當IGBT在開關時普遍會遇到的一個問題即寄生米勒電容開通期間的米勒平臺。米勒效應在單電源門極驅動的應用中影響是很明顯的?；陂T極G與集電極C之間的耦合，在IGBT關斷期間會產生一個很高的瞬態dv
2015-01-14 17:10:29
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米勒效應在MOS驅動中臭名昭著，他是由MOS管的米勒電容引發的米勒效應，在MOS管開通過程中，GS電壓上升到某一電壓值后GS電壓有一段穩定值，過后GS電壓又開始上升直至完全導通。為什么會有穩定值這段
2018-09-28 08:02:0019124 什么叫米勒電容？如何作用和影響于MOSFET？
2019-05-12 07:27:0022239 
作者：Stephen Woodward 雖然最初人們認為米勒效應只不過是會限制帶寬和穩定性的不想要的寄生電容倍增器，但它現在已被有用的拓撲所采納，如模擬示波器時基積分器。根據這樣一個事實：如果放大器
2021-01-26 16:05:202750 
前幾天給大家講了一下晶體管BJT，今天講一下場效應管-MOSFET。
2022-09-05 10:41:053622 MOS管的米勒效應會在高頻開關電路中，延長開關頻率、增加功耗、降低系統穩定性，可謂是臭名昭著，各大廠商都在不遺余力的減少米勒電容。
2022-09-29 09:26:071441 上篇文章聊了MOS管-傳輸特性曲線的細微之處，希望同學們能精準識別三種特性曲線的區別，而不是死記硬背。研究MOS管，一定繞不開一個重要現象——Miller效應，今天我們就一起探討下，一次聊不完，可能會分幾篇來探討。
2023-02-01 10:18:411547 在說MOS管的米勒效應之前我們先看下示波器測量的這個波形。
2023-02-03 15:35:472321 
從多個維度分析了米勒效應，針對Cgd的影響也做了定量的推導，今天我們再和大家一起，結合米勒效應的仿真，探討下如何減小米勒平臺。
2023-02-14 09:25:467164 對于MOSFET，米勒效應（Miller Effect）指其輸入輸出之間的分布電容（柵漏電容）在反相放大作用下，使得等效輸入電容值放大的效應。由于米勒效應，MOSFET柵極驅動過程中，會形成平臺電壓，引起開關時間變長，開關損耗增加，給MOS管的正常工作帶來非常不利的影響。
2023-04-26 09:20:532057 
管（ Meta Oxide Semiconductor FET，簡稱MOSFET,1960年誕生 ）組成。 ? ? ? 2 場效應管的分類及工作原理 場效應管是一種單極型晶體管，與雙極型晶體管BJT都屬于晶體管。 在雙極
2023-06-28 08:39:283645 
MOSFET是金屬氧化物半導體場效應晶體管（Metallic Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）的簡稱，有時候我們也會簡寫成MOS。下面是一個典型的MOSFET結構。
2023-07-11 10:56:241291 
通過了解MOS管的的開關過程，以及MOS米勒電容的影響，來改進MOS管設計。
2023-07-21 09:19:364571 
海飛樂技術20V MOSFET場效應管現貨選型Voltage (V)Current (A)Rdson (Ohm)Package用途TYPMAX202.845m60mSOT-23小電流開關用
2020-03-03 17:36:16
MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-EffectTransistor）是金屬-氧化物-半導體場效應晶體管的縮寫，也叫場效應管，是一種由運算器的基礎構成
2023-03-08 14:13:33
在本文中，我們將探討 MOSFET 和鰭式場效應晶體管的不同器件配置及其演變。我們還看到 3D 配置如何允許每個集成電路使用更多晶體管?！ ∑矫媾c三維 （3D） 平面MOSFET（圖1）在Lg
2023-02-24 15:20:59
MOSFET在快速關短過程中，驅動電壓VGS會在米勒電平處震蕩很厲害？請問有解決措施嗎？
2018-04-19 21:17:29
