、Eoff 和 Erec ) 進 行準確測量,建立了一種通用的功率器件導通損耗和開關損耗模型。在考慮 IGBT 芯片間熱偶合影響基礎上 提出了一種結溫估算數學模型。搭建三相電感結溫測試平臺,通過結溫試驗驗證
2023-03-06 15:02:51
1536 PWM控制型IGBT工作在斬波模式，使得IGBT本身自帶干擾源屬性，自擾與互擾系統中的其他設備。
2023-09-08 15:22:26526 
IGBT的結溫不能超過125℃，不宜長期工作在較高溫度下，因此要采取恰當的散熱措施進行過熱保護。 散熱一般是采用散熱器（包括普通散熱器與熱管散熱器），并可進行強迫風冷。散熱器的結構設計應滿足：Tj
2011-08-17 09:46:21
一種載流子參與導電，則稱為單極性晶體管，如MOSFET（金屬-氧化物半導體場效應晶體管）、SBD（肖特基二極管）等。若電子和空穴都參與了導電，則稱為雙極性晶體管，如BJT（雙極結型晶體管）、IGBT等
2023-02-10 15:36:04
對PNP和NPN器件的電流增益有一定的影響，因此，它與結溫的關系也非常密切；在結溫和增益提高的情況下，P基區的電阻率會升高，破壞了整體特性。因此，器件制造商必須注意將集電極最大電流值與閂鎖電流之間保持
2012-07-09 14:14:57
在結構上是NPN行MOSFET增加一個P結，即NPNP結構，在原理上是MOS推動的P型BJT；多的這個P層因內有載流子，有電導調制作用，可以使IGBT在跟...
2021-09-09 08:05:31
）時設計注意事項：如原系統功率模塊使用 IGBT，現考慮用 Mosfet 功率模塊替換，原系統的驅動設計需注意的事項如下：1.適當減小柵極電阻，以減小開關損耗，以維持相近的溫升，同時可進一步降低誤導通的可能性
2022-09-16 10:21:27
MOSFET一旦turn-on，這個Vbe一定很容易就大于0.7V了，所以這個BJT的Vbe就導通了，此時BJT管就導通進入放大區了(發射結正偏，集電結反偏)。IGBT里面有一個天然寄生的NPNP晶閘管，這個
2023-02-08 16:50:03
集電極、發射極擊穿或造成柵極、發射極擊穿。IGBT保護方法當過流情況出現時，IGBT必須維持在短路安全工作區內。IGBT承受短路的時間與電源電壓、柵極驅動電壓以及結溫有密切關系。為了防止由于短路故障
2020-09-29 17:08:58
平衡。如果較高電流通過一個并聯支路或不均勻冷卻導致運行結溫偏高，其VCEsat 就會相應升高，并將電流轉移至其它飽和電壓較低的支路，以實現自我保護。因此，PTC特性有利于實現IGBT并聯的均流。 圖2
2018-12-03 13:50:08
IGBT作為電力電子領域的核心元件之一，其結溫Tj高低，不僅影響IGBT選型與設計，還會影響IGBT可靠性和壽命。因此，如何計算IGBT的結溫Tj，已成為大家普遍關注的焦點。由最基本的計算公式Tj=Ta+Rth(j-a)*Ploss可知，損耗Ploss和熱阻Rth(j-a)是Tj計算的關鍵。
2019-08-13 08:04:18
至關重要。除了軟度，IGBT的開關速度還取決于結溫。提高結溫意味著增大IGBT的軟度。不過，必須給出器件在低溫條件下（如25 °C）的適當特性。圖4顯示了在Tvjop=25 °C條件下1200V/150A
2018-12-07 10:23:42
通常流過IGBT的電流較大，開關頻率較高，故器件的損耗較大。若熱量不能及時散掉，器件的結溫將會超過最大值125℃ ，IGBT就可能損壞。因此需采用有效的散熱措施對其進行過熱保護。 散熱一般是采用
2012-06-01 11:04:33
)P系列IGBT的VCE(SAT)與溫度成正比，易于并聯。 (3)開關損耗的溫度系數比PT-IGBT小，當結溫升高時，其開關損耗比PT-IGBT增加的少，因此P系列模塊更適合高頻應用。 (4
2012-06-19 11:17:58
及使用原則 一、散熱器選擇的基本原則 1， 散熱器選擇的基本依據 IGBT散熱器選擇要綜合根據器件的耗散功率、器件結殼熱阻、接觸熱阻以及冷卻介質溫度來考慮。 2， 器件與散熱器緊固力的要求 要使
2012-06-20 14:33:52
是IGBT模塊控制的平均電流與電源電壓的 乘積。由于IGBT模塊散熱器是大功率半導體器件，損耗功率使其發熱較多，加之IGBT模塊散熱器的結溫不能超過125℃，不宜長期工作在較高溫度下，因此要采取恰當
