雙極功率晶體管的電流放大倍數(shù)和通態(tài)特性會隨著電壓級別的增加而迅速降低，因此抑制了其在電壓高于2kV 牽引設備（如電力機車） 應用中的發(fā)展。在直流電路中，將晶閘管結(jié)構(gòu)設計成利用柵極信號就可以控制開啟
2024-01-17 09:42:29
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當開關(guān)的，從圖中我們可以看到它也像三極管一樣有三個腳，這三個腳分別叫做柵極(G)、源極(S)和漏極(D)，mpn中的貼片元件示意圖是這個樣子：1腳就是柵極，這個柵極就是控制極，在柵極加上電壓和不加
2021-05-25 06:00:00
上升到2Vdc，而電容C限制了集電極電壓的上升速度，同時減小了上升電壓和下降電流的重疊，從而減低了開關(guān)管Q的損耗。而在下次開關(guān)關(guān)斷之前，C必須將已經(jīng)充滿的電壓2Vdc放完，放電路徑為C、Q、R。 假設
2018-11-21 16:22:57
）開關(guān)導通期間驅(qū)動電路能保證MOSFET柵源極間電壓保持穩(wěn)定且可靠導通。（3）關(guān)斷瞬間驅(qū)動電路能提供一個盡可能低阻抗的通路供MOSFET柵源極間電容電壓的快速泄放，保證開關(guān)管能快速關(guān)斷。（4）驅(qū)動電路
2017-01-09 18:00:06
柵極與源極之間加一個電阻，這個電阻起到什么作用？一是為場效應管提供偏置電壓；二是起到瀉放電阻的作用：保護柵極G-源極S；
2019-05-23 07:29:18
了一種獨特但簡單的柵極脈沖驅(qū)動電路，為快速開關(guān)HPA提供了另一種方法，同時消除了與漏極開關(guān)有關(guān)的電路。實測切換時間小于200 ns，相對于1 s的目標還有一些裕量。其他特性包括：解決器件間差異的偏置編程
2019-02-27 08:04:56
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅(qū)動器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為集電極
2021-01-27 07:59:24
，而放電則會使器件關(guān)斷，漏極和源極引腳上就可以阻斷大電壓。當柵極電容充電且器件剛好可以導通時的最小電壓就是閾值電壓(VTH)。為將IGBT/功率MOSFET用作開關(guān)，應在柵極和源極/發(fā)射極引腳之間施加一
2021-07-09 07:00:00
FSA2380是一種雙刀三擲（DP3T）多路轉(zhuǎn)換開關(guān)，它在單對選擇腳的控制下可訪問3組雙通道數(shù)據(jù)或聲頻源。FSA2380在其管腳1A和2A上具有一個專用電路可實現(xiàn)電源關(guān)斷功能。去除VCC上的電源且在
2011-03-07 22:16:43
，并可能在不恰當?shù)臅r刻導通或關(guān)閉，導致系統(tǒng)產(chǎn)生潛在的功率損耗。當源極和柵極間的電壓為零時，開關(guān)關(guān)閉，而電流停止通過器件。雖然這時器件已經(jīng)關(guān)閉，但仍然有微小電流存在，這稱之為漏電流，即IDSS.第一步
2019-07-03 07:00:00
，并可能在不恰當?shù)臅r刻導通或關(guān)閉，導致系統(tǒng)產(chǎn)生潛在的功率損耗。當源極和柵極間的電壓為零時，開關(guān)關(guān)閉，而電流停止通過器件。雖然這時器件已經(jīng)關(guān)閉，但仍然有微小電流存在，這稱之為漏電流，即IDSS.第一步
2019-07-05 08:00:00
