科銳首席執行官Gregg Lowe表示:“英飛凌具有很好的美譽度,是我們長期且優質的商業伙伴。這項協議的簽署,體現了科銳SiC碳化硅晶圓片技術的高品質和我們的產能擴充,同時將加速SiC碳化硅基方案更為廣泛的采用,這對于實現更快、更小、更輕、更強大的電子系統至關重要。”
2018-04-04 09:00:597450 電子發燒友訊 11月20日消息,科銳(Cree)和意法半導體(ST)將多年的碳化硅晶圓供應協議擴展至超過5億美元。該擴展使Cree先進的150mm碳化硅裸片和外延片原始協議的價值翻了一番,并將在幾年
2019-11-20 10:04:106045 的各種碳化硅(SiC)材料的供應安全。 ? 據了解,碳化硅是高效而強大的功率半導體,尤其是光伏、工業電源和電動汽車充電基礎設施等領域半導體不可或缺的基礎材料。雙方達成的這一協議意味著,為滿足日益增長的半導體需求,英飛凌給必不可少的SiC基材爭取到更多的回旋余地。 ? 該公司工業
2021-05-07 10:58:401576 碳化硅(SiC)具有禁帶寬度大、擊穿電場強度高、飽和電子漂移速度高、熱導率大、介電常數小、抗輻射能力強、化學穩定性良好等特點,被認為是制作高溫、高頻、大功率和抗輻射器件極具潛力的寬帶隙半導體材料
2020-09-24 16:22:14
PN結器件優越的指標是正向導通電壓低,具有低的導通損耗。 但硅肖特基二極管也有兩個缺點,一是反向耐壓VR較低,一般只有100V左右;二是反向漏電流IR較大。 二、碳化硅半導體材料和用它制成的功率
2019-01-11 13:42:03
碳化硅MOSFET開關頻率到100Hz為什么波形還變差了
2015-06-01 15:38:39
應用,處理此類應用的唯一方法是使用IGBT器件。碳化硅或簡稱SiC已被證明是一種材料,可以用來構建類似MOSFET的組件,使電路具有比以往IGBT更高的效率。如今,SiC受到了很多關注,不僅因為它
2023-02-24 15:03:59
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實驗(SCT)表現。具體而言,該實驗的重點是在不同條件下進行專門的實驗室測量,并借助一個穩健的有限元法物理模型來證實和比較測量值,對短路行為的動態變化進行深度評估。
2019-08-02 08:44:07
應用領域。更多規格參數及封裝產品請咨詢我司人員!附件是海飛樂技術碳化硅二極管選型表,歡迎大家選購!碳化硅(SiC)半導體材料是自第一代元素半導體材料(Si、Ge)和第二代化合物半導體材料(GaAs
2019-10-24 14:21:23
由于碳化硅具有不可比擬的優良性能,碳化硅是寬禁帶半導體材料的一種,主要特點是高熱導率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等,因此被應用于各種半導體材料當中,碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關管
2020-06-28 17:30:27
的碳化硅壓敏電阻由約90%的不同晶粒尺寸的碳化硅和10%的陶瓷粘合劑和添加劑制成。將原材料制成各種幾何尺寸的壓敏電阻,然后在特定的大氣和環境條件下在高溫下燒結。然后將一層黃銅作為電觸點噴上火焰。其他標準
2024-03-08 08:37:49
進一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來聊聊碳化硅器件的特點
2021-03-16 08:00:04
碳化硅(SiC)即使在高達1400℃的溫度下,仍能保持其強度。這種材料的明顯特點在于導熱和電氣半導體的導電性極高。碳化硅化學和物理穩定性,碳化硅的硬度和耐腐蝕性均較高。是陶瓷材料中高溫強度好的材料
2021-01-12 11:48:45
大量采用持續穩定的線路板;在引擎室中,由于高溫環境和LED 燈源的散熱要求,現有的以樹脂、金屬為基材的電路板不符合使用要求,需要散熱性能更好碳化硅電路板,例如斯利通碳化硅基板;在高頻傳輸與無線雷達偵測
2020-12-16 11:31:13
電磁性。因碳化硅是一種共價鍵化合物,原子間結合的鍵很強,它具有以下一些獨特的性能,因而得以廣泛應用。1)高熔點。關于碳化硅熔點的數據.不同資料取法不一,有2100℃。2)高硬度。碳化硅是超硬度的材料之一
2019-07-04 04:20:22
硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC),俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在,但十分稀少。不過,自1893 年以來,粉狀碳化硅已被大量生產用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現在比較好的材料,為什么應用的領域會受到部分限制呢?
