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NMOS晶體管線性區導通電阻詳解
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電力雙極型晶體管(GTR)詳解
電力雙極型晶體管(GTR)是一種耐高壓、能承受大電流的雙極晶體管，也稱為BJT，簡稱為電力晶體管。它與晶閘管不同，具有線性放大特性，但在電力電子應用中卻工作在開關狀態，從而減小功耗。GTR可通過基極控制其開通和關斷，是典型的自關斷器件。
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Ω和68 Ω電阻串聯） ●? ? ?一個小信號NMOS晶體管（增強模式CD4007或ZVN2110A） 說明 圖1給出了NMOS零增益放大器的原理圖。 圖1
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NMOS管的原理介紹及結構
NMOS英文全稱為N-Metal-Oxide-Semiconductor。 意思為N型金屬-氧化物-半導體，而擁有這種結構的晶體管我們稱之為NMOS晶體管。
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NMOS晶體管線性區漏源電流詳解
之前的文章對MOS電容器進行了簡單介紹，因此對MOS晶體管的理解已經打下了一定的基礎，本文將對深入介紹NMOS晶體管的結構及工作原理，最后再從機理上對漏源電流的表達式進行推導說明。
2023-04-17 12:01:583744
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四種晶體管開關電路詳解
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2023-06-12 09:29:002031
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晶體管詳解
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晶體管Ⅴbe擴散現象是什么？
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晶體管和場效應管的本質問題理解
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2、當柵極電壓達到門檻電壓時，導電溝道開始出現，場效應管進入線性區，漏源之間電阻開始減小，此時漏源
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，MOSFET中有稱為“導通電阻”的參數，尤其是處理大功率時是重要的特性。但雙極晶體管中沒有“導通電阻”這個參數。世界上最早的晶體管是雙極晶體管，所以可能有人說表達順序反了，不過近年來，特別是電源電路中
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晶體管的基極分壓電阻一般選用K歐姆級別的電阻阻值，原因是什么？理論依據來源于哪里？
對于晶體管放大電路，比如常用的共射放大電路，一般基極會有兩個分壓電阻，用來控制給基極一個合適的電平，保證晶體管的基極能導通，這兩個分壓電阻的阻值一般選用的都是K歐姆級別的阻值，原因是什么？ 理論依據是？謝謝！
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晶體管的由來
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晶體管的飽和狀態和飽和壓降
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晶體管驅動電路的問題？
【不懂就問】圖中的晶體管驅動電路，在變壓器Tr的副邊輸出電阻R3上并聯的二極管D2，說D2的作用是在輸入端有正脈沖輸入時使得變壓器次級產生的的正脈沖通過D2，直接驅動MOSFET管Q2，達到提高導
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詳解MOS管驅動電路
詳解MOS管驅動電路在使用MOS管設計開關電源或者馬達驅動電路的時候，大部分人都會考慮MOS管的導通電阻、最大電壓、最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是優秀
2017-08-15 21:05:01
IGBT絕緣柵雙極晶體管
電壓（與功率MOSFET的低導通電阻相當）和較快的開關特性的晶體管。盡管其具有較快的開關特性，但仍比不上功率MOSFET，這是IGBT的弱點?！竟β试骷幕窘Y構與特點
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電壓（與功率MOSFET的低導通電阻相當）和較快的開關特性的晶體管。盡管其具有較快的開關特性，但仍比不上功率MOSFET，這是IGBT的弱點。【功率元器件的基本結構與特點
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MOSFET驅動及工作區的問題分析
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MOS管導通電阻問題
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Multisim里面雪崩晶體管的過壓擊穿怎么放著
求大神相助，Multisim里面雪崩晶體管的過壓擊穿怎么放著那，當我設的電壓已經大于了Vcbo滯后還是不見晶體管導通。
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NPN晶體管的基本原理和功能
的比例關系。2）偏置電路 當晶體管用于實際的放大電路時，還需要添加合適的偏置電路。這有幾個原因。首先，由于晶體管的BE結（相當于二極管）的非線性，輸入電壓達到一定水平后必須產生基極電流（對于硅管，通常
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NPN型和PNP型晶體管的工作狀態解析
NPN晶體管的b處沒有電壓輸入時，c和e之間沒有電流流動，三極管處于截止狀態。在圖（b）中，當正電壓輸入到NPN晶體管的b時，e的N區的負電子被b中P區的正電子吸引。 由于發電廠的作用，它們沖向（擴散
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PNP晶體管的工作原理，如何識別PNP晶體管
提供電荷載流子。為了提供大量的電荷載流子，與基極相比，發射器不斷正向偏置。基礎晶體管的基極是中間的部分，通過兩個PN結連接發射極和集電極。由于基極-發射極結是正向偏置的，因此發射極電路具有低電阻。由于
2023-02-03 09:44:48
