本文將介紹一種門極驅動器利用SiC-MOSFET的檢測端子為其提供全面保護的先進方法。所提供的測試結果包括了可調整過流和短路檢測以及軟關斷和有源鉗位（可在關斷時主動降低過壓尖峰）等功能。
2016-11-16 11:19:57
8316 功率轉換電路中的晶體管的作用非常重要，為進一步實現低損耗與應用尺寸小型化，一直在進行各種改良。SiC功率元器件半導體的優勢前面已經介紹過，如低損耗、高速開關、高溫工作等，顯而易見這些優勢是非常有用的。本章將通過其他功率晶體管的比較，進一步加深對SiC-MOSFET的理解。
2022-07-26 13:57:522075 有使用過SIC MOSFET 的大佬嗎 想請教一下驅動電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
從本文開始，將逐一進行SiC-MOSFET與其他功率晶體管的比較。本文將介紹與Si-MOSFET的區別。尚未使用過SiC-MOSFET的人，與其詳細研究每個參數，不如先弄清楚驅動方法等
2018-11-30 11:34:24
SiC-MOSFET－溝槽結構SiC-MOSFET與實際產品SiC功率元器件基礎篇前言前言何謂SiC（碳化硅）？何謂碳化硅SiC功率元器件的開發背景和優點SiC肖特基勢壘二極管所謂SiC-SBD－特征以及與Si
2018-11-27 16:40:24
”）應用越來越廣泛。關于SiC-MOSFET，這里給出了DMOS結構，不過目前ROHM已經開始量產特性更優異的溝槽式結構的SiC-MOSFET。具體情況計劃后續進行介紹。在特征方面，Si-DMOS存在
2018-11-30 11:35:30
比Si器件低，不需要進行電導率調制就能夠以MOSFET實現高耐壓和低阻抗。 而且MOSFET原理上不產生尾電流，所以用SiC-MOSFET替代IGBT時，能夠明顯地減少開關損耗，并且實現散熱部件
2023-02-07 16:40:49
采用IGBT這種雙極型器件結構（導通電阻變低，則開關速度變慢），就可以實現低導通電阻、高耐壓、快速開關等各優點兼備的器件。3. VD - ID特性SiC-MOSFET與IGBT不同，不存在開啟電壓，所以
2019-04-09 04:58:00
確認現在的產品情況，請點擊這里聯系我們。ROHM SiC-MOSFET的可靠性柵極氧化膜ROHM針對SiC上形成的柵極氧化膜，通過工藝開發和元器件結構優化，實現了與Si-MOSFET同等的可靠性
2018-11-30 11:30:41
作的。全橋式逆變器部分使用了3種晶體管（Si IGBT、第二代SiC-MOSFET、上一章介紹的第三代溝槽結構SiC-MOSFET），組成相同尺寸的移相DCDC轉換器，就是用來比較各產品效率的演示機
2018-11-27 16:38:39
程度的小電流，所以與Si-FRD相比，能夠明顯地減少損耗。而且，該瞬態電流基本上不隨溫度和正向電流而變化，所以不管何種環境下，都能夠穩定地實現快速恢復。另外，還可以降低由恢復電流引起的噪音，達到降噪的效果。SiC半導體SiC-MOSFET
2019-03-14 06:20:14
采用IGBT這種雙極型器件結構（導通電阻變低，則開關速度變慢），就可以實現低導通電阻、高耐壓、快速開關等各優點兼備的器件。3. VD - ID特性SiC-MOSFET與IGBT不同，不存在開啟電壓，所以
2019-05-07 06:21:55
的不是全SiC功率模塊特有的評估事項，而是單個SiC-MOSFET的構成中也同樣需要探討的現象。在分立結構的設計中，該信息也非常有用。“柵極誤導通”是指在高邊SiC-MOSFET＋低邊
2018-11-30 11:31:17
三菱FX1S PLC如何控制伺服電機？
2021-09-27 07:04:04
有哪位大俠賜教下三菱FX系列的PLC的地址計算方法啊？特別是輔助繼電器M的置位和復位，輸出Y的置位復位以及讀取。
2017-05-11 08:33:11
