年相比）SiC成長10倍，GaN翻至60倍，Si增長45.1％。 該機構指出，SiC功率半導體市場主要在中國和歐洲擴張，從2017年~2018年，SiC增長41.8％至3.7億美元。目前，SiC-SBD（肖特基勢壘二極管）占70％，并且主要在信息和通信設備領域需求增加。6英寸晶圓的推出使得成本降低，預計將進一
2019-06-25 11:22:42
7827 下面將對于SiC MOSFET和SiC SBD兩個系列，進行詳細介紹
2023-11-01 14:46:19736 
、柔性輸電等新能源領域中應用的不斷擴展，現代社會對電力電子變換器的效率和功率密度提出了更高的要求，需要器件在較高溫度環境時仍具有更優越的開關性能以及更小的結溫和結溫波動。SiC肖特基勢壘二極管(SBD
2019-10-24 14:25:15
1200V,5A,SIC SBD,TO-220AC PACKAG
2023-03-27 14:47:38
1200V,10A,SIC SBD,TO-247AD PACKA
2023-03-27 13:53:46
1200V,20A,SIC SBD,TO-247 PACKAGE
2023-03-27 13:39:39
面對SiC-SBD和Si-PND的特征進行了比較。接下來比較SiC-SBD和Si-PND的反向恢復特性。反向恢復特性是二極管、特別是高速型二極管的基本且重要的參數，所以不僅要比較trr的數值，還要
2018-11-29 14:34:32
前面對SiC-SBD和Si-PND的反向恢復特性進行了比較。下面對二極管最基本的特性–正向電壓VF特性的區別進行說明。SiC-SBD和Si-PND正向電壓特性的區別二極管的正向電壓VF無限接近零
2018-11-30 11:52:08
進行半導體元器件的評估時，電氣/機械方面的規格和性能當然是首先要考慮的，而可靠性也是非常重要的因素。尤其是功率元器件是以處理較大功率為前提的，更需要具備充分的可靠性。SiC-SBD的可靠性SiC作為
2018-11-30 11:50:49
）。2010年在日本國內率先開始SiC SBD的量產，目前正在擴充第二代SIC-SBD產品陣容，并推動在包括車載在內的各種應用中的采用。SiC-SBD具有以下特征。當前的SiC-SBD?反向恢復
2019-03-27 06:20:11
為了使大家了解SiC-SBD，前面以Si二極管為比較對象，對特性進行了說明。其中，也談到SiC-SBD本身也發展到第2代，性能得到了提升。由于也有宣布推出第3代產品的，所以在此匯總一下SiC-SBD
2018-11-30 11:51:17
ROHM努力推進最適合處理高耐壓與大電流電路使用SiC（碳化硅）材料的SBD（肖特基勢壘二極管）。2010年在日本國內率先開始SiC SBD的量產，目前正在拓展第二代SiC-SBD，并推動在包括車載
2018-12-04 10:09:17
介紹。如下圖所示，為了形成肖特基勢壘，將半導體SiC與金屬相接合（肖特基結）。結構與Si肖特基勢壘二極管基本相同，其重要特征也是具備高速特性。而SiC-SBD的特征是其不僅擁有優異的高速性還同時實現了高
2018-11-29 14:35:50
SiC SBD 晶圓級測試 求助：需要測試的參數和測試方法謝謝
2020-08-24 13:03:34
1. 器件結構和特征SiC能夠以高頻器件結構的SBD（肖特基勢壘二極管）結構得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現在主流產品快速PN結
2019-03-14 06:20:14
1. 器件結構和特征SiC能夠以高頻器件結構的SBD（肖特基勢壘二極管）結構得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現在主流產品快速PN結
2019-04-22 06:20:22
二極管的比較所謂SiC-SBD－與Si-PND的反向恢復特性比較所謂SiC-SBD－與Si-PND的正向電壓比較所謂SiC-SBD－SiC-SBD的發展歷程所謂SiC-SBD－使用SiC-SBD的優勢所謂
2018-11-27 16:40:24
SiC-SBD－SiC-SBD的發展歷程所謂SiC-SBD－使用SiC-SBD的優勢所謂SiC-SBD－關于可靠性試驗所謂SiC-MOSFET所謂SiC-MOSFET－特征所謂SiC-MOSFET－功率
2018-11-27 16:38:39
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉換器SiC/GaN具有的優勢
2021-03-10 08:26:03
SiC46x是什么？SiC46x有哪些優異的設計？SiC46x的主要應用領域有哪些？
2021-07-09 07:11:50
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-05-06 09:15:52
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-25 06:20:09
。我們就SCS3系列的特點、應用范圍展望等，采訪了負責開發的ROHM株式會社 功率元器件制造部 千賀 景先生。－今年春天ROHM宣布推出SiC-SBD的第三代產品。后面我會問到第三代SiC-SBD的特點
2018-12-03 15:12:02