，并可能在不恰當?shù)臅r刻導通或關(guān)閉，導致系統(tǒng)產(chǎn)生潛在的功率損耗。當源極和柵極間的電壓為零時，開關(guān)關(guān)閉，而電流停止通過器件。雖然這時器件已經(jīng)關(guān)閉，但仍然有微小電流存在，這稱之為漏電流，即IDSS.第一步
2019-07-05 07:30:00
與源極S的電壓，即柵極低于電源一定電壓就導通，而非相對于地的電壓。但是因為PMOS導通內(nèi)阻比較大，所以只適用低功率的情況。大功率仍然使用N溝道MOS管。N溝道m(xù)os管開關(guān)電路NMOS的特性，Vgs大于
2019-01-28 15:44:35
MOS管開關(guān)電路的定義MOS管開關(guān)電路是利用MOS管柵極（g）控制MOS管源極（s）和漏極（d）通斷的原理構(gòu)造的電路。因MOS管分為N溝道與P溝道，所以開關(guān)電路也主要分為兩種。 一般情況下普遍用于
2021-10-29 06:54:59
傳說中的米勒電容。 這三個等效電容是構(gòu)成串并聯(lián)組合關(guān)系，它們并不是獨立的，而是相互影響，其中一個關(guān)鍵電容就是米勒電容Cgd。這個電容不是恒定的，它隨著柵極和漏極間電壓變化而迅速變化，同時會影響柵極和源
2023-03-15 16:55:58
普通N MOS管給柵極一個高電壓 ，漏極一個低電壓，漏源極就能導通。這個GS之間加了背靠背的穩(wěn)壓管，給柵極一個4-10V的電壓，漏源極不能導通。是不是要大于柵源擊穿電壓VGSO（30v）才可以？
2019-06-21 13:30:46
MOS管的開關(guān)電路中柵極電阻R5和柵源極級間電阻R6是怎么計算的？在這個電路中有什么用。已知道VDD=3.7V，在可變電阻狀態(tài)中，作為開關(guān)電路是怎么計算R5和R6？
2021-04-19 00:07:09
在使用9014和PMOS管2305搭配的電源開關(guān)電源中，控制24V電源；在PMOS導通時，24V可以通過去，電壓也正常；但是在開關(guān)關(guān)斷時，PMOS管的漏極仍有0.7V左右的電壓，不知道是什么原因？
2020-04-01 09:00:29
PMOS高邊開關(guān)控制電路如下圖：
輸入側(cè)使用15KW整流模塊，輸出側(cè)固定8歐姆負載電阻。
整流模塊設置為40V/5A，模塊空載情況下輸出為100V/0A。此時PMOS可以正常開關(guān)，波形紅色為VGS
2024-02-05 15:54:27
有助于在應用程序中節(jié)省空間。 這些MOSFET具有出色的高速開關(guān)和低導通電阻。查看詳情<<<特性：低RDS(on)降低功耗；低壓驅(qū)動；提供大電流Vds-漏源極
2021-02-02 09:55:16
）、柵極－源極（發(fā)射極）間的Cgs（Cge）、漏極（集電極）－源極（發(fā)射極）間的Cds（Cce）這些寄生電容。其中與低邊柵極電壓升高相關(guān)的是Cgd和Cgs。下面的左圖表示Cgd（Cgc）、Cgs（Cge
2018-11-30 11:31:17
應用角度來看，驅(qū)動回路和功率回路共用了源極的管腳。MOSFET是一個電壓型控制的開關(guān)器件，其開通關(guān)斷行為由施加在柵極和源極之間的電壓（通常稱之為VGS）來決定。 從圖1模型來看，有幾個參數(shù)是我們需要
2023-02-27 16:14:19
、NMOSNMOS是柵極低電平（|Vgs| >Vt)導通，高電平斷開，可以用來控制與電源之間的導通。對于NMOS來說，一般是源極接在電源負極（低電位），而柵極接電源正極。3、MOS開關(guān)損失NMOS還是PMOS，導通后存在導通電阻，電流會在電阻上消耗能量，這部分消耗的能量叫做導通損耗。選擇導通電阻小
2021-10-29 07:07:07