菜鳥沒有做過實際東西，最近有個想法，但仿真時發現Vs小于0時，雖Vds大于0，但MOSFET不受柵極控制，為什么會這樣？有什么方法解決嗎？希望各位說說自己的看法，感激不盡
2015-11-30 22:55:25
電子表格記錄數據的經驗豐富的設計人員，亦未能從熟悉的模型中獲得滿意的結果。除了器件結構和加工工藝，MOSFET的性能還受其他幾個周圍相關因素的影響。這些因素包括封裝阻抗、印刷電路板(PCB)布局、互連線寄生效應
2019-05-13 14:11:31
如圖所示，Pspice仿真mosfet開通過程，通過仿真得到的波形如圖所示（藍色是Vds，紅色是Vgs，綠色是Id），與課本上給的開通過程有區別。想請教一下仿真圖中的幾個問題：為什么電流Id上升
2019-06-04 20:39:14
場效應管和IGBT的驅動經常聽到米勒效應這個詞，查閱了一些資料是柵極和漏極之間的等效電容，這個等效電容在場效應管或者IGBT開通的時候在某一階段會放大較多倍，進而導致驅動電路需要提供的電壓電流增多
2024-01-11 16:47:48
反相放大電路中，輸入輸出之間的分布電容或者寄生電容由于放大器的方法作用，其等效到輸入端的電容值會擴大1+k倍，k是增益。那么米勒效應和上面說的IGBT的正方向電容怎么聯系上？【2】位移電流是如何而來
2017-12-21 09:01:45
米勒平臺形成的基本原理米勒平臺形成的詳細過程
2021-03-18 06:52:14
發這個帖子之前，我糾結了很久……論壇里面有很多的高手，對MOSFET的結構，驅動，選用，計算等等都開過專門的帖子講解與討論，比如水蜘蛛大師，sometimes版主等人，講解的非常的詳細，帖子的質量
2021-10-29 14:43:42
90kW變頻器，當電流達到110A以上時，IGBT在關斷的時候，出現這個波形，請問是怎么回事？在110A以下就不出現。這是IGBT Vce的電壓波形，當關斷的時候還要再開通一下，這樣不就很容易上下橋直通了嗎？這是怎么回事呢？是米勒效應導致的嗎？如何解決呢？
2017-07-24 10:06:32
電動車轉換器72V轉12V我看到都是用MOSFET的場效應管，能不能用JFET的場效應管？？？？
2017-06-26 12:45:35
和Flyback等電路（對MOSFET體二極管沒有要求），因為LLC電路工作過程中，MOSFET的體二極管要參與大電流的過程，因此LLC電路中的MOSFET對體二極管參數有了很高的要求。以下
2019-09-17 09:05:04
上一節講了MOS管的等效模型，引出了米勒振蕩，可以這么講，在電源設計中，米勒振蕩是一個很核心的一環，尤其是超過100KHz以上的頻率，而作者是做超高頻感應加熱電源的，工作頻率在500K~1MHz范圍
2018-11-20 16:00:00
，Vds開始下降，Id開始上升，此時MOSFET進入飽和區；但由于米勒效應，Vgs會持續一段時間不再上升，此時Id已經達到最大，而Vds還在繼續下降，直到米勒電容充滿電，Vgs又上升到驅動電壓的值，此時
2021-01-27 15:15:03
提升導通能量，當柵極電阻降低時，導通能量也隨之降低。圖2 Eon和Rg的關系曲線當橫跨柵極電阻器的壓降超過了半橋轉換器上MOSFET的閾值電壓，就會發生寄生導通，即米勒效應。此時，反向恢復能量（Err
2019-07-09 04:20:19
也是幾乎沒有變化，理想情況下，我們就認為它們是不變的。那么，到了某一時刻（t3），米勒平臺效應就會結束。在米勒平臺期間，MOS管的DS內阻Rdson在逐漸變小。圖片太多，完整見附件:上期回顧：從無到有，徹底搞懂MOSFET講解（四）
2021-06-02 10:37:35
低壓mos只有幾毫歐姆）的一個轉變過程。比如一個mos最大電流100a，電池電壓96v，在開通過程中，有那么一瞬間（剛進入米勒平臺時）mos發熱功率是P=V*I(此時電流已達最大，負載尚未跑起來，所有
2019-07-26 07:00:00
MOSFET開時米勒平臺的形成過程的詳細解析！純手工畫圖解析，這資料還是可以的回帖直接下載原文檔 [hide]https://pan.baidu.com/s/1gf0A2pt[/hide]
2017-10-25 16:14:46