2021-08-19 17:39:39
01 碳化硅材料特點及優勢 碳化硅作為寬禁帶半導體的代表性材料之一,其材料本征特性與硅材料相比具有諸多優勢。以現階段最適合用于做功率半導體的4H型碳化硅材料為例,其禁帶寬度是硅材料的3倍
2023-02-28 16:55:45
碳化硅作為一種寬禁帶半導體材料,比傳統的硅基器件具有更優越的性能。碳化硅的寬禁帶(3.26eV)、高臨界場(3×106V/cm)和高導熱系數(49W/mK)使功率半導體器件效率更高,運行速度更快
2023-02-28 16:34:16
用于一些高壓、高溫、高效率及高功率密度的應用場合。碳化硅(SiC)材料因其優越的物理特性,開始受到人們的關注和研究。自從碳化硅1824年被瑞典科學家Jns Jacob Berzelius發現以來,直到
2021-03-25 14:09:37
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅動芯片有幾款,型號是什么
2020-03-05 09:30:32
SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11
項目名稱:基于碳化硅功率器件的永磁同步電機先進驅動技術研究試用計劃:申請理由:碳化硅作為最典型的寬禁帶半導體材料,近年來被越來越廣泛地用于高頻高溫的工作場合。為了提高永磁同步電機伺服控制系統的性能
2020-04-21 16:04:04
什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?碳化硅(SiC)的結構是如何構成的?
2021-06-18 08:32:43
傳統的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導體電力電子器件的誕生,以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
本文重點介紹賽米控碳化硅在功率模塊中的性能,特別是SEMITRANS 3模塊和SEMITOP E2無基板模塊。 分立器件(如 TO-247)是將碳化硅集成到各種應用中的第一步,但對于更強大和更
2023-02-20 16:29:54
的混合碳化硅分立器件(Hybrid SiC Discrete Devices)將新型場截止IGBT技術和碳化硅肖特基二極管技術相結合,為硬開關拓撲打造了一個兼顧品質和性價比的完美方案。 該器件將傳統
2023-02-28 16:48:24
技術需求的雙重作用,導致了對于可用于構建更高效和更緊湊電源解決方案的半導體產品擁有巨大的需求。這個需求寬帶隙(WBG)技術器件應運而生,如碳化硅場效應管(SiC MOSFET) 。它們能夠提供設計人
2023-03-14 14:05:02
用碳化硅MOSFET設計一個雙向降壓-升壓轉換器
2021-02-22 07:32:40
的發展趨勢,對 SiC 器件封裝技術進行歸納和展望。近20多年來,碳化硅(Silicon Carbide,SiC)作為一種寬禁帶功率器件,受到人們越來越多的關注。與硅相比,碳化硅具有很多優點,如:碳化硅
2023-02-22 16:06:08
新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問題,解決各行業遇到的各種芯片散熱問題,如果你有類似的困惑,歡迎前來探討,鋁碳化硅做封裝材料的優勢它有高導熱,高剛度,高耐磨,低膨脹,低密度,低成本,適合各種產品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問題及時交流,謝謝各位!