過二極管，放電功率不受限制，故此情況下mos管開啟速度較關(guān)斷速度慢，形成硬件死區(qū)。限流當使用含內(nèi)部死區(qū)的驅(qū)動或不需要硬件死區(qū)時，是否可以省去柵極電阻呢？答案是不行。當開啟mos管為結(jié)電容充電瞬間，驅(qū)動電路電壓源近似短接到地，當驅(qū)動電驢電壓源等價電源內(nèi)阻較小時，存在過流燒毀驅(qū)動（可能是三態(tài)門三
2021-11-16 08:27:47
Q1的基極鉗位約5ms，這應足夠長以關(guān)閉大多數(shù)P溝道MOSFET。在上述電流脈沖結(jié)束時，存儲在C2上的電壓將大致等于電源電壓+ Vs. 如果沒有二極管D1，該電壓將保持Q1導通，從而防止開關(guān)關(guān)斷。當
2019-04-28 16:37:50
Q1的基極鉗位約5ms，這應足夠長以關(guān)閉大多數(shù)P溝道MOSFET。在上述電流脈沖結(jié)束時，存儲在C2上的電壓將大致等于電源電壓+ Vs. 如果沒有二極管D1，該電壓將保持Q1導通，從而防止開關(guān)關(guān)斷。當
2019-05-20 14:53:07
高于VG1S：VG1S1》VGS，LS的感應電壓導致上管的實際關(guān)斷速度變慢，關(guān)斷時間變長，關(guān)斷損耗增大。 圖4：上管源極寄生電感的關(guān)斷特性 2、下管源極寄生電感對開關(guān)性能的影響 下管工作于
2020-12-08 15:35:56
測器件，而上管開關(guān)用作dv/dt發(fā)生器。當上管器件導通時，下管器件的漏源極電壓不斷上升，dvDS/dt導致產(chǎn)生柵極電壓上升；并且，柵極關(guān)斷電阻越小，發(fā)生寄生導通的概率越低。本試驗旨在為給定的測試用例
2023-02-27 13:53:56
TG傳輸門電路中。當C端接+5，C非端接0時。源極和襯底沒有連在一起，為什么當輸入信號改變時，其導通程度怎么還會改變？導電程度不是由柵極和襯底間的電場決定的嗎？而柵極和襯底間的電壓不變。所以其導通程度應該與輸入信號變化無關(guān)啊！而書上說起導通程度歲輸入信號的改變而改變？為什么?求詳細解釋！謝謝！
2012-03-29 22:51:18
使用低Uth類型的PMOS管（如Uth=-2V）做開關(guān)當5V沒接入時，PMOS管的柵極通過電阻R1下拉到地（0V），鋰電池BAT（3.7~4.2V）通過MOS管的內(nèi)部體二極管到達源極，源極電壓為（3
2021-10-29 08:43:39
的最大額定值。②是在柵極-源極間增加外置電容器，降低阻抗，抑制柵極電位升高的方法。這里需要注意的是CGS也會造成損耗，因而需要適當?shù)碾娙荨＂凼窃?b class="flag-6" style="color: red">柵極-源極間增加米勒鉗位用MOSFET的方法。通過在
2018-11-27 16:41:26
保持電源電壓VDD不變，當VGS電壓減小到0時，這個階段結(jié)束，VGS電壓的變化公式和模式1相同。在關(guān)斷過程中，t6~t7和t7~t8二個階段電流和電壓產(chǎn)生重疊交越區(qū)，因此產(chǎn)生開關(guān)損耗。關(guān)斷損耗可以用下面
2017-03-06 15:19:01
功率MOSFET的結(jié)構(gòu)特點為什么要在柵極和源極之間并聯(lián)一個電阻呢？
2021-03-10 06:19:21
CCM模式時，由于初級電感Lp兩端電壓縮小，二極管D開始承受反偏電壓關(guān)斷，引起反向恢復電流，該電流經(jīng)變壓器耦合到原邊側(cè)，也會形成流經(jīng)開關(guān)管和Vin的電流尖峰。在開關(guān)管開通階段，二極管D截止，電容Cp
2018-10-10 20:44:59
