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電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術(shù)>IGBT結(jié)溫估算—(三)熱阻網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)

IGBT結(jié)溫估算—(三)熱阻網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)

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IGBT損耗和溫度估算

、Eoff 和 Erec ) 進(jìn) 行準(zhǔn)確測(cè)量,建立了一種通用的功率器件導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗模型。在考慮 IGBT 芯片間熱偶合影響基礎(chǔ)上 提出了一種結(jié)溫估算數(shù)學(xué)模型。搭建三相電感結(jié)溫測(cè)試平臺(tái),通過結(jié)溫試驗(yàn)驗(yàn)證
2023-03-06 15:02:511536

IGBT保護(hù)電路設(shè)計(jì)必知問題

=P△(Rjc+Rcs+Rsa)《Tjm  式中Tj-IGBT的工作結(jié)  P△-損耗功率  Rjc-結(jié)-殼vkZ電子資料網(wǎng)  Rcs-殼-散熱器  Rsa-散熱器-環(huán)境  Tjm-IGBT
2011-08-17 09:46:21

IGBT并聯(lián)設(shè)計(jì)參考

終止IGBT芯片的飽和電壓VCEsat都隨著結(jié)升高而增加,呈現(xiàn)正溫度系數(shù)特性。圖2為300A溝槽場終止芯片在15V柵極電壓條件下不同結(jié)時(shí)的飽和電壓特性。這表明并聯(lián)IGBT的靜態(tài)均流可動(dòng)態(tài)地自我調(diào)節(jié)
2018-12-03 13:50:08

IGBT損耗有什么計(jì)算方法?

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2019-08-13 08:04:18

IGBT模塊EconoPACKTM4

至關(guān)重要。除了軟度,IGBT的開關(guān)速度還取決于結(jié)。提高結(jié)意味著增大IGBT的軟度。不過,必須給出器件在低溫條件下(如25 °C)的適當(dāng)特性。圖4顯示了在Tvjop=25 °C條件下1200V/150A
2018-12-07 10:23:42

IGBT模塊在列車供電系統(tǒng)中的應(yīng)用及保護(hù)

;  — 損耗功率;  — 結(jié)一殼;  — 殼一散熱器;  — 散熱器;  —IGBT的最高結(jié)。  因受設(shè)備體積、重量等的限制,散熱系統(tǒng)要有所限制。可以在靠近IGBT處加裝一溫度繼電器,以檢測(cè)
2012-06-01 11:04:33

IGBT模塊散熱器

IGBT模塊散熱器,是在IGBT模塊裝上加裝散熱器,幫助其散熱。因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">IGBT模塊工作時(shí),會(huì)產(chǎn)生大量的,所以為了散熱加裝的。下面來看一下晨怡熱管的展示:IGBT模塊散熱用熱管散熱器晨怡熱管產(chǎn)品展示
2012-06-19 13:54:59

IGBT模塊散熱器的應(yīng)用

IGBT模塊散熱器應(yīng)用-基本知識(shí)()IGBT散熱器 安裝  ① 散熱器應(yīng)根據(jù)使用環(huán)境及模塊參數(shù)進(jìn)行匹配選擇,以保證模塊工作時(shí)對(duì)散熱器的要求。  ② 散熱器表面的光潔度應(yīng)小于10mm,每個(gè)螺絲之間
2012-06-19 11:20:34

IGBT模塊散熱器的應(yīng)用

模塊)的散熱方案  在電子元件的設(shè)計(jì)中,散熱方式的選擇,以及對(duì)其進(jìn)行試驗(yàn)、模擬、分析、優(yōu)化從而得到一個(gè)熱效率高、成本低廉的結(jié)構(gòu),對(duì)保證功率器件運(yùn)行時(shí)其內(nèi)部結(jié)始終保持在允許范圍之內(nèi)顯得尤為重要
2012-06-20 14:58:40

IGBT模塊散熱器選擇及使用原則

·PAV  Tjm為器件的最大允許最高工資結(jié),普通整流管為150℃,普通晶閘管為125℃,快速晶閘管為115℃  Rjc為器件的結(jié)。  PAV為器件的耗散功率。其計(jì)算公式為:  PAV
2012-06-20 14:33:52

IGBT模塊散熱技術(shù)

最要 散熱方式 散熱材料散熱方式 散熱材料  如果IGBT模塊一定時(shí),IGBT結(jié)殼之間的一定,IGBT殼與散熱器的與散熱器材料和接觸程度兩個(gè)方面有關(guān),但此處較小,散熱器的材料及接觸程度
2012-06-19 11:35:49

