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來(lái)源?|?中國(guó)電機(jī)工程學(xué)報(bào)，中國(guó)知網(wǎng)

作者?|?王磊1，魏曉光1*，唐新靈1，林仲康1，趙志斌2，李學(xué)寶2 ?

單位 |?1. 北京智慧能源研究院；2. 華北電力大學(xué)新能源電力系統(tǒng)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室

原位 |?DOI：10.13334/j.0258-8013.pcsee.230136

摘要：半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步使得芯片的尺寸得以不斷縮小，倒逼著封裝技術(shù)的發(fā)展和進(jìn)步，也由此產(chǎn)生了各種各樣的封裝 形式。當(dāng)前功率器件的設(shè)計(jì)和發(fā)展具有低電感、高散熱和高絕緣能力的屬性特征，器件封裝上呈現(xiàn)出模塊化、多功能化 和體積緊湊化的發(fā)展趨勢(shì)。為實(shí)現(xiàn)封裝器件低電感設(shè)計(jì)，器件封裝結(jié)構(gòu)更加緊湊，而芯片電壓等級(jí)和封裝模塊的功率密度持續(xù)提高，給封裝絕緣和器件散熱帶來(lái)挑戰(zhàn)。在有限的封 裝空間內(nèi)，如何把芯片的耗散熱及時(shí)高效的釋放到外界環(huán)境中以降低芯片結(jié)溫及器件內(nèi)部各封裝材料的工作溫度，已成 為當(dāng)前功率器件封裝設(shè)計(jì)階段需要考慮的重要問(wèn)題之一。本文聚焦于功率器件封裝結(jié)構(gòu)的散熱方面，針對(duì)功率半導(dǎo)體器件在散熱路徑方面的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)進(jìn)行歸納總結(jié)。通過(guò)對(duì)國(guó)內(nèi)外 功率器件封裝結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的綜述，梳理了功率器件封裝結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)過(guò)程中在散熱方面的考慮及封裝散熱特點(diǎn)，并根據(jù)功率器 件散熱特點(diǎn)對(duì)功率器件封裝結(jié)構(gòu)類(lèi)型進(jìn)行了分類(lèi)。最后，基于降低封裝結(jié)構(gòu)散熱熱阻、提高器件散熱能力的目的，從高導(dǎo)熱封裝材料和連接工藝、芯片面接觸連接、增加散熱路徑 以及縮短散熱路程四個(gè)方面對(duì)功率器件封裝結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)在散熱方面未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì)進(jìn)行了展望。

00 引言 ? ?

半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步極大地促進(jìn)了電力電子器件的發(fā)展和應(yīng)用。過(guò)去幾十年里，在摩爾定律的?“魔咒”下，半導(dǎo)體芯片尺寸不斷減小，使得在同樣的空間體積內(nèi)可以集成更多的芯片，實(shí)現(xiàn)更多的功能和更強(qiáng)大的處理能力，為進(jìn)一步提高功率密度提供了可能。

另一方面，芯片尺寸的縮小也增加了芯片散熱熱阻，降低了熱容，使得芯片結(jié)溫升高，結(jié)溫波動(dòng)更加明顯，影響功率模塊的可靠性。

功率半導(dǎo)體作為電力電子系統(tǒng)的核心組成部分，已經(jīng)廣泛應(yīng)用到生活、交通、電力、工業(yè)控制、航空航天、艦船等領(lǐng)域。功率器件正呈現(xiàn)出高頻、高壓、高功率以及高溫的發(fā)展特點(diǎn)。

同時(shí)這些特征也對(duì)功率器件封裝提出了巨大挑戰(zhàn)，需要考慮到封裝結(jié)構(gòu)、封裝材料和封裝工藝的可行性和適配性，這些涉及到器件的封裝電感、芯片散熱和電氣絕緣等問(wèn)題，倘若這些不能夠很好的得到解決，就會(huì)對(duì)器件的熱學(xué)、電學(xué)、機(jī)械性能和可靠性產(chǎn)生極大的影響，甚至導(dǎo)致器件的失效。 ?

尤其是在目前功率器件高電壓、大電流和封裝體積緊湊化的發(fā)展背景下，封裝器件的散熱問(wèn)題已變得尤為突出且更具挑戰(zhàn)性。芯片產(chǎn)生的熱量會(huì)影響載流子遷移率而降低器件性能。

此外，高溫也會(huì)增加封裝不同材料間因熱膨脹系數(shù)不匹配造成的熱應(yīng)力，這將會(huì)嚴(yán)重降低器件的可靠性及工作壽命。結(jié)溫過(guò)高將導(dǎo)致器件發(fā)生災(zāi)難性故障及封裝材料因熱疲勞和高溫加速導(dǎo)致材料退化而造成的故障問(wèn)題。

因此，在非常有限的封裝空間內(nèi)，及時(shí)高效的把芯片的耗散熱排放到外界環(huán)境中以降低芯片結(jié)溫及器件內(nèi)部各封裝材料的溫度，已成為未來(lái)功率器件封裝設(shè)計(jì)過(guò)程中需要考慮的重要課題。

伴隨著電網(wǎng)規(guī)模越來(lái)越大，電壓等級(jí)越來(lái)越高，電力系統(tǒng)朝著更加智能化方向發(fā)展，高壓、大功率和高開(kāi)關(guān)速度要求功率器件承擔(dān)的功能也更加多樣化，工作環(huán)境更加惡劣，在此背景下，除芯片自身需具有較高的處理能力外，器件封裝結(jié)構(gòu)已成為限制器件整體性能的關(guān)鍵。

而傳統(tǒng)的封裝或受到材料性能的限制或因其自身結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)不能適應(yīng)高壓大電流高開(kāi)關(guān)速度應(yīng)用所帶來(lái)的高溫和高散熱要求。為保證器件在高壓高功率工況下的安全穩(wěn)定運(yùn)行，開(kāi)發(fā)結(jié)構(gòu)緊湊、設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單和高效散熱的新型功率器件，成為未來(lái)電力系統(tǒng)用功率器件發(fā)展的必然要求。

本文聚焦于功率器件封裝結(jié)構(gòu)的散熱方面，通過(guò)對(duì)國(guó)內(nèi)外功率器件封裝結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)進(jìn)行綜述，總結(jié)了功率器件封裝結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)過(guò)程中在散熱方面的考慮及其結(jié)構(gòu)散熱設(shè)計(jì)特點(diǎn)，并依據(jù)功率器件散熱特?點(diǎn)對(duì)器件封裝結(jié)構(gòu)進(jìn)行歸納和分類(lèi)。

最后，基于對(duì)功率器件封裝結(jié)構(gòu)熱設(shè)計(jì)的梳理總結(jié)，從提高器件封裝散熱性能的視角，對(duì)功率器件封裝材料、連接工藝和封裝結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)方面的發(fā)展趨勢(shì)進(jìn)行了展望。?

01 功率器件封裝結(jié)構(gòu)散熱設(shè)計(jì)原則 ? ? 針對(duì)功率器件的封裝結(jié)構(gòu)，國(guó)內(nèi)外研究機(jī)構(gòu)和企業(yè)在結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)方面進(jìn)行了大量的理論研究和開(kāi)?發(fā)實(shí)踐，多種結(jié)構(gòu)封裝設(shè)計(jì)理念被國(guó)內(nèi)外研究機(jī)構(gòu)提出并研究，一些結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)方案已成功應(yīng)用在商用功率器件上。?

功率器件自身的屬性及其特殊的服役環(huán)境決定了封裝器件內(nèi)部總是受到電場(chǎng)、熱以及應(yīng)力等多種場(chǎng)效應(yīng)相互耦合的綜合作用。功率器件的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，應(yīng)首先要滿(mǎn)足電氣絕緣要求，在此基礎(chǔ)上兼顧結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)對(duì)封裝散熱、芯片及封裝各部件間受力等其他方面的影響。

從器件散熱的角度，封裝結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)應(yīng)當(dāng)遵循散熱路徑低熱阻、盡可能多散熱路徑和傳熱路徑上的接觸面積盡可能大的原則。這就要求在設(shè)計(jì)之初，就應(yīng)考慮到封裝材料的選擇、散熱路徑的設(shè)計(jì)、散熱路徑上各部件接觸界面的面積等。但這些不可避免的增加了封裝設(shè)計(jì)和工藝實(shí)現(xiàn)的難度，一種功率器件的封裝實(shí)踐往往是考慮多種因素的折中。

從目前國(guó)內(nèi)外對(duì)于功率器件的研究和開(kāi)發(fā)現(xiàn)狀來(lái)看，具備耐高溫、多散熱路徑和大面積連接的封裝特征是未來(lái)功率器件封裝的發(fā)展趨勢(shì)，也是滿(mǎn)足未來(lái)高壓、大功率器件工作性能要求的必然選擇。?

02 封裝結(jié)構(gòu)散熱類(lèi)型 ? ? 以傳統(tǒng)半導(dǎo)體 Si 芯片和單面散熱封裝為代表的常規(guī)封裝器件獲得了良好的發(fā)展和應(yīng)用，技術(shù)上發(fā)展相對(duì)比較成熟。但隨著對(duì)更高電壓等級(jí)更高功率密度需求的不斷增長(zhǎng)，傳統(tǒng)應(yīng)用于 Si 器件的封裝技術(shù)已不能夠滿(mǎn)足現(xiàn)有發(fā)展和應(yīng)用的要，目前傳統(tǒng) Si 基芯片的最高結(jié)溫不超過(guò) 175℃，溫度循環(huán)的范圍最大不超過(guò) 200℃。

相比 Si 器件，SiC 器件在導(dǎo)通損耗、開(kāi)關(guān)頻率和具有高溫運(yùn)行能力方面具有明顯的優(yōu)勢(shì)，最高理論工作結(jié)溫更是高達(dá) 600℃。若采用現(xiàn)有 Si 基封裝技術(shù)，那么以 SiC 為代表的寬禁帶半導(dǎo)體將無(wú)法充分發(fā)揮其高溫運(yùn)行的能力。SiC 寬禁帶半導(dǎo)體功率器件更高的開(kāi)關(guān)頻率，可以降低無(wú)源器件的重量，占用的封裝體積也更小，因此可以提高功率器件的功率密度，同時(shí) SiC 器件具有更高的熱導(dǎo)率，可以更高效的把芯片耗散熱排出。

然而，SiC 器件越來(lái)越高的電壓等級(jí)和開(kāi)關(guān)速度也給器件封裝帶來(lái)巨大的挑戰(zhàn)。目前現(xiàn)有封裝技術(shù)的不適配是擺在高壓 SiC 器件應(yīng)用面前的一道屏障。SiC 芯片尺寸小，厚度更薄，而電壓等級(jí)提高，需要特別關(guān)注封裝中涉及芯片、基板以及輸出端子等薄弱點(diǎn)的電氣絕緣問(wèn)題，如 10 kV SiC MOSFET 的芯片厚度僅有 100 μm，平均電場(chǎng)強(qiáng)度達(dá)到 100 kV/mm，而對(duì)于 1.7 kV 的 Si IGBT，芯片厚度為 210 μm，而平均電場(chǎng)強(qiáng)度只有 8.1 kV/mm。高電壓等級(jí)的 SiC 器件電場(chǎng)強(qiáng)度達(dá)到 Si 器件的 10?倍以上。

因此，針對(duì)高壓功率器件的封裝需要特殊的設(shè)計(jì)以滿(mǎn)足高壓絕緣的要求，如需要開(kāi)發(fā)在高電場(chǎng)環(huán)境下仍具有高電壓絕緣強(qiáng)度和穩(wěn)定性的絕緣灌封材料，以隔離水汽、污染物等外界環(huán)境。另外，針對(duì)灌封過(guò)程存在氣泡的問(wèn)題，現(xiàn)有灌封工藝還需要進(jìn)一步完善。

