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基于氮化鎵的電力電子器件和轉換器
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- 氮化鎵(114708)
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大功率電力電子器件散熱研究綜述
針對現階段制約電力電子技術發展的散熱問題，以溫度對電力電子器件的影響、電力電子設備熱設計特點、常見散熱技術、散熱系統優化研究和新材料在電力電子散熱研究中的應用這五方面為切入點，論述了大功率電力
2023-11-07 09:37:08
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氮化鎵: 歷史與未來
的是用于藍光播放器的光盤激光頭）。
在光子學之外，雖然氮化鎵晶體管在1993年就發布了相關技術，但直到2004年左右，第一個氮化鎵高電子遷移率晶體管（HEMT）才開始商用。這些晶體管通常用于需要
2023-06-15 15:50:54
氮化鎵GaN 來到我們身邊竟如此的快
65W氮化鎵2C1A充電器62、XinSPower新斯寶100W氮化鎵1A3C充電器63、XinSPower新斯寶100W氮化鎵2A2C充電器64、ZENDURE 30W氮化鎵轉換插座65
2020-03-18 22:34:23
氮化鎵GaN技術促進電源管理的發展
的挑戰絲毫沒有減弱。氮化鎵（GaN）等新技術有望大幅改進電源管理、發電和功率輸出的諸多方面。預計到2030年，電力電子領域將管理大約80％的能源，而2005年這一比例僅為30％1。這相當于30億千瓦時以上
2020-11-03 08:59:19
氮化鎵GaN技術助力電源管理革新
結構可以使用雙柵結構控制電流。用于電機驅動的矩陣轉換器可以通過利用雙向設備潛在地減少開關的數量。此外，氮化鎵器件可以在比硅器件更高的溫度下工作，這使其成為許多熱門應用(如集成電機驅動)的有吸引力的選擇
2018-11-20 10:56:25
氮化鎵GaN接替硅支持高能效高頻電源設計方案
在所有電力電子應用中，功率密度是關鍵指標之一，這主要由更高能效和更高開關頻率驅動。隨著基于硅的技術接近其發展極限，設計工程師現在正尋求寬禁帶技術如氮化鎵（GaN）來提供方案。
2020-10-28 06:01:23
氮化鎵一瓦已經不足一元，并且順豐包郵？聯想發動氮化鎵價格戰伊始。
度大、擊穿電場高、熱導率大、電子飽和漂移速度高、介電常數小等獨特的性能，被譽為第三代半導體材料。氮化鎵在光電器件、功率器件、射頻微波器件、激光器和探測器件等方面展現出巨大的潛力，甚至為該行業帶來跨越式
2022-06-14 11:11:16
氮化鎵充電器
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導體特性，早期應用于發光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點高穩定性強。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導體材料，具有寬帶隙、高熱導率等特點，應用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
氮化鎵功率芯片如何在高頻下實現更高的效率？
氮化鎵為單開關電路準諧振反激式帶來了低電荷（低電容）、低損耗的優勢。和傳統慢速的硅器件，以及分立氮化鎵的典型開關頻率（65kHz）相比，集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
氮化鎵功率芯片的優勢
更小：GaNFast? 功率芯片，可實現比傳統硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節約方面，它最高能節約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設計使其非常
2023-06-15 15:32:41
氮化鎵發展評估
。氮化鎵的性能優勢曾經一度因高成本而被抵消。最近，氮化鎵憑借在硅基氮化鎵技術、供應鏈優化、器件封裝技術以及制造效率方面的突出進步成功脫穎而出，成為大多數射頻應用中可替代砷化鎵和 LDMOS 的最具成本