推薦課程：張飛軟硬開源：基于STM32的BLDC直流無刷電機驅動器（視頻+硬件）http://url.elecfans.com/u/73ad899cfd 三菱PLC與西門子PLC有什么區別
2015-09-17 08:53:43
三菱PLC如何控制步進電機？
2021-10-09 07:04:42
三菱PLC怎樣在脈沖總數未知的情況下實現步進電機的加減速呢？
2023-03-23 15:29:20
三菱PLC控制三菱伺服選型技巧有哪些？
2021-09-26 07:13:03
OPC總是與三菱PLC通訊失敗，是怎么回事，都是按照網上的步驟來的，還是說需要在woks2里設置一些參數。
2020-04-14 16:12:07
三菱電機開發出預計可用于氣囊的新結構加速度傳感器。并在“第20屆微機械/MEMS展”上展示。
2019-09-02 08:25:02
如何解決三菱伺服電機上的常見報警代碼？伺服電機報警時電機停止方式與報警解除呢？報警解除的具體方法有哪些？
2021-09-27 06:39:12
三菱伺服電機故障修理的要點有哪些？是什么原因造成三菱伺服電機故障的？
2021-09-26 06:06:22
三菱伺服電機的轉矩控制模式有哪幾種？分別是什么？
2021-09-27 07:53:48
三菱伺服電機的控制方式有哪些？
2021-09-29 08:03:44
三菱伺服電機編碼器故障的技術方法原則是什么？
2021-09-26 06:16:11
三菱伺服電機轉矩模式怎么設置？
2021-09-30 08:08:19
三菱伺服電機馬達使用/安裝注意事項？
2021-09-28 06:43:00
三菱伺服剛性調節方法是什么？
2021-09-30 06:30:45
什么是慣量匹配呢？三菱伺服電動機慣性發生的主要原因是什么？
2021-09-27 06:31:29
三菱伺服驅動器故障維修優勢是什么？
2021-11-12 07:56:36
三菱各類伺服電機標準參數是什么？
2021-11-12 07:40:28
全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SiC SBD”）已被成功應用于大功率模擬模塊制造商ApexMicrotechnology
2023-03-29 15:06:13
上一章針對與Si-MOSFET的區別，介紹了關于SiC-MOSFET驅動方法的兩個關鍵要點。本章將針對與IGBT的區別進行介紹。與IGBT的區別：Vd-Id特性Vd-Id特性是晶體管最基本的特性之一
2018-12-03 14:29:26
一個項目，使用opc 與三菱plc通信的，通信正常，之后主VI 里修改了一點，然后重新生成 exe，運行之后，發現 延時情況特嚴重，不知道是什么原因，比如，打開一個閥門，等半天才 響應，求大神幫幫忙，這個怎么解決？？？
2014-03-31 16:57:47
如題，怎么知道三菱plc的內存地址
2016-04-25 18:49:38
如題所示，labview與三菱PLC通過OPC通信，通常采用什么具體方法來握手？比如，我想著可以通過OPC讀取三菱PLC的內部變量如SM400，這個值是常1的，然后做個判斷，如果該值為1，即認為握手成功，該方法如何？
2020-08-31 23:00:07
各位大神好我想用labview和三菱的mx component進行數據交互。使用ActUtltype控件來進行設計。現在使用ReadDeviceBlock方法來讀取PLC的數據。按照mx
2017-08-01 14:40:58
哪位大哥有用過labview與三菱q系列進行以太網連接的，或者不是q，有網口的三菱plc，我是小白，希望指點一下，謝謝
2019-06-10 15:48:18
有那個師傅能提供一個labview控制三菱plc的y0輸出VI程序給我參考學習下？？謝謝！
2015-05-06 21:30:23