2016-10-19 10:45:41
硅IGBT與碳化硅MOSFET驅動兩者電氣參數特性差別較大,碳化硅MOSFET對于驅動的要求也不同于傳統硅器件,主要體現在GS開通電壓、GS關斷電壓、短路保護、信號延遲和抗干擾幾個方面,具體如下
2023-02-27 16:03:36
面向電動汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動汽車應用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優的性能,特別是在800 V 電池系統和大電池容量中,它可提高逆變器的效率,從而延長續航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16
是寬禁帶半導體材料的一種,主要特點是高熱導率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等,因此被應用于各種半導體材料當中,碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關管。功率二極管包括結勢壘肖特基(JBS)二極管
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術去刻蝕碳化硅,采用的是ICP系列設備,刻蝕氣體使用的是SF6+O2,碳化硅上面沒有做任何掩膜,就是為了去除SiC表面損傷層達到表面改性的效果。但是實際刻蝕過程中總是會在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。 碳化硅又稱碳硅石。在當
2018-01-03 09:48:4819904 具體來說,在新能源發電系統中,采用碳化硅技術能夠達到的更高的效率意味著其能夠更早地替代傳統的石化燃料發電。英飛凌為光伏串組串逆變器的升壓和逆變部分提供量身定制的模塊系列,可以提升的逆變器效率和性能。在充電樁應用中,英飛凌的全碳化硅解決方案大幅提升功率密度,從而使充電設備變得更加輕巧便捷。
2018-05-04 09:05:019155 近日Cree科銳宣布,其與意法半導體簽署了一份多年供貨協議,為意法半導體生產和供應其Wolfspeed碳化硅(SiC)晶圓。
2019-01-11 16:21:504432 科銳(Nasdaq: CREE)宣布與意法半導體(NYSE: STM)簽署多年協議,將為意法半導體STMicroelectronics生產和供應Wolfspeed碳化硅(SiC)晶圓片。
2019-01-14 15:24:583929 科銳(Nasdaq: CREE)宣布與意法半導體(NYSE: STM)簽署多年協議,將為意法半導體STMicroelectronics生產和供應Wolfspeed碳化硅(SiC)晶圓片。
2019-01-15 10:26:284098 第三代半導體材料碳化硅的發展在功率器件市場成為絕對的焦點。全球功率器件龍頭廠商英飛凌持續投入碳化硅器件的研發生產,并打入多個應用市場。日前,在英飛凌科技舉辦的媒體見面會上,該公司大中華區工業功率控制事業部副總裁于代輝和工業功率控制事業部總監馬國偉博士介紹了英飛凌碳化硅SiC市場的最新進展。
2019-07-02 16:33:216460 意法半導體與羅姆集團旗下的SiCrystal公司簽署一了份碳化硅(SiC)晶圓長期供應協議。
2020-01-17 09:07:481306 碳化硅(SiC)半導體材料是自第一代元素半導體材料(Si、Ge)和第二代化合物半導體材料(GaAs、GaP、InP等)之后發展起來的第三代半導體材料。
2020-10-02 18:20:0012091 英飛凌科技股份公司與GT Advanced Technologies(GTAT)已經簽署碳化硅(SiC)晶棒供貨協議,合同預期五年。
2020-11-13 11:48:48992 碳化硅器件總成本的50%,外延、晶圓和封裝測試成本分別為25%、20%和5%。碳化硅材料的可靠性對最終器件的性能有著舉足輕重的意義,基本半導體從產業鏈各環節探究材料特性及缺陷產生的原因,與上下游企業協同合作提升碳化硅功率器件