柵極電荷，它可以使用高開關頻率，從而允許使用較小的電感器和電容器。 相較于SiC的發展，GaN功率元件是個后進者，它是一種擁有類似于SiC性能優勢的寬能隙材料，但擁有更大的成本控制潛力，尤其是高功率的硅
2022-08-12 09:42:07
全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發的第3代SiC肖特基二極管（以下簡稱“SBD”）成功應用于Murata Power Solutions的產品上。Murata Power
2023-03-02 14:24:46
全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SiC SBD”）已被成功應用于大功率模擬模塊制造商ApexMicrotechnology
2023-03-29 15:06:13
。另一方面，全SiC功率模塊由SiC的MOSFET和SiC的SBD (Schottky Barrier Diode)組成，具有低損耗、高工作溫度等特點，如果將其用于APS中，有助于提高產品的效率，實現
2017-05-10 11:32:57
SBD耐壓均在200V以內，更高電壓應用往往選擇Si FRD，盡管FRD技術不斷發展，但仍然無法完全消除反向恢復的問題。SiC的SBD可以將耐壓提高到3.3kV，極大地擴展了SBD的應用范圍。
2
2023-10-07 10:12:26
應用，實際上已經在HV/EV/PHV的板上充電電路中采用并發揮著SiC-SBD的優勢。關鍵要點:?ROHMSiC-SBD已經發展到第3代。?第3代產品的抗浪涌電流特性與漏電流特性得到改善，并進一步降低了第2代達成的低VF。＜ 相關產品信息 ＞SiC-SBDSi-SBDSi-PND
2018-11-29 14:33:47
ROHM近期推出的“SCS3系列”是第三代SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SiC-SBD”）產品。ROHM的每一代SiC-SBD產品的推出都是正向電壓降低、各特性得以改善的持續改進過程。當前正在
2018-12-04 10:15:20
從本文開始進入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
3賽季）與文圖瑞車隊簽署官方技術合作協議，并在上個賽季為其提供了SiC肖特基勢壘二極管（SiC-SBD）。通過將FRD更換為SiC-SBD，第2賽季由IGBT和快速恢復二極管（FRD）組成的逆變器成功
2018-12-04 10:24:29
內置SiC肖特基勢壘二極管的IGBT：RGWxx65C系列內置SiC SBD的Hybrid IGBT在FRD＋IGBT的車載充電器案例中開關損耗降低67%關鍵詞* ? SiC肖特基勢壘二極管（SiC
2022-07-27 10:27:04
元器件也已量產，發展速度很快。 （＊1：ROHM在日本國內或世界實現首家量產）最初的章節將面向還沒有熟悉SiC的工程師、以SiC的物理特性和優點為基礎進行解說。后續，將針對SiC-SBD
2018-11-29 14:39:47
ROHM努力推進最適合處理高耐壓與大電流電路使用SiC（碳化硅）材料的SBD（肖特基勢壘二極管）。2010年在日本國內率先開始SiC SBD的量產，目前正在擴充第二代SIC-SBD產品陣容，并推動在
2018-12-04 10:26:52
ROHM在全球率先實現了搭載ROHM生產的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關并可大幅降低
2018-12-04 10:14:32
★ SCS310AJTO-263AB★ 開發中另外，雖然已經推出第三代產品，但第二代產品也在繼續擴充機型，客戶可根據使用條件和要求規格來自由選擇。－經過您的講解，我了解了包括SiC-SBD基礎知識在內的發展到第三代產品的過程。非常感謝
2018-12-03 15:11:25
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
新日本無線的這款新MUSES音頻系列產品 MUSES7001 是采用了粗銅線絲焊方式的音頻碳化硅肖特基二極管(SiC-SBD:Silicon Carbide-Schottky Barrier
2013-11-14 12:16:01
`①未來發展導向之Sic功率元器件“功率元器件”或“功率半導體”已逐漸步入大眾生活，以大功率低損耗為目的二極管和晶體管等分立（分立半導體）元器件備受矚目。在科技發展道路上的，“小型化”和“節能化
2017-07-22 14:12:43
1. 器件結構和特征SiC能夠以高頻器件結構的SBD（肖特基勢壘二極管）結構得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現在主流產品快速PN結
2019-05-07 06:21:51
，UPS，焊接或醫療系統也將這種想法引入快速開關設備中。為了滿足高速和低損耗開關的要求，富士電機開發了將硅絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）與碳化硅肖特基勢壘二極管（SiC-SBD）相結合的高速混合模塊
2020-09-02 15:49:13
