幅降低損耗。
2023-02-10 09:41:081333 
面對SiC-SBD和Si-PND的特征進行了比較。接下來比較SiC-SBD和Si-PND的反向恢復特性。反向恢復特性是二極管、特別是高速型二極管的基本且重要的參數(shù)，所以不僅要比較trr的數(shù)值，還要理解其波形和溫度特性，這樣有助于有效使用二極管。
2023-02-22 09:17:07198 
二極管的正向電壓VF無限接近零、對溫度穩(wěn)定是比較理想的，但事實是不是零、并會受溫度影響而變動。為了使大家了解SiC-SBD的VF特性，下面與Si-PND的FRD（快速恢復二極管）進行比較。
2023-02-22 09:18:59140 
為了使大家了解SiC-SBD，前面以Si二極管為比較對象，對特性進行了說明。其中，也談到SiC-SBD本身也發(fā)展到第2代，性能得到了提升。由于也有宣布推出第3代產(chǎn)品的，所以在此匯總一下SiC-SBD的發(fā)展，整理一下當前實際上供應的SiC-SBD。
2023-02-22 09:19:45355 
SiC-SBD為形成肖特基勢壘，將半導體SiC與金屬相接合（肖特基結(jié)）。結(jié)構(gòu)與Si肖特基勢壘二極管基本相同，僅電子移動、電流流動。而Si-PND采用P型硅和N型硅的接合結(jié)構(gòu)，電流通過電子與空穴（孔）流動。
2023-02-23 11:24:11586 
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