在做一個仿真的時候，發現一些奇怪現象，于是就單獨把MOS管拿出來放一邊仿真看看。1.左邊2N7002mos管源極如果接100歐電阻，發現電阻上還會有2.16V的電壓(如圖1)。2.如果改為1000歐
2019-03-15 13:51:28
MOS管的Rds會隨著溫度升高而阻值變大，從而影響檢測電流那么如何利用溫度來補償Rds電阻的 溫升呢？？？有沒有大神，做過類似的方案，指點下小弟啊 ！！！
2016-09-26 13:16:43
MOS管一個ESD敏感器件，它本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場或靜電的感應而帶電(少量電荷就可能在極間電容上形成相當高的電壓(想想U=Q/C)將管子損壞)，又因
2017-06-01 15:59:30
MOS管一個ESD敏感器件，它本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場或靜電的感應而帶電（少量電荷就可能在極間電容上形成相當高的電壓（想想U=Q/C）將管子損壞），又因
2016-07-21 10:55:02
的改進，可以使MOS管的VT值降到2～3V。2. 直流輸入電阻RGS ·即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比 ·這一特性有時以流過柵極的柵流表示 ·MOS管的RGS可以很容易地超過1010
2012-08-15 21:08:49
我在網上一些帖子上面看到，MOS管導通后如果工作在現行放大區的話就有可能燒壞管子，這是因為線性區的ID電流較大，同時RDS也較大，功耗較高所致。但我看了 一下MOS的應用手冊，上面提到的導通后RDS都是mΩ級別的，這個也算是電阻大嘛？這不是與上面的介紹想矛盾嗎？另外，MOS的功耗究竟應該怎么計算呢？
2018-10-25 11:14:39
一、MOS管并聯理論：(1)、三極管(BJT)具有負的溫度系數，即當溫度升高時，導通電阻會變小。(2)、MOS管具有正的溫度系數，即當溫度升高時，導通電阻會逐漸變大。MOS管的這一特性適合并聯電路中
2021-10-29 07:04:37
一直在導通？但是：當CTL信號沒有的時候，VB1一直有電壓，大概比VB小0.5V.奇怪的是在VB和三極管c極之間的，100k和15k電阻間的那個點也一直有一個比VB小0.5-0.6v的電壓。請問高手這個
2018-11-30 10:36:38
，漏極和源極間的阻抗只有83毫歐，可以認為壓降已經很小了。P溝道MOS管開關電路PMOS的特性，Vgs小于一定的值就會導通，適合用于源極接VCC時的情況（高端驅動）。需要注意的是，Vgs指的是柵極G
2019-01-28 15:44:35
MOS管的半導體結構MOS管的工作機制MOS管的驅動應用
2021-03-08 06:06:47
由于MOS管柵極寄生電容以及寄生電感的存在使得MOS管驅動時柵極很容易發生諧振，常采用的辦法是在柵極串接一個小電阻，我想問為什么電阻可以抑制振蕩？請眾位大神解釋原因，呵呵，知其然不知其所以然！
2014-05-24 15:28:54
應當大于干線電壓或總線電壓。這樣才能提供足夠的保護，使MOS管不會失效。就選擇MOS管而言，必須確定漏極至源極間可能承受的最大電壓，即最大VDS。知道MOS管能承受的最大電壓會隨溫度而變化這點十分重要
2020-07-10 14:54:36
，可以使MOS管的VT值降到2～3V。 2.直流輸入電阻RGS 即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比，這一特性有時以流過柵極的柵流表示，MOS管的RGS可以很容易地超過1010Ω。 3.漏源擊穿
2018-11-20 14:06:31
～3V。 2.直流輸入電阻RGS 即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比，這一特性有時以流過柵極的柵流表示，MOS管的RGS可以很容易地超過1010Ω。 3.漏源擊穿電壓BVDS 在VGS=0
2018-11-20 14:10:23