場效應管si2301（p溝道）柵極D1接單片機引腳，電源接源極（s），輸出端漏極（d）接一個DCDC然后接負載。問題是，單片機引腳低電平時，輸出端(d)確實為高電壓，但是單片機引腳高電平時。輸出端為0.69v，并沒有完全關(guān)斷。這是場效應管的原因還是電路的設計問題？怎么讓場效應管完全關(guān)斷呢？
2017-12-09 18:46:35
時，光耦輸出三極管集電極為低電平，功放電路中三極管Q1截止、Q2導通，施加在IGBT柵極與發(fā)射極之間電壓為-9V，IGBT關(guān)斷。4、電源試驗圖5（a）、（b）分別是輸出電流45A時全橋變換器兩個橋臂中點A
2018-10-19 16:38:40
開關(guān)損耗降低多達 26%。 電流源驅(qū)動器 （CSD） 和電壓源驅(qū)動器 （VSD）： 圖1顯示了柵極驅(qū)動器BM61M41RFV-C（傳統(tǒng)電壓源驅(qū)動器）與BM60059FV-C（電流源驅(qū)動器）的框圖。還
2023-02-21 16:36:47
電路分析：場效應管從左到右依次為柵極，漏極，源極，開關(guān)為輕觸開關(guān)，開關(guān)沒有按下時，柵極被500K下拉電阻接地，柵極無電壓，漏極和源極之間沒有電流通過，燈泡不亮。當按下輕觸開關(guān)時，12V電經(jīng)輕觸開關(guān)向
2021-05-25 07:10:31
通過負載電流感應。該電流將通過柵極驅(qū)動器下拉阻抗和柵源環(huán)路電感轉(zhuǎn)換為非零柵極電壓。如果該電壓高于閾值電壓，半橋的高端和低側(cè)開關(guān)之間將產(chǎn)生交叉電流。低柵極環(huán)路電感僅在功率級和柵極驅(qū)動器的單芯片協(xié)積分中
2023-02-24 15:09:34
1、關(guān)于伏秒平衡伏秒平衡是針對電感而言的不是針對變壓器原邊副邊繞組而言的。反激開關(guān)電源反射電壓Vor有兩種理解方式開關(guān)關(guān)斷后，磁芯的磁通量不變，并且開始減小，在副邊線圈中感應除副邊電壓E2,此時原副
2021-10-29 09:25:02
如何用MATLAB實現(xiàn)反激開關(guān)電源原邊開關(guān)的準諧振開通與關(guān)斷的仿真呢？求助大神
2016-04-22 08:57:25
Buck電路原理Vin輸出為直流，經(jīng)Q1的不斷導通和關(guān)斷，Vsw這里將為方波，Vsw在開關(guān)電源中被稱之為節(jié)點。Vsw上的方波需經(jīng)過電感電容的過濾，才能變成最終的直流輸出電壓Vout。我們用PWM波來
2021-12-28 06:05:50
瞬態(tài)操作。圖1所示為硬開關(guān)關(guān)斷瞬態(tài)下，理想MOSFET的工作波形和工作順序。 圖1 升壓轉(zhuǎn)換器中的MOSFET的典型關(guān)斷瞬態(tài)波形 當驅(qū)動器發(fā)出關(guān)斷信號后，即開始階段1 [t=t1]操作，柵極與源極之間
2018-10-08 15:19:33
5A的驅(qū)動能力和最大30V的驅(qū)動電壓，高速低延遲的開關(guān)特性。能有效驅(qū)動金屬氧化物半導體場效應管（MOSFET）和絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT)等功率開關(guān) 。在UCC27524A-Q1的應用案例中
2022-11-03 08:28:01
童詩白 模擬電子技術(shù)基礎 第四版 41頁 有一段話這樣說的：若U[sub]DS[/sub]>0V，則有電流i從漏極流向源極，從而使溝道中各點與柵極間的電壓不再相等，而是沿溝道從源極到漏極逐漸
2012-02-22 11:22:26
的控制電流流通器件從而可達到用較低的控制功率來控制高電流。IGBT的工作原理和作用通俗易懂版：IGBT就是一個開關(guān)，非通即斷，如何控制他的通還是斷，就是靠的是柵源極的電壓，當柵源極加+12V(大于6V
