IGBT 功率模塊工作過程中存在開關損耗和導通損耗,這些損耗以熱的形式耗散,使得在 IGBT 功率模塊封裝結構產生溫度梯度。并且結構層不同材料的熱膨脹系數( Coefficient of Thermal Expansion,CTE) 相差較大
2022-09-07 10:06:184436 IGBT失效場合:來自系統內部,如電力系統分布的雜散電感、電機感應電動勢、負載突變都會引起過電壓和過電流;來自系統外部,如電網波動、電力線感應、浪涌等。歸根結底,IGBT失效主要是由集電極和發射極的過壓/過流和柵極的過壓/過流引起。
2022-10-21 09:00:504096 當出現短路時IGBT的Vce快速上升,過高的dVce/dt會通過米勒電容給IGBT門極充電,若不進行保護會使得門極電壓過高而損壞IGBT,門極鉗位電路主要是在門極電壓過高時起動保護電路動作,提供電流瀉放通道抑制門極電壓升高。
2023-02-23 14:45:093776 IGBT是高頻開關器件,芯片內部的電流密度大。當發生過流或短路故障時,器件中流過的大于額定值的電流時,極易使器件管芯結溫升高,導致器件燒壞。今天我們就來聊聊IGBT的過流和短路保護。
2023-04-06 17:31:175483 閂鎖(Lanch-up)效應,一般我們也可以稱之為擎住效應,是由于IGBT超安全工作區域而導致的電流不可控現象,當然,閂鎖效應更多的是決定于IGBT芯片本身的構造。實際工作中我們可能很少聽到一種失效率,閂鎖失效,今天我們就來聊一聊什么是閂鎖效應。
2023-04-06 17:32:551090 眾所周知,IGBT失效是IGBT應用中的難題。大功率IGBT作為系統中主電路部分的開關器件,失效后將直接導致系統癱瘓。宇宙射線作為一個無法預知的因素,可能就是導致IGBT發生意外故障的關鍵。
2023-12-27 09:39:34676 ,器件將失去阻斷能力,柵極控制就無法保護,從而導致IGBT失效。實際應用時,一般最高允許的工作溫度為125℃左右。2、超出關斷安全工作區引起擎住效應而損壞。擎住效應分靜態擎住效應和動態擎住效應。IGBT為
2020-09-29 17:08:58
IGBT傳統防失效機理是什么IGBT失效防護電路
2021-03-29 07:17:06
目錄:一、簡述二、驅動電路三、電流采集電流四、保護機制
2021-11-15 08:51:39
3.1 設備簡述 IGBT高壓反偏試驗是在一定溫度條件(125℃)下,按照規定的時間和電壓,對IGBT施加反偏電壓,從而對器件進行質量檢驗和耐久性評估的一種主要試驗方法。EN-320測試系統是專為
2018-08-29 21:20:11
IGBT的失效機理 半導體功率器件失效的原因多種多樣。換效后進行換效分析也是十分困難和復雜的。其中失效的主要原因之一是超出安全工作區(Safe Operating Area簡稱SOA
2017-03-16 21:43:31
開啟IGBT時IGBT的電壓與電流有何關系?關斷IGBT時IGBT的電壓與電流有何關系?
2021-10-14 09:09:20
`我需要通過LC電路產生一個1200A,2.5KHz的脈沖電流,所加電壓500V,電路圖如下。需要用到IGBT來進行開關控制,初步選定IGBT使用IRG4PC50FD 。但是IGBT需要驅動電路
2017-10-10 17:16:20
誰能仔細闡述一下igbt是什么嗎?
2019-08-22 15:20:53
1、2、3、ARM嵌入式開發之ARM指令與ARM匯編入門4、ARM嵌入式開發之ARM匯編高級教程與APCS規范詳解視頻下載地址:內容:01_ARM嵌入式開發之ARM基礎概念介紹...