。 1.MOS管的基礎知識 MOS管分為N溝道MOS管和P溝道MOS管（N溝道應用更加廣泛）。 MOS管的三個極分別為：柵極G、漏極D、源極S。 N溝道MOS管和P溝道MOS管電路符號 N-MOS
2021-01-20 16:20:24
現在用全橋輸出拓撲較多經常看見在每個橋臂的MOS管G極前加一個阻值不大但是功率較大的電阻同時和MOS并聯的還有一個RCD（電阻+二極管+電容）電路現在知道這個RCD電路是用于吸收MOS管的突波或者
2017-08-11 09:20:17
MOS管的開關電路中柵極電阻R5和柵源極級間電阻R6是怎么計算的？在這個電路中有什么用。已知道VDD=3.7V，在可變電阻狀態中，作為開關電路是怎么計算R5和R6？
2021-04-19 00:07:09
DS間加電容，測試兩種差不多的MOS管，發現MOS里面芯片大的反而沖擊電流小，這是為什么，兩種級別差不多的MOS，里面的芯片DIE大的反而沖擊電流小？，這是什么原因，耐沖擊電流與MOS管的DIE大小有關系嗎
2018-01-19 09:54:42
` 在使用MOS管設計開關電源或者馬達驅動電路的時候，大部分人都會考慮MOS的導通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是優秀的，作為
2019-02-14 11:35:54
型號，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。至于為什么不使用耗盡型的MOS管，不建議刨根問底。對于這兩種增強型MOS管，比較常用的是NMOS。原因是導通電阻小，且容易制造。所以開關電源和馬達驅動
2021-01-11 20:12:24
；4、?MOS管最大允許工作溫度–這要滿足系統指定的可靠性目標。二、MOS管主要參數及使用在使用MOS管設計開關電源或者馬達驅動電路的時候，一般都要考慮MOS的導通電阻，最大電壓等，最大電流等...
2021-11-16 09:06:09
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-1 09:28 編輯
四個MOS管這么排列，Q3Q4是打開，Q1Q2是關閉， 電源是12V為啥AB兩點的電壓也有11多V，MOS是如何導通的呢，體二極管也是對立的。
2018-05-31 19:41:07
在設計開關電源或者逆變器時，我們經常需要用到MOS管，可是有些朋友對于如何選取MOS管的驅動電阻不太熟悉，今天本人就分享一份來自網絡資源的資料，希望對大家有所幫助。
2018-07-11 22:37:16
MOS管驅動電壓最大是多少？過驅動電壓Vod=Vgs-Vth。可bai以理解為：du超過驅動門限（Vth）的剩余電壓大小。1)只有在你的過驅動電壓“dao大于零”的情況下，溝道才會形成，MOS管才會
2021-11-12 08:18:19
在使用MOS管設計開關電源或者馬達驅動電路的時候，大部分人都會考慮MOS的導通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是優秀的，作為正式的產品設計
2011-11-07 15:56:56
問題是，1.當MOS管之間并聯使用時，均流電阻如何取值？2.三極管之間并聯使用時，均流電阻又如何取值？3.GS間的放電電阻是否應該和G-S-均流電阻之間并聯？
2021-01-05 18:19:30
，發熱也會增大，極易損壞MOS,所以高頻時柵極柵極串的電阻不但要小，一般要加前置驅動電路的。下面我們先來了解一下MOS管開關的基礎知識。1.MOS管種類和結構MOSFET管是FET的一種(另一種
2019-07-03 07:00:00
，發熱也會增大，極易損壞MOS,所以高頻時柵極柵極串的電阻不但要小，一般要加前置驅動電路的。下面我們先來了解一下MOS管開關的基礎知識。1.MOS管種類和結構MOSFET管是FET的一種(另一種
2019-07-05 08:00:00
，發熱也會增大，極易損壞MOS,所以高頻時柵極柵極串的電阻不但要小，一般要加前置驅動電路的。下面我們先來了解一下MOS管開關的基礎知識。1.MOS管種類和結構MOSFET管是FET的一種(另一種
2019-07-05 07:30:00
`1、為什么mos管仿真導通了電阻還這么大啊、、2、proteus能做buck電路的仿真嗎？ 、、、proteus 有模擬開關嗎、`
