晶體管的輸出特性曲線中有四個區:飽和區,線性區,截止區和雪崩區.晶體管在前三個區的工作狀態在許多電路中
2010-11-13 17:16:38
1463 ![](https://file1.elecfans.com//web2/M00/A5/C5/wKgZomUMOgiAXnnMAAGL5oijPD4002.jpg)
本文簡要比較了下SiC Mosfet管和Si IGBT管的部分電氣性能參數并分析了這些電氣參數對電路設計的影響,并且根據SiC Mosfet管開關特性和高壓高頻的應用環境特點,推薦了金升陽可簡化設計隔離驅動電路的SIC驅動電源模塊。
2015-06-12 09:51:23
4738 本文探討了在SiC MOSFET應用中需要考慮的可能致使功率器件處于雪崩狀態的工作條件。
2020-08-10 17:11:00
1712 ![](https://file.elecfans.com/web1/M00/C3/9E/o4YBAF8tGkWAfUI4AACYw1aRF48707.png)
本文我們將根據使用了幾種MOSFET的雙脈沖測試結果,來探討MOSFET的反向恢復特性。該評估中的試驗電路將使用上一篇文章中給出的基本電路圖。另外,相應的確認工作也基于上次內容,因此請結合
2020-12-21 14:25:45
7583 ![](https://file.elecfans.com/web1/M00/D5/90/o4YBAF_gPtGAeNFfAAFH2LUJuXo824.png)
MOSFET-MOS管特性參數的理解
2022-12-09 09:12:37
1868 當向MOSFET施加高于絕對最大額定值BVDSS的電壓時,會造成擊穿并引發雪崩擊穿。
2023-04-15 17:31:58
955 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/82/0B/wKgZomQ6bzGAUY_zAAClnqXaVq8326.png)
雪崩強度是MOSFET的一種特性。在MOSFET的漏極和源極之間施加超過VDSS的電壓,但是MOSFET的性能沒有被破壞。此時施加在其上的能量稱為雪崩能量[Avalanche energy],流過的電流稱為雪崩電流[Avalanche current]。有些MOSFET的spec中不保證雪崩能力。
2023-08-31 10:18:24
502 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/A2/65/wKgaomTv-CeAevSAAABgHQ7e-1g936.jpg)
本文就MOSFET的開關過程進行相關介紹與分析,幫助理解學習工作過程中的相關內容。首先簡單介紹常規的基于柵極電荷的特性,理解MOSFET的開通和關斷的過程,然后從漏極導通特性、也就是放大特性曲線,來理解其開通關斷的過程,以及MOSFET在開關過程中所處的狀態。
2023-12-04 16:00:48
549 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/B2/7D/wKgaomVthxSAc-2DAADb7gF3OZM536.jpg)
在關斷狀態下,功率MOSFET的體二極管結構的設計是為了阻斷最小漏極-源極電壓值。MOSFET體二極管的擊穿或雪崩表明反向偏置體二極管兩端的電場使得漏極和源極端子之間有大量電流流動。典型的阻斷狀態漏電流在幾十皮安到幾百納安的數量級。
2024-02-23 09:38:53
343 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/C1/9D/wKgaomXX93qAF3UNAAAAjgjvZ2U890.png)
當功率器件承受的雪崩耐量超過極限后,芯片最終會損壞,然而單脈沖雪崩與重復雪崩的失效機理并不相同。
2024-02-25 15:48:08
1123 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/C0/E9/wKgZomXa68CAQN7sAAA6KAkpYD8566.jpg)
功率MOSFET的雪崩損壞有三種模式:熱損壞、寄生三極管導通損壞和VGS尖峰誤觸發導通損壞。
2024-02-25 16:16:35
487 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/C1/D9/wKgaomXa8ZOAUT0mAABIluUiYp0778.jpg)
` 本帖最后由 qw715615362 于 2012-9-12 11:35 編輯
是你深刻理解MOSFET的特性及各種參數`
2012-09-12 11:32:13
關于MOSFET的寄生容量和溫度特性關于MOSFET的開關及其溫度特性關于MOSFET的VGS(th) (界限値)ID-VGS特性和溫度特性關于MOSFET的寄生容量和溫度特性MOSFET的靜電
2019-04-10 06:20:15
本身的溫度(功耗、熱阻、Tc)。ZthJC同時也考慮了Cth無功功率帶來的溫度影響。這個參數通常用來計算由瞬態功耗帶來的溫度累加。5. 典型輸出特性MOSFET的典型輸出特性描繪了漏極電流Id在常溫下
2018-07-12 11:34:11
在看到MOSFET數據表時,你一定要知道你在找什么。雖然特定的參數很顯眼,也一目了然(BVDS、RDS(ON)、柵極電荷),其它的一些參數會十分的含糊不清、模棱兩可(IDA、SOA曲線),而其
2018-09-05 15:37:26
最后,我們來到了這個試圖破解功率MOSFET數據表的“看懂MOSFET數據表”博客系列的收尾部分。在這個博客中,我們將花時間看一看MOSFET數據表中出現的某些其它混合開關參數,并且檢查它們對于總體
2018-09-05 09:59:06
MOSFET是指的什么?MOSFET的特性是什么?MOSFET有哪些應用?