2021-12-23 06:45:18
DC/DC開關電源中接地反彈的詳解
2021-01-28 06:17:31
1,由于MOSFET的結構,通常它可以做到電流很大,可以到上KA,但是前提耐壓能力沒有IGBT強。2,IGBT可以做很大功率,電流和電壓都可以,就是一點頻率不是太高,目前IGBT硬開關速度可以到
2019-03-06 06:30:00
明確其失效模式,失效模式是指失效的外在直觀失效表現形式和過程規律,通常指測試觀察到的失效現象、失效形式,如開路、短路、參數漂移、功能失效等。要明確失效模式,首先要細心收集失效現場數據。一般情況下失效
2020-08-07 15:34:07
本文詳解了Linux內核搶占實現機制。首先介紹了內核搶占和用戶搶占的概念和區別,接著分析了不可搶占內核的特點及實時系統中實現內核搶占的必要性。然后分析了禁止內核搶占的情況和內核搶占的時機,最后介紹了實現搶占內核所做的改動以及何時需要重新調度。
2019-08-06 06:16:22
Linux能力機制
2020-04-20 08:23:03
問題描述:AD09工程和原理圖保存退出后格式失效,文件格式顯示 “0文件”
2016-01-20 10:34:02
FAT32文件系統詳解
2016-08-17 12:34:56
NE555中文資料詳解
2012-08-20 13:49:07
NE555中文資料詳解
2012-08-21 09:27:19
NE555中文資料詳解
2012-11-23 22:08:18
一、存儲機制1、基礎描述NameNode運行時元數據需要存放在內存中,同時在磁盤中備份元數據的fsImage,當元數據有更新或者添加元數據時,修改內存中的元數據會把操作記錄追加到edits日志文件中
2021-01-05 17:13:29
,加速材料老化,使LED光源快速失效。失效模式的物理機理LED燈珠是一個由多個模塊組成的系統。每個組成部分的失效都會引起LED燈珠失效。 從發光芯片到LED燈珠,失效模式有將近三十種,如表1,LED燈珠
2018-02-05 11:51:41
失效經濟損失之間關系的排列圖或帕雷托圖,以找出必須首先解決的主要失效機制、方位和部位。任一產品或系統的構成都是有層次的,失效原因也具有層次性,如系統-單機-部件(組件)-零件(元件)-材料。上一
2011-11-29 16:39:42
描述對于具有較高輸出額定功率的電源轉換設備而言,并聯 IGBT 變得很有必要,因為在這類應用中,單個 IGBT 無法提供所需的負載電流。此 TI 設計采用一個增強型隔離式 IGBT 柵極控制模塊來
2018-12-07 14:05:13
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:08 編輯
IGBT失效分析大概有下面幾個方面:1、IGBT過壓失效,Vge和Vce、二極管反向電壓失效等。2、IGBT過流,一定程度
2012-12-19 20:00:59
`以IGBT、MOSFET為主的電力電子器件通常具有十分廣泛的應用,但廣泛的應用場景也意味著可能會出現各種各樣令人頭疼的失效情況,進而導致機械設備發生故障!因此,正確分析電力電子器件的失效情況,對于
2019-10-11 09:50:49
Chp9 物聯網安全機制密碼學基礎(1)加密模型密碼是通信雙方按照約定的法則進行信息變換的一種手段。依照這些信息變換法則,變明文為密文,稱為加密變換;變密文為明文,稱為解密變換。信息稱為明文,明文
2021-07-22 06:31:40
IGBT是什么?IGBT是由哪些部分組成的?IGBT有哪些特征?IGBT的主要應用領域是什么?
