描述dcreg12v3a mj2955 lm78122955 MJ晶體管的作用是作為電流放大器，使輸出電流達到安培單位，通常如果沒有晶體管這個電路只能達到毫安單位。出于電源的目的，晶體管必須不斷地
2022-09-05 06:18:39
的情況下，晶體管關(guān)閉。當向基極端子施加正確幅度和極性的電壓時，晶體管接通，允許更大的電流在發(fā)射極和集電極端子之間流動。 控制晶體管開關(guān)狀態(tài)所需的電壓通常非常小。因此，晶體管可以用作放大器。基極-發(fā)射極電路
2023-02-16 18:22:30
本帖最后由 gongddz 于 2017-3-29 09:06 編輯
晶體管作為電流單方向通過的電子開關(guān)使用晶體管也可以作為電子開關(guān)使用。但這個開關(guān)的電流方向只能是單向的，pnp型管和npn型
2017-03-28 15:54:24
在PROTUES中如何改變晶體管的放大倍數(shù)？有的器件有放大倍數(shù)改變的參數(shù)。另外，不同的仿真模型參數(shù)不同如何改變？
2014-02-28 08:42:03
；頻率特性和通頻帶。難點：靜態(tài)工作點調(diào)整。[理論內(nèi)容]一、電路工作原理及基本關(guān)系式1、工作原理晶體管放大器中廣泛應(yīng)用如圖1所示的電路，稱之為阻容耦合共射極放大器。它采用的是分壓式電流負反饋偏置電路
2009-03-20 10:02:58
共基極電路中，基極為輸入、輸出回路的交流公共端。（3） 在共集電極電路中，集電極為輸入、輸出回路的交流公共端。既然晶體管放大電路有3種連接方式，為什么共發(fā)射極電路是常用的呢?簡單地說，共發(fā)射電路電壓和電流
2017-03-30 09:56:34
關(guān)于晶體管ON時的逆向電流在NPN晶體管中，基極 (B) 被偏置為正，集電極 (C) 被偏置為負，由發(fā)射極 (E) 流向C的是逆電流。1. 不用擔(dān)心劣化和損壞，在使用上是沒有問題的2. NPN-Tr
2019-04-09 21:27:24
晶體管并聯(lián)時，當需要非常大的電流時，可以將幾個晶體管并聯(lián)使用。因為存在VBE擴散現(xiàn)象，有必要在每一個晶體管的發(fā)射極上串聯(lián)一個小電阻。電阻R用以保證流過每個晶體管的電流近似相同。電阻值R的選擇依據(jù)
2024-01-26 23:07:21
可以忽略不計，通常用hie和hre兩個參數(shù)模擬低頻晶體管電路即可，這叫做簡化后的h參數(shù)等效電路，如圖7-1-3所示，圖中的rbe、β即上述的hie、hfe.電流放大系數(shù)β（或hfe）可以從輸出特性曲線中
2021-06-02 06:14:09
;nbsp; 利用電流控制器件晶體三極管組成的電壓放大電路來實現(xiàn)對電壓信號的有效控制和放大。同時加入反饋措施可以有效改善電路性能。
2009-09-08 08:54:00
及制造工藝分類 晶體管按其結(jié)構(gòu)及制造工藝可分為擴散型晶體管、合金型晶體管和平面型晶體管。 按電流容量分類 晶體管按電流容量可分為小功率晶體管、中功率晶體管和大功率晶體管按工作頻率分類 晶體管按
2010-08-12 13:59:33
統(tǒng)通過VCCS輸入，取平均等技術(shù)獲得較理想的測試結(jié)果。目前能夠完成三極管輸入、輸出特性曲線、放大倍數(shù)、開啟電壓等參數(shù)以及二極管一些參數(shù)的測定，并能測試比較溫度對這些參數(shù)的影響。系統(tǒng)具有通用的RS232 接口和打印機接口，可以方便的將結(jié)果打印、顯示。關(guān)鍵詞AduC812壓控流源晶體管參數(shù)
2012-08-02 23:57:09
器、電壓／電流反饋放大電路、晶體管／FET開關(guān)電路、模擬開關(guān)電路、開關(guān)電源、振蕩電路等。上冊則主要介紹放大電路的工作、增強輸出的電路、功率放大器的設(shè)計與制作、拓寬頻率特性等。`
2019-03-06 17:29:48