2012-06-19 11:26:00
在實際工作過程中通過測量模塊的殼溫及功率，得到實時工作過程中的結溫變化，并將鍵合引線的損傷作為總體損傷的一部分及時反饋到系統中，從而增加IGBT模塊的壽命預測精度。
2020-12-10 15:06:03
3.1 設備簡述 IGBT高壓反偏試驗是在一定溫度條件（125℃）下，按照規定的時間和電壓，對IGBT施加反偏電壓，從而對器件進行質量檢驗和耐久性評估的一種主要試驗方法。EN-320測試系統是專為
2018-08-29 21:20:11
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管），是由 BJT(雙極結型晶體三極管) 和 MOS(絕緣柵型場效應管) 組成的復合全控型-電壓驅動式-功率半導體器件,其具有自關斷的特征。簡單講，是一個非通即斷的開關
2021-09-09 07:16:43
;——IGBT 集電極與發射極之間的電壓;——流過IGBT 集電極－發射極的電流;——IGBT 的結溫。如果IGBT 柵極與發射極之間的電壓,即驅動電壓過低,則IGBT 不能穩定正常地工作,如果過高超過柵極
2018-10-18 10:53:03
開啟IGBT時IGBT的電壓與電流有何關系？關斷IGBT時IGBT的電壓與電流有何關系？
2021-10-14 09:09:20
這里以單個IGBT管為例（內含阻尼二極管），IGBT管的好壞可用數字萬用表的“二極管”擋來測量PN結正向壓降進行判斷。檢測前先將IGBT管三只引腳短路放電，使IGBT的CE腳在關閉狀態下，避免
2012-04-18 16:15:53
`我需要通過LC電路產生一個1200A，2.5KHz的脈沖電流，所加電壓500V，電路圖如下。需要用到IGBT來進行開關控制，初步選定IGBT使用IRG4PC50FD 。但是IGBT需要驅動電路
2017-10-10 17:16:20
誰能仔細闡述一下igbt是什么嗎？
2019-08-22 15:20:53
需謹慎在比較額定值為600V的器件時，IGBT的傳導損耗一般比相同芯片大小的600 V MOSFET少。這種比較應該是在集電極和漏極電流密度可明顯感測，并在指明最差情況下的工作結溫下進行的。例如
2019-03-06 06:30:00
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-20 10:07 編輯
一、概述 IGBT熱循環負載實驗臺是對平板型IGBT進行熱循環負載試驗的一套系統，是用耐久性實驗確認IGBT內部的鍵合或是內部
2018-06-19 20:20:56
一種過溫保護電路的設計摘要：本文提出一種過溫保護電路。由于在功率管工作過程中，比較容易耐高的反向電壓，導致結溫上升：而半導體器件的自然散熱一般不足以保護器件本身，所以我們需要設計過溫保護電路來防止
2009-12-02 17:05:49
雙極結型晶體管（BJT）是放大或切換電子信號和電力的常用設備。 當BJT在集電極和發射極之間傳導電流時，BJT將消耗功率。那么，應該如何估算BJT額定功率(Power Rating)？功率額定值
2018-08-26 23:03:52
我想咨詢一下，HMC608LC4芯片,該芯片的額定結溫Tj（junction temperature）是多少？即該芯片所能承受的最大結溫是多少？ 其數據手冊沒有給出。請問如下圖的Channel Temperature是否就是該芯片的結溫？
2023-11-20 07:48:54
：IKW30N60H3；IKW15N120H3Infineon 其它相關產品請 點擊此處 前往了解特性：一流的開關性能：可實現低于500μJ的總開關損耗最高結溫：175°C包裝類型：PG-TO247-3
2019-06-10 09:23:54
普通的高亮度 (HB) LED 僅將約 45% 的應用能量轉換給可見光子，其余的則產生熱量。 如果產生的這些熱量不能從 LED 充分散去，將會導致過熱，并可能造成災難性故障。 即使不出現災難性故障，LED 結溫升高也會造成光輸出下降、顏色發生變化和/或預期壽命顯著縮短。
2019-08-12 07:57:16
結溫相對時間的變化，在計算機界面上用連續曲線繪制，同時繪制粘接在玻殼上一熱電偶的參考點溫度和環境溫度曲線。從上圖中我們看到燈泡點亮后(第一時段)燈泡內LED結溫逐步升高，到達平穩時溫度讀數為122
2018-03-19 09:14:39