2021-06-18 08:01:12
http://115.com/file/be3wripk#高保真膽機制作詳解.rar
2012-02-14 09:54:39
程中注意的特點。第一個在安裝過程中,我們需要對柵極操作時,采取防靜電措施。第二是導熱硅脂涂抹。我們軌道交通運用過程中,導熱硅脂涂抹是有很重要的作用。軌道交通失效的IGBT,相當一部分是由于導熱硅脂的涂抹
2012-09-17 19:22:20
在一些要求高可靠性的應用場合,希望功率半導體器件可以穩定運行30年以上。為了達到這個目標,三菱電機開發了X系列高壓IGBT模塊,特別注重了可靠性方面的設計,并在實際的環境條件下進行了驗證,結果顯示失效率可以得到明顯降低。本文著介紹在IGBT數據手冊上看不到的一些特性。
2019-07-30 06:01:40
見諒,這個帖子會慢慢更新,也希望高手們多多提出意見。我們將這個問題看出幾個部分來解決:1,驅動電路;2,電流采集電流;3,保護機制;一、驅動電路這次采用的IGBT為IXYS
2017-03-24 11:53:14
FMEA失效模式公析表:被分析的項目或操作 潛能失效模態 潛在的失效效應 嚴重度 失敗的潛能因素/機制 發生度 現在的設計或制程控制 難檢度 風險數 
2009-08-17 08:09:1730 服務范圍MOSFET、IGBT、DIODE、BJT,第三代半導體器件等分立器件,以及上述元件構成的功率模塊檢測標準l GJB548B-2005微電子器件試驗?法和程序l 
2024-01-29 22:40:29
的失效分析設備,專注功率器件失效根因分析,可為客戶提供完整的失效根因分析服務。服務范圍MOSFET、IGBT、DIODE、BJT,第三代半導體器件等分立器件,以及上述
2024-03-13 16:26:07
電路失效機制
集成電路雖然是一個精巧的不相容device 集合體,但是很少有絕對完美的。很多都包含了一些很小的缺陷,它們的存在有
2009-11-20 08:39:241312 從安全工作區探討IGBT的失效機理
1、? 引言
半導體功率器件失效的原因多種多樣。換效后進行換效分析也是十分困難和復雜的。其中失效的主要原因之
2010-02-22 09:32:422665 IGBT及其子器件的幾種失效模式
2010-02-22 10:50:02844 舊手機制作遠程遙控器和防盜報警器詳解
時下在城市家庭手機已很普遍,幾乎每人一部,而且新機型日新月異,手機更新換代比較快,家庭淘
2010-03-29 11:04:126804 高保真膽機制作詳解 各類電子管與功放電路 電子管功放制作與維修 電源、輸出變壓器繞制
2011-02-18 16:40:524017 高壓IGBT關斷狀態失效的機理研究,IGBT原理,PT,NPT,Planar IGBT, Trench IGBT
2016-05-16 18:04:330 IGBT柵極負偏電壓—UGE直接影響其可靠運行,負偏電壓升高時集電極的浪涌電流明顯下降,對關斷能耗無顯著的影響。—UGE與集電極浪涌電流和關斷能耗Eoff的關系分別如圖2(a)和(b)所示。柵極電阻
2017-05-16 09:05:375142 IGBT驅動電路的作用是驅動IGBT模塊以能讓其正常工作,同時對IGBT模塊進行保護。IGBT 驅動電路的作用對整個IGBT構成的系統來說至關重要
2017-06-05 14:21:1227214 本文著重介紹三個IGBT驅動電路。驅動電路的作用是將單片機輸出的脈沖進行功率放大,以驅動IGBT,保證IGBT的可靠工作,驅動電路起著至關重要的作用
2017-06-05 15:12:5451685 Linux內核源碼當中,關于RCU的文檔比較齊全,你可以在 /Documentation/RCU/ 目錄下找到這些文件。Paul E. McKenney 是內核中RCU源碼的主要實現者,他也寫了很多RCU方面的文章。今天我們而主要來說說linux內核rcu的機制詳解。