2021-07-09 07:45:34
MOSFET簡介MOSFET的一些主要參數MOSFET的驅動技術
2021-03-04 06:43:10
什么是MOSFET管?由哪幾部分組成?MOSFET的主要參數是什么?如何選型?
2022-02-23 06:57:53
MOSFET的失效機理至此,我們已經介紹了MOSFET的SOA失效、MOSFET的雪崩失效和MOSFET的dV/dt失效。要想安全使用MOSFET,首先不能超過MOSFET規格書中的絕對最大
2022-07-26 18:06:41
溫度依賴性。下面是實測例。下一篇計劃介紹ID-VGS特性。關鍵要點:?MOSFET的開關特性參數提供導通延遲時間、上升時間、關斷延遲時間、下降時間。?開關特性受測量條件和測量電路的影響較大,因此一般確認提供條件。?開關特性幾乎不受溫度變化的影響。< 相關產品信息 >MOSFET
2018-11-28 14:29:57
的電壓和電流的值稱為“閾值”。VGS(th)、ID-VGS與溫度特性首先從表示ID-VGS特性的圖表中,讀取這個MOSFET的VGS(th)。VDS=10V的條件是一致的。ID為1mA時的VGS為VGS
2019-05-02 09:41:04
和這些開關特性參數有關。QG影響驅動損耗,這一部分損耗并不消耗在功率MOSFET中,而且是消耗在驅動IC中。QG越大,驅動損耗越大?;赗DSON選取了功率MOSFET的型號后,這些開關特性參數都可以
2017-11-15 08:14:38
` 誰來闡述一下mosfet選型什么參數優先考慮?`
2019-10-29 16:30:15
最大額定參數最大額定參數,所有數值取得條件(Ta=25℃)VDSS 最大漏-源電壓在柵源短接,漏-源額定電壓(VDSS)是指漏-源未發生雪崩擊穿前所能施加的最大電壓。根據溫度的不同,實際雪崩擊穿電壓
2020-07-23 07:23:18
第一部分 最大額定參數最大額定參數,所有數值取得條件(Ta=25℃)VDSS 最大漏-源電壓在柵源短接,漏-源額定電壓(VDSS)是指漏-源未發生雪崩擊穿前所能施加的最大電壓。根據溫度的不同,實際
2019-08-20 07:00:00
OceanBase具有哪些特性參數?