2013-05-04 16:50:41
新作了一個可以調整led電流的mos管壓控恒流源電路大神們幫看看，是否可行？mos管VDS在1V以上就進入恒流區了。那么VCC是12V，應該可以有11V用在驅動所有的LED燈工作。mos管個人認為還是作為可變電阻來對待，運放的輸出端有點疑惑，不確定輸出的值具體是多少？高低電平還是什么具體的電壓值呢
2015-04-22 11:27:37
以圖中電路為例，當我給柵極與源極之間一個恒壓源，使得Ugs>Uth，然后Uac是一個交流源，波形為右邊那個圖。①那么當Uac過零時，mos管D->S間溝道會關斷嗎？②當Uac為負半軸時，mos管的導通情況是怎么樣的呢？是先導通反并聯二極管，再導通S->D間溝道嗎？
2019-12-26 17:04:09
進去。 ESL就是等效電感，ESR就是等效電阻。不管是電阻，電容，電感，還是二極管，三極管，MOS管，還有IC，在高頻情況下要考慮到等效電容值，電感值。 我們可看做是我們的各個管腳之間都是
2021-01-11 15:23:51
老規矩先放結論：與反向并聯的二極管一同構成硬件死區電路形如：驅動電路電壓源為mos結電容充電時經過柵極電阻，柵極電阻降低了充電功率，延長了柵極電容兩端電壓達到mos管開啟電壓的速度；結電容放電時經
2021-11-16 08:27:47
米勒振蕩。防止mos管燒毀。過快的充電會導致激烈的米勒震蕩，但過慢的充電雖減小了震蕩，但會延長開關從而增加開關損耗。Mos開通過程源級和漏級間等效電阻相當于從無窮大電阻到阻值很小的導通內阻（導通內阻一般
2019-07-26 07:00:00
向右偏轉的情形。其原因是人體幾個部位和電阻對MOS管起到偏置作用，使之進入飽和區。（2）也可以用舌尖舔住柵極，現象同上。來源：網絡，如侵刪
2019-01-08 13:28:49
我們知道，mos管是電壓控制器件，與雙極性三極管不同的是，mos管的導通只需要控制柵極的電壓超過其開啟閾值電壓即可，不需要柵極電流。所以本質上，MOS管柵極上無需串聯任何電阻。 對于普通的雙
2023-03-10 15:06:47
什么是MOS管？MOS管的工作原理是什么？MOS管和晶體三極管相比有何特性呢？
2022-02-22 07:53:36
二極管的管壓降0.5v左右，同樣也應該可以測得到電阻一般為幾千歐以內。1.2 如何判斷MOS管是N型還是P型?2. MOS管驅動電路分析下面是常見的MOS管驅動電路（1）二極管D1的作用是什么？二極管D1在驅動信號是低電平時起到快速關斷的作用。一般在H橋驅動電路中需要加此二極管起到“慢開快關
2021-12-31 06:20:08
，并聯復合管管子一般不超過4個，而且在每管基極或柵極上串接防寄生振蕩電阻。 （8）結型MOS管的柵源電壓不能接反，可以在開路狀態下保存，而絕緣柵型MOS管在不使用時，由于它的輸入電阻非常高，須將各
2020-06-28 16:41:02
您好！
我請教一個關于LT8705死區時間的問題：客戶在使用LT8705過程中想確認上下功率MOS管的死區時間最小是多少？目前客戶測試結果只有30ns左右。而根據MOS的上升沿和下降沿從20ns到40ns不等，有直通的風險，請問LT8705是怎么調節死區時間防止直通的？謝謝！！
2024-01-03 06:23:18
最近在學習MOS管防反接電路中，有幾個問題比較困惑，特來請教各位前輩。1.為什么有時用兩個電阻加上一個穩壓管來分壓，保護GS間不被擊穿，但有時候又只用一個穩壓管加電阻，，是為了減小流過穩壓管的電流
2020-08-03 13:51:58
、BulkFinFET和SOIFinFET。 1、鋁柵MOS管 MOS管誕生之初，柵極材料采用金屬導體材料鋁，因為鋁具有非常低的電阻，它不會與氧化物發生反應，并且它的穩定性非常好。柵介質材料采用
2018-11-06 13:41:30
我們經常看到，在電源電路中，功率MOS管的G極經常會串聯一個小電阻，幾歐姆到幾十歐姆不等，那么這個電阻用什么作用呢？ 如上圖開關電源，G串聯電阻R13這個電阻的作用有2個作用：限制G極電流，抑制振蕩。限制G極電流MOS管是由電壓驅動的，是以G級電流很小，但是因為寄生電容的存在，在MO...