MOSFET的柵極驅動過程，可以簡單的理解為驅動源對MOSFET的輸入電容的充放電過程；當Cgs達到門檻電壓之后， MOSFET就會進入開通狀態；當MOSFET開通后，Vds開始下降，Id開始上升，此時MOSFET進入飽和區；
2019-09-12 09:05:05
由米勒電容引起的寄生導通效應，常被認為是當今碳化硅MOSFET應用的一大缺陷。為了避免這種效應，在硬開關變流器的柵極驅動設計中，通常采用負柵極電壓關斷。但是這對于CoolSiC? MOSFET
2023-02-27 13:53:56
公式計算：同樣，關斷損耗的米勒平臺時間在關斷損耗中占主導地位。對于兩個不同的MOSFET，如A管和B管，即使A管的Qg和Ciss小于B管的，但如果A管的Crss比B管的大得多時，A管的開關損耗就有可能
2017-03-06 15:19:01
的開通過程中，跨越線性區是產生開關損耗的最根本的原因。這表明：米勒平臺時間在開通損耗中占主導地位，這也是為什么在選擇功率MOSFET的時候，如果關注開關損耗，那么就應該關注Crss或QGD，而不僅僅是
2017-02-24 15:05:54
場效應晶體管（Junction FET）的簡稱，產生一個寄生的JFET，結型場效應管是以PN結上的電場來控制所夾溝道中的電流，從而增加通態電阻。平面MOSFET的RDS(ON)由于下面幾個部分組成：RS : 源
2016-10-10 10:58:30
`功率場效應晶體管(MOSFET)原理`
2012-08-20 09:10:49
極)及D(漏極)，如圖1d所示。從圖1中可以看出柵極G與漏極D及源極S是絕緣的，D與S之間有兩個PN結。一般情況下，襯底與源極在內部連接在一起。圖1是N溝道增強型場效應管(MOSFET)的基本結構圖
2011-12-19 16:52:35
功率場效應管MOSFET,功率場控晶體管
2019-04-10 10:02:53
管MOSFET只需要柵極引腳上的電壓來允許電流在漏極和源極引腳之間流動。場效應管MOSFET在實際設計中具有非常高的柵極阻抗，這就決定了MOSFET的一個特點，非常擅長降低電路的運行所需要的功率。先來簡單介紹
2022-09-06 08:00:00
在過去的十幾年中，大功率場效應管引發了電源工業的革命，而且大大地促進了電子工業的發展。由于MOSFET管具有更快的開關速度,電源開關頻率可以做得更高,可以從50kHz提高到200kHz 甚至
2023-09-28 06:33:09
天線效應是什么？如何減少在集成電路中的天線效應？
2021-05-10 06:14:40
，必須匹配其MOSFET。這意味著兩個MOSFET的通道尺寸必須相同，并且布線應該是平衡的。差分對左右兩邊的寄生效應的任何差異都會降低其性能。我們可以使用傳統的原理圖編輯器和Pulsic提供的插件輕松
2023-02-15 13:43:37
開關MOSFET中的噪聲（STGF20NB60S）以上來自于谷歌翻譯以下為原文 NOISE IN SWITCHING MOSFET(STGF20NB60S)
2019-05-06 14:28:23
狀態) 所以就出現了所謂的圖騰驅動!!選擇MOS管時，Cgd越小開通損耗就越小。米勒效應不可能完全消失。 MOS管中的米勒平臺實際上就是MOSFET處于“放大區”的典型標志 用用示波器測量GS
2018-12-19 13:55:15
不變（A-B垂直橫軸），VGD的電壓為VGS-VDS，為負壓，就是D的電壓高于G。當ID電流達到負載的最大允許電流ID(max)時，也就是圖3中的B點，MOSFET進入下一個工作區：米勒平臺區。（3
2016-11-29 14:36:06
0V關閉SiC MOSFET時，必須考慮一種效應，即Si MOSFET中已知的米勒效應。當器件用于橋式配置時，這種影響可能會出現問題，尤其是當一個 SiC MOSFET 導通，而第二個 SiC
2023-02-24 15:03:59
MOS管與IGBT是不是都有這個GS米勒效應？
2019-09-05 03:29:03
三極管會不會存在米勒效應
2019-09-10 04:37:38
請問各路大神，場效應管組成的放大電路，存在米勒效應，階躍時間變得很長，是不是需要增大前級驅動電流，就能減小階躍時間，或者還有其他方法嗎，我看米勒效應都在開關狀態下來講解，但在放大狀態依然有米勒平臺，這是正常的嗎？