2021-09-26 07:00:51
。SiC-MOSFET體二極管的反向恢復特性MOSFET體二極管的另一個重要特性是反向恢復時間(trr)。trr是二極管開關特性相關的重要參數這一點在SiC肖特基勢壘二極管一文中也已說明過。不言而喻
2018-11-27 16:40:24
;TSD5N60MTruesemi 其它相關產品請 點擊此處 了解特性:3.0A,650V,最大RDS(on)= 3.0Ω@ VGS = 10V低柵極電荷(典型值為16nC)快速切換經過100%雪崩測試改進的dv/dt功能主要參數:應用:高效開關模式電源,基于半橋拓撲的有源功率因數校正`
2020-04-30 15:13:55
;  MOSFET的規格書中,通常會給出MOSFET的特性參數,如輸出曲線、輸出電壓、通態電阻RDS(ON)、柵極閥值電壓VGS(TH)等。在選擇MOSFET時,需要根據電路
2010-08-10 11:46:47
MOSFET開時米勒平臺的形成過程的詳細解析!純手工畫圖解析,這資料還是可以的回帖直接下載原文檔 [hide]https://pan.baidu.com/s/1gf0A2pt[/hide]
2017-10-25 16:14:46
本文先對mos失效的原因總結以下六點,然后對1,2重點進行分析:1:雪崩失效(電壓失效),也就是我們常說的漏源間的BVdss電壓超過MOSFET的額定電壓,并且超過達到了一定的能力從而導致
2018-08-15 17:06:21
第一部分 最大額定參數最大額定參數,所有數值取得條件(Ta=25℃)VDSS 最大漏-源電壓在柵源短接,漏-源額定電壓(VDSS)是指漏-源未發生雪崩擊穿前所能施加的最大電壓。根據溫度的不同,實際
2019-11-15 07:00:00
的MOSFET以滿足特定應用的性能需求對客戶是最重要的。每個功率MOSFET數據表包含相同的關鍵部分和器件參數,以便為客戶提供詳細信息,關于最大工作臨界值、典型性能特性,和用于線路板布局的封裝信息。這些部分
2018-10-18 09:13:03
在功率MOSFET的數據表的開關特性中,列出了柵極電荷的參數,包括以下幾個參數,如下圖所示。Qg(10V):VGS=10V的總柵極電荷。Qg(4.5V)):VGS=4.5V的總柵極電荷。Qgd:柵極
2017-01-13 15:14:07
在功率MOSFET的數據表中,列出了開通延時、開通上升時間,關斷延時和關斷下降時間,作者經常和許多研發的工程師保持技術的交流,在交流的過程中,發現有些工程師用這些參數來評估功率MOSFET的開關損耗
2016-12-16 16:53:16
有些功率MOSFET的數據表中列出了重復雪崩電流IAR和重復雪崩能量EAR,同時標注了測量條件,通常有起始溫度25C,最高結溫150C或者175C,以及電感值、脈沖寬度和脈沖頻率,這些測量的條件
2017-09-22 11:44:39
`功率Mosfet參數介紹V(BR)DSS(有時候叫做BVDSS)是指在特定的溫度和柵源短接情況下,流過漏極電流達到一個特定值時的漏源電壓。這種情況下的漏源電壓為雪崩擊穿電壓。V(BR)DSS是正
2012-01-12 16:12:20
特性參數有關。QG影響驅動損耗,這一部分損耗并不消耗在功率MOSFET中,而且是消耗在驅動IC中。QG越大,驅動損耗越大?;赗DSON選取了功率MOSFET的型號后,這些開關特性參數都可以在數據表中
2019-04-04 06:30:00
幾種呼吸燈的電路呼吸特性和時間參數
2021-02-25 06:39:29
是否有白皮書明確規定了如何使用 MosFET 開啟特性來抑制浪涌電流?
設計類似于 TLE9853 評估板,H-bridge 具有更大的 Mosfet。
通過模擬感性負載,我們 CAN 控制電流
2024-01-29 07:41:55
混合SET/MOSFET 結構與特性是什么?如何利用SET/MOSFET 混合結構的傳輸特性去設計數值比較器?
2021-04-13 07:12:01
揭秘tvs管的特性及應用參數 一、TVS管的特性曲線 TVS管的電路符號與普通穩壓二極管相同。它的正向特性與普通二極管相同;反向特性為典型的PN結雪崩器件。在瞬態峰值脈沖電流作用下,流過TVS管
2018-11-19 15:23:22
無刷電機有哪些參數?無刷電機的特性是什么?
