二十多年來,碳化硅(Silicon Carbide,SiC)作為一種寬禁帶功率器件,受到人們越來越多的關注。與硅相比,碳化硅具有很多優點,如:碳化硅的禁帶寬度更大,這使碳化硅器件擁有更低的漏電
2022-11-12 10:01:261315 開關器件在運行過程中存在短路風險,配置合適的短路保護電路,可以有效減少開關器件在使用過程中因短路而造成的損壞。與硅IGBT相比,碳化硅MOSFET短路耐受時間更短。
2023-02-12 15:41:121812 本推文主要介碳化硅器件,想要入門碳化硅器件的同學可以學習了解。
2023-11-27 17:48:06642 科銳實現50A碳化硅功率器件技術突破,為更多大功率應用帶來更高效率和更低成本,包括1700V碳化硅MOSFET器件在內的科銳大功率碳化硅MOSFET器件降低電力電子系統成本并提升能效
2012-05-10 09:27:161086 。尤其在高壓工作環境下,依然體現優異的電氣特性,其高溫工作特性,大大提高了高溫穩定性,也大幅度提高電氣設備的整體效率。 產品可廣泛應用于太陽能逆變器、車載電源、新能源汽車電機控制器、UPS、充電樁、功率電源等領域。 1200V碳化硅MOSFET系列選型
2020-09-24 16:23:17
功率器件在工業應用中的解決方案,議程分為:功率分立器件概覽 、 IGBT產品3、高壓MOSFET 、 碳化硅Mosfet、碳化硅二極管和整流器、氮化鎵PowerGaN、工業電源中的應用和總結八個部分。
2023-09-05 06:13:28
0.5Ω,內部柵極電阻為0.5Ω。 功率模塊的整體熱性能也很重要。碳化硅芯片的功率密度高于硅器件。與具有相同標稱電流的硅IGBT相比,SiC MOSFET通常表現出顯著較低的開關損耗,尤其是在部分
2023-02-20 16:29:54
PN結器件優越的指標是正向導通電壓低,具有低的導通損耗。 但硅肖特基二極管也有兩個缺點,一是反向耐壓VR較低,一般只有100V左右;二是反向漏電流IR較大。 二、碳化硅半導體材料和用它制成的功率
2019-01-11 13:42:03
碳化硅MOSFET開關頻率到100Hz為什么波形還變差了
2015-06-01 15:38:39
應用,處理此類應用的唯一方法是使用IGBT器件。碳化硅或簡稱SiC已被證明是一種材料,可以用來構建類似MOSFET的組件,使電路具有比以往IGBT更高的效率。如今,SiC受到了很多關注,不僅因為它
2023-02-24 15:03:59
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實驗(SCT)表現。具體而言,該實驗的重點是在不同條件下進行專門的實驗室測量,并借助一個穩健的有限元法物理模型來證實和比較測量值,對短路行為的動態變化進行深度評估。
2019-08-02 08:44:07
,封裝也是影響產品可靠性的重要因素。基本半導體碳化硅分立器件采用AEC-Q101標準進行測試。目前碳化硅二級管產品已通過AEC-Q101測試,工業級1200V碳化硅MOSFET也在進行AEC-Q101
2023-02-28 16:59:26
進一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來聊聊碳化硅器件的特點
2021-03-16 08:00:04
。 功率半導體就是這樣。在首度商業化時,碳化硅的創新性和較新的顛覆性技術必然很昂貴,盡管認識到了與硅基產品(如IGBT和Si-MOSFET)相比的潛在優勢,大多數工程師還是把它放在了“可有可無”的清單
2023-02-27 14:28:47
反向恢復電流,其關斷過程很快,開關損耗很小。由于碳化硅材料的臨界雪崩擊穿電場強度較高,可以制作出超過1000V的反向擊穿電壓。在3kV以上的整流器應用領域,由于SiC PiN二極管與Si器件相比具有更快
2019-10-24 14:21:23