2018-08-08 10:29:41
功率場效應晶體管MOSFET摘要：文中闡述了MOSFET的結構、工作原理、靜態、動態特性，并對動態特性的改進進行了論述，簡介了MOSFET的驅動電路及其發展動態。關鍵詞：MOSFET 結
2008-08-12 08:42:03
224 功率場效應晶體管(MOSFET)原理
功率場效應管(Power MOSFET)也叫電力場效應晶體管，是一種單極型的電壓控制器件，不但有自關斷能力,而且有驅動功率小
2009-04-25 16:05:109126 
功率場效應管MOSFET,功率場控晶體管
功率場效應管又叫功率場控晶體管。一．
2009-05-12 20:36:421457 
功率器件，如IGBT，Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等等，都需要有充分的保護，以避免如欠壓，缺失飽和，米勒效應，過載，短路等條件所造成的損害。這里介紹了為何光耦柵極驅動器能
2012-11-26 14:43:407693 米勒平臺是開關管開通和關斷過程中出現的極短平臺，學習了解米勒平臺的形成的原理，對它有個直觀的認識，有利于我們分析實際的電路波形。
2016-11-02 17:20:3010 米勒效應解決
2017-06-09 09:56:4048 設計電源時，工程師常常會關注與MOSFET導通損耗有關的效率下降問題。在出現較大RMS電流的情況下， 比如轉換器在非連續導電模式（DCM）下工作時，若選擇Rds（on）較小的MOSFET，芯片尺寸
2020-01-13 07:59:001541 米勒效應在單電源門極驅動過程中非常顯著。基于門極G與集電極C之間的耦合，在IGBT關斷期間會產生一個很高的瞬態dv/dt，這樣會引發門極VGE間電壓升高而導通，這里存在著潛在的風險。
2019-02-04 11:17:0037672 
在描述米勒平臺（miller plateau）之前，首先來看看“罪魁禍首”米勒效應（miller effect） 。
2019-02-02 17:08:0058509 
使用IGBT時，面臨的常見問題之一是由于米勒電容器而導致的寄生導通。在0至+15 V型柵極驅動器（單電源驅動器）中，這種影響是明顯的。
2021-05-17 07:31:006521 
當IGBT在開關時普遍會遇到的一個問題即寄生米勒電容開通期間的米勒平臺。米勒效應在單電源門極驅動的應用中影響是很明顯的?；陂T極G與集電極C之間的耦合，在IGBT關斷期間會產生一個很高的瞬態dv/dt，這樣會引發門極VGE間電壓升高而導通，這是一個潛在的風險（如圖1）。
2021-03-15 15:01:2615562 
MOS管即場效應管(MOSFET)，屬于壓控型，是一種應用非常廣泛的功率型開關元件，在開關電源、逆變器、直流電機驅動器等設備中很常見，是電力電子的核心元件。
2022-02-16 16:38:464395 
本文介紹了米勒效應的由來，并詳細分析了MOSFET開關過程米勒效應的影響，幫助定性理解米勒平臺的形成機制。最后給出了場效應管柵極電荷的作用。
2022-03-10 14:44:186226 
米勒平臺的形成原理
2022-03-17 15:52:387 米勒電容器寄生導通效應的抑制方法
2022-03-17 15:32:1210 后，Vds開始下降，Id開始上升，此時MOSFET進入飽和區;但由于米勒效應，Vgs會持續一段時間不再上升，此時Id已經達到最大，而Vds還在繼續下降，直到米勒電容充滿電，Vgs又上升到驅動電壓的值，此時MOSFET進入電阻區，此時Vds徹底降下來，開通結束。
2022-04-19 10:28:2725969 米勒效應在MOS驅動中臭名昭著，他是由MOS管的米勒電容引發的米勒效應，在MOS管開通過程中，GS電壓上升到某一電壓值后GS電壓有一段穩定值，過后GS電壓又開始上升直至完全導通。
2022-08-30 15:34:142286 對于MOSFET，米勒效應（Miller Effect）指其輸入輸出之間的分布電容（柵漏電容）在反相放大作用下，使得等效輸入電容值放大的效應。由于米勒效應，MOSFET柵極驅動過程中，會形成平臺電壓，引起開關時間變長，開關損耗增加，給MOS管的正常工作帶來非常不利的影響。
