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電子發燒友網>模擬技術>一文詳解IGBT的失效機制

一文詳解IGBT的失效機制

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IGBT模塊主要失效形式

隨著IGBT的耗散功率和開關頻率不斷增大,以及工作環境嚴苛,使得IGBT模塊產生大量的熱量,由于模塊內的熱量無法及時得到釋放,從而引起模塊內部溫度升高。
2023-05-16 11:30:25513

IGBT模塊是如何失效的?

IGBT模塊主要由若干混聯的IGBT芯片構成,個芯片之間通過鋁導線實現電氣連接。標準的IGBT封裝中,單個IGBT還會并有續流二極管,接著在芯片上方灌以大量的硅凝膠,用塑料殼封裝,IGBT單元堆疊結構如圖1-1所示。
2023-05-30 08:59:52555

圖文詳解Linux分頁機制

分頁機制是 80x86 內存管理機制的第二種機制,分段機制用于把虛擬地址轉換為線性地址,而分頁機制用于把線性地址轉換為物理地址。
2023-05-30 09:10:44266

IGBT模塊是如何失效的?

IGBT模塊主要由若干混聯的IGBT芯片構成,個芯片之間通過鋁導線實現電氣連接。標準的IGBT封裝中,單個IGBT還會并有續流二極管,接著在芯片上方灌以大量的硅凝膠,用塑料殼封裝。
2023-06-02 09:09:29586

一文講透IGBT 模塊失效的機理

驅動電路的工作頻率(最小脈寬)相對 IGBT 開關頻率(占空比范圍)不足,或輔助電源平均輸出功率不足,導致的輸出不穩定。這個問題導致的后果是,驅動狀態發生波動,系統最壞情況出現概率增加。
2023-06-16 10:34:23734

詳解:MOS管和IGBT的區別

在電子電路中,MOS管和IGBT管會經常出現,它們都可以作為開關元件來使用,MOS管和IGBT管在外形及特性參數也比較相似。那為什么有些電路用MOS管,而有些電路用IGBT管?下面我們就來了解一下
2022-07-21 17:53:513005

瞬態熱阻抗準確計算IGBT模塊結殼熱阻的方法

隨著半導體技術的迅速發展以及絕緣柵雙極型晶體管(insulatedgatebipolartranslator,IGBT)模塊的普遍應用,電力電子可靠性要求不斷提高,而過熱失效這一主要失效原因亦成為
2023-04-04 10:14:09965

IGBT模塊的封裝形式及失效形式

單元,IGBT模塊得到越來越廣泛的應用。IGBT器件封裝形式主要有焊接式和壓接式兩種,其中焊接式發展成熟,應用廣泛。IGBT模塊的封裝結構比較復雜,是由多種材料組合
2023-05-18 10:11:522952

IGBT逆變電路詳解

IGBT逆變電路詳解 IGBT逆變電路是一種高壓、高功率驅動電路,廣泛應用于工業、航空、船舶等領域。本文將為您詳細介紹IGBT逆變電路的原理、結構、應用以及注意事項等內容。 一、IGBT逆變電
2023-08-29 10:25:543326

半導體器件擊穿原理和失效機制詳解

在日常的電源設計中,半導體開關器件的雪崩能力、VDS電壓降額設計是工程師不得不面對的問題,本文旨在分析半導體器件擊穿原理、失效機制,以及在設計應用中注意事項。
2023-09-19 11:44:382592

IGBT失效模式與失效機理分析探討及功率模塊技術現狀未來展望

壓接型IGBT器件與焊接式IGBT模塊封裝形式的差異最終導致兩種IGBT器件的失效形式和失效機理的不同,如表1所示。本文針對兩種不同封裝形式IGBT器件的主要失效形式和失效機理進行分析。1.焊接式IGBT模塊封裝材料的性能是決定模塊性能的基礎,尤其是封裝
2023-11-23 08:10:07724

詳解常見的7大晶振失效原因

詳解常見的7大晶振失效原因? 晶振是現代電子設備中廣泛應用的一種元器件,它可以提供基準時鐘信號,用于設備的時序控制和數據傳輸。然而,晶振有時可能會失效,導致設備無法正常工作。下面將詳細介紹常見的七大
2023-12-18 14:09:25524

ESD靜電放電有幾種主要的破壞機制 ESD失效的原因

ESD靜電放電有幾種主要的破壞機制 ESD失效的原因? 靜電放電(ESD)是由于靜電的積累導致電荷突然放電到不同電勢的物體上而引起的一系列現象。ESD可能對電子設備和電路產生不可逆的破壞,因此對于
2024-01-03 13:42:481274

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