由于碳化硅具有不可比擬的優良性能,碳化硅是寬禁帶半導體材料的一種,主要特點是高熱導率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等,因此被應用于各種半導體材料當中,碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關管
2020-06-28 17:30:27
和發電機繞組以及磁線圈中的高關斷電壓。 棒材和管材EAK碳化硅壓敏電阻 這些EAK非線性電阻壓敏電阻由碳化硅制成,具有高功率耗散和高能量吸收。該系列采用棒材和管材制造,外徑范圍為 6 至 30
2024-03-08 08:37:49
超過40%,其中以碳化硅材料(SiC)為代表的第三代半導體大功率電力電子器件是目前在電力電子領域發展最快的功率半導體器件之一。根據中國半導體行業協會統計,2019年中國半導體產業市場規模達7562億元
2021-01-12 11:48:45
在設計功率轉換器時,碳化硅(SiC)等寬帶隙(WBG)技術現在是組件選擇過程中的現實選擇。 在設計功率轉換器時,碳化硅(SiC)等寬帶隙(WBG)技術現在是組件選擇過程中的現實選擇。650V
2023-02-23 17:11:32
碳化硅的顏色,純凈者無色透明,含雜質(碳、硅等)時呈藍、天藍、深藍,淺綠等色,少數呈黃、黑等色。加溫至700℃時不褪色。金剛光澤。比重,具極高的折射率, 和高的雙折射,在紫外光下發黃、橙黃色光,無
2019-07-04 04:20:22
和 DC-AC 變流器等。集成式快速開關 50A IGBT 的關斷性能優于純硅解決方案,可與 MOSFET 媲美。較之常規的碳化硅 MOSFET,這款即插即用型解決方案可縮短產品上市時間,能以更低成本實現 95
2021-03-29 11:00:47
的化學惰性? 高導熱率? 低熱膨脹這些高強度、較持久耐用的陶瓷廣泛用于各類應用,如汽車制動器和離合器,以及嵌入防彈背心的陶瓷板。碳化硅也用于在高溫和/或高壓環境中工作的半導體電子設備,如火焰點火器、電阻加熱元件以及惡劣環境下的電子元器件。
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現在比較好的材料,為什么應用的領域會受到部分限制呢?
2021-08-19 17:39:39
碳化硅作為一種寬禁帶半導體材料,比傳統的硅基器件具有更優越的性能。碳化硅的寬禁帶(3.26eV)、高臨界場(3×106V/cm)和高導熱系數(49W/mK)使功率半導體器件效率更高,運行速度更快
2023-02-28 16:34:16
材料的兩倍以上。因此,SiC所能承受的溫度更高,一般而言,使用碳化硅(SiC)陶瓷線路板的功率器件所能達到的最大工作溫度可到600 C。2) 高阻斷電壓與Si材料相比,SiC的擊穿場強是Si的十倍多
2021-03-25 14:09:37
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅動芯片有幾款,型號是什么
2020-03-05 09:30:32
通損耗一直是功率半導體行業的不懈追求。 相較于傳統的硅MOSFET和硅IGBT 產品,基于寬禁帶碳化硅材料設計的碳化硅 MOSFET 具有耐壓高、導通電阻低,開關損耗小的特點,可降低器件損耗、減小
2023-02-27 16:14:19
)------------------------------------------------------------------------------------------------會議主題:羅姆 SiC(碳化硅)功率器件的活用直播時間:2018
2018-07-27 17:20:31
,利用SiC MOSFET來作為永磁同步電機控制系統中的功率器件,可以降低驅動器損耗,提高開關頻率,降低電流諧波和轉矩脈動。本項目中三相逆變器擬打算使用貴公司的SiC MOSFET,驗證碳化硅功率器件
2020-04-21 16:04:04
什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?碳化硅(SiC)的結構是如何構成的?