2021-06-26 07:25:55
了事實,從那時起,數據表中就有了SOAR 特性?! 藴使β?MOSFET 的測試結果證明它們會遭受二次擊穿。破壞的危險隨著dv/dt的增加而增加?! ∵@種防雪崩性是SiMOSFET最重要的優點之一,迄今為止
2023-02-20 16:40:52
` 1、TVS管的特性曲線 TVS管的電路符號與普通穩壓二極管相同。它的正向特性與普通二極管相同;反向特性為典型的PN結雪崩器件?! ≡谒矐B峰值脈沖電流作用下,流過TVS管的電流,由原來的反向
2018-11-02 11:45:43
一、TVS管的特性曲線 TVS管的電路符號與普通穩壓二極管相同。它的正向特性與普通二極管相同;反向特性為典型的PN結雪崩器件。在瞬態峰值脈沖電流作用下,流過TVS管的電流,由原來的反向漏電流ID上升
2018-11-06 10:29:47
看懂MOSFET數據表,第1部分—UIS/雪崩額定值自從20世紀80年代中期在MOSFET 數據表中廣泛使用的以來,無鉗位電感開關 (UIS) 額定值就已經被證明是一個非常有用的參數。雖然不建議在
2022-11-18 06:39:27
在看到MOSFET數據表時,你一定要知道你在找什么。雖然特定的參數很顯眼,也一目了然(BVDS、RDS(ON)、柵極電荷),其它的一些參數會十分的含糊不清、模棱兩可(IDA、SOA曲線),而其
2015-11-19 15:46:13
MOSFET的柵極電荷特性與開關過程MOSFET的漏極導通特性與開關過程
2021-04-14 06:52:09
圖取自NXP / Nexperia發布的本應用筆記。結論本文回顧了在器件選擇中起著重要作用的低頻MOSFET特性。在下一篇文章中,我們將研究動態參數,由于它經常使用FET代替線性控制器作為開關模式控制器(例如,在開關穩壓器,LED調光器,音頻放大器中使用),因此動態參數在當今尤為重要。
2019-10-25 09:40:30
`·隨著制造技術的發展和進步,系統設計人員必須跟上技術的發展步伐,才能為其設計挑選最合適的電子器件。MOSFET是電氣系統中的基本部件,工程師需要深入了解它的關鍵特性及指標才能做出正確選擇。本文將
2011-08-17 14:18:59
硅雪崩二極管光子輻射特性的實驗研究
摘 要 利用計數統計測量的方法,對工作在擊穿狀態下的硅雪崩光電二極管(APD)光子輻射的暫態特性以及計數統計特
2009-11-11 16:59:22
20
功率MOSFET雪崩擊穿問題分析
摘要:分析了功率MOSFET雪崩擊穿的原因,以及MOSFET故障時能量耗散與器件溫升的關系。和傳統的
2009-07-06 13:49:38
5513 ![](https://file1.elecfans.com//web2/M00/A5/1B/wKgZomUMNvSAWcwOAAADM1RIIbQ616.JPG)
雪崩二極管,雪崩二極管是什么意思
雪崩二極管
PN結有單向導電性,正向電阻小,反向電阻很大。
2010-02-27 11:34:37
4634 雪崩擊穿,雪崩擊穿是什么意思
在材料摻雜濃度較低的PN結中,當PN結反向電壓增加時,空間電荷區中的電場隨著增強。這樣,通過空
2010-02-27 11:49:25
3288 MOSFET的UIS及雪崩能量解析
在功率MOSFET的數據表中,通常包括單脈沖雪崩能量EAS,雪崩
2010-04-26 18:19:13
5531 ![](https://file1.elecfans.com//web2/M00/A5/92/wKgZomUMOQ6AVxSsAAAbdKp1uz0926.jpg)
下文主要介紹 mosfet 的主要參數,通過此參數來理解設計時候的考量 一、場效應管的參數很多,一般 datasheet 都包含如下關鍵參數: 1 極限參數: ID :最大漏源電流。是指場效應管正常工作時,漏源間所允許通過的最大電流。 場效應管的工作電流不應超過 ID
2011-03-15 15:20:40
89 主要介紹 mosfet 的主要參數,通過此參數來理解設計時候的考量
2011-04-07 16:47:42
159 在功率MOSFET的數據表中,通常包括單脈沖雪崩能量EAS,雪崩電流IAR,重復脈沖雪崩能量EAR等參數,而許多電子工程師在設計電源系統的過程中,很少考慮到這些參數與電源系統的應用有
2011-09-02 10:49:14
2039 ![](https://file1.elecfans.com//web2/M00/A5/FB/wKgZomUMOyKAbK2nAAAJJTRVKbg992.jpg)
2014-12-13 14:40:45
14 功率MOS場效應晶體管技術講座_功率MOSFET特性參數的理解。
2016-03-24 17:59:08
47 本文詳細的對MOSFET的每個特性參數進行分析
2018-03-01 09:14:54
4661 ![](https://file.elecfans.com/web1/M00/46/41/pIYBAFqXVEmAMTBEAAAXkpGaHac812.jpg)
理解MOSFET數據手冊中的雪崩能量等級
2018-08-16 01:54:00
