面對SiC-SBD和Si-PND的特征進行了比較。接下來比較SiC-SBD和Si-PND的反向恢復特性。反向恢復特性是二極管、特別是高速型二極管的基本且重要的參數，所以不僅要比較trr的數值，還要理解其波形和溫度特性，這樣有助于有效使用二極管。

SiC-SBD和Si-PND的反向恢復特性的不同

首先，反向恢復或恢復是指二極管在呈反向偏置狀態時，無法立即完全關斷，有時會出現反向電流的現象。trr是其反向電流的流動時間。此時，前文提到SiC-SBD的trr比包含Si-FRD在內的Si-PND高速。下面我們來了解其原因和實際特性。

簡單地說,trr的速度和反向恢復特性的不同是因為二極管構造不同。這就需要談到在半導體中移動的電子和空穴。先通過波形圖來了解SiC-SBD和Si-PND反向恢復特性的不同。

右側波形圖為SiC-SBD和高速PND即Si-FRD反向恢復時的電流和時間。從波形圖可見紅色的SiC-SBD反向電流少，trr也短。順便一提，本特性因為反向電流的損耗而需要進行研究探討。

在這里，通過各二極管的斷面圖進行介紹。下圖為Si-PND的偏置從正向偏置轉換為反向偏置時電子和空穴的移動。

正向偏置時注入載流子，通過空穴和電子的重新結合使電流流動。如果是反向偏置的話，n層的空穴（少數載流子）會花些時間返回p層，到完全返回為止（一部分因為壽命而消失）均有電流流動。這就是反向恢復電流。

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第2個圖為SiC-SBD轉換為反向偏置時的示意圖。因肖特基勢壘結構而不存在PN結,所以沒有少數載流子，在反向偏置時n層的多數載流子(電子)只需要返回,因此只需要很少的反向恢復時間，其關斷時間比PND明顯縮短。

這種反向恢復時間的差異均因為二極管結構。因此，Si-SBD的反向恢復也是高速。然而，Si-SBD現狀的耐壓界限是200V左右，在比其更高的電壓下不能使用。而使用SiC的話，可以做出超過600V的高耐壓SBD。這就是SiC-SBD的一大優點。

下面是反向恢復特性的溫度依賴性和電流依賴性相關數據。

上段的波形圖和圖表表示不同溫度的不同反向恢復特性。Si-FRD的溫度上升時載流子濃度也隨之上升，因此需要相應的反向恢復時間。隨著室溫的增高，反向電流和trr也會變大。而SiC-SBD因為SiC本身基本上沒有溫度依賴性，所以反向電流特性基本沒有變化。將trr的差制作了右上的圖表，通過對兩種Si-FRD的比較，發現SiC-SBD的trr基本上不存在溫度依賴性。

下段的波形圖表示與正向偏置時的正向電流IF的關系。由波形圖可觀察到SiC-SBD幾乎不受影響。

最后，雖然前面表述為SiC–SBD幾乎沒有反向電流，在波形圖里可明顯看出SiC-SBD比Si-FRD少很多，但也不是一點沒有。這是因為二極管中寄生的結電容帶來的影響。因此，SiC-SBD與Si-PND相比，反向電流并不是零，而是明顯減少。

審核編輯：郭婷