SiC 功率器件可以承受更高的工作結(jié)溫，降低對(duì)外部冷卻器件的要求，縮小封裝器件的體積，使得封裝器件更加輕質(zhì)高效。然而，缺乏適合的高溫封裝技術(shù)體系成為限制 SiC 器件充分發(fā)揮其潛力的最大因素，特別是對(duì)于高壓大電流應(yīng)用需求的系統(tǒng)。

對(duì)于傳統(tǒng)硅基功率器件，單熱管理部分就占到整個(gè)器件封裝系統(tǒng)成本的三分之一以上。但隨著 SiC 技術(shù)的進(jìn)步，SiC 器件的高溫運(yùn)行能力所帶來(lái)的優(yōu)勢(shì)足以彌補(bǔ)現(xiàn)階段 SiC 的成本問(wèn)題。目前商用的 SiC 肖特基二極管受限于傳統(tǒng)塑料封裝形式，其額定工作結(jié)溫上限僅能達(dá)到 175℃。

現(xiàn)有 SiC 器件的封裝仍主要采用焊接封裝，考慮到芯片絕緣和隔離外界環(huán)境的目的，封裝模塊內(nèi)部灌封有完全覆蓋芯片表面的熱導(dǎo)率較低的硅凝膠，硅凝膠上層為空氣，該封裝形式也使得這種從上向下的熱傳導(dǎo)成為芯片產(chǎn)生熱量的幾乎唯一的散熱通道。為了充分利用 SiC 器件高結(jié)溫的優(yōu)勢(shì)，發(fā)揮 SiC 器件的潛力，開(kāi)發(fā)新的便于芯片散熱的封裝結(jié)構(gòu)，為芯片封裝提供高效的散熱路徑，達(dá)到降低芯片結(jié)溫，提升器件整體性能的目的，非常有必要改進(jìn)現(xiàn)有的傳統(tǒng)功率器件封裝技術(shù)，開(kāi)發(fā)新型功率器件封裝結(jié)構(gòu)。由此，通過(guò)增加封裝器件的散熱路徑來(lái)提高器?件散熱能力的方法也就很自然的被提出。?

基于高壓大功率器件封裝結(jié)構(gòu)散熱方面的考慮，除了在封裝結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)過(guò)程中，采用高熱導(dǎo)率耐高溫封裝材料和高溫焊料，以及時(shí)有效的將芯片的熱量傳遞給其他層封裝材料之外，還需要有盡可能多的散熱路徑，如將芯片上表面的鍵合線(xiàn)取消，利用芯片上表面的散熱通路等。

近年來(lái)，取消鍵合線(xiàn)的功率器件封裝設(shè)計(jì)研究與實(shí)踐也頻頻見(jiàn)于各種文獻(xiàn)資料。這也代表著器件封裝的發(fā)展趨勢(shì)。同時(shí)需要指出的是，取消鍵合線(xiàn)封裝不僅僅對(duì)于芯片封裝散熱友好，對(duì)于封裝的可靠性也具有優(yōu)勢(shì)。開(kāi)發(fā)體積緊湊、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單且具有高效散熱能力的封裝結(jié)構(gòu)成為未來(lái)功率半導(dǎo)體器件封裝性能提升的關(guān)鍵。?

通過(guò)對(duì)現(xiàn)有功率器件封裝方面文獻(xiàn)的總結(jié)，從器件封裝結(jié)構(gòu)散熱路徑的角度可以將功率器件分為單面散熱器件、雙面散熱器件和多面散熱器件。?

2.1 封裝結(jié)構(gòu)單面散熱

2.1.1 鍵合線(xiàn)類(lèi)單面散熱 ? 鍵合線(xiàn)連接封裝技術(shù)發(fā)展較為成熟，在功率器件封裝中具有較長(zhǎng)的應(yīng)用歷史。鍵合線(xiàn)類(lèi)連接封裝既包含采用鋁線(xiàn)、銅線(xiàn)、鋁帶、銅帶等金屬導(dǎo)線(xiàn)或者金屬帶進(jìn)行芯片與陶瓷基板以及芯片功率電極與輸出端子連接的封裝，也包括不采用金屬線(xiàn)或者金屬帶連接，而與前者在芯片連接上采用相同原理進(jìn)行芯片功率電極的連接和引出，實(shí)現(xiàn)相同功能的封裝形式。?

圖1 兩種采用相同封裝設(shè)計(jì)不同尺寸芯片的鍵合線(xiàn)連接封裝模塊

如圖 1(a)和圖 1(b)所示分別為 Cree 與 Powerex 公司基于 Powerex 公司的同等電壓電流等級(jí)的硅基 IGBT 模塊合作開(kāi)發(fā)的 1200 V/100 A SiC 鍵合線(xiàn)連接封裝模塊，圖(a)半橋單個(gè)開(kāi)關(guān)采用 5個(gè) 25 A 的 SiC MOSFET 芯片和 3 個(gè) 50 A 的 SiC JBS 二極管芯片并聯(lián)封裝，達(dá)到 100 A 的電流等級(jí)。圖(b)在單個(gè)開(kāi)關(guān)側(cè)采用 2個(gè) 80 A SiC MOSFET 芯片和 2個(gè) 50 A SiC JBS 二極管芯片并聯(lián)封裝，達(dá)到 100 A 的電流等級(jí)。

兩個(gè)版本的模塊采用相同的底板、終端和外殼設(shè)計(jì)。兩種版本中，SiC MOSFET 芯片電流等級(jí)升高，芯片尺寸變大，雖然兩個(gè)版本中采用的二極管電流等級(jí)相同，但二極管芯片的尺寸不一樣。

為了提高模塊散熱性能，兩種模塊均使用氮化鋁陶瓷 DBC 基板，比氧化鋁陶瓷 DBC 基板的導(dǎo)熱系數(shù)有明顯提高(AlN 的導(dǎo)熱系數(shù)為 210 W/(m·K)，Al2O3?的導(dǎo)熱系數(shù)為 20 W/(m·K))。與(a)版設(shè)計(jì)相比，(b)?版模塊簡(jiǎn)化了芯片和鍵合線(xiàn)布局，降低了封裝寄生電阻、電感和導(dǎo)通損耗。

SiC 的導(dǎo)熱性能比硅高得多(SiC 的熱導(dǎo)率為 3.7 W/(cm·K)，而硅的熱導(dǎo)率為 1.3 W/(cm·K))，其導(dǎo)熱性能取決于 SiC 芯片的面積，由于 SiC 的比導(dǎo)通電阻較低，SiC 的芯片面積通常較小，因此，相比相同封裝設(shè)計(jì)的硅 IGBT 模塊，熱阻抗降低 37%，散熱性能得到明顯改善。

圖2 (a) 10 kV/120 A SiC 半橋 MOSFET 模塊，(b) 12 kV/10 A SiC n-IGBT 模塊和 (c)?雙基板堆疊鍵合線(xiàn)連接 10 kV SiC MOSFET 模塊 ? 圖 2(a)所示為鍵合線(xiàn)連接的 10 kV/120 A 半橋模塊，該模塊有上下兩個(gè)開(kāi)關(guān)，每個(gè)開(kāi)關(guān)有 12個(gè) SiC MOSFET 芯片和 6個(gè) SiC JBS 二極管芯片，總電流為 120 A。圖 2(b)所示為在 12 kV/10 A SiC ?IGBT 兩端反并聯(lián)兩個(gè)串聯(lián)的 10 kV/10 A SiC JBS 二極管模塊。

從封裝結(jié)構(gòu)上看，圖 2(a)、圖 2(b)與 圖 1 中器件沒(méi)有實(shí)質(zhì)不同，均為芯片背面通過(guò)焊料焊接在 DBC 基板上，DBC 基板連接到金屬底板，芯片正面電極采用鍵合線(xiàn)連接，并在芯片正面灌封密封劑對(duì)芯片和鍵合線(xiàn)進(jìn)行保護(hù)。圖 2(c)采用了熱循環(huán)能力更好的表面鍍銀直接鍵合鋁(DBA)陶瓷基板，陶瓷采用高導(dǎo)熱 AlN。

兩個(gè) DBA 基板堆疊有效降低了陶瓷、灌封劑和金屬鋁三結(jié)合點(diǎn)處的峰值電場(chǎng)。采用具有低孔隙率、高熱導(dǎo)率且燒結(jié)后具有高熔點(diǎn)的大面積燒結(jié)銀工藝將兩個(gè) DBA基板連接在一起。通過(guò)納米銀膏將芯片燒結(jié)到基板上，芯片正面電極采用鋁鍵合線(xiàn)連接。

最后將 NuSil R-2188 灌封到芯片表面，隔離水分和輻射等環(huán)境因素，提高芯片表面的電氣絕緣。雙 DBA堆疊的電氣絕緣和峰值電場(chǎng)得到保障，同時(shí)可以對(duì)堆疊基板的下底面直接進(jìn)行冷卻，從而取消底板。

盡管基板堆疊會(huì)一定程度上增加芯片的散熱熱阻，但基板底部直接冷卻和取消厚度較大的底板所帶來(lái)的熱阻改善 彌補(bǔ)了基板堆疊導(dǎo)致的熱阻增加，芯片結(jié)溫仍明顯降低。在單個(gè) MOSFET芯片功率損失為 200 W 且換熱系數(shù)為 5000 W/(m2·K)的條件下，穩(wěn)態(tài)熱仿真結(jié)果表明，兩個(gè) 1 mm 厚 AlN 陶瓷 DBA 基板堆疊，芯片結(jié)溫峰值降低 34℃，降幅將近 15%，表明雙基板堆疊相對(duì)單個(gè)基板封裝在熱性能方面的提升。

圖3?三導(dǎo)體雙陶瓷層基板概念圖和帶有芯片的實(shí)物照片 ? 類(lèi)似于雙基板堆疊，三導(dǎo)體雙陶瓷層基板封裝 (圖3) 具有三個(gè)金屬層和兩個(gè)陶瓷層。采用 Sn-Au 高溫焊料將基板連接到帶有翅片的銅底板上，芯片焊盤(pán)和基板采用鋁鍵合線(xiàn)連接。將硅凝膠灌入外殼封裝并固化。

該基板可以從根本上有效降低回路電感，最大問(wèn)題是附加陶瓷層(SiN)增加了散熱熱阻。但研究結(jié)果表明，該附加陶瓷層也僅使芯片結(jié)溫升高了 2℃，影響幾乎可以忽略。采用相同原理和結(jié)構(gòu)封裝的器件還有很多。

圖4 (a)? 銅帶堆疊和(b)? 鋁帶連接芯片和基板

圖 4 所示為采用金屬帶進(jìn)行芯片連接的封裝。金屬帶連接增大了鍵合線(xiàn)的載流能力。圖 5 所示為將芯片嵌入到焊接在 DBC 上的 PCB 板中，通過(guò)鍵合線(xiàn)將芯片電極連接到 PCB 板上。通過(guò)優(yōu)化電流回路、驅(qū)動(dòng)位置和柵極連接可以最小化寄生電感。

圖5 PCB 板封裝基本結(jié)構(gòu)

上述器件在具體封裝結(jié)構(gòu)方面略有差異，但所采用的封裝原理與傳統(tǒng)鍵合線(xiàn)連接封裝相同，這種封裝形式?jīng)Q定了其單面散熱的封裝熱特性，使得封裝器件內(nèi)部產(chǎn)生的熱量幾乎只能從芯片一側(cè)的基板和底板傳遞，形成了單一的散熱路徑。 ? 2.1.2 無(wú)鍵合線(xiàn)單面散熱