2021-08-16 10:46:405267 碳化硅正被用于多種電力應用。ROHM 與意法半導體之間的協議將增加其在行業中的廣泛采用。 汽車和工業市場都在加速采用SiC 材料的能源解決方案。制造碳化硅 (SiC) 晶圓的過程比制造硅晶圓要復雜
2022-07-28 17:05:011904 【2022年9月19日,德國慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)與高意集團 (納斯達克代碼:IIVI)簽署了一份多年期碳化硅(SiC)晶圓供應協議
2022-09-20 11:39:12591 移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中RF 解決方案的領先供應商 Qorvo, Inc.(納斯達克代碼:QRVO)與半導體晶圓制造商 SK Siltron CSS 今日宣布,雙方已簽署一份多年期的碳化硅 (SiC) 裸片和外延片供應協議。
2022-11-09 10:53:29549 碳化硅原理是什么 碳化硅,是一種無機物,化學式為SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物
2023-02-02 14:50:021981 碳化硅技術龍頭企業 碳化硅市場格局 碳化硅產業鏈分為SiC襯底、EPI外延片、器件、模組等環節,目前全球碳化硅市場基本被國外壟斷,根據Yole數據顯示,Cree、英飛凌、羅姆約占據了90%的SiC
2023-02-02 15:02:543931 當地時間12日,英飛凌宣布,正在擴大與碳化硅(SiC)供應商合作,已與Resonac簽署一份新采購合作長單,補充并擴大了雙方2021年簽訂的合同。
2023-02-02 15:19:54230 對新材料探索的腳步便從未停止。碳化硅作為一種寬禁帶半導體材料,屬于第三代半導體材料,其禁帶寬度高達3.0eV,相比第一代半導體材料硅,碳化硅的禁帶寬度是硅的3倍;導熱率為硅的4-5倍;擊穿電壓為硅的8倍;電子飽和漂移速率為硅
2023-02-02 17:39:092602 碳化硅作為寬禁帶半導體的代表性材料之一,其材料本征特性與硅材料相比具有諸多優勢。以現階段最適合用于做功率半導體的4H型碳化硅材料為例,其禁帶寬度是硅材料的3倍,熱導率是硅材料的3倍,電子飽和漂移速率是硅的2倍,臨界擊穿場強更是硅的10倍。
2023-02-03 14:40:411859 碳化硅技術壁壘分析:碳化硅技術壁壘是什么 碳化硅技術壁壘有哪些 碳化硅芯片不僅是一個新風口,也是一個很大的挑戰,那么我們來碳化硅技術壁壘分析下碳化硅技術壁壘是什么?碳化硅技術壁壘
2023-02-03 15:25:163637 碳化硅,是一種無機物,化學式為SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。在C、N、B等非氧化物
2023-02-03 16:11:352997 制造商,此次與Resonac Corporation(原昭和電工)簽署了全新的多年期供應和合作協議。早在2021年,雙方就曾簽署合作協議,此次的合作是在該基礎上的進一步豐富和擴展,將深化雙方在SiC材料領域的長期合作伙伴關系。協議顯示,英飛凌未來十年用于生產SiC半導體的SiC材料中,約占兩位數
2023-02-09 17:51:29535 碳化硅是目前應用最為廣泛的第三代半導體材料,由于第三代半導體材料的禁帶寬度大于2eV,因此一般也會被稱為寬禁帶半導體材料,除了寬禁帶的特點外,碳化硅半導體材料還具有高擊穿電場、高熱導率、高飽和電子
2023-02-12 15:12:32933 電機碳化硅技術是一種利用碳化硅材料制作電機的技術,它是利用碳化硅材料的特性,如高熱導率、高電阻率、低摩擦系數等,來提高電機的效率、耐久性和可靠性,從而降低電機的成本。
2023-02-16 17:54:004556 我們拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件:碳化硅二極管和碳化硅MOSFET展開說明。碳和硅進過化合先合成碳化硅,然后碳化硅打磨成為粉末,碳化硅粉末經過碳化硅單晶生長成為碳化硅晶錠;碳化硅
2023-02-21 10:04:111693 意法半導體(ST)宣布與采埃孚科技集團公司(ZF)簽署碳化硅器件長期供應協議。從 2025 年起,采埃孚將從意法半導體采購碳化硅器件。