晶體管也就是俗稱三極管，其本質(zhì)是一個電流放大器，通過基射極電流控制集射極電流。
1、當基射極電流很小可以忽略不計時，此時晶體管基本沒有對基射極電流的放大作用，此時可以認為晶體管處在關(guān)斷狀態(tài)
2、當基
2024-01-18 16:34:45
一、晶體管開關(guān)電路：是一種計數(shù)地接通-斷開晶體管的集電極-發(fā)射極間的電流作為開關(guān)使用的電路，此時的晶體管工作在截止區(qū)和飽和區(qū)。當需要輸出大的負載電流時，由于集電極電流(負載電流)是放大基極電流而來
2021-10-29 09:25:31
晶體管式電流傳感器內(nèi)部設(shè)有檢測電流用電阻。使負荷電流通過該電阻，并利用運算放大器（OP比較電路）將其電壓降值與基準電壓進行比較，當電流檢測電阻上的電壓降低于基準電壓時，比較器的輸出電流點亮報警
2018-10-31 17:13:28
時，先將hFE/ICEO選擇開關(guān)置于ICEO檔，選擇晶體管的極性，將被測晶體管的三個引腳插個測試孔，然后按下ICEO鍵，從表中讀出反向擊穿電流值即可。2．放大能力的檢測 晶體管的放大能力可以用萬用表
2012-04-26 17:06:32
從事電子設(shè)計7年了，發(fā)覺這兩本書挺好的，發(fā)上來給大家分享一下附件晶體管電路設(shè)計（上）放大電路技術(shù)的實驗解析.pdf42.5 MB晶體管電路設(shè)計（下）FET_功率MOS_開關(guān)電路的實驗解析.rar.zip47.2 MB
2018-12-13 09:04:31
晶體管電路設(shè)計叢書上冊晶體管電路設(shè)計(pdf電子書下載):是“實用電子電路設(shè)計叢書”之一，共分上下二冊。本書作為上冊主要內(nèi)容有晶體管工作原理，放大電路的性能、設(shè)計與應(yīng)用，射極跟隨器的性能與應(yīng)用電
2009-11-20 09:41:18
請問各位***友：晶體管的輸入信號不是微弱的電信號嗎？而常見的資料用輸入信號的頻率。問題就在這微弱的電信號與頻率有什么關(guān)系？像六管超外差收音機接受的電磁波我還能理解，放大其他的我就弄不懂了。。。。希望各位不吝賜教。。。。
2012-11-12 22:34:51
晶體管的 電流放大原理 該怎么解釋？
2017-03-12 20:30:29
無量綱的比例系數(shù)。hfe稱為輸出端交流短路時的電流放大系數(shù)，簡稱電流放大系數(shù)。它反映基極電流IB對集電極電流IC的控制能力，即晶體管的電流放大能力，是一個無量綱的數(shù)，習(xí)慣上用β表示。 hoe稱為輸入端
2021-05-13 07:56:25
(1) 電流放大系數(shù)β和hFEβ是晶體管的交流放大系數(shù)，表示晶體管對交流（變化）信號的電流放大能力。β等于集電極電流IC的變化量△IC與基極電流IB的變化量△IB兩者之比，即β=△IC/△IBhFE
2018-06-13 09:12:21
晶體管的主要參數(shù)有哪些？晶體管的開關(guān)電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
晶體管的半導(dǎo)體的電流由空穴（正極性）和電子（負極性）產(chǎn)生。一般而言的晶體管是指這種由硅構(gòu)成的晶體管。FETField Effect Transistor的簡稱，是指場效應(yīng)晶體管。有接合型FET和MOS型
2019-04-10 06:20:24
-發(fā)射極間流過電流。如前面的特征匯總表中所示，關(guān)于驅(qū)動，需要根據(jù)與放大系數(shù)、集電極電流之間的關(guān)系來調(diào)整基極電流等。與MOSFET顯著不同的是，用于放大或?qū)?關(guān)斷的偏置電流會流經(jīng)晶體管（基極）。另外
2018-11-28 14:29:28
不同的是，用于放大或?qū)?關(guān)斷的偏置電流會流經(jīng)晶體管（基極）。 另外，MOSFET中有稱為“導(dǎo)通電阻”的參數(shù)，尤其是處理大功率時是重要的特性。但雙極晶體管中沒有“導(dǎo)通電阻”這個參數(shù)。世界上最早的晶體管