2017-11-13 16:47:448498 IGBT及其派生器件,例如:IGCT,是MOS和雙極集成的混合型半導體功率器件。因此,IGBT的失效模式,既有其子器件MOS和雙極的特有失效模式,還有混合型特有的失效模式。MOS是靜電極敏感器件
2018-06-20 14:51:0015773 電流Tsc 1、 引言 半導體功率器件失效的原因多種多樣。換效后進行換效分析也是十分困難和復雜的。其中失效的主要原因之一是超出安全工作區(Safe Operating Area簡稱SOA)使用引起的。因此全面了解SOA,并在使用中將IGBT的最大直流電流IC和集電極發射極電壓
2017-12-03 19:17:492531 、 2SD315A 集成驅動模塊、IGBT短路失效機理和IGBT過流保護方法。 驅動電路的作用是將 單片機 輸出的脈沖進行功率放大,以驅動IGBT.保證IGBT的可靠工作,驅動電路起著至關重要的作用
2017-12-11 10:05:09137 已有研究表明,鍵合線老化脫落失效是影響絕緣柵雙極型晶體管( IGBT)可靠性的主要因素之一。以此為研究背景,首先根據IGBT模塊內部鍵合線的結構布局與物理特性,分析鍵合線等效電阻與關斷暫態波形的關系
2018-01-02 11:18:145 隨著電子信息產品的小型化以及無鉛無鹵化的環保要求,PCB也向高密度高Tg以及環保的方向發展。但是由于成本以及技術的原因,PCB在生產和應用過程中出現了大量的失效問題,并因此引發了許多的質量糾紛。為了弄清楚失效的原因以便找到解決問題的辦法和分清責任,必須對所發生的失效案例進行失效分析。
2018-02-03 09:24:513557 單片機制作音樂譜程序原理圖詳解下載
2018-03-20 11:38:045 LED燈珠是一個由多個模塊組成的系統。每個組成部分的失效都會引起LED燈珠失效。 從發光芯片到LED燈珠,失效模式有將近三十種,如表1,LED燈珠的失效模式表所示。這里將LED從組成結構上分為芯片和外部封裝兩部分。 那么, LED失效的模式和物理機制也分為芯片失效和封裝失效兩種來進行討論。
2018-07-12 14:34:007820 家用風力發電機制作過程詳解
2018-08-21 16:11:1334430 IGBT模塊主要由若干混聯的IGBT芯片構成,個芯片之間通過鋁導線實現電氣連接。標準的IGBT封裝中,單個IGBT還會并有續流二極管,接著在芯片上方灌以大量的硅凝膠,最后用塑料殼封裝,IGBT單元
2018-10-18 18:28:03599 瞬態過電流IGBT在運行過程中所承受的大幅值過電流除短路、直通等故障外,還有續流二極管的反向恢復電流、緩沖電容器的放電電流及噪聲干擾造成的尖峰電流。這種瞬態過電流雖然持續時間較短,但如果不采取措施,將增加IGBT的負擔,也可能會導致IGBT失效 。
2019-09-02 09:46:347842 在IGBT的應用中,當外部負載發生故障,或者柵極驅動信號出現異常,或者某個IGBT或二極管突然失效,均可能引起IGBT短路,表現為橋臂內短路、相同短路及接地短路,由于IGBT在短路狀態下需要同時承受
2019-10-07 15:04:0024314 元器件設計、材料、結構、工藝缺陷引起的失效是元器件常見失效之一,其失效由元器件自身缺陷決定,應用環境和工作中施加的條件是失效的外因,不管應用環境和工作中施加的條件是否出現異常均可出現失效。
2020-10-12 14:38:443855 IGBT的封裝失效機理 輸出功率器件的可信性就是指在要求標準下,器件進行要求作用的工作能力,一般用使用期表明。因為半導體材料器件主要是用于完成電流量的轉換,會造成很大的輸出功率耗損,因而,電力
2020-12-09 16:34:121379 本文件包含一套基于失效機制的應力測試,定義了最低應力測試驅動的鑒定要求,并參考了集成電路(IC)鑒定的測試條件。這些測試能夠刺激和沉淀半導體器件和封裝故障。其目的是與使用條件相比,以更快的方式發生