2017-08-15 17:47:34
氮化鎵技術推動電源管理不斷革新
。與典型的PN結MOSFET不同，GaN器件的雙向結構可以使用雙柵結構控制電流。用于電機驅動的矩陣轉換器可以通過利用雙向設備潛在地減少開關的數量。此外，氮化鎵器件可以在比硅器件更高的溫度下工作，這使其成為
2019-03-14 06:45:11
氮化鎵芯片未來會取代硅芯片嗎？
降低了產品成本。搭載GaN的充電器具有元件數量少、調試方便、高頻工作實現高轉換效率等優點，可以簡化設計，降低GaN快充的開發難度，有助于實現小體積、高效氮化鎵快充設計。 Keep Tops氮化鎵內置多種
2023-08-21 17:06:18
電力電子器件分類怎么規定的
電力電子器件的分類共有四大類 其中每類又能分出多種不同類型：一、按照電力電子器件能夠被控制電路信號所控制的程度分類：1、半控型器件，例如晶閘管；2、全控型器件，例如（門極可關斷晶閘管）、GTR（電力
2017-01-19 20:49:04
電力電子器件的工作開關狀態
電力電子技術總結第二章1 電力電子器件工作在開關狀態，為了減小損耗。通態損耗，斷態損耗，開關損耗。2 不可控器件—電力二極管，利用單向導電性，可以在交流變直流過程中實現整流。和電 感在一起，一般
2021-11-16 06:34:43
電力電子器件的歸納
電力電子器件的歸納1） pn結是晶體管的核心，各種器件都和pn有一定的關系，但相互有其特點。研究不同器件的特點需要半導體物理基礎、提純技術、加工技術和檢測技術，這是半導體技術的核心，是國內所沒有
2014-06-21 17:35:22
電力電子器件的問題
【不懂就問】在書上看到的說，電力電子器件工作在開關狀態，這樣損耗很小，但是不是說功率器件在不停開關過程中有大量損耗嗎？這個矛盾嗎？而且開關電源的功率管工作在飽和區，而線性電源的功率管工作在線性區，這個和上面又有什么關系？
2018-01-23 16:10:48
電力電子器件課件
電力電子器件1.1 電力電子器件概述1.2 不可控器件——電力二極管1.3 半控型器件——晶閘管1.4 典型全控型器件 1.5 其他新型電力電子器件 小結
2009-09-16 12:09:44
電子元器件和電力電子元器件有什么區別
，對電壓、電流有控制、變換作用（放大、開關、整流、檢波、振蕩和調制等），所以又稱有源器件。按分類標準，電子器件可分為12個大類，可歸納為真空電子器件和半導體器件兩大塊。電力元件 需要控制信號使其導
2012-07-05 10:44:12
電子元器件和電力電子元器件有什么區別
，對電壓、電流有控制、變換作用（放大、開關、整流、檢波、振蕩和調制等），所以又稱有源器件。按分類標準，電子器件可分為12個大類，可歸納為真空電子器件和半導體器件兩大塊。電力元件 需要控制信號使其導
2012-07-05 11:59:56
電子元器件和電力電子元器件有什么區別
，對電壓、電流有控制、變換作用（放大、開關、整流、檢波、振蕩和調制等），所以又稱有源器件。按分類標準，電子器件可分為12個大類，可歸納為真空電子器件和半導體器件兩大塊。電力元件 需要控制信號使其導
2012-07-06 17:18:51
電子元器件和電力電子元器件有什么區別
，對電壓、電流有控制、變換作用（放大、開關、整流、檢波、振蕩和調制等），所以又稱有源器件。按分類標準，電子器件可分為12個大類，可歸納為真空電子器件和半導體器件兩大塊。電力元件 需要控制信號使其導
2012-07-09 17:32:26
CGHV96100F2氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 該GaN內部匹配（IM）FET與其他技術相比，具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
IFWS 2018：氮化鎵功率電子器件技術分會在深圳召開
功率氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關頻率、更低的導通電阻等優勢，并可與成本極低、技術成熟度極高的硅基半導體集成電路工藝相兼容，在新一代高效率、小尺寸的電力轉換與管理系統、電動機
2018-11-05 09:51:35
MACOM和意法半導體將硅上氮化鎵推入主流射頻市場和應用
本帖最后由 kuailesuixing 于 2018-2-28 11:36 編輯