2020-06-09 07:34:33
是"增幅"和"開關(guān)"。比如收音機。放大空中傳播的極微弱信號，使音箱共鳴。這一作用便是晶體管的增幅作用。不改變輸入信號的波形，只放大電壓或電流。這是模擬信號的情況，但是
2019-07-23 00:07:18
得到了晶體管的h參數(shù)后，就可以畫出晶體管的線性等效電路，圖Z0214是晶體管的h參數(shù)等效電路。 關(guān)于h參數(shù)等效電路，應(yīng)注意以下幾點： （1）電壓的參考極性為上正下負，電流的參考正方向是流入為正
2021-05-25 07:25:25
是"增幅"和"開關(guān)"。比如收音機。放大空中傳播的極微弱信號，使音箱共鳴。這一作用便是晶體管的增幅作用。不改變輸入信號的波形，只放大電壓或電流。這是模擬信號的情況，但是
2019-05-05 00:52:40
之間）和發(fā)射結(jié)（B、E極之間），發(fā)射結(jié)與集電結(jié)之間為基區(qū)。 根據(jù)結(jié)構(gòu)不同，晶體管可分為PNP型和NPN型兩類。在電路圖形符號上可以看出兩種類型晶體管的發(fā)射極箭頭（代表集電極電流的方向）不同。PNP型
2013-08-17 14:24:32
放大電路中使用的達林頓管，可以選用不帶保護電路的中、小功率普通達林頓晶體管。而音頻功率輸出、電源調(diào)整等電路中使用的達林頓管，可選用大功率、大電流型普通達林頓晶體管或帶保護電路的大功率達林頓晶體管
2012-01-28 11:27:38
和集電極電位的關(guān)系中，可以非常方便地對晶體管的工作狀態(tài)作出判斷。對處于共發(fā)射極放大的NPN型晶體管而言，集電極電位>基極電位>發(fā)射極電位時，晶體管工作于放大狀態(tài)。隨著基極注入電流的增大，流出
2012-02-13 01:14:04
分為硅管和鍺管兩類。 晶體管內(nèi)部結(jié)構(gòu)的特點是發(fā)射區(qū)的摻雜濃度遠遠高于基區(qū)摻雜濃度，并且基區(qū)很薄，集電結(jié)的面積比發(fā)射結(jié)面積大。這是晶體管具有放大能力的內(nèi)部條件。 2. 電流分配與放大作用 體管具有放大能力
2021-05-13 06:43:22
關(guān)于晶體管ON時的逆向電流在NPN晶體管中，基極 (B) 被偏置為正，集電極 (C) 被偏置為負，由發(fā)射極 (E) 流向C的是逆電流。1. 不用擔(dān)心劣化和損壞，在使用上是沒有問題的2. NPN-Tr
2019-05-09 23:12:18
;nbsp; 晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關(guān)，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為
2010-08-12 13:57:39
導(dǎo)通損耗。即使在低占空比情況下，EiceDRIVER?也可以保持良好的柵極電壓調(diào)節(jié)特性，從而阻止RC驅(qū)動網(wǎng)絡(luò)失壓。 電流旁路對GaN晶體管并聯(lián)配置的影響 即使每個晶體管都配置獨立的RC驅(qū)動網(wǎng)絡(luò)
2021-01-19 16:48:15
請問BJT工藝的線性穩(wěn)壓源為什么多是PNP型晶體管呢？
2023-03-31 11:56:49
來至網(wǎng)友的提問：如何選擇分立晶體管？
2018-12-12 09:07:55
這個晶體管為什么是開關(guān)管的作用，還有電流方向是怎樣的？
2018-12-28 15:41:49
差分放大器具有什么性能？CMOS差動放大器晶體管不匹配的原因？差分放大器中的不匹配效應(yīng)應(yīng)該怎么消除？
2021-04-12 06:46:18
的，因此在發(fā)射極E上使用箭頭來指示電流方向。晶體管的放大功能是：集電極電流由基極電流控制（假設(shè)電源可以為集電極提供足夠大的電流），基極電流的微小變化會引起集電極電流的較大變化：集電極電流的變化是基極電流