2019-06-27 09:00:00
關(guān)斷時，柵源極同電位。在上管開通過程中，設上管開通時間為ton，直流母線電壓為E，由于開通過程時間很短，其漏源極電壓迅速由直流母線電壓下降到近似零，相當于在下管V2漏源極間突加一個電壓E，形成很高的dv
2018-08-27 16:00:08
是Qgd，它描述了柵極漏極開關(guān)和開關(guān)關(guān)斷時間關(guān)斷所需的電荷。這兩個參數(shù)指示關(guān)斷能力和損耗，從而指示最大工作頻率和效率。關(guān)斷時間toff通常不顯示在晶體管數(shù)據(jù)手冊中，但可以根據(jù)參考書［1］在給定的開關(guān)電壓
2023-02-27 09:37:29
Vgs(in)的振動電壓，由于超出柵極-源極間額定電壓導致柵極破壞，或者接通、斷開漏極-源極間電壓時的振動電壓通過柵極-漏極電容Cgd和Vgs波形重疊導致正向反饋，因此可能會由于誤動作引起振蕩破壞
2019-03-13 06:00:00
極，D極，S極。G極控制mosfet的開通，關(guān)斷，給GS極之間加正向電壓（高電平）[url=13/]，達到導通電壓門檻值之后就能導通。同理，[url=15/]給一個低電壓（低電平）mosfet就能關(guān)斷
2019-01-08 13:51:07
大于驅(qū)動電壓Vgs(in)的振動電壓，由于超出柵極-源極間額定電壓導致柵極破壞,或者接通、斷開漏極-源極間電壓時的振動電壓通過柵極漏極電容Cgd和Vgs波形重疊導致正向反饋，因此可能會由于誤動作弓起振蕩破壞
2018-11-21 13:52:55
的可靠性。功率MOS管保護電路主要有以下幾個方面： 1)防止柵極di／dt過高：由于采用驅(qū)動芯片，其輸出阻抗較低，直接驅(qū)動功率管會引起驅(qū)動的功率管快速的開通和關(guān)斷，有可能造成功率管漏源極間的電壓震蕩
2018-12-10 14:59:16
SiCMOSFET具有出色的開關(guān)特性，但由于其開關(guān)過程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動作-前言”中介
2022-09-20 08:00:00
到所需值，保證開關(guān)管能快速開通且不存在上升沿的高頻振蕩。（2） 開關(guān)導通期間驅(qū)動電路能保證MOSFET柵源極間電壓保持穩(wěn)定且可靠導通。（3） 關(guān)斷瞬間驅(qū)動電路能提供一個盡可能低阻抗的通路供MOSFET
2020-03-13 09:55:37
）相當于接地，柵極（G）和源極（S）間有負壓-5V，mos管導通，漏極（D）有5V輸出。當PW_1為低電平輸出狀態(tài)時，三極管Q1不導通，mos管的柵極和源極直接無壓差，mos管關(guān)斷，漏極...
2021-10-28 09:02:17
，這三個腳分別叫做柵極(G)、源極(S)和漏極(D)，mpn中的貼片元件示意圖是這個樣子：1腳就是柵極，這個柵極就是控制極，在柵極加上電壓和不加上電壓來控制2腳和3腳的相通與不相通，N溝道的，在柵極加上電壓
2016-02-02 11:27:12
本帖最后由 sirtan養(yǎng)樂多 于 2019-7-4 10:45 編輯
這個電路只用于電機通斷控制，開關(guān)頻率間隔在五秒以上，不用來調(diào)速。用開關(guān)進行柵極電壓控制就沒有問題，把開關(guān)換成如圖所示
2019-07-04 09:26:17
關(guān)斷，或者從關(guān)斷到導通的）轉(zhuǎn)換的時間。2. MOSFET壓控性器件，BJT流控型器件。BJT的驅(qū)動要求實際上更容易滿足，N溝道MOSFET的柵極電壓必須比源極電壓高幾伏。3. 最簡單的自舉電路...