整合意法半導體的制造規模、供貨安全保障和電涌耐受能力與MACOM的硅上氮化鎵射頻功率技術，瞄準主流消費電子
2018-02-12 15:11:38
MACOM：硅基氮化鎵器件成本優勢
不同，MACOM氮化鎵工藝的襯底采用硅基。硅基氮化鎵器件既具備了氮化鎵工藝能量密度高、可靠性高等優點，又比碳化硅基氮化鎵器件在成本上更具有優勢，采用硅來做氮化鎵襯底，與碳化硅基氮化鎵相比，硅基氮化鎵晶元尺寸
2017-09-04 15:02:41
MACOM：適用于5G的半導體材料硅基氮化鎵（GaN）
的各個電端子之間的距離縮短十倍。這樣可以實現更低的電阻損耗，以及電子具備更短的轉換時間。總的來說，氮化鎵器件具備更快速的開關、更低的功率損耗及更低的成本優勢。由于氮化鎵技術在低功耗、小尺寸等方面具有獨特
2017-07-18 16:38:20
Micsig光隔離探頭實測案例——氮化鎵GaN半橋上管測試
系列光隔離探頭現場條件因該氮化鎵快充PCBA設計密度很高，阻容采用0402器件，只能采用不是最優方案的同軸延長線連接（通常推薦采用MCX母座連接，可最大限度減少引線誤差）。現場連接圖如下：▲圖1：接線
2023-01-12 09:54:23
NV6115氮化鎵MOS+NCP1342主控芯片PWM控制器絲印1342AMDCD
`明佳達優勢供應NV6115氮化鎵MOS+NCP1342主控芯片PWM控制器絲印1342AMDCD。產品信息1、NV6115氮化鎵MOS絲印：NV6115芯片介紹：NV6115氮化鎵MOS，是針對
2021-01-08 17:02:10
SGN2729-250H-R氮化鎵晶體管
SGFCF2002S-D氮化鎵晶體管SGNH130M1H氮化鎵晶體管SGNE010MK氮化鎵晶體管SGCA100M1H氮化鎵晶體管SGCA030M1H氮化鎵晶體管深圳市立年電子科技有限公司QQ330538935***`
2021-03-30 11:14:59
SGN2729-600H-R氮化鎵晶體管
SGFCF2002S-D氮化鎵晶體管SGNH130M1H氮化鎵晶體管SGNE010MK氮化鎵晶體管SGCA100M1H氮化鎵晶體管SGCA030M1H氮化鎵晶體管深圳市立年電子科技有限公司QQ330538935***`
2021-03-30 11:24:16
TGF2977-SM氮化鎵晶體管
放大器/QORVO放大器濾波器/MINI濾波器功分器/PEREGRINE射頻開關/ Innovative Power Products(IPP)耦合器/ADI放大器數模轉換器陀螺儀/MARKI混頻器巴
2018-07-25 10:06:15
【技術干貨】氮化鎵IC如何改變電動汽車市場
：如前所述，氮化鎵器件以射頻速度開關。比現有的電力電子開關速度快得多。鑒于此，具有高共模瞬變抑制（CMTI）的高速柵極驅動器對優化Transphorm GaN FET的性能至關重要。為此，Si827x
2018-07-19 16:30:38
為什么氮化鎵(GaN)很重要？
氮化鎵(GaN)的重要性日益凸顯，增加。因為它與傳統的硅技術相比，不僅性能優異，應用范圍廣泛，而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發和應用中，傳統硅器件在能量轉換方面，已經達到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
為什么氮化鎵比硅更好？
，在半橋拓撲結構中結合了頻率、密度和效率優勢。如有源鉗位反激式、圖騰柱PFC和LLC。隨著從硬開關拓撲結構到軟開關拓撲結構的改變，初級FET的一般損耗方程可以最小化，從而提升至10倍的高頻率。
氮化鎵功率芯片前所未有的性能表現，將成為第二次電力電子學革命的催化劑。
2023-06-15 15:53:16
為何碳化硅比氮化鎵更早用于耐高壓應用呢？
應用范圍也越來越廣。據報道，美國特斯拉公司的馬達驅動逆變器使用的是碳化硅半導體。另外，很多讀者都已經在電器市場上看到了使用了氮化鎵半導體的微型 AC轉換器。采用寬禁帶材料制作的電力半導體，其內部電路在高壓
2023-02-23 15:46:22
什么是氮化鎵功率芯片？
氮化鎵(GaN)功率芯片，將多種電力電子器件整合到一個氮化鎵芯片上，能有效提高產品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化鎵功率芯片，能令先進的電源轉換拓撲結構，從學術概念和理論達到