2023-02-08 15:19:23
半導(dǎo)體端子）中的正電子碰撞，產(chǎn)生集電極電流。由此可見，基極電流越大，集電極電流越大。也就是說，當一個小電流輸入集電極時，集電極可以獲得大電流，現(xiàn)在晶體管處于放大狀態(tài)。需要注意的是，當基極電流達到一定水平
2023-02-15 18:13:01
電流可以調(diào)節(jié)巨大的發(fā)射極集電極電流。II. 什么是PNP晶體管？PNP 晶體管是將一種 n 型材料與兩種 p型材料摻雜在一起的晶體管。它是一種由電流供電的設(shè)備。適量的基極電流調(diào)節(jié)了發(fā)射極和集電極電流
2023-02-03 09:44:48
）= + 25°CSGN19H181M1H砷化鎵晶體管SGN19H240M1H砷化鎵晶體管SGN21H180M1H砷化鎵晶體管SGN21H121M1H砷化鎵晶體管SGN21H181M1H砷化鎵晶體管
2021-03-30 11:32:19
晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制和許多其它功能
2010-08-13 11:36:51
主要參數(shù) 晶體管的主要參數(shù)有電流放大系數(shù)、耗散功率、頻率特性、集電極最大電流、最大反向電壓、反向電流等。電流放大系數(shù) 電流放大系數(shù)也稱電流放大倍數(shù)，用來表示晶體管放大能力。 耗散功率也稱集電極
2010-08-13 11:35:21
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個晶體管來代替，MFR151管子能用哪個來代替？或是誰有這兩個高頻管子的原件庫？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
們的李老師通過對這本書的學(xué)習(xí)和研究，運用自己的經(jīng)驗和學(xué)識打造出了與本書配套的實驗板，正好可以供大家學(xué)習(xí)、實踐、研究。所以此次眾籌《OP放大器與晶體管的放大電路設(shè)計》實驗板的項目剛好可以方便每一位對OP
2016-08-19 14:28:29
`內(nèi)容簡介：《晶體管電路設(shè)計》(上)是“實用電子電路設(shè)計叢書”之一，共分上下二冊。《晶體管電路設(shè)計》(上)作為上冊主要內(nèi)容有晶體管工作原理，放大電路的性能、設(shè)計與應(yīng)用，射極跟隨器的性能與應(yīng)用電
2017-07-25 15:29:55
輸出;還可以把基極電流lb放大β倍，然后在集電極以Ic形式輸出。（2）場效應(yīng)晶體管含義：原件要比晶體管小得多晶體管就是一個小硅片 但是場效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)要比晶體管的要復(fù)雜場效應(yīng)管的溝道一般是幾個納米
2019-04-09 11:37:36
小信號晶體管主要用于放大低電平信號，但也可以用作開關(guān)。這些晶體管可通過 hFE 值來使用，該值指定晶體管如何放大輸入信號。典型 hFE 值的范圍為 10 至 500，其中最高集電極電流 (Ic
2023-08-02 12:26:53
互補晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
晶體管的工作原理是一樣的。》 光電晶體管光電晶體管是由雙極晶體管或場效應(yīng)晶體管組成的光電器件。光被吸收在這種器件的有源區(qū)域，產(chǎn)生光生載流子，這些載流子通過內(nèi)部電放大機制并產(chǎn)生光電流增益。光電晶體管在三
2023-02-03 09:36:05
PNP 和 NPN 是兩種類型的雙極結(jié)型晶體管 （BJT）。BJT由可以放大電流的摻雜材料制成。它具有PNP和NPN配置選項。PNP 和 NPN晶體管可用于放大或開關(guān)。本文將解釋NPN和PNP之間
