65W氮化鎵電源原理圖
2022-10-04 22:09:30
氧化鎵是一種新型超寬禁帶半導體材料,是被國際普遍關注并認可已開啟產業化的第四代半導體材料。與碳化硅、氮化鎵等第三代半導體相比,氧化鎵的禁帶寬度遠高于后兩者,其禁帶寬度達到4.9eV,高于碳化硅
2023-03-15 11:09:59
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應用
2023-06-19 12:05:19
的存在。1875年,德布瓦博德蘭(Paul-émile Lecoq de Boisbaudran)在巴黎被發現鎵,并以他祖國法國的拉丁語 Gallia (高盧)為這種元素命名它。純氮化鎵的熔點只有30
2023-06-15 15:50:54
的PowiGaN方案具有高集成度、易于工廠開發的特點;納微半導體的GaNFast方案則可以通過高頻實現充電器的小型化和高效率(小米65W也是采用此方案)。對于氮化鎵快充普及浪潮的來臨,各大主流電商及電源廠
2020-03-18 22:34:23
的挑戰絲毫沒有減弱。氮化鎵(GaN)等新技術有望大幅改進電源管理、發電和功率輸出的諸多方面。預計到2030年,電力電子領域將管理大約80%的能源,而2005年這一比例僅為30%1。這相當于30億千瓦時以上
2020-11-03 08:59:19
的選擇。 生活更環保 為了打破成本和大規模采用周期,一種新型功率半導體技術需要解決最引人注目應用中現有設備的一些缺點。氮化鎵為功率調節的發展創造了機會,使其在高電壓應用中的貢獻遠遠超越硅材料。用于
2018-11-20 10:56:25
在所有電力電子應用中,功率密度是關鍵指標之一,這主要由更高能效和更高開關頻率驅動。隨著基于硅的技術接近其發展極限,設計工程師現在正尋求寬禁帶技術如氮化鎵(GaN)來提供方案。
2020-10-28 06:01:23
技術迭代。2018 年,氮化鎵技術走出實驗室,正式運用到充電器領域,讓大功率充電器迅速小型化,體積僅有傳統硅(Si)功率器件充電器一半大小,氮化鎵快充帶來了充電器行業變革。但作為新技術,當時氮化鎵
2022-06-14 11:11:16
現在越來越多充電器開始換成氮化鎵充電器了,氮化鎵充電器看起來很小,但是功率一般很大,可以給手機平板,甚至筆記本電腦充電。那么氮化鎵到底是什么,氮化鎵充電器有哪些優點,下文簡單做個分析。一、氮化鎵
2021-09-14 08:35:58
氮化鎵功率半導體技術解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
橋式拓撲結構中放大了氮化鎵的頻率、密度和效率優勢,如主動有源鉗位反激式(ACF)、圖騰柱PFC 和 LLC(CrCM 工作模式)。隨著硬開關拓撲結構向軟開關拓撲結構的轉變,初級 FET 的一般損耗方程可以被最小化。更新后的簡單方程使效率在 10 倍的高頻率下得到改善。
2023-06-15 15:35:02
更小:GaNFast? 功率芯片,可實現比傳統硅器件芯片 3 倍的充電速度,其尺寸和重量只有前者的一半,并且在能量節約方面,它最高能節約 40% 的能量。
更快:氮化鎵電源 IC 的集成設計使其非常
2023-06-15 15:32:41
。氮化鎵的性能優勢曾經一度因高成本而被抵消。最近,氮化鎵憑借在硅基氮化鎵技術、供應鏈優化、器件封裝技術以及制造效率方面的突出進步成功脫穎而出,成為大多數射頻應用中可替代砷化鎵和 LDMOS 的最具成本
2017-08-15 17:47:34
本文展示氮化鎵場效應晶體管并配合LM5113半橋驅動器可容易地實現的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
從將PC適配器的尺寸減半,到為并網應用創建高效、緊湊的10 kW轉換,德州儀器為您的設計提供了氮化鎵解決方案。LMG3410和LMG3411系列產品的額定電壓為600 V,提供從低功率適配器到超過2 kW設計的各類解決方案。
2019-08-01 07:38:40