2023-06-15 14:17:56
什么是氮化鎵功率芯片？
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現氮化鎵器件、驅動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
什么是氮化鎵技術
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設計，帶集成柵極驅動和穩健的器件保護。從那時起，我們就致力于利用這項尖端技術將功率級
2020-10-27 09:28:22
什么是氮化鎵（GaN）？
氮化鎵，由鎵（原子序數 31）和氮（原子序數 7）結合而來的化合物。它是擁有穩定六邊形晶體結構的寬禁帶半導體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
什么是氮化鎵（GaN）？
、高功率、高效率的微電子、電力電子、光電子等器件方面的領先地位。『三點半說』經多方專家指點查證，特推出“氮化鎵系列”，告訴大家什么是氮化鎵（GaN）？
2019-07-31 06:53:03
什么阻礙氮化鎵器件的發展
的應用[color=rgb(51, 51, 51) !important]激光雷達（LiDAR）使用鐳射脈沖快速形成三維圖像或為周圍環境制作電子地圖。氮化鎵場效應相較MOSFET器件而言，開關速度快十倍，使得
2019-07-08 04:20:32
傳統的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)
傳統的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
如何學習氮化鎵電源設計從入門到精通?
精通，這個系列直播共分為八講，從0到1全面解密電源設計，帶工程師完整地設計一個高效氮化鎵電源，包括元器件選型、電路設計和PCB布線、電路測試和優化技巧、磁性元器件的設計和優化、環路分析和優化、能效分析
2020-11-18 06:30:50
如何完整地設計一個高效氮化鎵電源？
如何帶工程師完整地設計一個高效氮化鎵電源，包括元器件選型、電路設計和PCB布線、電路測試和優化技巧、磁性元器件的設計和優化、環路分析和優化、能效分析和優化、EMC優化和整改技巧、可靠性評估和分析。
2021-06-17 06:06:23
如何實現對有SPI接口的AD轉換器AD7705的接口應用？
整機在工作時，大概有4％的能量被各種電力電子器件所消耗，這些被消耗的能量以熱量的形式分別在單個模塊中通過散熱器散發出去。
2019-11-06 07:27:03
如何實現小米氮化鎵充電器
如何實現小米氮化鎵充電器是一個c to c 的一個充電器拯救者Y7000提供了Type-c的端口，但這個口不可以充電，它是用來轉VGA,HDMI,DP之類了，可以外接顯示器，拓展塢之類的。要用氮化鎵
2021-09-14 06:06:21
如何用集成驅動器優化氮化鎵性能
導讀：將GaN FET與它們的驅動器集成在一起可以改進開關性能，并且能夠簡化基于GaN的功率級設計。氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實現更低的開關損耗。然而，當
2022-11-16 06:23:29
實現更小、更輕、更平穩的電機驅動器的氮化鎵器件
更高，因為所有電流都轉換為施加到負載的扭矩。
圖 3：500 ns死區時間對扭矩信號的影響；電頻率為 27 Hz，可見 6 次諧波。扭矩信號從扭矩傳感器取得。
基于氮化鎵器件的逆變器可以在100
2023-06-25 13:58:54
平面磁件如何提高電力電子器件性能
電子功率轉換器非常重要，電子功率轉換器包括磁性器件，例如：用于功率傳輸的變壓器和用于能量存儲的電感器。本文解釋了平面磁件如何在效率、成本、空間要求以及散熱方面顯著改善電力電子器件的性能。
2023-09-06 06:38:52
想要實現高效氮化鎵設計有哪些步驟？
和功率因數校正 （PFC） 配置。 簡單的電路提供了將硅控制器用于GaN器件的過渡能力。對于單個氮化鎵器件，隔離式負 V一般事務（關閉）EZDrive?電路是一種低成本、簡單的方法，可以使用12V驅動器
2023-02-21 16:30:09