2021-10-29 06:24:06
MOSFET的柵極電荷特性與開關(guān)過程MOSFET的漏極導通特性與開關(guān)過程
2021-04-14 06:52:09
柵極施加一個為零或負的偏置電壓時，器件進入關(guān)斷過程。首先，隨著門極電壓的減小，由N+源區(qū)經(jīng)MOS溝道注入到N-基區(qū)的電子電流逐漸減少，而此時外部的集電極電流受負載電感影響保持不變，因此IGBT模塊內(nèi)部
2023-02-13 16:11:34
電壓，由于超出柵極—源極間額定電壓導致柵極破壞，或者接通、斷開漏極—源極間電壓時的振動電壓通過柵極—漏極電容Cgd和Vgs波形重疊導致正向反饋，因此可能會由于誤動作引起振蕩破壞。第五種：柵極電涌、靜電
2021-11-10 07:00:00
請教一下大神LED5000內(nèi)部低邊開關(guān)的作用是什么呢？
2023-01-06 07:54:55
插入電池，打開開關(guān)后U3A導通，那不是漏極拉低，把U3A的柵極拉低？互相矛盾嗎
2020-04-02 10:22:38
，G極電壓拉低，PMOS導通；而無負電， 即0V時，NPN關(guān)斷，G極應為6V，PMOS截止。但在仿真中，如附件所示，仿真結(jié)果不符。查詢datasheet，采用的IRF9130 PMOS管的開啟電壓Vth為 -4~-2V，仿真壓差在應當是符合的吧，但結(jié)果不符是為什么呢？
2019-11-06 01:33:07
Q1的柵極、源極間電阻R1并聯(lián)追加電容器C2， 并緩慢降低Q1的柵極電壓，可以緩慢地使RDS(on)變小，從而可以抑制浪涌電流。■負載開關(guān)等效電路圖關(guān)于Nch MOSFET負載開關(guān)ON時的浪涌電流應對
2019-07-23 01:13:34
脈沖測試結(jié)果。High Side（HS）是將RG_EXT連接于源極引腳或驅(qū)動器源極引腳，并僅使用體二極管換流工作的電路。Figure 6是導通時的漏極-源極間電壓VDS和漏極電流ID的波形。這是驅(qū)動條件
2020-07-01 13:52:06
（現(xiàn)在大約等于+ V S）被轉(zhuǎn)移到Q2的柵極。由于Q2的柵極 - 源極電壓現(xiàn)在大致為零，因此MOSFET關(guān)斷，負載電壓降至零。Q1的基極 - 發(fā)射極電壓也降至零，晶體管關(guān)斷。因此，當開關(guān)被釋放時，沒有
2018-08-18 11:01:37
脈沖結(jié)束時，C2上的電壓將大致等于電源電壓+Vs。如果沒有二極管D1，該電壓將保持Q1導通，從而防止開關(guān)關(guān)斷。有了D1，阻斷動作將允許開關(guān)正常關(guān)斷，這樣當Q2關(guān)斷時，C2上的電壓將通過R6-D2-R7
2021-10-22 07:00:00
流動，而放電則會使器件關(guān)斷，漏極和源極引腳上就可以阻斷大電壓。當柵極電容充電且器件剛好可以導通時的最小電壓就是閾值電壓(VTH)。為將IGBT/功率MOSFET用作開關(guān)，應在柵極和源極/發(fā)射極引腳之間
2018-10-25 10:22:56
通，并允許電流在其漏極和源極引腳之間流動，而放電則會使器件關(guān)斷，漏極和源極引腳上就可以阻斷大電壓。當柵極電容充電且器件剛好可以導通時的最小電壓就是閾值電壓(VTH)。為將IGBT/功率MOSFET用作開關(guān)
2018-11-01 11:35:35
引腳，并僅使用體二極管換流工作的電路。Figure 6 是導通時的漏極 - 源極間電壓 VDS 和漏極電流 ID 的波形。這是驅(qū)動條件為 RG_EXT＝10Ω、VDS＝800V，ID 約為 50A
2020-11-10 06:00:00
所示的電路圖進行了雙脈沖測試，在測試中，使低邊（LS）的MOSFET執(zhí)行開關(guān)動作。高邊（HS）MOSFET則通過RG_EXT連接柵極引腳和源極引腳或驅(qū)動器源極引腳，并且僅用于體二極管的換流工作。在電路圖
2022-06-17 16:06:12
7637測試中主要波形，本實例中主要分析繼電器斷開后高邊開關(guān)吸收的能量，以VNQ7050為例：第一步：開關(guān)導通過程中存儲的能量,此時電感電壓上正下負：負載電流：存儲能量：時間常數(shù)：第二步：開關(guān)斷開時，繼電器
2022-12-22 18:48:54
這些電路的效率。減少體二極管導通使這種技術(shù)的優(yōu)點最大化。讓我們考慮一個同步降壓轉(zhuǎn)換器。當高側(cè)FET關(guān)斷并且電感器中仍然存在電流時，低側(cè)FET的體二極管變?yōu)檎蚱谩Ｐ∷绤^(qū)時間對避免直通很有必要。在此之后
2019-03-08 06:45:10
本文介紹一款單片高速(fSW高達100kHz)四通道低邊開關(guān)。該產(chǎn)品能夠驅(qū)動任何類型的負載(阻性負載、感性負載和容性負載)，開關(guān)一側(cè)連接電源電壓(Vcc)。