2023-02-03 09:50:59
兩種比光敏二極管產(chǎn)生更高輸出電流的光敏器件的一些基本信息: 光敏晶體管和光敏集成電路。后一個術(shù)語指的是基本上是一個光電二極管和放大器集成到同一封裝。什么是光電晶體管？光電二極管可以產(chǎn)生光電流，因為它的結(jié)
2022-04-21 18:05:28
達林頓晶體管是一對雙極晶體管，連接在一起，從低基極電流提供非常高的電流增益。輸入晶體管的發(fā)射極始終連接到輸出晶體管的基極;他們的收藏家被綁在一起。結(jié)果，輸入晶體管放大的電流被輸出晶體管進一步放大
2023-02-16 18:19:11
，拐角處的電場總是被放大。這可以通過在角落使用硝酸鹽層來最小化。 制造成本高 鰭式場效應(yīng)晶體管演進 現(xiàn)代電子產(chǎn)品的基礎(chǔ)是CMOS晶體管。在過去的17年中，CMOS技術(shù)在制造和建筑中使用的材料方面
2023-02-24 15:25:29
輸入一起用來測量集電極電流。圖2.NMOS零增益放大器面包板電路程序步驟零增益放大器可用于創(chuàng)建穩(wěn)定的電流源。現(xiàn)在，當W1所表示的輸入電源電壓變化時，晶體管Q1的集電極所看到的電壓更為穩(wěn)定，因此可以將其
2021-11-01 09:53:18
的基礎(chǔ)知識和基本實驗，內(nèi)容包括FET放大電路、源極跟隨器電路、功率放大器、電壓／電流反饋放大電路、晶體管／FET開關(guān)電路、模擬開關(guān)電路、開關(guān)電源、振蕩電路等。上冊則主要介紹放大電路的工作、增強輸出的電路
2017-06-22 18:05:03
1.什么是晶體管，它是如何工作的？晶體管是一種微型電子元件，可以完成兩種不同的工作。它可以用作放大器或開關(guān)：流過晶體管一部分的微小電流可以使更大的電流流過晶體管的另一部分。換句話說，小電流打開較大
2023-02-03 09:32:55
PNP晶體管在哪里使用？放大電路采用PNP晶體管。達林頓對電路采用PNP晶體管。機器人應(yīng)用利用了PNP晶體管。PNP 晶體管用于控制大功率應(yīng)用中的電流。如何控制PNP晶體管？首先，為了接通PNP
2023-02-03 09:45:56
各位高手，小弟正在學(xué)習(xí)單結(jié)晶體管，按照網(wǎng)上的電路圖做的關(guān)于單結(jié)晶體管的仿真，大多數(shù)都不成功，請問誰有成功的單結(jié)晶體管的仿真仿真啊，可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
管子多用于集成放大電路中的電流源電路。
請問對于這種多發(fā)射極或多集電極的晶體管時候該如何分析？按照我的理解，在含有多發(fā)射極或多集電極的晶體管電路時，如果多發(fā)射極或多集電極的每一極分別接到獨立的電源回路中
2024-01-21 13:47:56
。場效應(yīng)管的工作方式有兩種：當柵壓為零時有較大漏極電流的稱為耗盡型；當柵壓為零，漏極電流也為零，必須再加一定的柵壓之后才有漏極電流的稱為增強型。場效應(yīng)晶體管作用是什么1、場效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場效應(yīng)管
2019-05-08 09:26:37
、漏極電流等參數(shù)。選用音頻功率放大器推挽輸出用VMOS大功率場效應(yīng)晶體管時，要求兩管的各項參數(shù)要一致（配對），要有一定的功率余量。所選大功率管的最大耗散功率應(yīng)為放大器輸出功率的0.5~1倍,漏源擊穿電壓應(yīng)為功放工作電壓的2倍以上。
2021-05-13 07:10:20
`場效應(yīng)管與晶體管的比較（1）場效應(yīng)管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下，應(yīng)選用場效應(yīng)管；而在信號電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應(yīng)選用晶體管