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2012-06-20 14:36:54

IGBT模塊瞬態(tài)特性退化分析

進(jìn)行了研究,并得到了不同狀態(tài)下模塊的退化特性。    圖1 IGBT的傳熱結(jié)構(gòu)  研究人員在不同工作條件下的IGBT模塊進(jìn)行老化實(shí)驗(yàn)時(shí),在相同的老化時(shí)間下觀察模塊的變化情況,通過對(duì)網(wǎng)絡(luò)模型
2020-12-10 15:06:03

IGBT的工作原理

;——IGBT 集電極與發(fā)射極之間的電壓;——流過IGBT 集電極-發(fā)射極的電流;——IGBT結(jié)。如果IGBT 柵極與發(fā)射極之間的電壓,即驅(qū)動(dòng)電壓過低,則IGBT 不能穩(wěn)定正常地工作,如果過高超過柵極
2018-10-18 10:53:03

極管選型之功耗與結(jié)關(guān)系

極管的結(jié)可靠性,硅管一般是150℃,只要結(jié)不超過該值,極管一般來說是正常使用的,而器件資料里面的PD其實(shí)也是根據(jù)結(jié)計(jì)算出來的PD=(TJ-TA)/RJATJ即結(jié),TA即環(huán)境溫度,RJA即結(jié)到環(huán)境
2013-05-27 23:00:26

端穩(wěn)壓器7812/7809/7808/7815資料

)…………………………… 35V(VO=24V)……………………………… 40VRθJC——結(jié)到殼)……………………………… 5℃/WRθJA——結(jié)到空氣)………………………… 65℃/WTOPR
2008-11-08 10:29:21

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請(qǐng)問大神菱PLC控除了用PWM和PID配可以控,還有什么指令可以配合PID控?PWM只能用高速脈沖輸出口,普通輸出口用不了。
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我在進(jìn)行AD8138ARM的仿真,datasheet中只有結(jié)到環(huán)境的JA的數(shù)據(jù),我需要結(jié)到外殼的Jc的數(shù)據(jù),還有AD8138ARM放大器集成的晶體管數(shù)目是多少?
2023-11-21 06:54:43

HMC608LC4的額定結(jié)Tj是多少?

我想咨詢一下,HMC608LC4芯片,該芯片的額定結(jié)Tj(junction temperature)是多少?即該芯片所能承受的最大結(jié)是多少? 其數(shù)據(jù)手冊(cè)沒有給出。請(qǐng)問如下圖的Channel Temperature是否就是該芯片的結(jié)
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LED結(jié)升高怎么計(jì)算?

普通的高亮度 (HB) LED 僅將約 45% 的應(yīng)用能量轉(zhuǎn)換給可見光子,其余的則產(chǎn)生熱量。 如果產(chǎn)生的這些熱量不能從 LED 充分散去,將會(huì)導(dǎo)致過熱,并可能造成災(zāi)難性故障。 即使不出現(xiàn)災(zāi)難性故障,LED 結(jié)升高也會(huì)造成光輸出下降、顏色發(fā)生變化和/或預(yù)期壽命顯著縮短。
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能使得模塊在最惡劣工況下,最高芯片結(jié)達(dá)到150度。則PrimePACK所使用的散熱器可以增大到0.155K/W。這樣的情況下PrimePACK芯片的溫度,及功率周次估算如表4所示。PrimePACK仍然
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請(qǐng)教各位大蝦一個(gè)問題,SMA,SMAJ與SMB封裝除了尺寸不同之外,它們的有沒有什么區(qū)別?(例如SS14 SMAJ,SS14 SMA,SS14 SMB的區(qū)別)
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2019-08-05 10:50:11

如何進(jìn)行IGBT保護(hù)電路設(shè)計(jì)

△(Rjc+Rcs+Rsa)《Tjm   式中Tj-IGBT的工作結(jié)  P△-損耗功率  Rjc-結(jié)-殼vkZ電子資料網(wǎng)  Rcs-殼-散熱器  Rsa-散熱器-環(huán)境  Tjm-IGBT的最高結(jié)
2011-10-28 15:21:54

對(duì)逆變運(yùn)行狀態(tài)的6.5kV IGBT模塊進(jìn)行現(xiàn)場時(shí)間分辨等效結(jié)測(cè)量

通過電流和電壓探頭以及標(biāo)準(zhǔn)的示波器進(jìn)行數(shù)據(jù)記錄和獲得。在逆變器運(yùn)行過程中,芯片的結(jié)很少通過實(shí)驗(yàn)方法確定。熱處理通常是供應(yīng)商提供典型值或最差值(如IGBT模塊和冷卻板的)與仿真產(chǎn)生的損耗情況結(jié)合
2018-12-07 10:19:13