2022-10-28 10:18:378282 MOS管的米勒效應會在高頻開關電路中，延長開關頻率、增加功耗、降低系統穩定性，可謂是臭名昭著，各大廠商都在不遺余力的減少米勒電容。
2022-10-31 02:03:321073 
有源米勒鉗位技術
2022-11-15 20:06:076 MOS，是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導體場效應晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）。
2023-02-09 17:49:201858 在現在使用的MOS和IGBT等開關電源應用中，所需要面對一個常見的問題 — 米勒效應，本文將主要介紹MOS管在開通過程中米勒效應的成因、表現、危害及應對方法。
2023-02-10 14:05:506736 
在上一篇文章中詳細描述了帶阻性負載時米勒平臺是怎樣的，對各階段做了定量分析，相信看過的同學應該會有所收獲。今天我們來聊一聊帶感性負載時米勒平臺是怎樣的。
2023-03-26 13:40:481714 關于MOS管的米勒效應，已經輸出了8篇，今天這一篇是MOS管章節的最后一篇，下一篇就開始整理運放相關的內容。我個人認為今天聊的這個話題至關重要：抑制米勒效應和抑制EMI之間如何平衡。
2023-04-17 10:28:194149 米勒效應（Miller effect）是在電子學中，反相放大電路中，輸入與輸出之間的分布電容或寄生電容由于放大器的放大作用，其等效到輸入端的電容值會擴大1+K倍，其中K是該級放大電路電壓放大倍數
2023-05-15 16:11:324100 
之前我們在介紹MOS和IGBT的文章中也有提到米勒電容和米勒效應的概念，在IGBT的導通過程分析的文章中我們也簡單提到過米勒平臺
2023-05-25 17:24:253999 
搞電力電子的同學想必經常被“米勒效應”這個詞困擾。米勒效應增加開關延時不說，還可能引起寄生導通，增加器件損耗。那么米勒效應是如何產生的，我們又該如何應對呢？我們先來看IGBT開通時的典型波形：上圖
2023-03-03 16:04:061634 
場效應管MOSFET是mos管嗎？場效應管mos管的區別？場效應管和mos管有什么不一樣的地方？? MOSFET和場效應管（FET）都屬于半導體器件中的一種，類似晶體管。MOSFET是MOS（金屬
2023-09-02 11:31:152546 為什么說共源共柵結構會減小米勒電容效應呢？ 共源共柵結構是一種常見的放大器電路結構，在多種電路應用中都有廣泛的應用。它由共源、共柵、共耦合電容和外部負載等元件組成。共源共柵結構由于具有許多優良的特性
2023-09-05 17:29:36769 如何減輕米勒電容所引起的寄生導通效應？? 米勒電容是指由電路中存在的電感所形成的電容。它可以導致電路中的寄生導通效應，從而影響電路的性能。常見的一種解決方法是使用補償電容，但這么做也會帶來其他
2023-09-05 17:29:39977 米勒平臺產生的原因，是在MOSFET開通過程中，當DS之間電壓從高到低跳變時，門極電流給柵-漏之間的寄生電容Cgd充電，不給柵-源電容Cgc充電，從而Vgs不再上升，從而形成米勒平臺。從一類短路波形看，DS電壓不會降低，門極電流持續給Cgs充電，門極Vgs持續上升，因此沒有米勒平臺。
2023-09-08 15:10:51520 米勒電容效應怎么解決？? 米勒電容效應是指在一個帶有放大器的電路中，負載電容會產生一種反饋效應，使得整個電路的增益降低或者不穩定。這種效應的產生會影響到很多電路的穩定性和性能，是電子設計中必須面對
2023-09-18 09:15:451230 場效應管(MOSFET)也叫場效應晶體管，是一種單極型的電壓控制器件
2023-10-08 17:23:34562 
MOS管開通過程的米勒效應及應對措施
2023-11-27 17:52:431378 
在半導體開關中使用共源共柵拓撲消除米勒效應
2023-12-07 11:36:43237 
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