支持瓦特到千瓦級應用的氮化鎵技術介紹
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設計，帶集成柵極驅動和穩健的器件保護。從那時起，我們就致力于利用這項尖端技術將功率級
2022-11-10 06:36:09
有關氮化鎵半導體的常見錯誤觀念
氮化鎵器件于2010年3月開始進行商業化生產，激光雷達是第一種應用能夠發揮氮化鎵晶體管的高速開關和小尺寸優勢，以實現最高性能，成為“殺手級應用”。緊隨其后，是用于高密度計算的48 V DC/DC轉換器
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現代電力電子器件的發展現狀與發展趨勢
電子系統，這些系統可以像小型的DC-DC轉換器一樣簡單，也可以像大型的分布式電力系統那樣復雜。一個系統中PEBB的數量可以從一個到任何多個。多個PEBB模塊一起工作可以完成電壓轉換、能量的儲存和轉換
2017-11-07 11:11:09
現代電力電子器件的發展現狀與發展趨勢
能量接口和通訊接口。通過這兩種接口，幾個PEBB可以組成電力電子系統，這些系統可以像小型的DC-DC轉換器一樣簡單，也可以像大型的分布式電力系統那樣復雜。一個系統中PEBB的數量可以從一個到任何多個
2017-05-25 14:10:51
請問candence Spice能做氮化鎵器件建模嗎？
candence中的Spice模型可以修改器件最基本的物理方程嗎？然后提取參數想基于candence model editor進行氮化鎵器件的建模，有可能實現嗎？求教ICCAP軟件呢？
2019-11-29 16:04:02
誰發明了氮化鎵功率芯片？
擁有豐富的研發經驗。另外，Dan 也是首屆 ISPSD 電力電子名人堂的入選者。
Marco Giandalia在電源轉換和電機驅動領域，擁有超過 20 年的高壓集成電路設計經驗，他在定義、建模
2023-06-15 15:28:08
迄今為止最堅固耐用的晶體管—氮化鎵器件
了類似高電子遷移率晶體管（HEMT）的氧化鎵。這類器件通常由砷化鎵（GaAs）或氮化鎵制成，是手機和衛星電視接收器的重要射頻支柱。這類器件不是通過體半導體的摻雜溝道導電，而是通過在兩個帶隙不同的半導體
2023-02-27 15:46:36
高壓氮化鎵的未來是怎么樣的
就可以實現。正是由于我們推出了LMG3410—一個用開創性的氮化鎵 (GaN) 技術搭建的高壓、集成驅動器解決方案，相對于傳統的、基于硅材料的技術，創新人員將能夠創造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2018-08-30 15:05:50
新型場控電力電子器件
本節介紹幾種已經形成了產品但在國內還沒有在生產現場廣泛應用的電力電子器件。隨著電力電子技術的發展，不久的將來它們會逐漸被應用到各種生產領域，因此先對這些器
2009-01-01 20:22:36
34
34電力電子器件試卷
1.電力電子器件一般工作在________狀態。 2.在通常情況下，電力電子器件功率損耗主要為________，而當器件開關頻率較高時，功率損耗主要為________。 3.電力電子器件組成
2009-01-12 11:31:4662
62電力電子器件及應用
電力電子器件及應用1.1 電力電子器件概述一、電力電子器件的分類按照器件的控制能力分為以下三類：半控型器件：晶閘管（Thyristor or SCR）及其大部分派生器件其特
2009-04-14 21:08:49146
146電力電子器件電子教案
電力電子器件電子教案:第一節 電力電子器件概述第二節 不可控器件——二極管第三節 半控型器件——晶閘管第四節 典型全控型器件第五節 其他新型電力電子器件第
2009-09-19 19:40:320
0電力電子器件的保護
較之電工產品，電力電子器件承受過電壓、過電流的能力要弱得多，極短時間的過電
壓和過電流就會導致器件永久性的損壞。因此電力電子電路中過電壓和過電流的保護裝置
2010-06-28 14:35:5389
89電力電子器件的驅動
可控型電力電子器件（包括全控和半控）多為三端器件，其中有兩個電極接主電路，如晶閘管的陽極和陰極、GTR的集電極和發射極。工作時可承受很高的電壓和通過很大的電流。另
2010-08-08 14:41:3557
57