。2傳導損耗需謹慎在比較額定值為600V的器件時，IGBT的傳導損耗一般比相同芯片大小的600 V MOSFET少。這種比較應該是在集電極和漏極電流密度可明顯感測，并在指明最差情況下的工作結溫下進行
2018-08-27 20:50:45
的600 V MOSFET少。這種比較應該是在集電極和漏極電流密度可明顯感測，并在指明最差情況下的工作結溫下進行的。例如，FGP20N6S2 SMPS2 IGBT 和 FCP11N60 SuperFET均
2021-06-16 09:21:55
損耗一般比相同芯片大小的600 V MOSFET少。這種比較應該是在集電極和漏極電流密度可明顯感測，并在指明最差情況下的工作結溫下進行的。例如，FGP20N6S2 SMPS2 IGBT
2018-09-28 14:14:34
傳感器應運而生。所謂集成溫敏傳感器就是將PN結溫敏傳感器與運放連同外圍元件集成在一塊芯片上，然后封裝而成。 圖2為使用集成溫敏傳感器LM334將溫度轉換成頻率的轉換電路(便于計算機識別處理)。LM334
2021-05-21 07:30:05
，如圖3所示。由于RC-IGBT電流的增加，M至N點之間的電勢進一步降低，致使該處的 P-emitter/N-buffer 結逐漸正偏，這樣就有更多的空穴注入N-drift區，電導調制效應增強，從而
2019-09-26 13:57:29
ad8346汽車級最高工作環境溫度是125度，最高結溫是多少攝氏度？
2023-12-05 07:44:20
周圍環境的電阻共同形成一個梯形網絡。這種模型假設1）電路板為垂直安裝，2）無強制對流或輻射制冷，所有熱流均出現在電路板的銅中，3）在電路板兩側幾乎沒有溫差。圖 2 熱流電氣等效簡化了溫升估算圖 3 所示為
2017-05-18 16:56:10
。這種比較應該是在集電極和漏極電流密度可明顯感測，并在指明最差情況下的工作結溫下進行的。例如，FGP20N6S2 SMPS2 IGBT 和 FCP11N60 SuperFET均具有1℃/W的RθJC值
2017-04-15 15:48:51
的區別請參考：PT，NPT，FS型IGBT的區別）。技能：低導通壓降，125℃工作結溫（600V器件為150℃），開關性能優化得益于場截止以及溝槽型元胞，IGBT3的通態壓降更低，典型的Vce(sat
2021-05-26 10:19:23
的結溫可靠性，硅管一般是150℃，只要結溫不超過該值，三極管一般來說是正常使用的，而器件資料里面的PD其實也是根據結溫計算出來的PD＝(TJ－TA)/RJATJ即結溫，TA即環境溫度，RJA即結到環境
2013-05-27 23:00:26
Fullpack和TO247）和芯片面積。最終給出了一組完整的公式，來計算結溫。利用本文的結果，設計工程師將能夠準確而輕松地計算器件的真實結溫。導言對于電子器件原型的評估通常包括對功率晶體管和二極管最大結溫
2018-12-05 09:45:16
溫度是汽車發光二極管(LED)前照燈和尾燈應用中的一大問題。LED可承受高環境溫度，同時在大電流下驅動以產生必要的亮度。這些高環境溫度與大工作電流相結合，會使LED的結溫升高，通常僅額定溫度就高達
2019-03-01 09:52:39
了IGBT的VCESat，其原因在于Trench柵下方可以形成一個載流子積累層，提高了近表面的載流子濃度，同時也消除了平面柵固有的結型場效應晶體管（Junction Field Effect
2015-12-24 18:23:36
請問怎么確定可控硅的結溫？？？超過結溫時會有哪些危害？
2014-05-24 11:35:10
電機驅動市場特別是家電市場對系統的能效、尺寸和穩健性的要求越來越高。 為滿足市場需求，意法半導體針對不同的工況提供多種功率開關技術，例如， IGBT和最新的超結功率MOSFET。 本文在實際
2018-11-20 10:52:44
的功率耗散也不同，各自要求單獨計算。此外，每個裸片互相提供熱能，故必須顧及到這種交互影響。 本文將闡釋怎樣測量兩個元件的功率耗散，使用IGBT及二極管的θ值計算平均結溫及峰值結溫。 圖1： 貼裝在
2018-09-30 16:05:03
模塊輸出電流能力會約束整個逆變器的功率密度，最大結溫是IGBT開關運行的限制因素，本文介紹了PrimePACKTM封裝將IGBT工作結溫提高到150℃，并給出了在苛刻條件下逆變器性能和電流利用率的情況
2018-12-03 13:56:42