3493 UTC 4N60是一個高電壓MOSFET ,并設計成有更好的特性,如快速開關時間,低門電荷,低通態電阻,并具有高耐用雪崩的特點。這個功率MOSFET通常用在高速開關電源中的應用, PWM馬達控制,高高效率的DC -DC轉換器和電橋電路。
2019-05-14 15:08:20
9308 本文首先介紹了雪崩光電二極管的概念和主要特性然后簡單分析了工作原理最后介紹雪崩光電二極管的應用和結構。
2019-08-01 10:10:10
11814 本文檔的主要內容詳細介紹的是如何理解功率MOSFET規格書之雪崩特性和體二極管參數的詳細資料說明。
2020-03-07 08:00:00
19 電路應用需求來選擇功率器件。在選擇器件的時候,除去封裝形式的要求外,主要用來衡量器件特性的就是器件的電參數。本文將著重介紹功率VDMOSFET器件常用的靜態及動態電參數的測試定義,條件制定和規范,以及如何通過這些電特性參數值去了解器件的
2020-03-07 08:00:00
21 早在80年代中期,功率MOSFET制造商就開始宣稱一個新的突出特點:雪崩的堅固性。突然間,新的設備家族進化了,所有這些都有了“新”的特性。實現起來相當簡單:垂直MOSFET結構有一個不可消除的整體
2020-06-08 08:00:00
5 本文將探討如何在雪崩工作條件下評估 SiC MOSFET 的魯棒性。MOSFET 功率變換器,特別是電動汽車驅動電機功率變換器,需要能夠耐受一定的工作條件。如果器件在續流導通期間出現失效或柵極驅動命令信號錯誤,就會致使變換器功率開關管在雪崩條件下工作。
2020-08-09 10:33:00
1724 ![](https://file.elecfans.com/web1/M00/C3/F3/pIYBAF8ra7eAcA1nAACv3BAxmh8869.png)
電子發燒友網為你提供圖文分析MOSFET的每個特性參數資料下載的電子資料下載,更有其他相關的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設計、用戶指南、解決方案等資料,希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-05 08:47:45
18 本文對MOSFET用圖片進行了最詳細的講解,希望對讀者你學習MOSFET時有幫助。
2021-04-26 10:38:10
4225 ![](https://file.elecfans.com/web1/M00/EC/EA/pIYBAGCGKWiAXwnuAAAXlZWm5Mw775.jpg)
在看到MOSFET數據表時,你一定要知道你在找什么。雖然特定的參數很顯眼,也一目了然(BVDS、RDS(ON)、柵極電荷),其它的一些參數會十分的含糊不清、模棱兩可(IDA、SOA曲線),而其
2021-11-24 11:22:31
4299 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/1C/3D/pYYBAGGKZJuACqtsAAA9tqh8wFY916.jpg)
解析三元材料電池特性
2022-01-11 18:17:45
28 Nexperia全新POWER MOSFET工程師設計指南 認識理解功率 MOSFET 數據手冊中的參數 功率 MOSFET 單次和重復雪崩強度限值 RC 熱阻模型的使用 基于 LFPAK 封裝的 MOSFET 熱設
2022-04-07 11:40:22
0 雪崩電流IAS和IAR :下圖ID峰值 單次雪崩能量EAS:一次性雪崩期間所能承受的能量, 以Tch<=150℃ 為極限 重復雪崩能量EAR:所能承受以一定頻率反復出現的雪崩能量, 以Tch<=150℃ 為極限
2022-05-09 11:18:40
1 功率MOSFET特性參數的理解
2022-07-13 16:10:39
24 MOSFET特性參數說明
2022-08-22 09:54:47
1705 看懂MOSFET數據表,第1部分—UIS/雪崩額定值
2022-11-03 08:04:45
4 該功率MOSFET采用SAMWIN的先進技術生產。該技術使得功率MOSFET具有更好的特性,包括快速開關時間、低導通電阻、低柵極電荷,尤其是優異的雪崩特性。
2022-11-24 16:59:01
2 前篇對MOSFET的寄生電容進行了介紹。本篇將介紹開關特性。MOSFET的開關特性:在功率轉換中,MOSFET基本上被用作開關。
2023-02-09 10:19:24
2519 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/8C/E4/pYYBAGPbi8CAGu2-AAC9IHoBpw4382.gif)
繼上一篇MOSFET的開關特性之后,本篇介紹MOSFET的重要特性--柵極閾值電壓、ID-VGS特性、以及各自的溫度特性。
2023-02-09 10:19:25
5046 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/8C/E4/pYYBAGPbi8mAGVbpAACNzIW_nsk045.gif)
功率 MOSFET 單次和重復雪崩耐用性等級-AN10273