SAR ADC RC濾波器，請問輸入開關導通電阻為何能忽略？
忽略輸入開關的導通電阻。AD7980的Rin典型值是400Ω，遠大于外部電阻Rext，輸入開關導通電阻為何能忽略？如果考慮Rin，又該如何計算？另外Vstep為什么這樣計算？
2018-08-06 07:49:37
SiC-MOSFET功率晶體管的結構與特征比較
繼前篇內容，繼續進行各功率晶體管的比較。本篇比較結構和特征。功率晶體管的結構與特征比較下圖是各功率晶體管的結構、耐壓、導通電阻、開關速度的比較。使用的工藝技術不同結構也不同，因而電氣特征也不同。補充
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VGS在線性區，功率MOSFET反向導通的問題
電壓。導通電阻表示功率MOSFET完全開后的電阻，和上述的線性區工作狀態并不相同。功率MOSFET的內部二極管導通的反向工作狀態，因為其S、D極的電壓為二極管的壓降，因此并沒有線性區的過程，也就
2017-04-06 14:57:20
三極管與場效應晶體管，誰才是電子行業的領頭羊？
的NMOS管和PMOS管，其中增強型的NMOS管更加常用，因為NMOS的導通電阻小并且容易制造，在開關電源和馬達驅動的應用中，一般采用NMOS，主要原因是NMOS的導通電阻小并且容易制造，另外在MOS管內
2019-04-08 13:46:25
不同類型的晶體管及其功能
結型晶體管 (BJT) 的評估中，HBT 在發射極注入效率、基極電阻、基極-發射極電容和截止頻率方面表現出更好的表現。它們還具有良好的線性度、低相位噪聲和高功率附加效率。HBT 可用于盈利且高可靠性
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什么是晶體管 晶體管的分類及主要參數
有兩種主要類型：結型場效應管（JFET）和金屬氧化物半導體場效應管（MOS-FET）。與BJT不同，FET僅由一個載流子組成，因此也稱為單極晶體管。屬于壓控半導體器件，具有輸入電阻高、噪聲低、功耗低
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什么是接地導通電阻測試儀？
電氣技師和電子制造工程師用接地導通電阻測試儀驗證電器和消費產品（由交流電壓供電）上的裸露金屬是否適當地連接到了其機殼底座。當電器內部發生故障電流時，如果電器沒有適當地連接到已接地的機殼底座，就存在
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什么是達林頓晶體管？
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2023-02-16 18:19:11
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這個晶體管需要我們用 5mA 的電流為基極供電。偏置晶體管允許最多 100mA 的電流流過發射極和集電極。晶體管可以在飽和區和截止區工作。晶體管有兩種應用，可以用作開關和放大器。在我們的項目中，我們將使
2022-08-30 07:23:58
使用雙極性結型晶體管(BJT)和NMOS晶體管的穩定電流源
ADALM2000主動學習模塊無焊面包板一個2.2 kΩ電阻（或其他類似值）一個168 Ω電阻（將100 Ω和68 Ω電阻串聯）一個4.7 kΩ電阻兩個小信號NMOS晶體管（CD4007或ZVN2110A
2021-11-01 09:53:18
關于晶體管電路設計（下）一書中部分章節的疑惑
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四種常用晶體管開關電路（2種NMOS，2種PMOS）
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不知是否是我理解的這樣？
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基本晶體管開關電路，使用晶體管開關的關鍵要點
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開關的導通電阻對傳遞函數的影響
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ULN2803L低導通電阻NMOS驅動電路中文手冊
ULN2803L是為低電壓下工作的系統而設 計的八通道低導通電阻NMOS驅動電路。
特性 ? 0.5A 輸出電流（單路輸出） ? 工作電壓范圍 2.0-7.0V ? CPC20和SOP18封裝
2022-12-19 14:14:02
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12基于模型的GAN PA設計基礎知識：GAN晶體管S參數、線性穩定性分析與電阻穩定性
基于模型的 GAN PA 設計基礎知識：GAN 晶體管 S 參數、線性穩定性分析與電阻穩定性
2022-12-26 10:16:211645
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nmos晶體管的工作原理/功能特性/電路圖
NMOS晶體管是一種電子元件，它是一種半導體晶體管，其中N指的是n型半導體材料，它具有負極性，可以用來控制電流的流動。它的主要功能是在電路中控制電流的流動，以及控制電路的輸入和輸出信號。
2023-02-11 16:09:0511838
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NMOS晶體管的閾值電壓公式 nmos晶體管的閾值電壓與哪些因素有關
nmos晶體管的閾值電壓公式為Vt=Vt0-γ（2φF/Cox），其中Vt0為晶體管的基礎閾值電壓，γ為晶體管的偏置系數，φF為晶體管的反向偏置電勢，Cox為晶體管的歐姆容量。
2023-02-11 16:30:149783
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nmos晶體管的電流方程 nmos晶體管飽和伏安特性方程
nMOS晶體管導通是通過溝道里面的電子產生電流的，一般NMOS的源極接襯底，共同接到地，漏極到源極加上正電壓，電子從源極向漏極流動，我們取電流的方向和電子流動的方向相反，所以電流是漏極流到源極。
2023-02-11 16:41:541979
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晶體管和晶閘管區別
晶體管可以用來放大電信號，可以用來做電子開關；晶閘管也可以用來做電子開關，但不能用來放大信號，它用來做開關比晶體管好，因為它的導通電阻比晶體管的低，能通大電流；
2023-05-16 14:57:511050
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工商網監
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