封裝技術的效率。三維散熱是GaN封裝的一個很有前景的選擇。
生活更環保
為了打破成本和大規模采用周期,一種新型功率半導體技術需要解決最引人注目應用中現有設備的一些缺點。氮化鎵為功率調節的發展創造了機會
2019-03-14 06:45:11
激光器是20世紀四大發明之一,半導體激光器是采用半導體芯片加工工藝制備的激光器,具有體積小、成本低、壽命長等優勢,是應用最多的激光器類別。氮化鎵激光器(LD)是重要的光電子器件,基于GaN材料
2020-11-27 16:32:53
氮化鎵電源設計從入門到精通,這個系列直播共分為八講,本篇第六講將為您介紹EMC優化和整改技巧,助您完成電源工程師從入門到精通的蛻變。前期回顧(點擊下方內容查看上期直播):- 第一講:元器件選型
2021-12-29 06:31:58
和意法半導體今天聯合宣布將硅基氮化鎵技術引入主流射頻市場和應用領域的計劃,這標志著氮化鎵供應鏈生態系統的重要轉折點,未來會將MACOM的射頻半導體技術實力與ST在硅晶圓制造方面的規模化和出色運營完美結合
2018-08-17 09:49:42
GaN如何實現快速開關?氮化鎵能否實現高能效、高頻電源的設計?
2021-06-17 10:56:45
氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵(GaN)是一種寬帶隙半導體材料。 當用于電源時,GaN 比傳統硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
高壓硅二極管具有低正向傳導壓降,但由于其反向恢復行為,會在功率轉換器中造成顯著的動態損耗。與硅相比,SiC二極管的反向恢復行為可以忽略不計,但確實表現出更高的體電容和更大的正向傳導降。由于砷化鎵技術
2023-02-22 17:13:39
砷化鎵銦微光顯微鏡(InGaAs)與微光顯微鏡(EMMI)其偵測原理相同,都是用來偵測故障點定位,尋找亮點、熱點(Hot Spot)的工具,其原理都是偵測電子-電洞結合與熱載子所激發出的光子。差別
2018-10-24 11:20:30
AN011: NV612x GaNFast功率集成電路(氮化鎵)的熱管理
2023-06-19 10:05:37
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產品相比,這些GaN內部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵
2024-01-19 09:27:13
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)在碳化硅(SiC)基板上。 該GaN內部匹配(IM)FET與其他技術相比,具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
Cree的CMPA801B025是氮化鎵(GaN)高電子遷移率基于晶體管(HEMT)的單片微波集成電路(MMIC)。 氮化鎵與硅或砷化鎵相比具有更好的性能,包括更高的擊穿電壓,更高的飽和電子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
深圳市尊信電子技術有限公司專業開發設計電子產品方案鈺泰,智融,賽芯微一級代理吉娜:*** 微信:mphanfan歡迎行業客戶聯系,獲取datasheet、報價、樣片等更多產品信息氮化鎵技術的普及,使
2021-11-28 11:16:55
GaN功率半導體(氮化鎵)的系統集成優勢
2023-06-19 09:28:46
襯底上GaN基外延材料生長及雜質缺陷研究的成果,首次提供了在C摻雜半絕緣氮化鎵中取代C原子占據N位點的明確證據。中科院半導體所張翔帶來了關于石墨烯提升氮化鋁核化以及高質量氮化鋁薄膜外延層的報告,分享了該
2018-11-05 09:51:35
本帖最后由 kuailesuixing 于 2018-2-28 11:36 編輯
整合意法半導體的制造規模、供貨安全保障和電涌耐受能力與MACOM的硅上氮化鎵射頻功率技術,瞄準主流消費