2023-02-09 19:23:42
2 當向MOSFET施加高于絕對最大額定值BVDSS的電壓時,就會發生擊穿。當施加高于BVDSS的高電場時,自由電子被加速并帶有很大的能量。這會導致碰撞電離,從而產生電子-空穴對。這種電子-空穴對呈雪崩
2023-02-13 09:30:07
1298 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/8C/67/poYBAGPbjsuAK1o7AABfnHnnbPA620.png)
新一代的超結結構的功率MOSFET中有一些在關斷的過程中溝道具有提前關斷的特性,因此,它們的關斷的特性不受柵極驅動電阻的控制,但是,并不是所有的超結結構的功率MOSFET都具有這樣的特性,和它們內部結構、單元尺寸以及電壓額定等多個因素相關。
2023-02-16 10:39:36
581 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/91/57/poYBAGPti-KAZiq5AAB4-dIUtO4367.jpg)
功率MOSFET的雪崩強度限值是衡量器件針對于感性負載在開關動作應用中的重要參數。 清楚地理解雪崩強度的定義,失效的現象及評估的方法是功率MOSFET電路設計必備的能力。 本文將以下面三個方面進行探討。
2023-05-15 16:17:45
1135 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/82/C7/wKgaomRh6jyAdlC5AABfPtUYI0I353.jpg)
以上就是MOSFET的漏-源極處于正偏置狀態基本工作原理,還有必要關注MOSFET在通態時的特性,會出現與結型場效應晶體管一樣的線性、過渡、飽和等區域。
2023-06-03 11:22:09
836 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/89/29/wKgZomR6sjGAE7prAAAhAZtf9xw102.png)
MOSFET數據手冊常見參數解析——EASIGSS/Rds(on)/Coss
2023-06-19 09:53:14
759 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/8A/0A/wKgZomSPtUKAPHO1AAB8F4UF0eU622.png)
功率MOSFET的UIS雪崩損壞有三種模式:熱損壞、寄生三極管導通損壞和VGS尖峰誤觸發導通損壞。
2023-06-29 15:40:54
1276 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/8B/B2/wKgZomSdNWmAaxkCAAAr56vhWUQ280.jpg)
什么是雪崩失效
2023-12-06 17:37:53
295 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/B1/E8/wKgZomVdksCAZFK7AABMh7qtvrY031.png)
【科普小貼士】MOSFET的性能:雪崩能力
2023-12-07 16:46:47
426 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/B1/EC/wKgZomVdmBaAJhRRAAFYnr4kKbM381.png)
什么是雪崩擊穿?單脈沖雪崩與重復雪崩有何不同?雪崩擊穿失效機理是什么? 雪崩擊穿是指在電力系統中,由于過電壓等原因導致絕緣擊穿,進而引發設備失效的一種故障現象。在電力系統中,絕緣是保證設備正常運行
2023-11-24 14:15:36
820 何謂PN結的擊穿特性?雪崩擊穿和齊納擊穿各有何特點? PN結的擊穿特性是指當在PN結上施加的電壓超過一定的值時,PN結將發生擊穿現象,電流迅速增大,導致結電壓快速降低。擊穿是指在正向或反向電壓
2023-11-24 14:20:27
1224 功率MOSFET雪崩特性分析
2023-12-04 14:12:36
315 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/B4/3C/wKgZomVtbi-AOacbAAAet1kpjK0328.png)
EAS 表示單脈沖雪崩擊穿能量,如果電壓過沖值(通常由于漏電流和雜散電感造成)未超過擊穿電壓,則器件不會發生雪崩 擊穿,因此也就不需要消散雪崩擊穿的能力。EAS標定了器件可以安全吸收反向雪崩擊穿能量的高低。
2023-12-11 14:34:33
415 ![](https://file1.elecfans.com//web2/M00/B5/C4/wKgZomV2rXSAbsBWAADe0vO6x4g46.webp)
MOSFET在雪崩效應發生時能夠承受的電流和電壓能力。雪崩耐量越高,器件的可靠性越好。參數:雪崩耐量 - SURG (Surge Tolerance)
2024-01-26 09:30:42
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