取消鍵合線(xiàn)有助于改善器件封裝寄生電感和封裝可靠性。圖 6所示的超緊湊高可靠性 SiC MOSFET 模塊，取消鍵合線(xiàn)和底板，將芯片直接焊接到基板上，采用銅針取代鋁鍵合線(xiàn)，同時(shí)在高導(dǎo)熱 SiN 陶瓷上設(shè)計(jì)了類(lèi)似于熱擴(kuò)散器的更厚銅塊，具有更好的傳熱效果。

圖6 PCB 板連接封裝結(jié)構(gòu)和層狀電流設(shè)計(jì)

相比?Al2O3陶瓷基板的鍵合線(xiàn)結(jié)構(gòu)，采用 Al2O3陶瓷的厚銅塊封裝模塊結(jié)殼熱阻降低 37%，采用 SiN 陶瓷的厚銅塊封裝模塊結(jié)殼熱阻降低 55%。同時(shí)該封裝采用新型環(huán)氧樹(shù)脂和銀燒結(jié)技術(shù)，具有高達(dá) 200℃的高溫運(yùn)行能力。通過(guò) PCB 板和 DBC 上銅層的層疊電流路徑可抵消掉部分內(nèi)部電感。

從封裝結(jié)構(gòu)上看，雖然取消了鍵合線(xiàn)，但芯片的連接方式?jīng)]有改變，芯片通過(guò)銅針連接到 PCB 板，采用環(huán)氧樹(shù)脂進(jìn)行整體密封，這也使得器件無(wú)法通過(guò) PCB 板散熱，只能通過(guò)基板側(cè)進(jìn)行散熱。

圖7 SiC MOSFET/二極管PowerStep無(wú)鍵合線(xiàn)互連透視圖 ? 圖 7 所示為被稱(chēng)作 PowerStep 的無(wú)鍵合線(xiàn)互連功率器件封裝，適用于 600~1700 V 的器件封裝。采用大面積薄金屬板與芯片電極連接，金屬板上刻有與芯片焊盤(pán)形狀和尺寸相匹配的特征圖案。取消 鍵合線(xiàn)使封裝外形更薄，可有效降低電感。同時(shí)，省略了底板，降低了重量、體積、成本和封裝的復(fù)雜性。

相比一次只能焊接一個(gè)點(diǎn)位的鍵合線(xiàn)連接，金屬板可通過(guò)焊料、燒結(jié)膏或其他連接材料一次性連接到芯片焊盤(pán)上。通過(guò)改變導(dǎo)通路徑上的幾何形狀，增大接觸面積，有效降低了高壓下導(dǎo)電路徑的寄生電感和電阻。

該薄板可采用具有良好導(dǎo)電和導(dǎo)熱性能的金屬銅等制成，大的接觸面積也有利于芯片熱量的傳導(dǎo)，提高散熱能力。考慮到接觸界面熱膨脹系數(shù)的匹配性，可采用 CuMo 或 CuW 合金代替銅。金屬板連接比相同電流下的鍵合線(xiàn)連接具有更低的焦耳熱。

表1 鍵合線(xiàn)封裝與 PowerStep 封裝熱性能對(duì)比

表1 給出了采用 6 根 300 μm 鋁線(xiàn)鍵合封裝和采用 PowerStep 封裝的模塊熱性能對(duì)比，同樣 100 W 的芯片耗散熱，PowerStep 封裝模塊結(jié)殼熱阻降低 10%。采用鋁鍵合線(xiàn)封裝，通入 25 A 電流產(chǎn)生的焦耳熱使鋁線(xiàn)產(chǎn)生了 6℃的溫升；而采用 PowerStep 封裝，通入電流是鋁線(xiàn)鍵合的 4 倍， 而產(chǎn)生的焦耳熱溫升僅是前者的三分之一，充分表明 PowerStep 封裝在降低熱耗散方面更具優(yōu)勢(shì)。 ?

圖8 (a) SKiN 封裝的橫截面示意圖和(b)采用 SKiN 技術(shù)封裝的 600 V/400 A 雙 IGBT 器件

基于面互連原理，圖 8(a)所示的 SKiN 芯片連接采用擴(kuò)散銀顆粒燒結(jié)取代傳統(tǒng)鍵合線(xiàn)封裝中的焊料連接，芯片燒結(jié)到 DBC 基板上，采用兩層柔性板上的可燒結(jié)銅箔連接芯片上表面和基板，柔性板的下金屬層成為功率側(cè)，承載高功率負(fù)載電流，根據(jù)材料(鋁或者銅)以及所需的電流，該金屬層的厚度在 100 μm 范圍內(nèi)最合適。

柔性板的上下金屬層彼此絕緣，上金屬層為邏輯側(cè)，只需相對(duì)較薄的厚度(30 μm)，主要承載柵極、輔助和感應(yīng)信號(hào)。柔性板上開(kāi)有通孔，可以將芯片的柵極信號(hào)引出到柔性板的邏輯側(cè)。

不同于鍵合線(xiàn)的點(diǎn)互連，該柔性銅箔與芯片電極之間可以達(dá)到 85%的接觸，而傳統(tǒng)鍵合線(xiàn)與芯片間的接觸僅有 21%，增大接觸面積和金屬層厚度可以改善傳熱，并且可大大提高器件的 功率循環(huán)能力。?

圖9 (a)?采用金屬 Mo 柱連接的 10 kV SiC MOSFETs，(b) 上下雙基板堆疊封裝和(c)? 集成噴射冷卻器的模塊 ? 基于雙基板堆疊和面互連，采用上下雙基板堆疊的無(wú)鍵合線(xiàn)平面互連封裝如圖 9 和圖 10 所示。該封裝采用 Wolfspeed 第三代 10 kV SiC MOSFET 芯片構(gòu)建。芯片焊接在下堆疊基板上，芯片正面電極采用金屬 Mo 柱連接，Mo 柱上方連接帶有通孔的上堆疊基板。在上堆疊基板的上表面，采用高密度彈簧銷(xiāo)端子，將芯片電極連接到 PCB 母線(xiàn)。Mo 柱互連取代鍵合線(xiàn)連接，提高了機(jī)械可靠性，降低了封裝雜散電感和電阻。

圖10 (a)?無(wú)鍵合線(xiàn)上下雙基板堆疊封裝10 kV SiC MOSFET功率模塊和(b) PCB 母線(xiàn)連接爆炸視圖 ? 該封裝在芯片的兩側(cè)均采用平面連接，少部分熱量可通過(guò)芯片上表面?zhèn)鬟f給上部堆疊基板，但由于上基板上表面為彈簧端子連接，不利于熱量傳遞，芯片耗散熱主要從下堆疊基板散熱，使該封裝僅具有單一散熱通路。通過(guò)在下堆疊基板底部集成定制的直接射流噴 射冷卻器，模塊結(jié)到環(huán)境熱阻達(dá)到 0.38℃/W。 ? 從單面散熱器件封裝結(jié)構(gòu)來(lái)看，鍵合線(xiàn)連接類(lèi)器件封裝各層從上至下主要由頂蓋、外殼、空氣層、灌封劑、鍵合線(xiàn)(金屬帶)、芯片、芯片焊料、DBC(DBA)基板、基板焊料和底板組成。鍵合線(xiàn)連接技術(shù)較為成熟、成本低且操作上具有靈活性，被廣泛用于芯片電極與功率端子的連接。

但鍵合線(xiàn)連接需要在基板上預(yù)留出額外的鍵合面積用于電流傳輸，因此降低了功率密度。基板與鍵合線(xiàn)形成的電流回路也會(huì)產(chǎn)生較大的寄生電感、電阻以及更高的開(kāi)關(guān)噪音和功率損耗，加劇芯片溫升。

此外，鍵合線(xiàn)與半導(dǎo)體器件間存在材料熱膨脹系數(shù)的不匹配，使得線(xiàn)鍵合處往往成為易失效位點(diǎn)，甚至出現(xiàn)裂紋或者松動(dòng)，導(dǎo)致接觸不良，使鍵合點(diǎn)處的接觸熱阻增大，溫度升高，加速該點(diǎn)的失效。

無(wú)鍵合線(xiàn)單面散熱器件芯片與基板的連接與鍵合線(xiàn)連接器件相同。無(wú)鍵合線(xiàn)面互連封裝降低了封裝寄生電感和電阻，大的接觸面積增強(qiáng)了傳熱。上述封裝結(jié)構(gòu)只能通過(guò)由芯片底部的陶瓷基板和底板構(gòu)成的唯一路徑進(jìn)行散熱。

目前鍵合線(xiàn)連接的硅基器件單面散熱封裝結(jié)構(gòu)已接近其散熱極限，硅芯片的工作結(jié)溫也接近其承受上限，嚴(yán)重影響了器件的性能，更限制了具有更高溫度運(yùn)行能力的 SiC 器件的性能。從散熱的角度看，功率器件產(chǎn)生的熱量只能通過(guò)底面?zhèn)鬟f，限制了其散熱性能。在目前封裝材料性能和封裝工藝暫時(shí)無(wú)法取得較大改善的情況下，通過(guò)創(chuàng)新結(jié)構(gòu)布局和設(shè)計(jì)，優(yōu)化散熱路徑，是解決功率器件封裝散熱的有效方案。 ? 2.2 封裝結(jié)構(gòu)雙面散熱

隨著器件功率密度的不斷提高，器件封裝的熱管理變得愈加關(guān)鍵。基于上述總結(jié)與分析，優(yōu)化器件封裝散熱路徑是解決高壓大電流高功率密度條件下功率器件散熱、降低芯片結(jié)溫的有效方案。

鍵合線(xiàn)連接器件無(wú)法將芯片上表面作為散熱通路，采用無(wú)鍵合線(xiàn)封裝，充分利用芯片上表面進(jìn)行散熱，熱量從芯片上下表面兩個(gè)路徑傳遞，可增強(qiáng)器件的散熱能力，降低芯片結(jié)溫，提高器件的熱性能。

2.2.1 單基板雙面散熱

（1）上 LTCC 基板 press-pack 封裝雙面散熱 ? 為利用芯片上表面散熱，研究人員提出了圖 11 所示的 press-pack 封裝方法，該方法利用壓力接觸取代鍵合線(xiàn)和焊料，可降低雜散電感且具有更高的可靠性。該封裝使器件具有雙面散熱的能力。現(xiàn)有 press-pack 封裝包括直接壓力接觸和彈性接觸兩種方式，但都需要大的芯片面積且需要對(duì)芯片上層金屬化進(jìn)行特殊設(shè)計(jì)。SiC 芯片面積比硅芯片小，芯片表面常采用鋁進(jìn)行金屬化。

圖11 Press-pack 封裝的 SiC MOSFET 結(jié)構(gòu) ? 為實(shí)現(xiàn)壓力接觸，采用被稱(chēng)作“Fuzz buttons”的柔性微型壓針插入到薄的插接體中，以產(chǎn)生均勻的壓力分布，并使引入的寄生電感最小。該 press-pack 夾在兩個(gè)液冷微通道散熱器之間，SiC 芯片連接在金屬鉬底板上。帶有“Fuzz buttons”微型柔性壓針的壓力接觸插接體將 SiC 芯片的源極和柵極連接到上部基板。該多層結(jié)構(gòu)的上基板將芯片的源極和上部銅板連接，并為柵極驅(qū)動(dòng)器提供柵極和開(kāi)爾文源極端子。

微通道散熱器采用低溫共燒陶瓷(LTCC)制成，由于 press-pack 封裝沒(méi)有內(nèi)部絕緣，熱沉的引入增大了回路的寄生電感，上下兩側(cè)的微通道散熱器設(shè)計(jì)可提供足夠的散熱能力，同時(shí)外形上厚度較薄可降低功率回路的電感。微通道散熱器的電氣回路和冷卻回路分離，可以使用非介電流體進(jìn)行冷卻。