測量和校核開關電源、電機驅動以及一些電力電子變換器的功率器件結溫，如 MOSFET 或 IGBT 的結溫，是一個不可或缺的過程，功率器件的結溫與其安全性、可靠性直接相關。測量功率器件的結溫常用二種方法：
2021-03-11 07:53:26
我如何計算VIPER37HD / LD的結溫 以及頻率（60k，115k hz）如何影響結溫？
2019-08-05 10:50:11
的結溫不能超過125℃，不宜長期工作在較高溫度下，因此要采 取恰當的散熱措施進行過熱保護。散熱一般是采用散熱器（包括普通散熱器與熱管散熱器），并可進行強迫風冷。散熱器的結構設計應滿足：Tj=P
2011-10-28 15:21:54
通過電流和電壓探頭以及標準的示波器進行數據記錄和獲得。在逆變器運行過程中，芯片的結溫很少通過實驗方法確定。熱處理通常是供應商提供典型值或最差值（如IGBT模塊和冷卻板的熱阻）與仿真產生的損耗情況結合在一
2018-12-07 10:19:13
大家好， 我對M95256-WMN3TP /ABE2PROM的最高結溫感興趣。 3級器件的最高環境工作溫度為125°C，因此結溫必須更高。數據手冊中沒有提到最大結溫。 我還在尋找SO-8封裝中M95256-W的結至環境熱阻。 最好的祝福， 托馬斯
2019-08-13 11:08:08
摘要相對于第二代NPT芯片技術，最新的3.3kV IGBT3系列包含兩款優化開關特性的L3和E3芯片，其在開關軟度和關斷損耗之間實現折衷，以適應不同的應用。最大工作結溫可升高至150℃，以便提升輸出
2018-12-06 10:05:40
各位大神，請問整流二極管的結溫對性能影響大嗎？另外規格書的結溫范圍一般都是-55~150℃，但是實際測的實在170℃，這樣正常嗎？在同一條件下。
2016-05-26 09:06:39
隨著功率電子和半導體技術的快速進步，各類電力電子應用都開始要求用專門、專業的半導體開關器件，以實現成本和性能的共贏。與傳統的非穿通（NPT） IGBT相比，場截止（FS） IGBT進一步降低
2018-09-30 16:10:52
上表現為過溫。3、IGBT過溫，計算壽命，與焊點、材料的熱膨脹系數等有關。4、求助上面幾個失效模式的分析，也可以大家討論一下，共同進步
2012-12-19 20:00:59
例如IGBT機械可靠性特性也需要額外的關注1） 功率循環通常逆變器設計，主要考慮IGBT Tjmax（最高結溫）的限制，但在混合動力車應用中，逆變器較少處于恒定工況，加速、巡航、減速都會帶來電流、電壓的改變
2018-12-06 09:48:38
測量功率器件的結溫常用二種方法
2021-03-17 07:00:20
我們討論了如何設計溫升問題的電路類似方法。我們把熱源建模成了電流源。一種估算熱插拔MOSFET 溫升的簡單方法進行研究根據系統組件的物理屬性，計算得到熱阻和熱容。本文中，我們把圖1 所示模型的瞬態響應
2013-09-12 15:51:10
真的需要一些幫助。這個功率估算有什么問題嗎？如何在不降低工作頻率的情況下降低功耗？我已經在船上測試了這個項目。它運作良好。但是，我擔心它會因為我繼續這樣做而崩潰。非常感謝！
2020-06-19 09:23:48
IGBT是什么？IGBT是由哪些部分組成的？IGBT有哪些特征？IGBT的主要應用領域是什么？
2021-06-18 08:01:12
Fullpack和TO247）和芯片面積。最終給出了一組完整的公式，來計算結溫。利用本文的結果，設計工程師將能夠準確而輕松地計算器件的真實結溫。關鍵詞：塑封料溫度測量結溫計算方法[中圖分類號] ？？[文獻
2018-12-03 13:46:13
芯片在開關損耗和軟特性上得到進一步優化。另外它的最高允許工作結溫達到了150℃, 比前幾代的IGBT提高了25℃，這使得模塊的功率密度可以做得更高。眾所周知，功率半導體的總損耗主要是由通態損耗
2018-12-03 13:47:57
。 此外，閂鎖電流對PNP和NPN器件的電流增益有一定的影響，因此，它與結溫的關系也非常密切;在結溫和增益提高的情況下，P基區的電阻率會升高，破壞了整體特性。因此，器件制造商必須注意將集電極最大電流值與閂
2012-03-23 11:13:52
。 背景通常，芯片的結溫(Junction Temperature)（Tj）每上升10℃，器件的壽命就會大約減為一半，故障率也會大約增大２倍。Si 半導體在Tj 超過了175℃時就有可能損壞。由此，使用時