2021-11-12 08:20:11
都怕靜電； Mos開關原理（簡要）：Mos是電壓驅動型器件，只要柵極和源級間給一個適當電壓，源級和漏級間通路就形成。這個電流通路的電阻被成為mos內阻，就是導通電阻。這個內阻大小基本決定了mos芯片
2020-06-26 13:11:45
電路疑問，加上10Ω電阻之后，變壓器、MOS管發熱膩害，有前輩知道原因嗎？
2020-08-26 08:08:29
兩個mos管，第一個MOS管柵極接單片機io口，通過io口控制通斷繼而控制第二個mos管通斷，開關頻率要求不高，對開關時間和導通電阻有要求，開關時間和導通電阻都要盡可能小，有沒有推薦的電路圖和MOS管，圖片是我畫的簡單示意圖
2018-10-16 22:40:53
。在實際狀況下，MOS管并不是抱負的器材，由于在導電過程中會有電能損耗，這稱之為導通損耗。MOS管在“導通”時就像一個可變電阻，由器材的RDS（ON）所確認，并隨溫度而明顯改變。器材的功率耗費可由
2021-03-15 16:28:22
兩個管子的管腳短路放掉靜電，MOS管的D極與S極之間有個PN接，正向導通反向截止，于是有Rgd=Rgs=Rds=無窮大，Rsd=幾千歐。IGBT管的G極到c、e極的電阻應為無窮大，即Rgc=Rge
2019-05-02 22:43:32
一般我們設計這個MOS管的驅動電路的時候，這個MOS管的gs端有一個寄生結電容，通常在設計電路時讓這個gs端開通后，當關閉時還需要把這個Gs端的電容的電放電，那么使用一個電阻，我們現在有個問題：假如
2019-08-22 00:32:40
想測試兩個MOS管的漏極電流，可在測試中發現Q1這了MOS管DS經常擊穿，請問這個什么原因造成的？
2021-08-27 16:00:00
開關電源如何去除mos管開通時采樣電阻上的紋波？
2023-05-09 14:53:06
`<p> 挖掘mos管被擊穿的原因及解決方案 一、MOS管本身的輸入電阻很高，而柵源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場或靜電的感應而帶電，而少量電荷就可在極間電容上
2018-11-05 14:26:45
MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。 至于為什么不使用耗盡型的MOS管，不建議刨根問底。 對于這兩種增強型MOS管，比較常用的是NMOS。原因是導通電阻小，且容易制造。所以
2018-10-18 18:15:23
，用兩表筆分別測量每兩個管腳間的正、反向電阻．當某兩個管腳間的正、反向電阻相等，均為數千歐時，則這兩個管腳為漏極D和源極s（對結型場效應管而言，漏極和源極可互換，且并不影響電路的正常工作，所以不用加以
2018-10-23 15:10:53
揭秘mos管和mos管驅動電路之間的聯系 在使用MOS管設計開關電源或者馬達驅動電路的時候，大部分人都會考慮MOS管的導通電阻、最大電壓、最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許
2018-12-03 14:43:36
`這是在常溫36.5℃下測試的照片，6個mos管沒加散熱的情況下溫度在50℃與78攝氏度這兩個溫度間徘徊.請問這正常嗎`
2018-09-07 18:59:31
我想請問一下有沒有人見過成品的芯片里面用L很長的二極管連接方式的MOS管做大電阻(幾百K歐，目前我這里能用來做電阻的材料電阻率都很小)？如果沒有這樣做的，能告訴我下為什么嗎？因為用MOS管代替電阻能省下芯片不少的面積和成本，為什么不用這種方法？
2021-06-24 07:58:56
，實際上MOS管并聯多了容易引起走線很長，分布電感電容加大，對于高頻電路工作產生不利的影響。下面以4顆為例說明MOS管的應用。并聯的一般電路圖如下 上圖中，R1-4為柵極驅動電阻，每個MOS管都由獨立
2018-11-28 12:08:27
一.基本原理MOS管本身有Cgs，Cgd，Cds寄生電容，這是由制作工藝決定的。MOS管的開通和關斷其實就是對Cgs充放電的過程。開啟時通過柵極R1電阻對Cgs充電，充電時間常數=R1*Cgs。所以
2023-02-16 13:44:12
，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。至于為什么不使用耗盡型的MOS管，不建議刨根問底。 對于這兩種增強型MOS管，比較常用的是NMOS管。原因是導通電阻小，且容易制造。所以開關電源
2018-10-26 14:32:12
的MOS管運行時，由于在Flyback時功率MOS管的寄生雙極晶體管運行，導致此二極管破壞的模式。 四、由寄生振蕩導致的破壞此破壞方式在并聯時尤其容易發生 在并聯功率MOS管時未插入柵極電阻而直接