2018-02-12 15:11:38
,尤其是2010年以后,MACOM開始通過頻繁收購來擴充產品線與進入新市場,如今的MACOM擁有包括氮化鎵(GaN)、硅鍺(SiGe)、磷化銦(InP)、CMOS、砷化鎵等技術,共有40多條生產線
2017-09-04 15:02:41
多個方面都無法滿足要求。在基站端,由于對高功率的需求,氮化鎵(GaN)因其在耐高溫、優異的高頻性能以及低導通損耗、高電流密度的物理特性,是目前最有希望的下一代通信基站功率放大器(PA)芯片材料。5G采用
2017-07-18 16:38:20
測試背景地點:國外某知名品牌半導體企業,深圳氮化鎵實驗室測試對象:氮化鎵半橋快充測試原因:因高壓差分探頭測試半橋上管Vgs時會炸管,需要對半橋上管控制信號的具體參數進行摸底測試測試探頭:麥科信OIP
2023-01-12 09:54:23
)1.1脈沖條件脈沖寬度:120μsec,占空比10%筆記Tc(op)= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:14:59
)1.1脈沖條件脈沖寬度:120μsec,占空比10%筆記Tc(op)= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:24:16
功率增益13 dB的增益和55%的功率附加效率在1 dB壓縮。這種性能使tgf2040適合高效率的應用。帶有氮化硅的保護層提供了環境魯棒性和劃痕保護級別。產品型號:TGF2040產品名稱:砷化鎵晶體管
2018-07-18 12:00:19
TGF2160砷化鎵晶體管產品介紹TGF2160報價TGF2160代理TGF2160咨詢熱線TGF2160現貨,王先生 深圳市首質誠科技有限公司. TGF2160離散的1600微米pHEMT由DC至
2018-07-19 10:35:47
由于換了三星手機,之前的充電器都不支持快充了,一直想找一款手機電腦都能用的快充充電器,「倍思GaN2 Pro氮化鎵充電器」就是這樣一款能滿足我的充電器,這篇文章就來說下這款充電器的選購過程
2021-09-14 08:28:31
Canaccord Genuity預計,到2025年,電動汽車解決方案中每臺汽車的半導體構成部分將增加50%或更多。本文將探討氮化鎵(GaN)電子器件,也涉及到一點碳化硅(SiC),在不增加汽車成本的條件下
2018-07-19 16:30:38
氮化鎵(GaN)的重要性日益凸顯,增加。因為它與傳統的硅技術相比,不僅性能優異,應用范圍廣泛,而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發和應用中,傳統硅器件在能量轉換方面,已經達到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
。
在器件層面,根據實際情況而言,歸一化導通電阻(RDS(ON))和柵極電荷(QG)乘積得出的優值系數,氮化鎵比硅好 5 倍到 20 倍。通過采用更小的晶體管和更短的電流路徑,氮化鎵充電器將能實現了
2023-06-15 15:53:16
V,并且氮化鎵耐電壓小于1000 V。正是由于這些區別,使得功率半導體廠商與研究開發廠商之間產生了一種“無聲的默契”。但是,以上所說的改變是非常有可能的。因為氮化鎵可以極大地減少晶片的缺陷(錯位)密度
2023-02-23 15:46:22
氮化鎵(GaN)功率芯片,將多種電力電子器件整合到一個氮化鎵芯片上,能有效提高產品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中,氮化鎵功率芯片,能令先進的電源轉換拓撲結構,從學術概念和理論達到
2023-06-15 14:17:56
通過SMT封裝,GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現氮化鎵器件、驅動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