Toshiba研發出一種SiC金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET)，其將嵌入式肖特基勢壘二極管（SBD）排列成格子花紋（check-pattern embedded SBD），以降低導通電
2023-04-11 15:29:18
本文描述了ROHM推出的SiC-SBD其特性、與Si二極管的比較、及當前可供應的產品，并探討SiC-SBD的優勢。ROHM的SiC-SBD已經發展到第3代。第3代產品的抗浪涌電流特性與漏電流特性得到
2019-07-10 04:20:13
低，可靠性高，在各種應用中非常有助于設備實現更低功耗和小型化。本產品于世界首次※成功實現SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝。內部二極管的正向電壓（VF）降低70％以上，實現更低損耗的同時
2019-03-18 23:16:12
到這里，最后留一個思考題給大家。如何提神SBD的擊穿耐壓？會帶來什么負面效應？(歡迎大家踴躍思考)OK，接下來討論FRD。隨著電力電子技術的發展，各種變頻電路、斬波電路的應用不斷擴大，這些電力電子電路
2023-02-08 16:40:30
ROHM在全球率先實現了搭載ROHM生產的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關并可大幅降低
2018-12-04 10:11:50
提出了SiC-SBD 氣體傳感器器件分析模型，利用當前流行的MATLAB 強大的計算編程功能，模擬了SiC-SBD氣體傳感器的電流-電壓特性，結果與實驗數據吻合很好，較好地解釋了Pd-SiC 肖
2009-06-30 16:08:46
19 羅姆展出了采用溝道構造的SiC制肖特基勢壘二極管(SBD)和MOSFET。溝道型SBD的特點在于，與普通SiC制SBD相比二極管導通電壓(以下稱導通電壓)較低。溝道型SBD的導通電壓為0.5V，降到了以往
2011-10-12 09:35:301111 新日本無線的這款新MUSES音頻系列產品 MUSES7001 是采用了粗銅線絲焊方式的音頻碳化硅肖特基二極管（SiC-SBD:Silicon Carbide-Schottky Barrier
2013-11-18 10:03:211549 全球知名半導體制造商ROHM開發出非常適用于服務器和高端計算機等的電源PFC電路※1的、第3代SiC（Silicon Carbide：碳化硅）肖特基勢壘二極管（以下稱“SiC-SBD”） “SCS3系列”。
2016-05-10 14:25:511839 分段、機理解耦與參數解耦，突出器件開關特性，弱化物理機理，簡化瞬態過程分析，建立基于SiC MOSFET與SiC SBD的換流單元瞬態模型。理論計算結果與實驗結果對比表明，該模型能夠較為精細地體現SiC MOSFET開關瞬態波形且能夠較為準確地計算
2018-02-01 14:01:343 前面讓我介紹基礎內容，這是非常必要的。要想更好地了解第三代產品的優勢與特點，需要先了解SiC-SBD的基本特性等。
2018-04-09 15:42:506274 Si-FRD從正向切換到反向的瞬間會產生極大的瞬態電流，在此期間轉移為反向偏壓狀態，從而產生很大的損耗。這是因為正向通電時積聚在漂移層內的少數載流子不斷地進行電傳導直到消亡（該時間也稱為積聚時間）。
2018-04-10 11:02:217703 羅姆在全球率先實現了搭載羅姆生產的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC功率模塊”量產。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關并可大幅降低損耗。
2018-05-17 09:33:1313514 受惠于電動車市場需求提升，為因應高電壓、高頻率及低耗損的技術需求，SiC(碳化硅)功率元件被視為接替高電壓IGBT的產品，可分為：SiC-SBD(SiC-蕭特基二極管)、SiC-MOSFET、Hybrid-SiC module(IGBT+SBD)以及Full-SiC module。
2019-05-06 15:54:492596 受惠于電動車市場需求提升，為因應高電壓、高頻率及低耗損的技術需求，SiC（碳化硅）功率元件被視為接替高電壓IGBT的產品，可分為：SiC-SBD（SiC-蕭特基二極管）、SiC
2019-05-22 17:29:121512 SiC SBD和 MOS是目前最為常見的 SiC 基的器件，并且 SiC MOS 正在一些領域和 IGBT爭搶份額。我們都知道，IGBT 結合了 MOS 和 BJT 的優點，第三代寬禁帶半導體SiC
2020-03-20 15:56:284190 據了解，上海芯石在半導體功率器件芯片尤其是肖特基二極管芯片領域具有十幾年的技術儲備及行業經驗，目前業務產品主要覆蓋兩大類別：Si 類（SBD、 FRED、MOSFET、IGBT、ESD 等功率芯片產品）、SiC 類：（SiC-SBD、 SiC-MOSFET）。
2021-02-01 16:40:192464 
功率半導體器件，也被稱作電力電子器件，是用于電力設備的電能變換和控制電路的大功率電子器件，由于其性能的優劣直接關系到能耗的多少，所以在當今節能減排的大趨勢下備受重視，成為了電子圈關注的一個焦點。