2019-09-20 09:05:08
上一個輸錯了型號，AD8436BRQZ 的datasheet里沒有最大結溫
2023-12-05 06:37:12
請問OP37S和AD574S這兩個宇航級型號的結溫（Junction Temperature）最大范圍是多少？
2018-09-07 10:42:57
請問OP37S和AD574S這兩個宇航級型號的結溫（Junction Temperature）最大范圍是多少？
2023-11-21 08:17:33
=111.83℃/W ；計算方式2： θJA=42℃/wTJ=Ta+θJA*PD=26℃+0.826w*42℃/w=60.7℃。兩者相差太大，方式2中結溫60.7℃小于方式1中表面溫度73℃，這個就很難理解
2019-03-25 10:54:06
稱為冷結。為了得出測量結的溫度(TMJ)，用戶必須知道熱電偶所產生的差分電壓。用戶還必須知道基準結溫(TRJ)所產生的誤差電壓。補償基準結溫誤差電壓一般稱為冷結補償。為使輸出電壓精確地代表熱結電子裝置
2018-10-15 14:39:30
從本篇開始，介紹近年來MOSFET中的高耐壓MOSFET的代表超級結MOSFET。功率晶體管的特征與定位首先來看近年來的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的功率與頻率
2018-11-28 14:28:53
），到現在的超結IGBT（SJ-IGBT），新結構層出不窮，并且正在向功率器件集成化和智能功率模塊方向發展。今天我們來聊一聊一種具有雙向阻斷能力的，逆阻型IGBT（RB-IGBT）。 ” 1、逆阻
2020-12-11 16:54:35
不同，兩個裸片的功率耗散也不同，各自要求單獨計算。此外，每個裸片互相提供熱能，故必須顧及到這種交互影響。 本文將闡釋怎樣量測兩個組件的功率耗散，使用IGBT及二極管的θ值計算平均結溫及峰值結溫。 功率計算
2018-10-08 14:45:41
轉換為光，其余的則產生熱量。由于 P-N 結較小，單位面積的生熱率就大：一個 1 W、1 mm2 的 LED 可產生高達 100 W/cm2 的熱量。 隨著結溫升高，LED 的正向電壓和流明輸出
2017-04-10 14:03:41
），這樣結合了 PT 和 NPT 技術的優勢。該技術可使靜態和動態損耗減至最小，加上 IGBT3 具有更高電流密度，它還可擴展系列產品的功率范圍。硅片結溫可高達1
2023-01-10 11:29:08
），這樣結合了 PT 和 NPT 技術的優勢。該技術可使靜態和動態損耗減至最小，加上 IGBT3 具有更高電流密度，它還可擴展系列產品的功率范圍。硅片結溫可高達1
2023-01-10 11:33:54
概述了自IGBT 發明以來其主要結構和相應性能的改進，包括芯片集電結附近（下層）結構的改進（透明集電區），耐壓層附近（中層）結構的改進（NPT，FS/ SPT 等）和近表層（上層
2010-10-13 15:53:57
0 IGBT結溫估算（算法+模型），多年實際應用，準確度良好 能夠同時對IGBT內部6個三極管和6個二極管溫度進行估計，并輸出其中最熱的管子對應溫度。 可用于溫度保護，降額，提高
2023-02-23 09:45:057 IGBT結溫估算
2023-02-23 09:23:148 IGBT結溫估算模型。
2023-02-24 10:48:425 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由雙極型晶體管（Bipolar Junction Transistor，BJT）和絕緣
2023-05-20 15:19:12583 
IGBT模塊損耗包含IGBT損耗和Diode損耗兩部分
2023-05-26 11:21:231257 
前邊介紹了IGBT/Diode損耗的計算，那么得到了損耗之后，如何轉化為溫升呢？
2023-05-26 11:24:31860 
車用IGBT器件技術概述
2023-08-08 10:00:312 什么叫SOC？為什么要進行SOC估算？SOC估算的難點 SOC全稱為State of Charge，是指電池的充放電狀態。SOC估算是指對電池容量的估算，可以通過對電池充放電過程中的電壓和電流信號
2023-10-26 11:38:301503
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