兩年多前,德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵(GaN)功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率,且易于設計,帶集成柵極驅動和穩健的器件保護。從那時起,我們就致力于利用這項尖端技術將功率級
2020-10-27 09:28:22
氮化鎵南征北戰縱橫半導體市場多年,無論是吊打碳化硅,還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強和良好的化學穩定性等優越性質,確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
氮化鎵,由鎵(原子序數 31)和氮(原子序數 7)結合而來的化合物。它是擁有穩定六邊形晶體結構的寬禁帶半導體材料。禁帶,是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量,氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV,是硅
2023-06-15 15:41:16
=rgb(51, 51, 51) !important]射頻氮化鎵技術是5G的絕配,基站功放使用氮化鎵。氮化鎵(GaN)、砷化鎵(GaAs)和磷化銦(InP)是射頻應用中常用的半導體材料。[color
2019-07-08 04:20:32
圖片所示,列出了幾個廠家,基本上都是歐美的。國產有哪些品牌也在做?3.硅、碳化硅、氮化鎵這三種材料其實是各有優缺點,傳統的硅組件不一定都是缺點。他們三之間有哪些優缺點呢?(百度的東西不夠系統全面,都是很散的回復,而且有些論文羅里吧嗦講了很多,沒說重點,不夠簡潔)
2021-09-23 15:02:11
客戶測試后再進行下一步溝通。作為光隔離探頭的提供方,麥科信工程師對測試過程提供了技術支持。測試背景:3C消費類產品,其電源采用氮化鎵(GaN)半橋方案。測試目的:氮化鎵半橋上下管的Vgs及Vds,分析
2023-02-01 14:52:03
高頻150W PFC-LLC與GaN功率ic(氮化鎵)
2023-06-19 08:36:25
砷化鎵功率二極管是寬帶隙半導體器件,其性能僅為碳化硅(SiC)的70%左右。本文對10kW LLC轉換器中GaAs、SiC和超快硅二極管的性能進行基準測試,該轉換器也常用于高效電動汽車充電
2023-02-21 16:27:41
和優化、EMC優化和整改技巧、可靠性評估和分析。第一步:元器件選型對于工程師來說,GaN元器件相較于傳統的MOSFET而言有很多不同和優勢,但在設計上也帶來一定挑戰。課程從硅、砷化鎵、碳化硅、氮化鎵
2020-11-18 06:30:50
如何帶工程師完整地設計一個高效氮化鎵電源,包括元器件選型、電路設計和PCB布線、電路測試和優化技巧、磁性元器件的設計和優化、環路分析和優化、能效分析和優化、EMC優化和整改技巧、可靠性評估和分析。
2021-06-17 06:06:23
我經常感到奇怪,我們的行業為什么不在加快氮化鎵 (GaN) 晶體管的部署和采用方面加大合作力度;畢竟,大潮之下,沒人能獨善其身。每年,我們都看到市場預測的前景不太令人滿意。但通過共同努力,我們就能
2022-11-16 06:43:23
如何實現小米氮化鎵充電器是一個c to c 的一個充電器拯救者Y7000提供了Type-c的端口,但這個口不可以充電,它是用來轉VGA,HDMI,DP之類了,可以外接顯示器,拓展塢之類的。要用氮化鎵
2021-09-14 06:06:21
導讀:將GaN FET與它們的驅動器集成在一起可以改進開關性能,并且能夠簡化基于GaN的功率級設計。氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關速度比硅MOSFET快很多,從而有可能實現更低的開關損耗。然而,當
2022-11-16 06:23:29
如何設計GaN氮化鎵 PD充電器產品?