雖然 LTCC 的導(dǎo)熱性不如金屬和 AlN 陶瓷好，但仿真結(jié)果表明，在總熱耗散為 60 W，采用 LTCC 微通道熱沉水冷散熱時(shí)，SiC 芯片最大結(jié)溫僅為 85℃，并聯(lián)芯片間的最大結(jié)溫差小于 0.9℃，并聯(lián)芯片的結(jié)溫分布比較均勻。結(jié)到熱沉熱阻為 0.2℃/W，熱沉最高溫度為 73℃，熱沉到冷卻劑的熱阻為 0.8℃/W。 ? （2）下 DBC芯片嵌入雙面散熱

為追求更加優(yōu)異的散熱性能，研究人員提出了嵌入式功率芯片封裝的雙面液體冷卻方案。該嵌入式封裝由扁平陶瓷框架、嵌入式芯片、介電夾層和沉積金屬化層互連組成。將芯片嵌入到具有開(kāi)槽的陶瓷框架中，并在固化爐中用粘性聚合物將芯片四周進(jìn)行粘接并固化，形成的平坦表面為平面加工提供了平臺(tái)。使用聚合物絲網(wǎng)印刷方法在其上涂上介電夾層。

圖12 (a) 芯片嵌入封裝雙面散熱結(jié)構(gòu)示意圖和(b) 雙面冷卻模塊實(shí)物

通過(guò)通孔與芯片的鋁金屬焊盤(pán)相對(duì)應(yīng)，然后在其上沉積金屬層，進(jìn)行圖案化，引出芯片正面的功率電極。芯片背面可通過(guò)焊層與 DBC 基板連接。芯片封裝上下兩個(gè)外表面均為平面，可在兩側(cè)分別連接熱沉進(jìn)行冷卻(圖12)。研究表明，器件功率損失在 5~300 W 范圍內(nèi)時(shí)，與鍵合線(xiàn)連接的單面液冷相比，嵌入式封裝雙面液冷熱阻可降低 45%~60%。且隨著冷卻流體流速的增加，散熱效果更加明顯。因此，使用嵌入式功率芯片封裝的雙面液體對(duì)流散熱是改善功率半導(dǎo)體器件散熱的可行且有效方案。 ? （3）下 DBC芯片倒裝銅夾連接雙面散熱 ? 與常規(guī)芯片封裝相反，將芯片正面連接在 DBC上，芯片背面通過(guò)銅夾引出，即可實(shí)現(xiàn)芯片的倒裝封裝，實(shí)現(xiàn)芯片兩個(gè)表面散熱(圖13) 。采用燒結(jié)銀工藝將芯片倒裝燒結(jié)到 DBC 基板上，芯片背面采用銅夾連接，銅夾上連接散熱器，形成芯片上表面的熱通路。

圖13?芯片倒裝上部銅夾連接的雙面散熱封裝 ? 采用聚合物熱界面材料在模塊的上下表面連接兩個(gè)陶瓷散熱器，進(jìn)行雙面散熱。由于芯片倒裝鍵合面積僅占芯片面積的很小一部分，接觸面積較小成為限制該封裝散熱性能的關(guān)鍵。該封裝中倒裝芯片鍵合層和銅夾連接層對(duì)模塊熱性能的影響比連接散熱器的熱界面材料的影響更加顯著。

增大倒裝芯片的鍵合面積有助于降低倒裝芯片鍵合層的熱阻，有利于降低芯片結(jié)溫。研究表明，通過(guò)增大芯片電極金屬化面積，如將芯片電極面積占比從 22%提高到 88%，采用倒裝鍵合，芯片結(jié)溫可降低 20-30℃。建議可以通過(guò)采用擴(kuò)大芯片電極金屬化面積，增大鍵合面積的方式來(lái)降低熱阻。

圖14?芯片嵌入 AMB 基板封裝工藝流程 ? （4）芯片嵌入 AMB 基板雙面散熱

與上述將芯片連接到 DBC 基板封裝不同，在 active metal brazing(AMB)基板中有特殊設(shè)計(jì)的空腔，將芯片嵌入到 AMB 空腔里(圖14)，采用定制的銅夾連接芯片和 AMB 基板，使其與基板上金屬層在同一水平面，即在封裝上側(cè)形成平面，可以在該表面和 AMB 基板的下表面分別連接散熱器，實(shí)現(xiàn)雙面散熱。

圖15?芯片嵌入 AMB 基板封裝與傳統(tǒng)鍵合線(xiàn)連接封裝模塊結(jié)殼熱阻對(duì)比

圖 15 給出了嵌入到 AMB 基板封裝的單面散熱、雙面散熱與傳統(tǒng)鍵合線(xiàn)連接封裝單面散熱的熱性能對(duì)比。結(jié)果顯示，芯片嵌入 AMB 基板單面散熱封裝模塊相比傳統(tǒng)鍵合線(xiàn)連接單面 散熱模塊，結(jié)殼熱阻降幅可達(dá) 40%。若在芯片嵌入 AMB 基板采用雙面散熱封裝，模塊的結(jié)殼熱阻可進(jìn)一步降低 20%。

綜上所述，表明芯片嵌入到 AMB 基板封裝相對(duì)傳統(tǒng)鍵合線(xiàn)封裝在降低封裝熱阻方面的優(yōu)勢(shì)，同時(shí)也展現(xiàn)出雙面散熱的熱性能優(yōu)勢(shì)。 ? 2.2.2 雙基板雙面散熱

（1）雙 DBC 雙面散熱 ? 由上述雙面散熱器件的特點(diǎn)發(fā)現(xiàn)，要實(shí)現(xiàn)雙面散熱，需要對(duì)芯片的兩個(gè)表面實(shí)現(xiàn)面連接，這樣才能在芯片兩側(cè)形成兩個(gè)平面，實(shí)現(xiàn)兩個(gè)熱通路。另一種實(shí)現(xiàn)面連接的方式是在芯片的兩側(cè)均采用 DBC 基板連接。

圖16 (a) 平面互連封裝和(b) 基板連接針翅狀熱沉的雙面冷卻模塊

圖17 (a)?雙側(cè)平面互連功率模塊和(b)?集成兩個(gè)微型冷卻器的功率模塊

通過(guò)采用“Planar-bond-all，(PBA)” 的功率模塊封裝方法可以在芯片的上表面實(shí)現(xiàn)大面積鍵合平面互連。芯片正面朝上/朝下鍵合在兩個(gè) DBC 之間，兩個(gè)銅制熱沉直接連接在兩側(cè) DBC 的外表面上。封裝時(shí)將 DBC 基板、芯片、墊片、鍵合材料、功率端子等組裝在夾具中，然后同時(shí)加熱形成鍵合。雙側(cè)平面鍵合可以使封裝的上下兩個(gè)表面都成為散熱通路(圖16-圖17)。

圖18?芯片面連接雙 DBC 封裝器件

圖19?使用 Mo 緩沖的雙面散熱 IGBT 模塊

圖20?雙 DBC 雙面散熱封裝模塊

此外，熱沉與 DBC 基板直接連接進(jìn)一步降低了封裝熱阻。PBA 封裝雙面散熱比傳統(tǒng)鍵合線(xiàn)連接單面散熱熱阻降低 38%，表明 PBA 雙面散熱封裝的優(yōu)勢(shì)。雙 DBC 封裝實(shí)現(xiàn)雙面散熱的研究還有很多(如圖18~圖20)，雙面散熱得益于芯片封裝的兩個(gè)表面平臺(tái)，給連接 DBC 提供了可能，實(shí)現(xiàn)了兩個(gè)散熱路徑。

表2 PBA 雙面散熱與鍵合線(xiàn)連接單面散熱熱性能對(duì)比

表3 平面雙面散熱結(jié)構(gòu)與傳統(tǒng)鍵合線(xiàn)連接單面散熱結(jié)構(gòu)的1200 V/300 A IGBT 模塊熱阻對(duì)比

表 2 和表 3 對(duì)比了雙面散熱結(jié)構(gòu)與傳統(tǒng)鍵合線(xiàn)連接單面散熱結(jié)構(gòu)的熱性能對(duì)比，可以看出雙面散熱結(jié)構(gòu)具有明顯的優(yōu)勢(shì)。 ? 針對(duì)面連接，由于芯片柵極焊盤(pán)尺寸小和柵極位置，增加了芯片正面連接的難度。研究人員提出了柵極擴(kuò)大的方法(圖 21)。通過(guò)對(duì)芯片的柵極焊盤(pán)進(jìn)行再加工和擴(kuò)大的再處理方法，增大柵極焊盤(pán)的面積，使得面接觸更容易實(shí)現(xiàn)，進(jìn)而獲得雙面散熱路徑，使該封裝具備雙面散熱的能力。

圖21 (a)?芯片上表面再處理原理和(b)?采用芯片表面再處理工藝封裝的雙面冷卻模塊

類(lèi)似于上述雙 DBC 基板封裝雙面散熱器件， 創(chuàng)新性的橫向彈簧針端子和 Mo 柱互連解決了現(xiàn)有標(biāo)準(zhǔn)化封裝在功率密度和熱性能方面的不足，提供芯片頂部和底部的熱通路，從而提高散熱能力(圖22)。

圖22 (a)?移除上基板的封裝布局和(b)?通過(guò)雙基板散熱的內(nèi)部封裝結(jié)構(gòu)

采用燒結(jié)銀將芯片連接在兩個(gè)高導(dǎo)熱 AlN 陶瓷 DBA 基板之間，通過(guò) Mo 柱將芯片的源極和柵極連接到上基板，減輕了熱機(jī)械應(yīng)力，改善了可靠性。Cu 柱支撐封裝兩側(cè)的基板，并為橫向彈簧針端子提供安裝表面，橫向彈簧針穿過(guò) 3D 打印的外殼將模塊連接到高壓 PCB 母線(xiàn)。外殼和彈簧針端子之間采用硅膠墊圈密封，防止密封劑泄漏。將器件安裝在兩個(gè) PCB 母線(xiàn)之間，可以實(shí)現(xiàn)高密度集成 和高度模塊化。

采用納米銀燒結(jié)將 Mo 柱、SiC 芯 片和 Cu 柱連接到基板上。相比合金焊料，燒結(jié)銀導(dǎo)熱性能優(yōu)異，有助于降低芯片連接層的熱阻。可在兩側(cè)基板表面分別連接熱沉進(jìn)行雙面散熱。該雙面散熱封裝模塊的結(jié)殼熱阻僅有 0.17℃/W，封裝 耗散功率密度超過(guò) 200 W/cm2，而同電壓等級(jí)的 Cree XHV-9 模塊的結(jié)殼熱阻為 0.468℃/W，表明該 雙面散熱封裝具有顯著的熱性能優(yōu)勢(shì)。

圖23 (a)?每個(gè)開(kāi)關(guān)側(cè)的芯片、CMC 金屬塊和柔性 PCB 板封裝，(b)?混合半橋模塊平面封裝和(c) 冷卻系統(tǒng) ? 為進(jìn)一步優(yōu)化雙面散熱封裝器件的熱性能，提出了柔性印刷電路板互連的平面封裝結(jié)構(gòu)，采用 Cu-Mo-Cu(CMC)復(fù)合金屬塊滿(mǎn)足絕緣要求(圖 23)。柔性 PCB 板既可以作為芯片上較小特征的互連，還可以代替?zhèn)鹘y(tǒng)的母線(xiàn)，縮短功率模塊的電氣回路長(zhǎng)度減小寄生電感。