2023-04-26 10:18:51930 援引英飛凌科技股份公司2023年5月3日官網消息: 【英飛凌公司正推動其碳化硅(SiC)供應商體系多元化,并與中國碳化硅材料供應商北京天科合達半導體股份有限公司簽訂了一份長期供貨協議,以確保獲得更多
2023-05-04 14:21:06438 碳化硅功率模組有哪些 碳化硅功率器件系列研報深受眾多專業讀者喜愛,本期為番外篇,前五期主要介紹了碳化硅功率器件產業鏈的上中下游,本篇將深入了解碳化硅功率器件的應用市場,以及未來的發展趨勢,感謝各位
2023-05-31 09:43:20390 碳化硅二極管是什么 碳化硅二極管是一種半導體器件,它由碳化硅材料制成。碳化硅具有高的耐壓能力和高的溫度耐受性,因此碳化硅二極管具有較低的反向漏電流、高溫下穩定性良好、響應速度快等特點,廣泛用于高功率、高頻率、高溫、高壓等領域,如電源、變頻器、太陽能、電動汽車等。
2023-06-02 14:10:32747 電氣化的強勁增長 除了產能投資外,兩家公司還將在進一步 優化主驅逆變器系統 方面達成合作 緯湃科技(Vitesco Technologies) 和 安森美(onsemi) 今天宣布了一項價值19億美元(17.5億歐元)的 碳化硅產品10年期供應協議 ,以實現緯湃科技在電氣化技術方面的提升。緯
2023-06-02 19:55:01348 緯湃科技首席執行官Andreas Wolf說:“高能效碳化硅功率半導體正處于需求量激增的起步階段。因此我們必須與安森美一起打造完整的碳化硅價值鏈。通過這項投資,我們在未來十年甚至更長時間內都能確保該項關鍵技術的供應。”
2023-06-06 15:03:47602 長達 10 年的供應協議要求 Wolfspeed 自 2025 年向瑞薩電子供應規模化生產的 150mm 碳化硅裸晶圓和外延片,這將強化公司致力于從硅向碳化硅半導體功率器件產業轉型的愿景。
2023-07-06 10:36:37277 / OTCQX: IFNNY)與賽米控丹佛斯簽署了一項多年期批量供應硅基電動汽車芯片的協議。英飛凌將向賽米控丹佛斯供應IGBT和二極管的芯片。采用這些芯片的功率模塊主要用于電動汽車的主驅。 ? 英飛凌汽車事業部總裁Peter Schiefer “作為汽車半導體領域的全球領導者,
2023-07-17 15:33:06317 碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優良電氣特性,突破硅基半導體材料物理限制,是第三代半導體核心材料。碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化鎵射頻器件和碳化硅功率器件。受益于5G通信、國防軍工、新能源汽車和新能源光伏等領域的發展,碳化硅需求增速可觀。
2023-08-19 11:45:221042 igbt和碳化硅區別是什么?? IGBT和碳化硅都是半導體器件,它們之間的區別主要體現在以下幾個方面。 一、材料: IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣
2023-08-25 14:50:049049 協議。英飛凌將建設并保留向現代/起亞供應碳化硅及硅功率模塊和芯片的產能直至 2030 年。現代/起亞將出資支持這一產能建設和產能儲備。 ? 英飛凌與現代汽車和起亞簽署了碳化硅(SiC)和硅(Si)功率半導體長期供貨協議 ? 現代汽車集團執行副總裁兼全球戰略辦公室(GSO)負責人 Heung Soo
2023-11-09 14:07:51177 第三代半導體碳化硅材料生產及研究開發企業作為中國電科集團的“12大創新平臺之一,山西爍科晶體有限公司聚焦碳化硅單晶襯底領域,已成為國內實現碳化硅襯底材料供應鏈自主創新的供應商之一。
2023-12-11 10:46:37464 碳化硅(SiC),又名碳化硅,是一種硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻斷電壓能力和低比導通電阻。
2023-12-12 09:47:33456 碳化硅在溫度傳感器中的應用? 碳化硅 (SiC) 是一種廣泛應用于溫度傳感器中的材料。由于其出色的耐高溫和抗腐蝕能力,碳化硅成為了各種工業和高溫環境下的溫度測量領域中的首選材料。在本文中,我們將討論