什么是光電子器件_光電子器件發展趨勢解析
根據是否需要電支持，光器件可以分為無源和有源兩類。有源器件主要包括波長轉換器、光放大器、激光器、光調制解調器、色散補償光模塊、光開關等需要外加能源驅動工作的光電子器件。
2018-02-24 10:23:3714831
14831
回顧電力電子器件的發展史及未來展望
電力電子器件（Power Electronic Device）又稱為功率半導體器件，主要用于電力設備的電能變換和控制電路方面大功率的電子器件（通常指電流為數十至數千安，電壓為數百伏以上），其不斷發展引導著各種電力電子拓撲電路的不斷完善。
2018-07-16 17:32:0247938
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電力電子器件的換流方式有哪些
由于采用電力電子器件作為開關器件，各支路間電流的轉移必然包含著電力電子器件開關狀態的變化，它包括關斷退出工作的已處通態的器件和接通進入工作的原處斷態的器件。由于器件和電路元件都具有慣性，上述器件開關
2019-10-01 17:05:0021642
21642電力電子器件的學習課件免費下載
本文檔的主要內容詳細介紹的是電力電子器件的學習課件免費下載包括了：1 電力電子器件概述，2 不可控器件——電力二極管，3 半控型器件——晶閘管，4 典型全控型器件，5 其他新型電力電子器件，6 功率集成電路與集成電力電子模塊
2020-01-09 15:28:0043
43電力電子器件的學習教程課件詳細概述
本文檔的主要內容詳細介紹的是電力電子器件的學習教程課件詳細概述包括了：1 電力電子器件概述，2 不可控器件——電力二極管，3 半控型器件——晶閘管，4 典型全控型器件，5 其他新型電力電子器件，6 功率集成電路與集成電力電子模塊
2020-04-27 08:00:0019
19電力電子器件分類_電力電子器件的特點
在電氣設備或電力系統中，直接承擔電能的變換或控制任務的電路，稱為主電路（ MainPower Circuit），其中的電子器件就是電力電子器件（Power Electronic Device）。廣義
2021-01-07 15:31:1237192
37192電力電子器件的損耗包括哪些
電力電子器件的損耗包括哪些 電力電子器件的損耗主要包括有開通、關斷、通態損耗。 在通常情況下，電力電子器件功率損耗主要為通態損耗，而當器件開關頻率較高時，功率損耗主要為開關損耗。另外，si的二極管
2021-01-07 15:40:0330907
30907其它新型電力電子器件與功率集成電路
目錄 2.5 其它新型電力電子器件 2.5.1 MOS控制晶閘管MCT 2.5.2 靜電感應晶體管SIT 2.5.3 靜電感應晶閘管SITH 2.5.4 集成門極換流晶閘管IGCT 2.5.5
2023-02-16 15:08:060
0電力電子器件的概念及分類
電力電子器件(Power Electronic Device)是指可直接用于處理電能的主電路中，實現電能的變換或控制的電子器件。廣義上電力電子器件可分為電真空器件和半導體器件兩類，目前往往專指電力
2023-04-04 15:31:433961
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氮化鎵材料在電力電子器件中的應用
隨著科學技術的不斷進步，電力電子設備的應用越來越廣泛，而氮化鎵（GaN）材料在提高能源效率方面發揮著重要作用。本文將討論氮化鎵材料的特性，氮化鎵在電力電子設備中的應用，以及氮化鎵解決方案如何實現更高的能效。
2023-10-13 16:02:05344
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全控型電力電子器件的RCD關斷緩沖電路的主要不足是什么？
全控型電力電子器件的RCD關斷緩沖電路的主要不足是什么？ 全控型電力電子器件的RCD關斷緩沖電路是一種常見的保護電路，用于保護電力電子器件免受過電流和過壓的損害。然而，這種保護電路也存在一些主要
2023-11-21 15:17:55244
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工商網監
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