2021-06-18 08:32:43
無不積極研發經濟型高性能碳化硅功率器件,例如Cascode結構、碳化硅MOSFET平面柵結構、碳化硅MOSFET溝槽柵結構等。這些不同的技術對于碳化硅功率器件應用到底有什么影響,該如何選擇呢?首先
2022-03-29 10:58:06
多半仍以機械結構為主,造價高昂,且產品相當笨重,更需要經常維修。為了改良這些缺點,以電力電子為基礎的新一代大功率電力設備應運而生。碳化硅等新世代組件,則是在背后促成這股電力設備電子化不可或缺的功臣
2021-09-23 15:02:11
,獲得華大半導體有限公司投資,創能動力致力于開發以硅和碳化硅為基材的功率電子器件、功率模塊,并商品化提供解決方案。碳化硅使用在氮化鎵電源中,可實現相比硅元器件更高的工作溫度,實現雙倍的功率密度,更小
2023-02-22 15:27:51
的硅基IGBT和碳化硅肖特基二極管合封,在部分應用中可以替代傳統的IGBT (硅基IGBT與硅基快恢復二極管合封),使得IGBT的開關損耗大幅降低。這款混合碳化硅分立器件的性能介于超結MOSFET
2023-02-28 16:48:24
MOSFET之所以有如此的大吸引力,在于與它們具有比硅器件更出眾的可靠性,在持續使用內部體二極管的連續導通模式(CCM)功率因數校正(PFC)設計,例如圖騰功率因數校正器的硬開關拓撲中,碳化硅
2023-03-14 14:05:02
得到更低柵極開關驅動損耗(圖1).碳化硅MOSFET寄生體二極管具有極小的反向恢復時間trr和反向恢復電荷Qrr。如圖所示,同一額定電流900V的器件,碳化硅MOSFET 寄生二極管反向電荷只有同等
2016-08-05 14:32:43
對于高壓開關電源應用,碳化硅或SiC MOSFET帶來比傳統硅MOSFET和IGBT明顯的優勢。在這里我們看看在設計高性能門極驅動電路時使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
用碳化硅MOSFET設計一個雙向降壓-升壓轉換器
2021-02-22 07:32:40
采用溝槽型、低導通電阻碳化硅MOSFET芯片的半橋功率模塊系列 產品型號 BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽車級全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2
2023-02-27 11:55:35
摘要: 碳化硅(silicon carbide,SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件,具有耐高壓、高溫,導通電阻低,開關速度快等優點。如何充分發揮碳化硅器件的這些優勢性能則給封裝技術帶來了新的挑戰
2023-02-22 16:06:08
新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問題,解決各行業遇到的各種芯片散熱問題,如果你有類似的困惑,歡迎前來探討,鋁碳化硅做封裝材料的優勢它有高導熱,高剛度,高耐磨,低膨脹,低密度,低成本,適合各種產品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問題及時交流,謝謝各位!
2016-10-19 10:45:41
反向恢復時間[2] [3]必將在新能源汽車電源設計中起到越來越重要的作用。它將對高效高功率密度高電池電壓等要求的新能源汽車優化帶來可能。碳化硅MOSFET目前成本仍然高于硅器件,可通過拓撲結構簡化
2016-08-25 14:39:53
硅IGBT與碳化硅MOSFET驅動兩者電氣參數特性差別較大,碳化硅MOSFET對于驅動的要求也不同于傳統硅器件,主要體現在GS開通電壓、GS關斷電壓、短路保護、信號延遲和抗干擾幾個方面,具體如下
2023-02-27 16:03:36
碳化硅(SiC)等寬帶隙技術為功率轉換器設計人員開辟了一系列新的可能性。與現有的IGBT器件相比,SiC顯著降低了導通和關斷損耗,并改善了導通和二極管損耗。對其開關特性的仔細分析表明,SiC
2023-02-22 16:34:53