采用銀燒結(jié)將芯片和柔性 PCB 板分別連接到兩個(gè) DBC 上，將 CMC 金屬塊燒結(jié)到每個(gè)芯片的表面，隨后將兩個(gè) DBC 板焊接在一起并進(jìn)行真空灌封硅凝膠密封。兩側(cè) DBC 外表面為器件散熱提供了雙散熱通路。 ? 高溫環(huán)境下 SiC MOSFET 電流容量降低，并聯(lián)芯片通常由于并聯(lián)分支間的寄生不匹配導(dǎo)致電流不平衡，進(jìn)而導(dǎo)致芯片溫度分布不均，且并聯(lián)芯片間熱耦合嚴(yán)重，影響器件散熱。

圖24?交錯(cuò)雙面封裝結(jié)構(gòu)原理圖

圖25?基于交錯(cuò)平面封裝模塊內(nèi)部視圖和部分剖視圖

研究者提出一種交錯(cuò)平面封裝的新型半橋封裝結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)基于平面封裝原理，具備雙面散熱能力(圖24-圖25)。交錯(cuò)平面封裝使任意兩個(gè)相鄰的并聯(lián)芯片在空間上交錯(cuò)排列，可以避免芯片間的熱耦合，實(shí)現(xiàn)更好的熱性能。上下基板分別起到導(dǎo)電、導(dǎo)熱、絕緣和機(jī)械支撐的作用。

由 CMC 制成的墊片可以傳導(dǎo)電流、傳遞熱量、保證電氣絕緣距離，并具有與芯片和基板相匹配的可調(diào)節(jié)熱膨脹系數(shù)(CTE)。交錯(cuò)平面封裝方法通過(guò)增加相鄰芯片間的距離來(lái)減小等效耦合熱阻，拉長(zhǎng)熱耦合的傳熱路徑，具有均勻且較小的熱耦合效應(yīng)。這種封裝方式利用了 3D 封裝結(jié)構(gòu)靈活性的優(yōu)勢(shì)，增大傳熱距離，但沒(méi)有增大功率模塊的尺寸。具有低熱耦合效應(yīng)、更均勻的溫度分布和出色的熱性能。

在相同的耗散熱和散熱條件下，與傳統(tǒng)芯片布局封裝模塊最大結(jié)溫 155.8℃，封裝內(nèi)部最大溫差 12.3℃相比，交錯(cuò)布局封裝最大結(jié)溫為 135.2℃，封裝內(nèi)部最大溫差僅 3.4℃。顯然， 交錯(cuò)封裝模塊的溫度分布更加均勻，可有效降低封裝熱阻和芯片間的熱耦合不均勻程度。 ? （2）雙 MMC 基板雙面散熱 ? 采用低溫銀燒結(jié)鍵合(LTB)技術(shù)將芯片對(duì)稱(chēng)布置在金屬基復(fù)合(MMC)基板的中心安裝孔四周(圖 26)，使模塊與熱沉間保持良好的電氣接觸和熱接觸。芯片正面的功率電極通過(guò)高熔點(diǎn)焊料連接到上部 MMC 基板，兩個(gè)基板與芯片兩個(gè)表面緊緊接觸，芯片的兩側(cè)(芯片燒結(jié)層-MMC，芯片層焊料-MMC) 均成為散熱路徑。

圖26 (a)?芯片銀低溫鍵合到下部 MMC 基板、(b) 灌封前的模塊和(c)?灌封成型后的雙面冷卻模塊

雖然芯片正面的功率電極取消了鍵合線(xiàn)，但柵極仍需采用鍵合線(xiàn)連接。最后，使用硅橡膠成型，使模塊易于集成，同時(shí)滿(mǎn)足爬電和間隙距離要求。該封裝技術(shù)非常適合于需要冷卻的高功耗器件。

2.2.3 無(wú)基板雙面散熱

（1）PCoB 連接雙面散熱

雖然雙基板封裝具備雙面散熱的能力，但基板與底板連接，引入寄生電感，同時(shí)存在基板熱阻較大的問(wèn)題，為提高器件的電氣性能和熱性能，研究人員提出了一種功率芯片連接在總線(xiàn)上(Power Chip on Bus，PCoB)的雙面散熱封裝方法(圖27)， 將芯片連接到 2 個(gè)母線(xiàn)狀金屬基板上，基板通過(guò)預(yù)先成型的環(huán)氧樹(shù)脂粘合在一起，金屬基板相對(duì)于陶瓷基板具有更優(yōu)異的導(dǎo)熱性能。

圖27 (a) PCoB 雙面散熱封裝結(jié)構(gòu)及(b)?單個(gè)開(kāi)關(guān) PCoB 雙面散熱模塊

厚翅片銅既作為熱沉又作為母線(xiàn)。鉬墊片用作芯片和底部基板間的熱膨脹緩沖層，以降低因熱碰撞系數(shù)(CTE)失配引起的熱機(jī)械應(yīng)力。芯片下表面焊接連接，上表面采用載銀硅樹(shù)脂連接，以進(jìn)一步降低熱機(jī)械應(yīng)力。柵極端子與聚酰亞胺柔性電路板連接。通過(guò)空氣實(shí)現(xiàn)散熱器與環(huán)境間的電氣絕緣。芯片兩側(cè)的基板表面為翅片狀熱沉的連接提供了平臺(tái)，可使用介電流體(如空氣)進(jìn)行冷卻，該 PCoB 雙面風(fēng)冷模塊具有與液冷等效的散熱性能。

研究表明，采用該封裝的 1200 V/50 A SiC 肖特基二極管在空氣流速為 15 CFM 的條件下測(cè)試得到模塊結(jié)到環(huán)境的熱阻僅為 0.5℃/W。在沒(méi)有散熱措施時(shí)，結(jié)到環(huán)境的熱阻也低于 5℃/W。而對(duì)于類(lèi)似大小的芯片，采用 25 mil 的AlN陶瓷基板和12 mil的鍍鎳銅底板封裝的傳統(tǒng)功率模塊的結(jié)殼熱阻已達(dá)到約 0.4℃/W。將該模塊通過(guò)導(dǎo)熱脂連接在液冷散熱板上，結(jié)到冷卻液體的熱阻為 0.6~1℃/W。表明該 PCoB 雙面空冷模塊具 有與傳統(tǒng)液冷模塊相當(dāng)?shù)臒嵝阅堋?? （2）壓接封裝雙面散熱

壓接器件通過(guò)施加一定的機(jī)械壓力實(shí)現(xiàn)芯片與外部電極的電氣互連與熱接觸。壓接器件根據(jù)接觸方式不同分為剛性壓接和彈性壓接兩種。

圖28 (a)?剛性壓接封裝器件子單元結(jié)構(gòu)和(b)?剛性壓接器件內(nèi)部結(jié)構(gòu)

剛性壓接器件(如圖 28)主要以 WESTCODE 和 TOSHIBA 等公司的器件為代表，主要由集電極銅板、集電極 Mo 片、芯片、發(fā)射極 Mo 片、銀墊片、柵極針、框架、柵極 PCB 板、凸臺(tái)、發(fā)射極銅板和外殼等構(gòu)成。Mo 片作為熱應(yīng)力緩沖層，柵極針兩端分別連接到芯片柵極和 PCB 板，傳遞驅(qū)動(dòng)信號(hào)。銀墊片可以緩解芯片間的壓力分配不均，集電極與發(fā)射極銅板外表面可安裝散熱裝置實(shí)現(xiàn)雙面散熱。

器件工作時(shí)通過(guò)夾具施加一定的壓力以降低接觸電阻與接觸熱阻，保證封裝器件材料間的良好電熱接觸。但在多芯片并聯(lián)封裝器件中，由于剛性壓接器件子模塊數(shù)量多，不同子模塊內(nèi)的芯片、Mo 片以及墊片的厚度難以保證完全一致，各子模塊間就會(huì)存在高度差，當(dāng)將眾多子模塊封裝在同一器件內(nèi)時(shí)，就會(huì)存在子模塊承壓不均的問(wèn)題，影響子模塊的接觸電阻和接觸熱阻。因此，剛性壓接器件普遍對(duì)封裝部件的加工精度要求較高。

熱性能方面，以 WESTCODE 4500 V/3000 A press-pack IGBT 模塊為例，其最大結(jié)溫為 125℃，模塊熱阻為 0.0042℃/W，表現(xiàn)出良好的熱性能。

圖29 (a) ABB 彈性壓接雙面散熱子模塊和(b) StakPak IGBT 封裝模塊內(nèi)部

彈性壓接器件以ABB的StakPak彈性壓接雙面散熱器件為代表。彈簧端子的可壓縮性很好地補(bǔ)償 了剛性壓接器件各封裝部件的尺寸差，補(bǔ)償加壓過(guò)程中的壓力不足并吸收材料熱膨脹過(guò)程的過(guò)應(yīng)力， 結(jié)構(gòu)主要由發(fā)射極板、碟簧組件、銀/鋁墊片、Mo 片、芯片、集電極板等構(gòu)成。

圖 29(a)為彈性壓接器件子模塊。碟簧組件近發(fā)射極側(cè)一端通過(guò)鉚接與發(fā)射極板連接，碟簧組件另一端為圓柱表面，與芯片上表面的銀墊片形成面連接，Mo 片作為緩沖層以減小熱應(yīng)力對(duì)芯片的沖擊，芯片底面焊接在集電極板上。集電極板和發(fā)射極板提供了兩條散熱路徑。

雖然該器件具備雙面散熱的能力，但由于碟簧的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)以及碟簧組件部分材料熱導(dǎo)率較低，使得通過(guò)碟簧側(cè)的散熱量非常有限，芯片產(chǎn)生的熱量幾乎都從集電極側(cè)的熱通路傳遞，削弱了其雙面散熱的性能。但即使這樣，相比 WESTCODE 4500 V/3000 A press-pack IGBT 模塊，ABB 4500 V/3000 A 彈性壓接 IGBT 模塊僅具有 0.003℃/W 的結(jié)殼熱阻，熱性能進(jìn)一步提升。 ? （3）引線(xiàn)框架(LF)連接雙面散熱

雖然芯片兩側(cè)均采用 DBC 基板封裝可以實(shí)現(xiàn)雙面散熱，但 DBC 基板仍具有較大的熱阻，因此， 基于對(duì) DBC 基板的優(yōu)化展開(kāi)研究，開(kāi)發(fā)了一種新型的基于銅引線(xiàn)框架(LF)的雙面散熱封裝方法(圖 30)。

圖30 (a)?引線(xiàn)框架連接功率模塊結(jié)構(gòu)示意圖，(b)?模型的等軸視圖和(c)?模型爆炸視圖

該方法采用專(zhuān)用的銅引線(xiàn)框架消除了傳統(tǒng)的陶瓷基板，實(shí)現(xiàn)輕薄封裝。芯片直接連接到定制的金屬引線(xiàn)框架上，通過(guò)定制的銅夾將芯片電極與引線(xiàn)框架進(jìn)行焊接，形成柵極和源極的互連。

由于在芯片上部采用扁平銅夾連接，使得芯片上部具備連接散熱器的條件。該定制化的銅引線(xiàn)框架同時(shí)也作為封裝外部電氣連接的引線(xiàn)端子。芯片和銅夾連接完成后，通過(guò)電氣絕緣熱界面材料(TIM)將液 冷散熱器分別連接到銅夾上表面和引線(xiàn)框架的下表面，實(shí)現(xiàn)雙面散熱。

研究表明，在單個(gè)芯片熱耗散功率為 90 W，熱導(dǎo)率為 2.9 W/(m·K)的 50 μm 厚熱界面材料，塑封料熱導(dǎo)率為 0.8 W/(m·K)，采用燒結(jié)銀進(jìn)行芯片連接，芯片電極采用焊料連接的條 件下，仿真得到雙面散熱封裝模塊結(jié)到冷卻流體的熱阻為 0.227℃/W。? ?