尋找SO-8封裝中M95256-W的結(jié)至環(huán)境

大家好, 我對(duì)M95256-WMN3TP /ABE2PROM的最高結(jié)感興趣。 3級(jí)器件的最高環(huán)境工作溫度為125°C,因此結(jié)必須更高。數(shù)據(jù)手冊(cè)中沒有提到最大結(jié)。 我還在尋找SO-8封裝中M95256-W的結(jié)至環(huán)境。 最好的祝福, 托馬斯
2019-08-13 11:08:08

整流二極管結(jié)對(duì)管子 的影響

各位大神,請(qǐng)問整流二極管的結(jié)對(duì)性能影響大嗎?另外規(guī)格書的結(jié)范圍一般都是-55~150℃,但是實(shí)際測(cè)的實(shí)在170℃,這樣正常嗎?在同一條件下。
2016-05-26 09:06:39

晶閘管在電焊機(jī)中的應(yīng)用

  中國電力電子產(chǎn)業(yè)網(wǎng)訊:焊機(jī)的工況是間斷式的。即晶閘管在工作時(shí)結(jié)升高,停止工作時(shí)結(jié)又降到某一值。再次工作,結(jié)又在此值基礎(chǔ)上升高。這里就要用到“晶閘管設(shè)計(jì)實(shí)例1”中提到的“瞬態(tài)”的概念
2014-04-01 10:46:41

有什么方法可以降低IC封裝的嗎?求解

有什么方法可以降低IC封裝的嗎?求解
2021-06-23 07:24:48

測(cè)量功率器件的結(jié)常用的方法

測(cè)量功率器件的結(jié)常用二種方法
2021-03-17 07:00:20

漫談器件的散熱設(shè)計(jì)

的是結(jié);因此單靠摸的手感來判斷器件值得做測(cè)試是錯(cuò)誤的。那到底該如何做呢?對(duì)MCU、驅(qū)動(dòng)器件、電源轉(zhuǎn)換器件、功率電阻、大功率的半導(dǎo)體分立元件、開關(guān)器件類的能量消耗和轉(zhuǎn)換器件,測(cè)試都是必須的。不論
2012-02-09 10:51:37

理解功率MOSFET管的電流

最大的連續(xù)漏極電流ID的計(jì)算公式: 其中,RDS(ON)_TJ(max)為在最大工作結(jié)TJ下,功率MOSFET的導(dǎo)通電阻;通常,硅片允許的最大工作結(jié)為150℃。RqJC的測(cè)量可以參見文章:功率
2016-08-15 14:31:59

用CSD17312Q5研究MOSFET估算熱插拔的瞬態(tài)

我們討論了如何設(shè)計(jì)溫升問題的電路類似方法。我們把熱源建模成了電流源。一種估算熱插拔MOSFET 升的簡單方法進(jìn)行研究根據(jù)系統(tǒng)組件的物理屬性,計(jì)算得到和熱容。本文中,我們把圖1 所示模型的瞬態(tài)響應(yīng)
2013-09-12 15:51:10

電子設(shè)計(jì)分析

和次變壓器的有效繞組電阻)有紅色的“”端子,該端子可將傳至外部網(wǎng)絡(luò)。外部網(wǎng)絡(luò)包括散熱器的熱容(0.1J/°C)、傳至環(huán)境的(1°C/W),以及產(chǎn)品說明發(fā)布的各個(gè)有源電子元器件的結(jié)-引線
2018-10-17 11:43:12

電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)

設(shè)計(jì)要求。大部分設(shè)計(jì)適用于上面這個(gè)圖表,因?yàn)榛旧仙岫际峭ㄟ^面散熱。但對(duì)于密封設(shè)備,則應(yīng)該用體積功率密度來估算功率密度=熱量 / 體積。下圖(圖2)是升要求不超過40℃時(shí),不同體積功率密度所對(duì)應(yīng)
2018-01-13 19:44:10

電機(jī)中的網(wǎng)絡(luò)模型該怎么建立

前言這篇詳細(xì)的介紹了電機(jī)中的網(wǎng)絡(luò)模型該怎么建立,雖然是以某一個(gè)特定的永磁同步電機(jī)為例子,但是把它的思路給領(lǐng)會(huì)到了,在刻畫其他模型的時(shí)候就是舉一反的事。再次感謝《基于網(wǎng)絡(luò)法的電機(jī)溫度場分析
2021-08-30 07:42:36

英飛凌以塑封料溫度測(cè)量為基礎(chǔ)的一種結(jié)計(jì)算方法

計(jì)算。圖4示出了SGW25N120(10.4mm2)的結(jié)(ΔTj)、塑封料溫度(ΔTMC)和管殼溫度(ΔTc)的溫度增量。根據(jù)下式,圖4中紅色(最上方)曲線的斜率即為結(jié)到管殼的: (2)因此
2018-12-03 13:46:13