2018-11-21 13:52:55
，或者有可能造成功率管遭受過高的di／dt而引起誤導通。為避免上述現象的發生，通常在MOS驅動器的輸出與MOS管的柵極之間串聯一個電阻，電阻的大小一般選取幾十歐姆。 2)防止柵源極間過電壓，由于柵極與源
2018-12-10 14:59:16
擊穿有兩種方式： 一是電壓型，即柵極的薄氧化層發生擊穿，形成針孔，使柵極和源極間短路，或者使柵極和漏極間短路；二是功率型，即金屬化薄膜鋁條被熔斷，造成柵極開路或者是源極開路。JFET管和MOS管一樣，有
2019-02-15 11:33:25
` （1）不同耐壓的MOS管的導通電阻分布。不同耐壓的MOS管，其導通電阻中各部分電阻比例分布也不同。如耐壓30V的MOS管，其外延層電阻僅為總導通電阻的29%，耐壓600V的MOS管的外延層電阻
2018-11-01 15:01:12
外界或驅動電路損壞超過允許最高電壓（柵極電壓一般需低于20v安全）以及靜電損壞。 4、MOS管的開關原理（簡要） MOS管是電壓驅動型器件，只要柵極G和源級S間給一個適當電壓，源級S和漏級D間導電
2019-02-28 10:53:29
測量MOS管的導通電阻除了在選定開關時有用，還在哪些方面有重要的意義？
2012-05-17 10:44:16
下面兩張原理圖是不同地方找到的，有兩個疑問，特來請教各位。1.其中兩張圖中都是用了MOS管防反。但是MOS管的接法卻是相反的。有點想不明白，這樣能起到防反作用嗎（還要考慮到MOS體二極管）？2.圖2中DCDC輸入端并聯了一個1M的電阻，請問什么作用？
2019-02-18 14:32:10
跨接直流電源MOS管GS之間的電阻的實際作用在于直流電源MOS管GS的驅動電路。這種阻力可能存在也可能不存在。常用值是5k和10k，但是這個電阻的目的是什么?直流電源MOS管GS之間的電阻有
2021-11-17 07:28:53
詳解MOS管驅動電路在使用MOS管設計開關電源或者馬達驅動電路的時候，大部分人都會考慮MOS管的導通電阻、最大電壓、最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是優秀
2017-08-15 21:05:01
轉貼在使用MOS管設計開關電源或者馬達驅動電路的時候，大部分人都會考慮MOS管的導通電阻、最大電壓、最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是優秀的，作為
2017-12-05 09:32:00
Rg具體會影響到那些參數？我個人的理解是①這個電阻對MOS管的開關頻率有關，決定了對mos管的輸入輸出電容的充放電時間②匹配集成驅動的驅動能力，電阻越到，集成驅動所需的最大驅動電流也就越小。大家有什么看法，請教一下
2017-06-05 11:28:22
請問有人知道MOS管作為開關如何仿真在開啟與中斷狀態下，不同頻率點的導通電阻嗎？我想仿真上圖的SW在Vsw不同狀態下MOS管的導通電阻，用了下面的testbench 使用sp仿真，結果查看ZM的實部，但是出來的結果如下所示：結果都很小并且打開和關斷阻抗大小是相反的，請問有人知道這個是出了什么問題嗎
2021-06-25 07:59:24
MOS管柵極接的100K電阻起什么作用，這個電阻取值是的依據是什么。
2018-10-24 15:51:49
請問一下為什么mos管的輸入電阻都很高呢？
2023-04-12 11:21:13
網上基本都是說，當MOS關斷時，漏感會產生尖峰電壓。那我想問下，當MOS管開通時，這個漏感就不會對MOS管產生影響嗎？
2018-12-20 14:12:20
看了別人做的產品種的485電路如下，誰能幫忙解釋下這個485電路輸出端AB間加三極管的作用？謝謝
2019-06-25 06:35:20
ncp81074a這個mos管的驅動看不太懂，為啥珊級要加兩個電阻，OUTL和OUTH不是是驅動兩個mos管嗎？只用一個電阻不行嗎？
2020-08-10 10:34:51
其實MOS管一個ESD敏感器件，它本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場或靜電的感應而帶電，又因在靜電較強的場合難于泄放電荷，容易引起靜電擊穿。 靜電擊穿有兩種
2022-05-14 10:22:39
功率MOS管的G極經常會串聯一個小電阻，幾歐姆到幾十歐姆不等，那么這個電阻有什么用呢？
2019-06-28 08:29:07
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