圖31?全引線(xiàn)框架連接模塊結(jié)構(gòu)示意圖

類(lèi)似于上述引線(xiàn)框架連接封裝，進(jìn)一步開(kāi)發(fā)了一種全引線(xiàn)框架連接方案(圖31)。該方案將芯片上下表面的電極均采用銅引線(xiàn)框架引出，然后用環(huán)氧成型復(fù)合(EMC)材料將引線(xiàn)框架和芯片整體成型。通過(guò)介電 TIM 薄層將兩個(gè)微通道散熱器分別連接到兩側(cè)的引線(xiàn)框架表面，形成雙面冷卻。

該模塊通過(guò)去除厚重的 DBC 基板以及長(zhǎng)回路鍵合線(xiàn)，使得封裝更加輕薄。在單個(gè)芯片熱耗散功率為 160 W， 熱導(dǎo)率為 16 W/(m·K)的 100 μm 厚 TIM 層，銅引線(xiàn)框架厚度為 0.4 mm，熱沉冷卻流體流量為 2 L/min， 芯片漏極采用燒結(jié)銀連接，柵極和源極采用焊料連接的仿真條件下，得到該雙面散熱封裝模塊的芯片結(jié)溫差在 4℃以?xún)?nèi)，芯片溫度較為均勻，芯片到冷卻流體的熱阻為 0.152℃/W。相比前者，全引線(xiàn)框架連接封裝的熱性能得到進(jìn)一步提升。 ? （4）多功能組件(MFC)雙面散熱

針對(duì)當(dāng)前標(biāo)準(zhǔn)平面封裝受限于包括散熱、可靠性和寄生電感在內(nèi)的問(wèn)題，電力電子器件無(wú)法充分發(fā)揮其全部性能，研究人員提出了一種將芯片堆疊在集成有散熱器的銅母線(xiàn)之間的新型功率器件封裝方法(圖32)。

圖32?芯片兩個(gè)表面 MFC 連接封裝以及半橋電路圖

該方法通過(guò)器件堆疊，模塊不再受到平面封裝的限制；通過(guò)將散熱器直接集成到芯片的上下表面來(lái)解決散熱能力受限的問(wèn)題。該封裝的關(guān)鍵是多功能組件(MFC)，MFC 同時(shí)承擔(dān)著電氣、熱和機(jī)械連接的功能。堆疊結(jié)構(gòu)降低了寄生電感并通過(guò)減小封裝體積提高了功率密度。這種共同設(shè)計(jì)的方法旨在消除單一功能組件，如采用 MFC 代替單一導(dǎo)電的焊線(xiàn)和散熱器。

空氣或其他介電流體可以直接流過(guò)芯片的上下表面以及與芯片直接相連的翅片，對(duì)芯片進(jìn)行雙面冷卻。在芯片熱耗散功率為 500 W/cm2，初始溫度為 20℃，流量為 6?kg/min 的 HFE7500 冷卻條件下，仿真得到封裝器件溫升為 124.6℃，封裝熱阻為 0.25℃·cm2/W，遠(yuǎn)低于標(biāo)準(zhǔn)功率模塊的熱阻。

圖33 (a)?顯示芯片電極示意圖，(b)?全橋電路和(c) PCB 板連接 MFC 封裝全橋爆炸視圖

上述 MFC 連接封裝中，芯片柵極仍需使用鍵合線(xiàn)連接，在半橋模塊封裝中，仍需要較長(zhǎng)的柵極 回路(圖32)。研究人員開(kāi)發(fā)了一種基于 PCB 板連接的緊湊型低寄生、無(wú)焊線(xiàn)全橋模塊(圖33)。

半橋電路為垂直回路設(shè)計(jì)，功率回路和柵極回路的電感較低。所有芯片均以柵源朝向 PCB 板的方式連接。半橋上的芯片對(duì)角布置在 PCB 板兩側(cè)。芯片源極通過(guò) PCB 板上的通孔和另一側(cè)的銅制墊片連接到 PCB 板兩側(cè)的交直流母線(xiàn)上，最大限度地減小開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)和直流導(dǎo)軌間的寄生電容。

銅或銀制成的母線(xiàn)具有很高的熱導(dǎo)率，同時(shí)可以作為熱沉使用，因此也被稱(chēng)作 MFC。芯片一面與 MFC 直接接觸， 另一面通過(guò) PCB 板的通孔和墊片與另一側(cè)的 MFC 間接接觸，因此被稱(chēng)為準(zhǔn)雙面(QDS)散熱結(jié)構(gòu)。

最簡(jiǎn)單的 MFC 結(jié)構(gòu)可以使用金屬塊，通過(guò)自然對(duì)流進(jìn)行冷卻。對(duì)于更高功率損耗的應(yīng)用，可以考慮有類(lèi)似幾何形狀且具有內(nèi)部微通道的強(qiáng)制冷卻散熱器。由于該結(jié)構(gòu)的 QDS 特性且芯片和 MFC 之間取消了熱界面材料(TIM)，因此可以顯著提高熱性能。

研究表明，采用強(qiáng)制空氣微通道冷卻器作為 MFC 時(shí)，結(jié)到環(huán)境熱阻約為 1.9℃/W，而采用 HFE7500 進(jìn)行液冷時(shí)，芯片結(jié)到冷卻劑的熱阻僅為0.3℃/W，熱阻大幅降低，因此，在相同的熱耗散情況下，液冷模式可大大降低 MFC 的尺寸。 ? 基于上述雙面散熱封裝綜述，此類(lèi)結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)是無(wú)鍵合線(xiàn)封裝。以大面積面接觸代替鍵合線(xiàn)點(diǎn)接觸，充分利用芯片的兩個(gè)表面，繼而可以在芯片兩側(cè)的封裝平面上連接散熱器進(jìn)行冷卻，實(shí)現(xiàn)雙面散熱。

從具體封裝結(jié)構(gòu)上來(lái)看，主要有單基板(上基板、芯片嵌入基板(中基板)、下基板)封裝雙面散熱、上下雙基板封裝雙面散熱以及無(wú)基板封裝雙面散熱。芯片電極平面接觸是實(shí)現(xiàn)雙面散熱的前提。

芯片上下雙基板封裝是易實(shí)現(xiàn)雙面散熱的方式，但常規(guī) DBC 基板厚度較大，熱阻大，影響器件的熱性能。去基板封裝，芯片連接到厚度較薄的金屬上(如銅引線(xiàn)框架)，散熱路程短且熱導(dǎo)率較高，非常有利于散熱。

基于雙面散熱封裝目標(biāo)，采用高導(dǎo)熱材料平面鍵合同時(shí)縮短散熱路程是提高雙面散熱封裝器件散熱能力的主要途徑。另外，創(chuàng)新結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，開(kāi)發(fā)多散熱路徑的封裝方案也在持續(xù)探索和發(fā)展中。

2.3 封裝結(jié)構(gòu)多面散熱

針對(duì)目前高壓 SiC 器件封裝體積大、散熱和耐壓不足的問(wèn)題，研究人員提出了改善封裝尺寸和功率密度的二極管緊湊堆疊封裝方案(圖 34)。

圖34 (a)?陶瓷翅片和銅柱?(b)?四個(gè)陶瓷鰭片和兩個(gè)高壓二極管串聯(lián)堆疊以及(c)?三面連接銅翅片，第四面等待灌封

采用協(xié)同設(shè)計(jì)高壓 SiC 模塊，器件通過(guò) 3 mm 厚 AlN 陶瓷片將熱量傳遞給外部散熱器。整個(gè)模塊由兩個(gè)端蓋和四個(gè)空冷(或液冷)散熱器組成。銅柱插入到 AlN 中間的孔中，AlN 的四周與銅散熱片連接，端蓋置于兩側(cè)。銅柱、陶瓷翅片和外部銅翅片作為多 功能組件(MFC)。

銅柱既作為電氣連接又將熱量傳遞給陶瓷翅片。陶瓷翅片既作為絕緣體又作為導(dǎo)熱體。外部銅翅片作為模塊外殼和散熱器使用。選用高導(dǎo)熱環(huán)氧樹(shù)脂將銅柱連接到陶瓷翅片上和芯片的兩側(cè)。

在陶瓷翅片四周均勻涂抹陶瓷基 TIM，然后將銅翅片連接在上面，兩種翅片的邊緣結(jié)合處采用高溫樹(shù)脂密封。將三個(gè)銅翅片按照上述方式連接，留出一面用于灌封。將 ABS 塑料端蓋安裝在兩個(gè)端部，用高溫樹(shù)脂密封。

最后將灌封劑注入到所有的空腔，使每個(gè)陶瓷片的兩面都被涂上。灌封劑在固化前進(jìn)行脫氣處理，確保模塊中沒(méi)有氣體殘留。灌封和固化完成后，將最后一側(cè)的銅翅片安裝到陶瓷翅片上并進(jìn)行密封處理。該封裝在模塊的四個(gè)側(cè)面安裝熱沉，可顯著提高散熱能力。

圖35 (a)?折疊成立方棱柱前 DBC 布局 (b)?折疊后的 DBC基板和(c)?帶熱沉的模塊

針對(duì)寬禁帶功率器件散熱面積有限，器件功率受限的問(wèn)題，提出了一種新的多側(cè)散熱的三維棱柱形功率器件封裝方法(圖 35)。該封裝在模塊的五個(gè)側(cè)面各安裝了一個(gè)針翅散熱器。通過(guò)在 DBC 基板的背面設(shè)計(jì)斷裂槽(切割槽)，基板上部的銅層與斷裂槽重疊，這樣在折疊時(shí)，上銅層就形成了鉸鏈。將各封裝部件和輸出端子焊接到基板上，芯片通過(guò)高溫焊料連接到輸出柱上，然后進(jìn)行高溫硅凝膠絕緣灌封，將散熱器焊接到輸出端子以外的其他五個(gè)側(cè)面，形成多面散熱。

通過(guò)熱仿真分析，在對(duì)側(cè)芯片上施加總功率為 30 W 的熱損失，采用初溫為 20℃、流速為 7 m/s 的空氣強(qiáng)制冷卻時(shí)，芯片最大結(jié)溫為 95°C，封裝結(jié)到空氣的熱阻小于 2.5℃/W， 結(jié)殼熱阻僅有 0.3℃/W。與單面散熱模塊相比，多面散熱熱阻降低 22%。 ? 基于上述多面散熱封裝結(jié)構(gòu)，立體式封裝是其具有多面散熱能力的前提。創(chuàng)新性的將器件封裝結(jié)構(gòu)從二維平面拓展到三維空間，也拓展了封裝器件的散熱空間。

目前多面散熱封裝器件的研究和開(kāi)發(fā)還比較少，高壓方面僅限于二極管，低壓方面已有 SiC MOSFET 的封裝嘗試。多面散熱大大拓展了器件的散熱路徑，這是現(xiàn)有封裝技術(shù)所不具備的。

功率器件的封裝，最終呈現(xiàn)的是多因素的綜合，在拓展散熱路徑的同時(shí)，滿(mǎn)足封裝絕緣要求是至關(guān)重要的。

面對(duì)器件高壓大功率的發(fā)展趨勢(shì)，高絕緣和高散熱能力是未來(lái)器件封裝需要考慮的首要因素。多面散熱封裝為創(chuàng)新器件封裝結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)提供了借鑒， 鼓舞了對(duì)新型散熱封裝結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的研發(fā)熱情。

03 功率器件封裝散熱發(fā)展趨勢(shì) ? ? 由上述對(duì)器件封裝結(jié)構(gòu)散熱的綜述和總結(jié)，器件封裝結(jié)構(gòu)散熱從鍵合線(xiàn)封裝和無(wú)鍵合線(xiàn)封裝的單面散熱到去鍵合線(xiàn)雙面散熱再到多面散熱，代表了功率器件封裝結(jié)構(gòu)散熱的發(fā)展趨勢(shì)，即從單一散熱路徑發(fā)展為多散熱路徑，這也是器件發(fā)展和用途 需求倒逼器件封裝需要更優(yōu)異散熱性能的結(jié)果。

之前在功率器件封裝方面的努力主要是由鍵合線(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)器件驅(qū)動(dòng)，芯片通常只能通過(guò)非鍵合線(xiàn)側(cè)進(jìn)行散熱。出于電氣絕緣和鍵合可靠性的考慮，鍵合線(xiàn)側(cè)未被用作散熱通路。這一設(shè)計(jì)在面對(duì)高溫高壓大功率器件應(yīng)用場(chǎng)景時(shí)，已不能滿(mǎn)足高性能器件的封裝要求。

高導(dǎo)熱封裝材料及連接工藝、去鍵合線(xiàn)連接、 大面積面接觸、多散熱路徑同時(shí)縮短散熱路程、降低散熱路徑的熱阻等可能是未來(lái)高壓高溫大功率器件封裝應(yīng)具備的關(guān)鍵特征。

3.1 高導(dǎo)熱封裝材料和連接工藝

對(duì)于功率器件封裝，要想獲得優(yōu)異的熱性能， 首先要采用高熱導(dǎo)率的封裝材料和先進(jìn)連接工藝， 使封裝各層材料及其連接層均有利于熱量的傳導(dǎo)。?