英飛凌第四代IGBT—T4在軟開關(guān)逆變焊機(jī)中的應(yīng)用

降低,由于FF300R12KT4結(jié)到散熱器的比FF300R12KS4的大,所以結(jié)到散熱器的升幾乎一樣。圖9是利用r-tools仿真軟件得到的這兩種IGBT模塊在實(shí)際工作條件下散熱器表面溫度場
2018-12-03 13:47:57

詳解芯片的結(jié)

芯片和封裝、周圍環(huán)境之間的溫度差按以下公式進(jìn)行計(jì)算。其中項(xiàng)目解說θja結(jié)(Tj)和周圍溫度(Ta)之間的ψjt結(jié)(Tj)和封裝外殼表面溫度(Tc 1)之間的θjc結(jié)(Tj)和封裝外殼背面
2019-09-20 09:05:08

請(qǐng)問AD8436BRQZ的最高結(jié)是多少?

上一個(gè)輸錯(cuò)了型號(hào),AD8436BRQZ 的datasheet里沒有最大結(jié)
2023-12-05 06:37:12

請(qǐng)問OP37S和AD574S這兩個(gè)宇航級(jí)型號(hào)的結(jié)(Junction Temperature)范圍是多少?

請(qǐng)問OP37S和AD574S這兩個(gè)宇航級(jí)型號(hào)的結(jié)(Junction Temperature)最大范圍是多少?
2018-09-07 10:42:57

請(qǐng)問OP37S和AD574S這兩個(gè)宇航級(jí)型號(hào)的結(jié)(Junction Temperature)范圍是多少?

請(qǐng)問OP37S和AD574S這兩個(gè)宇航級(jí)型號(hào)的結(jié)(Junction Temperature)最大范圍是多少?
2023-11-21 08:17:33

請(qǐng)問TPS54540結(jié)溫度怎么計(jì)算

=111.83℃/W ;計(jì)算方式2: θJA=42℃/wTJ=Ta+θJA*PD=26℃+0.826w*42℃/w=60.7℃。兩者相差太大,方式2中結(jié)60.7℃小于方式1中表面溫度73℃,這個(gè)就很難理解
2019-03-25 10:54:06

請(qǐng)問ad849x溫度傳感器是如何實(shí)現(xiàn)冷結(jié)補(bǔ)償?shù)模?/a>

IGBT的相關(guān)知識(shí)點(diǎn)介紹

),到現(xiàn)在的超結(jié)IGBT(SJ-IGBT),新結(jié)構(gòu)層出不窮,并且正在向功率器件集成化和智能功率模塊方向發(fā)展。今天我們來聊一聊一種具有雙向阻斷能力的,逆IGBT(RB-IGBT)。  ”  1、逆
2020-12-11 16:54:35

透過IGBT計(jì)算來優(yōu)化電源設(shè)計(jì)

大多數(shù)半導(dǎo)體組件結(jié)的計(jì)算過程很多人都知道。通常情況下,外殼或接腳溫度已知。量測(cè)裸片的功率耗散,并乘以裸片至封裝的(用theta或θ表示),以計(jì)算外殼至結(jié)點(diǎn)的升。這種方法適用于所有單裸片封裝
2018-10-08 14:45:41

通過IGBT計(jì)算來將電源設(shè)計(jì)的效用提升至最高

`計(jì)算大多數(shù)半導(dǎo)體器件結(jié)的過程廣為人知。通常情況下,外殼或引腳溫度已知。測(cè)量裸片的功率耗散,并乘以裸片至封裝的(用theta或θ表示),以計(jì)算外殼至結(jié)點(diǎn)的升。這種方法適用于所有單裸片封裝
2014-08-19 15:40:52

防止過高的 LED 結(jié)

,LED 結(jié)升高也會(huì)造成光輸出下降、顏色發(fā)生變化和/或預(yù)期壽命顯著縮短。本文介紹了如何計(jì)算結(jié),并說明的重要性。 文中探討了較低熱 LED 封裝替代方法,如芯片級(jí)和板載 (COB) 設(shè)計(jì),并介紹
2017-04-10 14:03:41

IGBT結(jié)溫估算(算法+模型)

IGBT結(jié)溫估算(算法+模型),多年實(shí)際應(yīng)用,準(zhǔn)確度良好 能夠同時(shí)對(duì)IGBT內(nèi)部6個(gè)三極管和6個(gè)二極管溫度進(jìn)行估計(jì),并輸出其中最熱的管子對(duì)應(yīng)溫度。 可用于溫度保護(hù),降額,提高
2023-02-23 09:45:057

IGBT結(jié)溫估算

IGBT結(jié)溫估算
2023-02-23 09:23:148

IGBT結(jié)溫估算模型

IGBT結(jié)溫估算模型。
2023-02-24 10:48:425

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