面向電動汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動汽車應用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優的性能,特別是在800 V 電池系統和大電池容量中,它可提高逆變器的效率,從而延長續航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16
是寬禁帶半導體材料的一種,主要特點是高熱導率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等,因此被應用于各種半導體材料當中,碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關管。功率二極管包括結勢壘肖特基(JBS)二極管
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術去刻蝕碳化硅,采用的是ICP系列設備,刻蝕氣體使用的是SF6+O2,碳化硅上面沒有做任何掩膜,就是為了去除SiC表面損傷層達到表面改性的效果。但是實際刻蝕過程中總是會在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
IGBT 的三相電機半橋的高側和低側功率級,并能夠監控和保護各種故障情況。圖1:電動汽車牽引逆變器框圖碳化硅 MOSFET 米勒平臺和高強度柵極驅動器的優勢特別是對于SiC MOSFET,柵極驅動器IC
2022-11-02 12:02:05
科銳公司(Nasdaq: CREE)將繼續引領高效率電子電力模組變革,宣布推出業界首款符合全面認證的可應用于電力電子模組的裸芯片型及芯片型碳化硅MOSFET功率器件。
2011-12-19 09:03:161682 碳化硅功率器件近年來越來越廣泛應用于工業領域,受到大家的喜愛,不斷地推陳出新,大量的更高電壓等級、更大電流等級的產品相繼推出,市場反應碳化硅元器件的效果非常好,但似乎對于碳化硅元器件的普及還有
2017-12-13 09:17:4421987 硅IGBT與碳化硅MOSFET驅動兩者電氣參數特性差別較大,碳化硅MOSFET對于驅動的要求也不同于傳統硅器件,主要體現在GS開通電壓、GS關斷電壓、短路保護、信號延遲和抗干擾幾個方面
2019-12-09 13:58:0223531 碳化硅器件總成本的50%,外延、晶圓和封裝測試成本分別為25%、20%和5%。碳化硅材料的可靠性對最終器件的性能有著舉足輕重的意義,基本半導體從產業鏈各環節探究材料特性及缺陷產生的原因,與上下游企業協同合作提升碳化硅功率器件
2021-08-16 10:46:405267 基本半導體是國內比較早涉及第三代半導體碳化硅功率器件研發的企業,率先推出了碳化硅肖特基二極管、碳化硅MOSFET等器件,為業界熟知,并得到廣泛應用。在11月27日舉行的2021基本創新日活動
2021-11-29 14:54:087839 在高端應用領域,碳化硅MOSFET已經逐漸取代硅基IGBT。以碳化硅、氮化鎵領銜的寬禁帶半導體發展迅猛,被認為是有可能實現換道超車的領域。
2022-07-06 12:49:161072 SiC MOSFET 較 IGBT 可同時具備耐高壓、低損耗和高頻三大優勢。1)碳化硅擊穿電場強度是硅的十余倍,使得碳化硅器件耐高壓特性顯著高于同等硅器件。
2022-08-23 09:46:342918 碳化硅器件總成本的50%,外延、晶圓和封裝測試成本分別為25%、20%和5%。碳化硅材料的可靠性對最終器件的性能有著舉足輕重的意義,從產業鏈各環節探究材料特性及缺陷產生的原因,與上下游企業協同合作提升碳化硅功率器件的可靠性。
2023-01-05 11:23:191191 ,我國已經成為全球最重要的半導體功率器件封測基地。 目前常用的SiC碳化硅功率半導體器件主要包括:碳化sbd(schottkybarrierdiode,肖特基二極管)與碳化硅mosfet(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,金屬氧化物半導體場效應管),其中碳化硅
2023-01-13 11:16:441230 硅IGBT與碳化硅MOSFET驅動兩者電氣參數特性差別較大,碳化硅MOSFET對于驅動的要求也不同于傳統硅器件,主要體現在GS開通電壓、GS關斷電壓、短路保護、信號延遲和抗干擾**幾個方面。