2019-08-01 08:13:02
硬開關(guān)斬波電路中的IGBT的關(guān)斷電壓波形電路
2010-02-17 23:08:171878 
1 前言
用于控制、調(diào)節(jié)和開關(guān)目的的功率半導體器件需要更高的電壓和更大的電流。功率半導體器件的開關(guān)動作受柵極電容的充放電控制。而柵極電容的充放電通常
2011-08-10 11:16:025529 和開爾文結(jié)構(gòu)封裝的串擾問題分別進行分析，柵漏極結(jié)電容的充放電電流和共源寄生電感電壓均會引起處于關(guān)斷狀態(tài)開關(guān)管的柵源極電壓變化。提出一種用于抑制串擾問題的驅(qū)動電路，該驅(qū)動電路具有柵極關(guān)斷阻抗低、結(jié)構(gòu)簡單、易于控制的特點。分析該驅(qū)動電路的工作原理，提供主
2018-01-10 15:41:22
3 當柵極和源極之間的偏置電壓超過開關(guān)閾值電壓時，梁上的觸點便接觸漏極，源極和漏極之間的電路閉合，開關(guān)接通。移除偏置電壓后，即柵極上為0V時，懸臂梁像彈簧一樣，產(chǎn)生足夠大的恢復力，使源極和漏極之間的連接斷開，從而電路開路，開關(guān)關(guān)斷。
2019-04-15 14:02:255994 將定時器、光電耦合器、橋式可控硅交流開關(guān)和雙向可控硅組合在一起，構(gòu)成開關(guān)斷開長延時電路。
2020-05-06 16:33:3610909 
從本文開始，我們將進入SiC功率元器件基礎知識應用篇的第一彈“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動作”。前言：MOSFET和IGBT等電源開關(guān)元器件被廣泛應用于各種電源應用和電源線路中。
2023-02-08 13:43:22250 
本文將針對上一篇文章中介紹過的SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)的柵極驅(qū)動電路及其導通(Turn-on)/關(guān)斷( Turn-off)動作進行解說。
2023-02-08 13:43:23491 
在上一篇文章中，對SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)的柵極驅(qū)動電路的導通(Turn-on)/關(guān)斷( Turn-off)動作進行了解說。
2023-02-08 13:43:23291 
上一篇文章中，簡單介紹了SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)中柵極驅(qū)動電路的開關(guān)工作帶來的VDS和ID的變化所產(chǎn)生的電流和電壓情況。本文將詳細介紹SiC MOSFET在LS導通時的動作情況。
2023-02-08 13:43:23300 
上一篇文章中介紹了LS開關(guān)導通時柵極 – 源極間電壓的動作。本文將繼續(xù)介紹LS關(guān)斷時的動作情況。低邊開關(guān)關(guān)斷時的柵極 – 源極間電壓的動作：下面是表示LS MOSFET關(guān)斷時的電流動作的等效電路和波形示意圖。
2023-02-08 13:43:23399 
的接地參考示例中，柵極驅(qū)動在 -VCL和 VDRV-VCL電平之間，而不是驅(qū)動
器的初始輸出電壓電平 0V和 VDRV 之間。
電壓 VCL由二極管鉗斷網(wǎng)絡決定，在耦合電容器上形成。此技術(shù)的優(yōu)點是能夠以簡單的方法在開關(guān)關(guān)斷時和關(guān)斷狀態(tài)下為柵極提供負偏置，從而
2023-02-23 15:31:242 了帶負載后的電壓跌落，并帶有隨時關(guān)斷，可保證開關(guān)動作圈在通電后隨時切斷，避免線圈燒毀，工作穩(wěn)定可靠。適用于電力部門做各種開關(guān)低電壓動作試驗及分、合閘試驗。面板：二、技術(shù)
2021-11-16 17:19:54367 
后的電壓跌落，并帶有隨時關(guān)斷，可保證開關(guān)動作圈在通電后隨時切斷，避免線圈燒毀，工作穩(wěn)定可靠。適用于電力部門做各種開關(guān)低電壓動作試驗及分、合閘試驗。面板：二、技術(shù)指標：電
2021-11-17 18:17:00328 
橋式結(jié)構(gòu)中的柵極-源極間電壓的行為：關(guān)斷時
2023-12-05 14:46:22153 
SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動作
2023-12-07 14:34:17223 
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