通常，金屬和合金的熱膨脹系數(shù)與熱導(dǎo)率之間是相互矛盾的，但金屬基復(fù)合材料(MMCs)提供了一種很好的折中。雖然其成本較高，但仍是一類(lèi)非常有潛力的底板材料。

AlSiC 具有優(yōu)異的導(dǎo)熱性能，且能夠很好地匹配 DBC 的熱膨脹，降低熱膨脹應(yīng)力和熱失效或者振動(dòng)失效的風(fēng)險(xiǎn)。底板通常占整個(gè)模塊一半以上的重量，對(duì)器件熱性能有積極的也有負(fù)面的影響，這主要是考慮到傳熱和自身厚度的綜合作用。

表4?底板材料及其熱特性

表 4總結(jié)了適用于功率模塊高溫封裝底板材料的熱性能。底板的熱性能很大程度上受到底板面積的影響，并隨底板厚度的增加而提高。原因是由底板厚度帶來(lái)的熱阻增大的消極影響被大底板面積所帶來(lái)的積極影響而抵消，但底板位移也會(huì)相應(yīng)變大。

基板作為功率模塊的必要組成元素，起到提供電氣連接、高壓絕緣和熱耗散路徑的作用。理想的 基板材料需要跟與其連接的其他元件間具有良好的熱膨脹匹配性、高熱導(dǎo)率、高抗彎強(qiáng)度以及高斷裂韌性。

通常采用在陶瓷表面鍵合金屬層的三明治結(jié)構(gòu)制作基板。但由于金屬和陶瓷層間的熱膨脹系數(shù)的差異，金屬鍵合的厚度、陶瓷的脆性和熱應(yīng)力 是在選擇功率基板時(shí)需要考慮的問(wèn)題，同時(shí)也是比較棘手的問(wèn)題。

表5? 功率器件封裝基板陶瓷材料特性

DBC 基板需要滿(mǎn)足電氣、熱以及機(jī)械可靠性要求。在各種候選材料中，夾在兩層銅之間的常用陶瓷有 Al2O3、BeO、AlN 和 Si3N4。表 5 總結(jié)了上述幾種材料的性質(zhì)。其中，Al2O3?最常用且成本 最低，但是與 BeO 相比，Al2O3熱導(dǎo)率較低，對(duì)于高功率器件封裝，通常不是好的選擇，尤其是在高溫條件下。

雖然 BeO 具有較高的熱導(dǎo)率，但由于機(jī)加工過(guò)程產(chǎn)生粉塵危害健康的原因需要特殊的制造和加工工藝，這必然增加了成本。AlN 材料由于其優(yōu)異的電性能和化學(xué)穩(wěn)定性成為 SiC 器件封裝的理想候選材料。其具有高熱導(dǎo)率同時(shí)能夠匹配 SiC 的低熱膨脹系數(shù)(4.6-5.1 ppm/℃)，且成本低，易獲取。但是其機(jī)械強(qiáng)度差、鍵合難度大。Si3N4熱導(dǎo)率適中，機(jī)械性能出色，可彌補(bǔ)其在導(dǎo)熱性上的差距。

在實(shí)際應(yīng)用中，AlN 需形成 0.64 mm 厚的薄板以承受鍵合過(guò)程的應(yīng)力，而 Si3N4?比較堅(jiān)固，0.32 mm 的厚度即可滿(mǎn)足要求。Al2O3?或 BeO 在低氧氣氛下對(duì)銅或者鋁箔進(jìn)行加壓并加熱到略低于金屬熔點(diǎn)的溫度形成 DBC 或者 DBA。

相比 DBA，DBC 具有低電阻率、高熱導(dǎo)率 (390 vs 240 ?W/(m·K))和易刻蝕的優(yōu)勢(shì)；但 DBA 在改善熱循環(huán)可靠性方面更具優(yōu)勢(shì)，氧化鋁和陶瓷間的結(jié)合力比氧化銅要強(qiáng)得多，鋁更軟，對(duì)應(yīng)變硬化具有更 大的抵抗力。

研究表明，DBC 在-50~250℃下經(jīng)過(guò) 100 個(gè)熱循環(huán)后會(huì)發(fā)生金屬分層的失效問(wèn)題， 對(duì)于高可靠性系統(tǒng)，相比 DBC 基板，DBA 能夠承受更加嚴(yán)苛環(huán)境下的熱循環(huán)。因此，DBA 具有更好的熱循環(huán)性能和高溫可靠性。 ? 功率器件連接工藝通常有焊接和燒結(jié)連接兩種。焊接工藝采用焊料合金連接，燒結(jié)工藝通常采用納米銀和納米銅連接。焊料合金(如 SnPb 和 SnAgCu)是最常用的芯片和基板互連材料。但傳統(tǒng)焊料連接層熱導(dǎo)率通常較低，僅有幾十 W/(m·K)(表 6)。

表6?連接常用的焊料合金及其熱特性

納米金屬燒結(jié)可實(shí)現(xiàn)封裝材料間的高導(dǎo)熱連接，熱導(dǎo)率一般都在數(shù)百量級(jí)，非常有利于熱量的傳導(dǎo)。目前，納米金屬燒結(jié)連接仍處于研究階段，尚無(wú)法實(shí)現(xiàn)大面積燒結(jié)連接。 ? 表7 10 kV SiC MOSFET 無(wú)鍵合線(xiàn)封裝材料與工藝

金基焊料，如共晶 AuSn，具有高溫(>280℃)、 高導(dǎo)電和高導(dǎo)熱性以及易無(wú)助焊劑焊接的特點(diǎn)而受到青睞。然而，由于其剛度特性和高成本， 僅適用于小規(guī)模應(yīng)用。

銀具有高導(dǎo)電導(dǎo)熱性，非常適合于高溫封裝， 但同時(shí)也具有非常高的熔點(diǎn)(960℃)。為了降低燒結(jié)溫度，通常有兩種策略：一是利用壓力來(lái)增加燒結(jié)驅(qū)動(dòng)力，另一種是利用無(wú)壓的納米顆粒。

新的研究嘗試在使用納米顆粒的同時(shí)施加一定的壓力。但是有壓燒結(jié)難以實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化，成本增加。同時(shí)，施加壓力也可能會(huì)導(dǎo)致芯片碎裂。

通過(guò)將銀顆粒尺寸從微米級(jí)減小到納米級(jí)，可以獲得額外的表面能，理論上該過(guò)程可以在 300℃以下的無(wú)壓條件下進(jìn)行，從而降低燒結(jié)溫度。研究表明，采用納米銀燒結(jié)連接，芯片和基板間的結(jié)合非常牢固。

銀燒結(jié)互連具有低溫(>220℃)和高熔點(diǎn)的鍵合優(yōu)勢(shì)，同時(shí)具有高導(dǎo)熱性，能夠增強(qiáng)熱循環(huán)和 功率循環(huán)的可靠性。納米銀漿料具有較大的表面積，燒結(jié)溫度較低，燒結(jié)接頭具有優(yōu)異的導(dǎo)熱、 導(dǎo)電以及高溫穩(wěn)定性。商用納米銀可以在 250℃ 的溫度下燒結(jié)。

盡管 Semikron、Infineon 和 ABB 等廠商進(jìn)行了大量的燒結(jié)銀研發(fā)工作，并在早期產(chǎn)品中應(yīng)用了該技術(shù)，但到目前為止，銀燒結(jié)技術(shù)在量產(chǎn)方面還很有限，面臨著尚未完全解決的可制造性和成本挑戰(zhàn)。封裝過(guò)程復(fù)雜、過(guò)程伴隨壓力和表面金屬化以及大面積芯片的連接等問(wèn)題仍需要解決。

弗吉尼亞理工大學(xué)于 2017年設(shè)計(jì)了高功率密度和高開(kāi)關(guān)速度的 10 kV/54 A SiC MOSFET 模塊。在 DBA 基板上印刷 200 μm 厚的銀膏層，在 120℃下進(jìn)行干燥并蒸發(fā)掉所有溶劑。干燥結(jié)束后在 260℃、5 MPa 的壓力下燒結(jié) 1 h 將兩個(gè) DBA 基板燒結(jié)在一起。

針對(duì)芯片連接，分別研究了焊料和無(wú)壓銀燒結(jié)兩種方式。采用 Indium 50 μm 厚 含有助焊劑的 96.5Sn/3.5Ag 焊料預(yù)制件，在空氣氣氛下 260℃焊接到鍍銀 DBA 基板，焊接強(qiáng)度為 36 MPa，焊層空洞率約 40%-50%。

采用無(wú)壓燒結(jié)銀膏連接時(shí)，對(duì)于不同類(lèi)型的 Ag 膏，Kyocera’s CT2700R7S Ag 膏在 200℃下燒結(jié) 90 min 時(shí)鍵合強(qiáng)度最高(>45 MPa)。但在相同條件下燒結(jié)較大面積的芯片時(shí)，芯片剪切強(qiáng)度明顯降低，將燒結(jié)溫度提高到 230℃，芯片剪切強(qiáng)度得到明顯改善。

需要注意的是，10 kV SiC MOSFET 芯片下表面鍍有 Au，由于 Ag 會(huì)往 Au 層中擴(kuò)散，若 Ag 擴(kuò)散較 多會(huì)在 Ag-Au 界面產(chǎn)生 Kirkendall 空隙，降低鍵合強(qiáng)度。雖然有壓燒結(jié)能夠產(chǎn)生致密銀層，提高剪切強(qiáng)度，但是有壓燒結(jié)更加復(fù)雜，尤其是在同時(shí)燒結(jié)多個(gè)芯片時(shí)壓力均勻分布的問(wèn)題。

該團(tuán)隊(duì)在 2020 年針對(duì)無(wú)鍵合線(xiàn)封裝的 10 kV SiC ?MOSFET 模塊，采用無(wú)壓納米銀燒結(jié)進(jìn)行功率基板、芯片和金屬柱之間的連接，芯片在 230℃下 燒結(jié) 90 min，平均剪切應(yīng)力為 15 MPa，峰值應(yīng)力達(dá)到 18 MPa。