2023-12-19 11:48:30207 12 月 22 日消息,據意法半導體官微消息,該公司與理想汽車簽署了一項碳化硅(SiC)長期供貨協議。
2023-12-24 10:35:24564 碳化硅(SiC)是一種優良的寬禁帶半導體材料,具有高擊穿電場、高熱導率、低介電常數等特點,因此在高溫、高頻、大功率應用領域具有顯著優勢。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的電力電子器件,主要包括
2024-01-09 09:26:49379 2023年5月,英飛凌與天科合達簽訂了長期協議,以確保獲得更多而且具有競爭力的碳化硅材料供應。天科合達主要為英飛凌供6英寸的碳化硅襯底,同時還將提供8英寸碳化硅材料,助力英飛凌向8英寸SiC晶圓的過渡。
2024-01-11 16:38:33388 英飛凌與韓國SK Siltron子企業SK Siltron CSS最近達成了一項重要協議。根據該協議,SK Siltron CSS將為英飛凌提供6英寸碳化硅(SiC)晶圓,以支持英飛凌在SiC半導體生產方面的需求。
2024-01-17 14:08:35228 )與全球碳化硅技術引領者 Wolfspeed 公司(美國紐約證券交易所上市代碼:WOLF)于今日宣布擴大并延伸現有的長期 150mm 碳化硅晶圓供應協議(原先的協議簽定于 2018 年 2 月)。
2024-01-24 09:51:01240 英飛凌和美國碳化硅制造商Wolfspeed近日共同發表聲明,延長并擴大了已于2018年2月簽訂的150毫米碳化硅晶圓長期供應合同。該合作內容還包含了一份多年的產能預留協議。
2024-01-24 14:26:31302 1月23日,山東有研硅半導體表示已與山東粵海金于1月17日正式簽署了《碳化硅襯底片業務合作協議》,該協議旨在充分發揮雙方各自優勢,創新業務合作模式,共同拓展碳化硅襯底片市場與客戶。
2024-01-29 14:36:57459 技術領域的領導者Wolfspeed(NYSE代碼:WOLF)近日宣布擴展并延長雙方最初于2018年2月簽署的150mm碳化硅晶圓長期供應協議。經過此次擴展,雙方的合作又新增了一項多年期產能預訂協議。這不僅有助于提升英飛凌總體供應鏈的穩定性,還能幫助滿足汽車、太陽能和電動汽車應用以及儲
2024-01-30 14:19:1677 協議。這份協議最初簽訂于2018年2月(當時Wolfspeed以Cree的名字為人所知)。擴展的合作包括一個多年的產能預留協議。這對英飛凌的供應鏈穩定性至關重要,也考慮到了碳化硅半導體產品在汽車、太陽能、電動車(EV)應用以及能源存儲系統越來越大的需求。 英飛凌的
2024-01-30 17:06:00180 英飛凌科技與Wolfspeed近日宣布,將擴展并延長雙方最初于2018年2月簽署的150mm碳化硅晶圓長期供應協議。這一合作旨在滿足不斷增長的市場需求,并提升英飛凌供應鏈的穩定性。
2024-01-31 17:31:14442 英飛凌科技與Wolfspeed宣布,將擴展并延長他們最初于2018年2月簽署的150mm碳化硅晶圓長期供應協議。經過這次擴展,雙方的合作新增了一項多年期產能預訂協議。這一合作不僅有助于提升英飛凌總體供應鏈的穩定性,還能滿足汽車、太陽能和電動汽車應用以及儲能系統對碳化硅半導體產品日益增長的需求。
2024-02-02 10:35:33334 電子發燒友網報道(文/梁浩斌)近期國內碳化硅襯底供應商陸續獲得海外大廠的訂單,4月底,天岳先進在2022年年報中披露去年公司與博世集團簽署了長期協議,公司將為博世供應碳化硅襯底產品
2023-05-06 01:20:002328 上漲。 ? 近期,包括羅姆、安森美、Wolfspeed、博世、三安光電、天岳先進等國內外企業紛紛披露碳化硅項目最新進展,其中多起投資金額超百億元人民幣。就在這幾日,市場消息顯示,瑞薩電子與Wolfspeed簽署10年碳化硅晶圓供應協議,碳化
2023-07-07 01:15:00943
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