2021-06-15 06:30:55
的性能已接近理論極限[1-2],而且市場對更高功率密度的需求日益增加。氮化鎵(GaN)晶體管和IC具有優越特性,可以滿足這些需求。
氮化鎵器件具備卓越的開關性能,有助消除死區時間且增加PWM頻率,從而
2023-06-25 13:58:54
廠商大放異彩。其中砷化鎵晶圓代工龍頭穩懋就是最大的受益者。
穩懋:全球最大的砷化鎵晶圓代工龍頭
穩懋成立于1999年10月,是亞洲首座以六吋晶圓生產砷化鎵微波通訊芯片的晶圓制造商,自2010年為全球最大
2019-05-27 09:17:13
OPPO公司分享了這一應用的優勢,一顆氮化鎵可以代替兩顆硅MOS,體積更小、更節省空間,且阻抗比單顆硅MOS更低,可降低在此路徑上的熱量消耗,降低充電溫升,提升充電的恒流持續時間。不僅如此,氮化鎵有
2023-02-21 16:13:41
替換的插腳。從產品類型來看,電商品牌的氮化鎵充電器呈現了多元化的發展,功率涵蓋30W、45W、65W、100W等多個級別,接口涵蓋單C口、雙C口、2C1A、2C2A、3C1A等多種配置,產品
2021-04-16 09:33:21
氮化鎵(GaN)和射頻(RF)能量應用為工業市場帶來重大變革。以前分享過氮化鎵如何改變烹飪、等離子體照明和醫療過程,接下來在日常生活中的射頻能量系列中分享下氮化鎵如何用于工業加熱和干燥。從工業角度
2018-01-18 10:56:28
兩年多前,德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵(GaN)功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率,且易于設計,帶集成柵極驅動和穩健的器件保護。從那時起,我們就致力于利用這項尖端技術將功率級
2022-11-10 06:36:09
導致振鈴和過沖,從而增加EMI和電路故障的風險。然而,實現最小化的寄生電感很簡單,只需采用氮化鎵技術。與基于MOSFET的最佳設計相比,如果能夠正確采用氮化鎵電路來設計解決方案,它具有更少的EMI和過
2023-06-25 14:17:47
請問半橋上管氮化鎵這樣的開爾文連接正確嗎?
2024-01-11 07:23:47
射頻半導體技術的市場格局近年發生了顯著變化。數十年來,橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)技術在商業應用中的射頻半導體市場領域起主導作用。如今,這種平衡發生了轉變,硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術成為接替傳統LDMOS技術的首選技術。
2019-09-02 07:16:34
日前,在廣州舉行的2013年LED外延芯片技術及設備材料最新趨勢專場中,晶能光電硅襯底LED研發副總裁孫錢博士向與會者做了題為“硅襯底氮化鎵大功率LED的研發及產業化”的報告,與同行一道分享了硅襯底
2014-01-24 16:08:55
納微集成氮化鎵電源解決方案及應用
2023-06-19 11:10:07
氮化鎵GaN是什么?
2021-06-16 08:03:56
candence中的Spice模型可以修改器件最基本的物理方程嗎?然后提取參數想基于candence model editor進行氮化鎵器件的建模,有可能實現嗎?求教ICCAP軟件呢?
2019-11-29 16:04:02
請問一下VGA應用中硅器件注定要改變砷化鎵一統的局面?
2021-05-21 07:05:36
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學術研究,始于 2009 年左右的香港科技大學,但強大的高壓氮化鎵功率芯片平臺的量產,則是由成立于 2014 年的納微半導體最早進行研發的。納微半導體的三位聯合創始人
2023-06-15 15:28:08
了類似高電子遷移率晶體管(HEMT)的氧化鎵。這類器件通常由砷化鎵(GaAs)或氮化鎵制成,是手機和衛星電視接收器的重要射頻支柱。這類器件不是通過體半導體的摻雜溝道導電,而是通過在兩個帶隙不同的半導體
2023-02-27 15:46:36
各位大神,目前國內賣銦鎵砷紅外探測器的有不少,知道銦鎵砷等III-V族化合物外延片都是哪些公司生產的嗎,坐等答案
2013-06-04 17:22:07
就可以實現。正是由于我們推出了LMG3410—一個用開創性的氮化鎵 (GaN) 技術搭建的高壓、集成驅動器解決方案,相對于傳統的、基于硅材料的技術,創新人員將能夠創造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26
就可以實現。正是由于我們推出了LMG3410—一個用開創性的氮化鎵 (GaN) 技術搭建的高壓、集成驅動器解決方案,相對于傳統的、基于硅材料的技術,創新人員將能夠創造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2018-08-30 15:05:50
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