2021-12-07 15:20:321625 
一、SiC模塊的特征 電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。 由IGBT
2023-01-12 16:35:47489 本章將介紹部分SiC-MOSFET的應用實例。其中也包括一些以前的信息和原型級別的內容，總之希望通過這些介紹能幫助大家認識采用SiC-MOSFET的好處以及可實現的新功能。另外，除了SiC-MOSFET，還可以從這里了解SiC-SBD、全SiC模塊的應用實例。
2023-02-06 14:39:51645 
1. 器件結構和特征 SiC能夠以高頻器件結構的SBD（肖特基勢壘二極管）結構得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。 因此，如果用SiC-SBD替換現在主流產品快速
2023-02-07 16:46:27501 1. SiC模塊的特征 大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。 由IGBT
2023-02-07 16:48:23646 
下面從SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SBD”）的結構開始介紹。如下圖所示，為了形成肖特基勢壘，將半導體SiC與金屬相接合（肖特基結）。結構與Si肖特基勢壘二極管基本相同，其重要特征也是具備高速特性。
2023-02-08 13:43:17404 
二極管的正向電壓VF無限接近零、對溫度穩定是比較理想的，但事實是不是零、并會受溫度影響而變動。為了使大家了解SiC-SBD的VF特性，下面與Si-PND的FRD（快速恢復二極管）進行比較。
2023-02-08 13:43:18378 
為了使大家了解SiC-SBD，前面以Si二極管為比較對象，對特性進行了說明。其中，也談到SiC-SBD本身也發展到第2代，性能得到了提升。
2023-02-08 13:43:18396 
關于SiC-SBD，前面介紹了其特性、與Si二極管的比較、及當前可供應的產品。本篇將匯總之前的內容，并探討SiC-SBD的優勢。
2023-02-08 13:43:18705 
SiC作為半導體材料的歷史不長，與Si功率元器件相比其實際使用業績還遠遠無法超越，可能是其可靠性水平還未得到充分認識。這是ROHM的SiC-SBD可靠性試驗數據。
2023-02-08 13:43:18364 
繼前篇結束的SiC-SBD之后，本篇進入SiC-MOSFET相關的內容介紹。功率轉換電路中的晶體管的作用非常重要，為進一步實現低損耗與應用尺寸小型化，一直在進行各種改良。
2023-02-08 13:43:19211 
繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產品，都有哪些機型。
2023-02-08 13:43:21685 
ROHM近期推出的"SCS3系列"是第三代SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱"SiC-SBD"）產品。ROHM的每一代SiC-SBD產品的推出都是正向電壓降低、各特性得以改善的持續改進過程。
2023-02-10 09:41:07305 
ROHM近期推出的“SCS3系列”是第三代SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SiC-SBD”）產品。ROHM的每一代SiC-SBD產品的推出都是正向電壓降低、各特性得以改善的持續改進過程。
2023-02-10 09:41:07611 
ROHM在全球率先實現了搭載ROHM生產的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關并可大幅降低損耗。
2023-02-10 09:41:081333 
ROHM在全球率先實現了搭載ROHM生產的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關并可大幅降低損耗。
2023-02-13 09:30:04331 
ROHM努力推進最適合處理高耐壓與大電流電路使用SiC（碳化硅）材料的SBD（肖特基勢壘二極管）。2010年在日本國內率先開始SiC SBD的量產，目前正在擴充第二代SIC-SBD產品陣容，并推動在包括車載在內的各種應用中的采用。
2023-02-13 09:30:07401 
－進入主題之前請您介紹了很多基礎內容，下面請您介紹一下第三代SiC-SBD。SCS3系列被稱為“第三代”，首先請您講一講各“代”的歷史。前面讓我介紹基礎內容，這是非常必要的。
2023-02-16 09:55:07759 
繼SiC功率元器件的概述之后，將針對具體的元器件進行介紹。首先從SiC肖特基勢壘二極管開始。
2023-02-22 09:16:27492 
面對SiC-SBD和Si-PND的特征進行了比較。接下來比較SiC-SBD和Si-PND的反向恢復特性。反向恢復特性是二極管、特別是高速型二極管的基本且重要的參數，所以不僅要比較trr的數值，還要理解其波形和溫度特性，這樣有助于有效使用二極管。
2023-02-22 09:17:07198 