2023-02-03 14:54:471076 碳化硅MOSFET技術是一種半導體技術,它可以用于控制電流和電壓,以及檢測電阻、電容、電壓和電流等參數,以確定電子設備是否正常工作。碳化硅MOSFET技術的關鍵技術包括結構設計、材料選擇、工藝制程、測試技術等。
2023-02-15 16:19:007598 。目前,我國已經成為全球最重要的半導體功率器件封測
基地。
目前常用的SiC碳化硅功率半導體器件主要包括:碳化sbd(schottkybarrierdiode,肖特基二極管)與碳化硅mosfet(metal-oxidesemiconductor field-effect transistor,金屬氧
2023-02-16 15:28:254 我們拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件:碳化硅二極管和碳化硅MOSFET展開說明。碳和硅進過化合先合成碳化硅,然后碳化硅打磨成為粉末,碳化硅粉末經過碳化硅單晶生長成為碳化硅晶錠;碳化硅
2023-02-21 10:04:111693 什么是第三代半導體?我們把SiC碳化硅功率器件和氮化鎵功率器件統稱為第三代半導體,這個是相對以硅基為核心的第二代半導體功率器件的。今天我們著重介紹SiC碳化硅功率器件,也就是SiC碳化硅二極管
2023-02-21 10:16:472090 SiC器件是一種新型的硅基 MOSFET,特別是 SiC功率器件具有更高的開關速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由 MOSFET和 PN結組成。
在眾多半導體器件中,碳化硅材料具有低熱
2023-03-03 14:18:564079 碳化硅功率器件在新能源汽車領域的應用主要有以下幾個方面。
2023-04-27 14:05:52635 碳化硅功率模組有哪些 碳化硅功率器件系列研報深受眾多專業讀者喜愛,本期為番外篇,前五期主要介紹了碳化硅功率器件產業鏈的上中下游,本篇將深入了解碳化硅功率器件的應用市場,以及未來的發展趨勢,感謝各位
2023-05-31 09:43:20390 碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導體器件,其中"MOSFET"表示金屬氧化物半導體場效應晶體管,"碳化硅"指的是其材料。碳化硅
2023-06-02 15:33:151182 8.2.6功率MOSFET的實施:DMOSFET和UMOSFET8.2金屬-氧化物-半導體場效應晶體管(MOSFET)第8章單極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內
2022-02-28 11:20:021054 SICMOSFET作為第三代半導體器件,以其卓越的高頻高壓高結溫低阻特性,已經越來越多的應用于功率變換電路。那么,如何用最有效的方式驅動碳化硅MOSFET,發揮SICMOSFET的優勢,盡可能
2022-11-30 15:28:282648 來源:碳化硅芯觀察對于碳化硅MOSFET(SiCMOSFET)而言,高質量的襯底可以從外部購買得到,高質量的外延片也可以從外部購買到,可是這只是具備了獲得一個碳化硅器件的良好基礎,高性能的碳化硅器件
2023-04-07 11:16:201221 碳化硅(SiC)功率器件是一種基于碳化硅材料的半導體器件,具有許多優勢和廣泛的應用前景。
2023-06-28 09:58:092319 igbt和碳化硅區別是什么?? IGBT和碳化硅都是半導體器件,它們之間的區別主要體現在以下幾個方面。 一、材料: IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣
2023-08-25 14:50:049049 ? 隨著新能源汽車的快速發展,碳化硅功率器件在新能源汽車領域中的應用也越來越多。碳化硅功率器件相比傳統的硅功率器件具有更高的工作溫度、更高的能耗效率、更高的開關速度和更小的尺寸等優點,因此在新能源
2023-09-05 09:04:421880 本文研究SiC碳化硅功率模塊及分立器件,功率模塊主要包括碳化硅MOSFET模塊(SiC MOSFET Module),分立器件包括碳化硅MOSFET分立器件和碳化硅二極管(主要是碳化硅肖特二極管)。
2023-09-08 11:30:451806 功率器件的功能是對電能進行處理、轉換和控制。硅基功率器件相比,采用碳化硅襯底制作的功率器件具有耐高壓、耐高溫、能量損耗小、功率密度高等優點,可實現功率模塊的小型化和輕量化。與相同規格