2020-12-10 08:00:003 上一篇內容,我們討論了系統層面的不同的自檢技術來檢測我們的潛伏失效。本篇將討論故障度量和安全機制ASIL等級。01概念介紹1- 單點故障(SPF):一個要素中的硬件故障,直接導致安全目標的違反,并且該元件中的任何故障都不被任何安全機制所覆蓋
2020-12-24 14:30:132433 電子發燒友網為你提供IGBT失效防護機理及電路資料下載的電子資料下載,更有其他相關的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設計、用戶指南、解決方案等資料,希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-01 08:50:2222 電子發燒友網為你提供詳解IGBT系統資料下載的電子資料下載,更有其他相關的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設計、用戶指南、解決方案等資料,希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-16 08:40:5535 回流焊時急冷急熱,使貼片電感內部產生應力,導致有極少部分的內部存在開路隱患的貼片電感的缺陷變大,造成貼片電感開路。從線路板上取下貼片電感測試,貼片電感失效。如果出現焊接開路,失效的產品數量一般較少,同批次中失效產品一般小于千分級。
2021-04-21 14:31:102186 目錄:一、簡述二、驅動電路三、電流采集電流四、保護機制
2021-11-08 14:21:0528 MEMS(微機電系統)元件的失效機制從本質上講和與之相對應的宏觀(肉眼可見)元件,具有很大差別并且是獨特的。本文討論從各種MEMS元件中觀測到的失效機制。需要強調的是,MEMS裝置的組裝使用散裝表面
2021-12-13 09:37:371065 IGBT短路測試方法詳解及波形解析
2021-12-27 10:57:4075 礦石收音機制作詳解
2021-12-27 17:52:4341 接上一篇討論了IGBT應用的環境,在什么條件下算是高濕?而高濕環境又是如何影響IGBT的可靠性的。本篇內容我們接著討論,從用戶端的角度,如何預防IGBT模塊因為高濕失效?
2022-07-10 11:55:271964 參數,事實上是把參數壓入堆棧,聽起來,堆棧象一個大雜燴。那么,堆棧(Stack)到底是如何工作的呢?本文將詳解C/C++堆棧的工作機制。閱讀時請注意以下幾點:
2022-07-29 09:09:48786 FMEDA(失效模式影響和診斷分析)利用一系列安全機制來評估安全架構,并計算系統的安全性能。ISO 26262 規范第 5 部分規定,硬件架構需要根據故障處理要求進行評估。它要求通過一套客觀的指標
2022-11-18 16:02:322210 IGBT功率模塊是以絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)構成的功率模塊。由于IGBT模塊為MOSFET結構,IGBT的柵極通過一層氧化膜與發射極實現電隔離,具有出色的器件性能。廣泛應用于伺服電機、變頻器、變頻家電等領域。
2023-01-13 10:14:581363 故障(Fault): 可引起要素或相關項失效的異常情況。
2023-02-10 14:12:177184 今天梳理一下IGBT現象級的失效形式。 失效模式根據失效的部位不同,可將IGBT失效分為芯片失效和封裝失效兩類。引發IGBT芯片失效的原因有很多,如電源或負載波動、驅動或控制電路故障、散熱裝置故障
2023-02-22 15:05:4319 ??關于IGBT的有源鉗位技術,也有稱Vce鉗位,VceClamp,區別于有源米勒鉗位。??這里推薦一篇文章,值得一看: IGBT應用技術之有源鉗位詳解??典型的有源鉗位電路通過TVS直接引入負反饋
2023-02-22 14:04:2013 在電子電路中,MOS管和IGBT管會經常出現,它們都可以作為開關元件來使用,MOS管和IGBT管在外形及特性參數也比較相
似。那為什么有些電路用MOS管,而有些電路用IGBT管?