2017-05-06 15:56:51
場效應(yīng)管與晶體管的比較（1）場效應(yīng)管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下，應(yīng)選用場效應(yīng)管；而在信號電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應(yīng)選用晶體管。（2
2009-04-25 15:43:51
）場效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱之為雙極型器件。（4）場效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應(yīng)管集成在一塊硅片上，因此場效應(yīng)管
2018-11-05 17:16:04
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:00 編輯
場效應(yīng)管是一種放大器件元件，而晶體管是場效應(yīng)管元件它是通過改變輸入電壓來控制輸出電流的，它是電壓控制器件，它不吸收信號源電流
2012-07-11 11:36:52
電路功能與優(yōu)勢數(shù)字控制電流源在許多應(yīng)用中至關(guān)重要，如電源管理、電磁閥控制、電機控制、阻抗測量、傳感器激勵和脈搏血氧儀等。本文介紹三種利用 DAC、運算放大器和 MOSFET 晶體管構(gòu)建支持串行接口
2018-10-16 08:45:57
）需要幾毫安才能上電，并且可以由邏輯門輸出驅(qū)動。然而，螺線管、燈和電機等大功率電子設(shè)備比邏輯門電源需要更多的電力。輸入晶體管開關(guān)。 晶體管開關(guān)操作和操作區(qū)域 圖 1 中圖表上的藍色陰影區(qū)域表示飽和
2023-02-20 16:35:09
IGBT是由哪些部分組成的？絕緣柵雙極型晶體管IGBT有哪些特點？如何去使用絕緣柵雙極型晶體管IGBT呢？
2021-11-02 06:01:06
絕緣柵雙極晶體管（IGBT）有哪些應(yīng)用呢？如何去實現(xiàn)絕緣柵雙極晶體管（IGBT）的電磁兼容設(shè)計呢？
2022-01-14 07:02:41
轉(zhuǎn)電阻為零，則表示短路。 2. 晶體晶體管測試方法 ● 測試放大能力 晶體晶體管主要用于放大，那么我們?nèi)绾闻袛嗨?b class="flag-6" style="color: red">放大能力呢？ 首先，將萬用表的齒輪設(shè)置為 R × 100 或 R ×1K。當我
2023-02-14 18:04:16
。當晶體管的驅(qū)動電壓突變?yōu)?時，還是因為電容電壓不能突變，CB兩端的電壓加到VT1的發(fā)射結(jié)上，可以形成很大的反向基極抽取電流，使VT1迅速關(guān)閉并進入問題。 加速電路二 在加速電路二中，高速
2020-11-26 17:28:49
晶體管的穩(wěn)態(tài)操作在很大程度上取決于其基極電流，集電極電壓和集電極電流值，因此，如果晶體管要正確地用作線性放大器，則必須在其工作點周圍適當偏置。建立正確的工作點需要選擇偏置電阻器和負載電阻器，以提供
2020-11-12 09:18:21
來至網(wǎng)友的提問：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
減小勢壘電容）和減小基極反向偏壓的大小（以使得發(fā)射結(jié)能夠盡快能進入正偏而開啟晶體管）；而從晶體管使用來說，可以增大輸入基極電流脈沖的幅度，以加快對結(jié)電容的充電速度（但如果該基極電流太大，則將使晶體管在
2019-09-22 08:00:00
減小勢壘電容）和減小基極反向偏壓的大小（以使得發(fā)射結(jié)能夠盡快能進入正偏而開啟晶體管）；而從晶體管使用來說，可以增大輸入基極電流脈沖的幅度，以加快對結(jié)電容的充電速度（但如果該基極電流太大，則將使晶體管在