采用壓力輔助銀燒結(jié)將兩個(gè)基板連接在一起，相比焊料連接，銀燒結(jié)層具有低孔隙率、高熱導(dǎo)率和更高的可靠性。同時(shí)，銀燒結(jié)漿料不能直接與 Cu 結(jié)合，需要 Au 或 Ag 等界面金屬化來(lái)加強(qiáng)結(jié)合，增加了整體成本。此外，由于有機(jī)揮發(fā)物的蒸發(fā)使得燒結(jié)接頭局部致密化，燒結(jié)接頭產(chǎn)生孔隙。在大尺寸的芯片燒結(jié)連接中，空洞現(xiàn)象更加嚴(yán)重。

孔隙的存在會(huì)降低燒結(jié)接頭的力學(xué)、熱學(xué)和電學(xué)性能。不含有機(jī)物的納米銅燒結(jié)在芯片連接驗(yàn)證中可加工性得到改善，應(yīng)力管理設(shè)計(jì)更加靈活，使其成為功率芯片高溫連接 材料的潛在替代品。

2016 年美國(guó)洛克希德馬丁空間系統(tǒng)公司將開(kāi)發(fā)的一種新型納米銅基封裝材料用于 LED 和熱沉之間的連接，同樣也適用于其他晶圓級(jí)高功率芯片的封裝連接，以實(shí)現(xiàn)高熱導(dǎo)率。這種無(wú)焊料的納米銅克服了傳統(tǒng)焊料的加工溫度對(duì)后續(xù)最大可能操作溫度的限制。

由于納米銅可在 280℃ 以下熔化，熔化后恢復(fù)成塊狀銅 ( 熔點(diǎn) 1084.87℃)，熱導(dǎo)率和導(dǎo)電性是典型焊料的 5-10 倍，且不需要擔(dān)心前道工序的連接層發(fā)生回流，因此能夠在超過(guò)其原加工溫度的環(huán)境下服役，使其成為理想的高溫封裝材料。銅具有高熱導(dǎo)率(~400 W/(m·K))，且納米銅連接層中沒(méi)有空洞。同時(shí)該材料的總成本已經(jīng)低于 AuSn 共晶焊料，在工業(yè)規(guī)模上，預(yù)期將能夠與無(wú)鉛焊料競(jìng)爭(zhēng)。 ? 3.2 芯片面接觸連接

鍵合線(xiàn)連接由于芯片引線(xiàn)鍵合及保障鍵合質(zhì)量可靠性和絕緣的需要，限制了通過(guò)該鍵合側(cè)安裝熱沉散熱，僅具有單一散熱路徑。

為改善散熱性能， 取消鍵合線(xiàn)，以面接觸代替點(diǎn)接觸連接可增大電極引出部件與芯片的接觸面積，即增大芯片表面的散熱面積，是提高器件散熱能力的有效方式。同時(shí)也降低較小截面積的長(zhǎng)導(dǎo)線(xiàn)鍵合帶來(lái)的回路寄生電感，如采用金屬帶代替長(zhǎng)導(dǎo)線(xiàn)連接。

采用雙層柔性 PCB 板代替鍵合線(xiàn)實(shí)現(xiàn)芯片大面積接觸連接的 SKiN 封裝，柔性 PCB 板與芯片有源區(qū)的燒結(jié)面積大大增加，接觸表面增大改善了芯片的熱分布和功率循環(huán)能力，不足之處在于柔性 PCB 板的存在限制了其高溫運(yùn)行的可靠性。

圖36 DLB 封裝結(jié)構(gòu)

此外，采用平面互連實(shí)現(xiàn)芯片正面功率電極的端子直連(direct lead bonding，DLB) (圖 36)，其最大特點(diǎn)是將功率端子與芯片表面電極直接連接，相比于傳統(tǒng)引線(xiàn)鍵合的點(diǎn)接觸，該技術(shù)的電極端子與芯片表面互連面積更大，可有效降低寄生電感，提高互連可靠性。

圖37?通用型單芯片嵌入式模塊封裝

三維嵌入式芯片模塊(Embedded chip module，ECM)封裝也可以實(shí)現(xiàn)芯片面接觸連接(圖 37)，將芯片倒裝嵌入到陶瓷中，采用玻璃或者陶瓷粘接劑將芯片和陶瓷連接，芯片兩個(gè)表面金屬化取代鍵合線(xiàn)，雙面金屬化提供了一個(gè)機(jī)械平衡結(jié)構(gòu)，可以減少高溫下的機(jī)械應(yīng)力，同時(shí)芯片電極金屬化提供了較大的面積可以連接熱沉，實(shí)現(xiàn)雙面散熱。

實(shí)現(xiàn)芯片表面電極的面接觸連接，增大接觸面積，不僅可以減小電流回路，減小雜散電感和電阻，還可以充分利用芯片兩表面的散熱通路，實(shí)現(xiàn)芯片表面雙散熱路徑，可明顯改善封裝器件的散熱性能。因此，基于保障功率器件高溫運(yùn)行可靠性和高功率密度封裝的考慮，實(shí)現(xiàn)芯片的面接觸連接，增大接觸面積，去鍵合線(xiàn)連接是提高封裝器件熱性能和實(shí)現(xiàn)高功率密度器件封裝的必然要求。

? 3.3 增加散熱路徑

傳統(tǒng)鍵合線(xiàn)連接器件僅具有單一散熱路徑，熱性能已達(dá)到其散熱極限，不能適應(yīng)更高功率密度的封裝要求。從散熱的角度，盡可能多的散熱路徑對(duì)于器件的散熱無(wú)疑是有利的。功率器件高溫高功率密度應(yīng)用驅(qū)使開(kāi)發(fā)散熱性能更好的封裝形式。

目前封裝材料的熱特性短期內(nèi)無(wú)法取得較大的改善，除現(xiàn)有芯片背面的導(dǎo)熱通路外，拓展新的散熱路徑，將芯片正面作為另一條散熱通路。盡管由于芯片正面連接墊片等部件可能使得芯片上下兩側(cè)封裝結(jié)構(gòu)不對(duì)稱(chēng)，通過(guò)芯片上表面熱通路的散熱量與芯片下表面熱通路的散熱量未必相同，但這種雙面散熱能力可以大幅降低器件的熱阻，顯著提升器件的散熱性能。

增加散熱路徑必然要改變芯片的連接方式，因此，去鍵合線(xiàn)連接成為增加散熱路徑的必然選擇。為了實(shí)現(xiàn)功率器件的高溫高壓高功率密度應(yīng)用，功率器件的封裝由傳統(tǒng)鍵合線(xiàn)連接的單一散熱路徑發(fā)展為去鍵合線(xiàn)面接觸連接的雙散熱路徑。

隨著對(duì)功率器件更高溫度、更高電壓等級(jí)和更高功率密度封裝的追求，功率器件的熱耗散越發(fā)嚴(yán)重，優(yōu)異的散熱性能是功率器件封裝永恒的追求，各種新型的封裝結(jié)構(gòu)也在持續(xù)發(fā)展中，比如最近關(guān)于器件多面散熱封裝的研究。

雖然目前在器件多面散熱封裝方面的報(bào)導(dǎo)還較少，更多的是關(guān)于器件雙面散熱封裝的研究，反應(yīng)了功率器件封裝由單一散熱路徑到多散熱路徑的發(fā)展趨勢(shì)。尤其是對(duì)于多面散熱器件的研究報(bào)導(dǎo)，更是展現(xiàn)出功率器件在多散熱路徑封裝方面的巨大研究空間和潛力。?

3.4 縮短散熱路程

封裝器件內(nèi)部芯片損耗產(chǎn)生的熱量主要通過(guò)熱傳導(dǎo)的方式將從結(jié)傳遞至器件封裝外殼。根據(jù)傳熱學(xué)理論和熱量傳遞的規(guī)律，縮短熱流傳遞路徑上的距離，是降低芯片散熱路徑熱阻的有效方式之一。

功率器件封裝是由多層結(jié)構(gòu)組成的，那么從縮短散熱路徑路程的角度，一是可以減薄封裝各層材料的厚度，二是減少封裝材料的層數(shù)。前者由于當(dāng)前材料厚度已經(jīng)是在滿(mǎn)足絕緣、散熱和力學(xué)等方面要求的折中，材料的介電強(qiáng)度等屬性無(wú)法取得較大的改進(jìn)，那么從減薄材料厚度的角度可能無(wú)法對(duì)散熱路徑的熱阻有較大的改善。

縮短散熱路程唯一有效的方式只能從減少封裝材料的層數(shù)著手。從對(duì)有陶瓷基板的器件封裝各層材料的熱阻分析可知，底板和陶瓷基板的熱阻較大。減少封裝結(jié)構(gòu)層，取消底板，將陶瓷基板直接與熱沉連接。

功率器件從單個(gè)陶瓷基板封裝到無(wú)基板封裝，如芯片與金屬底板(電極板)直接連接封裝、引線(xiàn)框架連接封裝和金屬多功能組件封裝。取消陶瓷基板可大大縮短散熱路程，降低熱阻，顯著提高封裝散熱性能。

因此，減少封裝結(jié)構(gòu)層數(shù)來(lái)縮短散熱路程的方式是可行的，這也產(chǎn)生了高效散熱的緊湊型封裝結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)器件的高功率密度封裝。

04 結(jié)論

本文聚焦于功率器件封裝散熱方面，綜述了現(xiàn) 有功率器件在封裝結(jié)構(gòu)散熱方面的設(shè)計(jì)特征，總結(jié)了功率器件封裝結(jié)構(gòu)的散熱設(shè)計(jì)原則，通過(guò)對(duì)現(xiàn)有功率器件從散熱路徑的角度進(jìn)行分類(lèi)，總結(jié)其封裝散熱特點(diǎn)和為追求高效散熱在高導(dǎo)熱封裝材料和連接工藝、芯片封裝接觸形式、封裝散熱路徑數(shù)量 以及散熱路程方面的發(fā)展趨勢(shì)。

本文的結(jié)論如下： ? ?1）從封裝器件散熱的角度可以將功率器件分為單面散熱器件、雙面散熱器件和多面散熱器件。封裝結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)應(yīng)當(dāng)遵循散熱路徑低熱阻、盡可能多散熱路徑和散熱路徑上的接觸面積盡可能大的原則。 ? ?2）鍵合線(xiàn)連接器件只能通過(guò)芯片非鍵合側(cè)散熱，影響了功率模塊的熱性能。在目前封裝材料性能和封裝工藝技術(shù)暫時(shí)無(wú)法取得較大改善的情況下，通過(guò)創(chuàng)新結(jié)構(gòu)布局和設(shè)計(jì)，優(yōu)化散熱路徑，是解決目前功率器件封裝散熱的有效方案。 ? ?3）實(shí)現(xiàn)對(duì)芯片表面電極的平面接觸是實(shí)現(xiàn)雙 面散熱的前提。散熱路徑上采用高導(dǎo)熱材料平面鍵 合同時(shí)縮短散熱路徑的路程是提高雙面散熱封裝 器件散熱性能的兩個(gè)主要途徑。 ? ?4）立體式封裝是封裝器件具備多面散熱能力的前提。功率器件封裝結(jié)構(gòu)從二維平面封裝拓展到三維空間封裝，拓展了封裝器件的散熱空間。功率器件封裝結(jié)構(gòu)熱設(shè)計(jì)表現(xiàn)出從單一散熱路徑向多散熱路徑發(fā)展的趨勢(shì)。 ? 5）高熱導(dǎo)率封裝材料和高導(dǎo)熱納米金屬連接工藝、去鍵合線(xiàn)連接、大面積面接觸、追求多個(gè)散熱路徑同時(shí)盡可能縮短散熱路程、降低散熱路徑的熱阻等是未來(lái)高壓高溫大功率器件封裝應(yīng)具備的關(guān)鍵特征。 ?

編輯：黃飛

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