下面我們就來
2023-02-24 10:36:266 實際應用中,IGBT常見的兩種失效機理:
突發失效:即自發的,不可預知的失效
漸變失效:可預測的失效,隨著時間推移慢慢產生,制造商起著決定性的作用
1、突發失效:應用工程師的主要任務是通過
2023-02-24 15:08:582 IGBT技術路線、發展機遇詳解
2023-03-28 14:32:161156 失效率是可靠性最重要的評價標準,所以研究IGBT的失效模式和機理對提高IGBT的可靠性有指導作用。
2023-04-20 10:27:041120 ABAQUS為材料失效提供了一個通用建模框架,其中允許同一種材料應用多種失效機制。
2023-05-02 18:12:002847 隨著IGBT的耗散功率和開關頻率不斷增大,以及工作環境嚴苛,使得IGBT模塊產生大量的熱量,由于模塊內的熱量無法及時得到釋放,從而引起模塊內部溫度升高。
2023-05-16 11:30:25513 IGBT模塊主要由若干混聯的IGBT芯片構成,個芯片之間通過鋁導線實現電氣連接。標準的IGBT封裝中,單個IGBT還會并有續流二極管,接著在芯片上方灌以大量的硅凝膠,用塑料殼封裝,IGBT單元堆疊結構如圖1-1所示。
2023-05-30 08:59:52555 分頁機制是 80x86 內存管理機制的第二種機制,分段機制用于把虛擬地址轉換為線性地址,而分頁機制用于把線性地址轉換為物理地址。
2023-05-30 09:10:44266 IGBT模塊主要由若干混聯的IGBT芯片構成,個芯片之間通過鋁導線實現電氣連接。標準的IGBT封裝中,單個IGBT還會并有續流二極管,接著在芯片上方灌以大量的硅凝膠,用塑料殼封裝。
2023-06-02 09:09:29586 驅動電路的工作頻率(最小脈寬)相對 IGBT 開關頻率(占空比范圍)不足,或輔助電源平均輸出功率不足,導致的輸出不穩定。這個問題導致的后果是,驅動狀態發生波動,系統最壞情況出現概率增加。
2023-06-16 10:34:23734 在電子電路中,MOS管和IGBT管會經常出現,它們都可以作為開關元件來使用,MOS管和IGBT管在外形及特性參數也比較相似。那為什么有些電路用MOS管,而有些電路用IGBT管?下面我們就來了解一下
2022-07-21 17:53:513005 隨著半導體技術的迅速發展以及絕緣柵雙極型晶體管(insulatedgatebipolartranslator,IGBT)模塊的普遍應用,電力電子可靠性要求不斷提高,而過熱失效這一主要失效原因亦成為
2023-04-04 10:14:09965 單元,IGBT模塊得到越來越廣泛的應用。IGBT器件封裝形式主要有焊接式和壓接式兩種,其中焊接式發展成熟,應用廣泛。IGBT模塊的封裝結構比較復雜,是由多種材料組合
2023-05-18 10:11:522952 IGBT逆變電路詳解 IGBT逆變電路是一種高壓、高功率驅動電路,廣泛應用于工業、航空、船舶等領域。本文將為您詳細介紹IGBT逆變電路的原理、結構、應用以及注意事項等內容。 一、IGBT逆變電
2023-08-29 10:25:543326 在日常的電源設計中,半導體開關器件的雪崩能力、VDS電壓降額設計是工程師不得不面對的問題,本文旨在分析半導體器件擊穿原理、失效機制,以及在設計應用中注意事項。
2023-09-19 11:44:382592 壓接型IGBT器件與焊接式IGBT模塊封裝形式的差異最終導致兩種IGBT器件的失效形式和失效機理的不同,如表1所示。本文針對兩種不同封裝形式IGBT器件的主要失效形式和失效機理進行分析。1.焊接式IGBT模塊封裝材料的性能是決定模塊性能的基礎,尤其是封裝
2023-11-23 08:10:07724 詳解常見的7大晶振失效原因? 晶振是現代電子設備中廣泛應用的一種元器件,它可以提供基準時鐘信號,用于設備的時序控制和數據傳輸。然而,晶振有時可能會失效,導致設備無法正常工作。下面將詳細介紹常見的七大
2023-12-18 14:09:25524 ESD靜電放電有幾種主要的破壞機制 ESD失效的原因? 靜電放電(ESD)是由于靜電的積累導致電荷突然放電到不同電勢的物體上而引起的一系列現象。ESD可能對電子設備和電路產生不可逆的破壞,因此對于
2024-01-03 13:42:481274
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