二極管的正向電壓VF無限接近零、對溫度穩定是比較理想的，但事實是不是零、并會受溫度影響而變動。為了使大家了解SiC-SBD的VF特性，下面與Si-PND的FRD（快速恢復二極管）進行比較。
2023-02-22 09:18:59140 
SiC-SBD為形成肖特基勢壘，將半導體SiC與金屬相接合（肖特基結）。結構與Si肖特基勢壘二極管基本相同，僅電子移動、電流流動。而Si-PND采用P型硅和N型硅的接合結構，電流通過電子與空穴（孔）流動。
2023-02-23 11:24:11586 
進行半導體元器件的評估時，電氣/機械方面的規格和性能當然是首先要考慮的，而可靠性也是非常重要的因素。尤其是功率元器件是以處理較大功率為前提的，更需要具備充分的可靠性。
2023-02-23 11:24:56392 
繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產品，都有哪些機型。之后計劃依次介紹其特點、性能、應用案例和使用方法。
2023-02-24 11:51:08430 
全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開發的第3代SiC肖特基二極管(以下簡稱“SBD”)成功應用于Murata Power Solutions的產品上。Murata Power
2023-03-02 15:27:16410 
SiC SBD成功應用于村田數據中心電源模塊
2023-03-03 16:28:00457 
來源：國星光電官微 近日，國星光電開發的1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二極管）器件成功通過第三方權威檢測機構可靠性驗證，并獲得AEC-Q101車規級認證。這標志著國星光電第三代
2023-03-14 17:22:57393 
近日，國星光電開發的1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二極管）器件成功通過第三方權威檢測機構可靠性驗證，并獲得AEC-Q101車規級認證。這標志著國星光電第三代半導體功率器件產品
2023-03-20 19:16:30550 國星光電SiC-SBD器件采用TO-247-2L封裝形式,在長達1000小時的高溫、高濕等惡劣環境下驗證，仍能保持正常穩定的工作狀態，可更好地適應復雜多變的車載應用環境，具備高度的可靠性、安全性和穩定性。
2023-03-22 10:56:52537 ROHM的1,200VSiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的，采用ROHM的這些產品將有助于應用的小型化并提高模塊的性能和可靠性。
2023-04-10 09:34:29483 2023年5月8日，三菱電機宣布將于5月31日開始提供一款新型集成SBD*1的SiC*2-MOSFET*3模塊樣品，該半橋模塊額定電壓為3.3kV，絕緣耐壓為6.0kVrms。將有助于為鐵路
2023-05-11 09:26:17834 我們從SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SBD”）的結構開始介紹。如下圖所示，為了形成肖特基勢壘，將半導體SiC與金屬相接合（肖特基結）。結構與Si肖特基勢壘二極管基本相同，其重要特征也是具備高速特性。
2023-07-18 09:47:30236 
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全球知名半導體制造商ROHM的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管(以下簡稱“SiC SBD”)已被成功應用于大功率模擬模塊制造商Apex?Microtechnology的功率模塊
2023-09-14 19:15:14353 額外的650和1200V SiC SBD型號滿足當今交通、可再生能源和工業系統的功率密度要求。 Bourns宣布，它在現有的碳化硅(SiC)肖特基勢壘二極管(SBD)產品系列中增加了十種新的變體
2023-10-13 17:06:38866 繼1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二極管）器件獲AEC-Q101車規級認證后，近日，國星光電開發的1200V/80mΩ SiC-MOSFET（碳化硅-場效應管）器件也成功獲得了
2023-10-24 15:52:32606 繼1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二極管）器件獲AEC-Q101車規級認證后
2023-10-25 18:28:10423 
SiC SBD的高耐壓（反壓）特性
2023-12-13 15:27:55197 
瑞森半導體在工業電源上的應用上：主推碳化硅(SiC)二極管/超結MOS，助力廠家及品牌，打造高質、高性能產品。
2023-12-11 11:33:13194 
瑞森半導體在工業電源上的應用上：主推碳化硅(SiC)二極管/超結MOS，助力廠家及品牌，打造高質、高性能產品。
2023-12-11 11:56:42207 
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