2023-09-25 17:31:33233 SiC器件是一種新型的硅基MOSFET,特別是SiC功率器件具有更高的開關速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN結組成。
在眾多的半導體器件中,碳化硅材料具有低熱導率、高擊穿
2023-09-26 16:42:29342 碳化硅功率器件是一種利用碳化硅材料制作的功率半導體器件,具有高溫、高頻、高效等優點,被廣泛應用于電力電子、新能源等領域。下面介紹一些碳化硅功率器件的基礎知識。
2023-09-28 18:19:571220 碳化硅(SiC)功率器件是由硅和碳制成的半導體,用于制造電動汽車、電源、電機控制電路和逆變器等高壓應用的功率器件。
2023-10-17 09:43:16169 MOSFET也已經發展到了第3代,新推出的650V和1200V電壓產品現已量產。其柵極驅動電路設計簡單,可靠性得到進一步的提高。 碳化硅MOSFET的優勢 相同功率等級的硅MOSFET相比,新一代碳化硅MOSFET導通電阻、開關損耗大幅降低,適用于更高的工作頻率,
2023-10-17 23:10:02269 碳化硅和igbt的區別? 碳化硅(SiC)和絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)都是在電子領域中常見的器件。雖然它們都用于功率電子應用,但在結構、材料、性能和應用方面存在一些顯著差異。本文將詳細介紹碳化硅
2023-12-08 11:35:531791 隨著電力電子技術的不斷發展,碳化硅(SiC)功率器件作為一種新型的半導體材料,在電力電子領域的應用越來越廣泛。與傳統的硅功率器件相比,碳化硅功率器件具有高效率、高功率密度、高耐壓、高耐流等優點
2023-12-14 09:14:46241 隨著科技的快速發展,碳化硅(SiC)功率器件作為一種先進的電力電子設備,已經廣泛應用于能源轉換、電機控制、電網保護等多個領域。本文將詳細介紹碳化硅功率器件的原理、應用、技術挑戰以及未來發展趨勢。
2023-12-16 10:29:20360 碳化硅MOSFET在高頻開關電路中的應用優勢? 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導體器件,具有在高頻開關電路中廣泛應用的多個優勢。 1. 高溫特性: 碳化硅MOSFET具有極低的本征載流子濃度
2023-12-21 10:51:03357 碳化硅功率器件的實用性不及硅基功率器件嗎? 碳化硅功率器件相較于傳統的硅基功率器件具有許多優勢,主要體現在以下幾個方面:材料特性、功率密度、溫度特性和開關速度等。盡管碳化硅功率器件還存在一些挑戰
2023-12-21 11:27:09286 導電型碳化硅功率器件主要是通過在導電型襯底上生長碳化硅外延層,得到碳化硅外延片后進一步加工制成,品種包括SBD(肖特基二極管)、MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)、IGBT(絕緣柵雙極性晶體管)等,主要用于電動汽車、光伏、軌道交通、數據中心、充電等基礎建設。
2023-12-27 10:08:56306 隨著科技的不斷進步,碳化硅(SiC)作為一種新型的半導體材料,在功率器件領域的應用越來越廣泛。碳化硅功率器件在未來具有很大的發展潛力,將在多個領域展現出顯著的優勢。本文將介紹未來碳化硅功率器件的優勢
2024-01-06 14:15:03353 碳化硅(SiC)是一種優良的寬禁帶半導體材料,具有高擊穿電場、高熱導率、低介電常數等特點,因此在高溫、高頻、大功率應用領域具有顯著優勢。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的電力電子器件,主要包括
2024-01-09 09:26:49379 共讀好書 碳化硅是第三代半導體產業發展的重要基礎材料,碳化硅功率器件以其優異的耐高壓、耐高溫、低損耗等性能,能夠有效滿足電力電子系統的高效率、小型化和輕量化要求。 碳化硅MOSFET具有高頻高效
2024-02-21 18:24:15412
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