2019-08-19 04:00:00
探討中此IO即為絕對最大額定值。GI和hFE的區(qū)別hFE: 作為晶體管的直流電流增幅率GI: 作為數(shù)字晶體管的直流電流增幅率解說GI和hFE都表示發(fā)射極接地直流電流放大率。數(shù)字晶體管是指普通晶體管上連接
2019-04-22 05:39:52
標記為IO。因此電路設(shè)計探討中此IO即為絕對最大額定值。GI和hFE的區(qū)別hFE: 作為晶體管的直流電流增幅率GI: 作為數(shù)字晶體管的直流電流增幅率解說GI和hFE都表示發(fā)射極接地直流電流放大率。數(shù)字
2019-04-09 21:49:36
放大器設(shè)計中非常重要，因為它建立了準備好接收信號的晶體管放大器的正確工作點，從而減少了輸出信號的任何失真。我們還看到，可以在這些輸出特性曲線上繪制靜態(tài)或直流負載線，以顯示晶體管從完全“接通”到完全
2020-11-02 09:25:24
流過晶體管的大部分基極電流通過D1被旁路掉了，這時候流過晶體管的基極電流非常小，所以可以認為這時晶體管的導(dǎo)通狀態(tài)很接近截止狀態(tài)。如下圖，上面的B點的波形，下面的是A點的波形，可以看出來，晶體管由導(dǎo)通到
2023-02-09 15:48:33
有沒有負觸發(fā)導(dǎo)通正的晶體管呢？哪位大神知道請賜教。謝謝啦！
2023-03-31 11:47:46
晶體管的半導(dǎo)體的電流由空穴（正極性）和電子（負極性）產(chǎn)生。一般而言的晶體管是指這種由硅構(gòu)成的晶體管。FETField Effect Transistor的簡稱，是指場效應(yīng)晶體管。有接合型FET和MOS型
2019-05-05 01:31:57
LLC的效率和損耗數(shù)據(jù)。對于500KHz，變壓器、電感器和SR晶體管等其他元件的損耗擊穿應(yīng)該相同，關(guān)鍵損耗差異來自初級側(cè)晶體管。雖然LLC轉(zhuǎn)換器可以實現(xiàn)導(dǎo)通的ZVS，但隨著初級磁化電流的增強，開關(guān)
2023-02-27 09:37:29
如何用晶體管搭建一個放大電路，要求輸入為1V，輸出至少放大一倍，這么大的輸入怎么做到不失真呢？
2016-06-11 16:17:59
電子產(chǎn)品中，近年來逐漸被晶體管和集成電路所取代，但目前在一些高保真音響器材中，仍然使用電子管作為音頻功率放大器件。 而晶體管是一種固體半導(dǎo)體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制和許多
2016-01-26 16:52:08
件，二場效應(yīng)晶體管是電壓控制器件。一、晶體三極管：用于電壓放大或者電路放大的控制器件。可以把基極和集電極的間的電壓Vbc放大到幾十到幾百倍以上，在發(fā)射集和集電極之間以Vce的方式輸出;還可以把基極電流
2019-03-27 11:36:30
2000一5000（α＝0.995-0.9998）。 是以P型襯底作為集電極，因此只有集成元器件之間采用PN結(jié)隔離槽的集成電路才能制作這種結(jié)構(gòu)的管子。由于這種結(jié)構(gòu)管子的載流子是沿著晶體管斷面的垂直
2019-04-30 06:00:00
的比值，使其成為一個跨導(dǎo)器件，IGBT 也是如此。然后我們可以把 IGBT 看作是由 MOSFET 提供基極電流的功率 BJT。絕緣柵雙極性晶體管可以用在小信號放大電路中，與 BJT 或 MOSFET
2022-04-29 10:55:25
頻率特性變化的密勒效應(yīng)，再比如基于晶體管的負反饋、差分放大電路的設(shè)計。這些內(nèi)容如果認真的去看《晶體管電路設(shè)計》，同時結(jié)合李老師的電路板進行實際的電路搭建和測試分析，相信每一個位用心的同學(xué)都會有或多或少的收獲
2016-06-03 18:29:59
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