失效模式等。項目計劃①根據文檔，快速認識評估板的電路結構和功能；②準備元器件，相同耐壓的Si-MOSFET和業內3家SiC-MOSFET③項目開展，按時間計劃實施，④項目調試，優化，比較，分享。預計成果分享項目的開展，實施，結果過程，展示項目結果
2020-04-24 18:09:12
SiC Mosfet管組成上下橋臂電路，整個評估板提供了一個半橋電路，可以支持Buck，Boost和半橋開關電路的拓撲。SiC Mosfet的驅動電路主要有BM6101為主的芯片搭建而成，上下橋臂各有一塊
2020-06-07 15:46:23
是48*0.35 = 16.8V，負載我們設為0.9Ω的阻值，通過下圖來看實際的輸入和輸出情況：圖4 輸入和輸出通過電子負載示數，輸出電流達到了17A。下面使用示波器測試SIC-MOSFET管子的相關
2020-06-10 11:04:53
項目名稱：基于Sic MOSFET的直流微網雙向DC-DC變換器試用計劃：申請理由本人在電力電子領域（數字電源）有五年多的開發經驗，熟悉BUCK、BOOST、移相全橋、LLC和全橋逆變等電路拓撲。我
2020-04-24 18:08:05
``首先非常感謝羅姆公司開展的本次試用活動。做為一個從事電力電子，開關電源工作的“攻城獅”，一直以來都想使用新型器件SIC和GAN，奈何價格原因沒有用在產品上，所以一直沒有接觸過SIC。本次的活動
2020-05-09 11:59:07
`收到了羅姆的sic-mosfet評估板，感謝羅姆，感謝電子發燒友。先上幾張開箱圖，sic-mos有兩種封裝形式的，SCT3040KR，主要參數如下：SCT3040KL，主要參數如下：后續準備搭建一個DC-DC BUCK電路，然后給散熱器增加散熱片。`
2020-05-20 09:04:05
;Reliability (可靠性) " ，始終堅持“品質第一”SiC元器有三個最重要的特性：第一個高壓特性，比硅更好一些；而是高頻特性；三是高溫特性。 羅姆第三代溝槽柵型SiC-MOSFET對應
2020-07-16 14:55:31
有沒前輩于三菱Q/L系列MC協議通訊過，因上學沒學好，看通訊格式一頭霧水。若有程序例子最好，或者三菱 mx conpnonet 要怎么設置？對方的PCL為L02，TCP，跪謝了
2017-06-19 22:16:32
的全SiC功率模塊最新的全SiC功率模塊采用最新的SiC-MOSFET-（即第三代溝槽結構SiC-MOSFET），以進一步降低損耗。以下為示例。下一次計劃詳細介紹全SiC功率模塊的特點和優勢。關鍵要點
2018-11-27 16:38:04
SiC-MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管的相關內容，有許多與Si同等產品比較的文章可以查閱并參考。采用第三代SiC溝槽MOSFET，開關損耗進一步降低ROHM在行業中率先實現了溝槽結構
2018-11-27 16:37:30
關于三菱伺服電機扭矩控制的知識點你想知道都在這
2021-09-26 07:54:12
通過上位機LABVIEW與三菱FX2N-48MR進行無計算機協議的串口通信，通過labview實現電機星三角降壓啟動控制，編寫的上位機和PLC程序如附件，調試程序時發現PLC程序和LABVIEW程序都正常運行，可為何沒法成功收發數據，電機沒法啟動，請問各位大蝦，這個問題是出在哪里呢？
2015-11-04 17:43:24
ROHM一直專注于功率元器件的開發。最近推出并已投入量產的“SCT2H12NZ”，是實現1700V高耐壓的SiC-MOSFET。是在現有650V與1200V的產品陣容中新增的更高耐壓版本。不僅具備
2018-12-04 10:11:25
多普康PLC兼容三菱PLC FX2N有哪些特點？多普康PLC兼容三菱PLC FX2N有哪些功能？
2021-07-05 07:27:14
如何維修三菱PLC的常見故障？
2021-11-11 07:25:57
如何維修三菱系統330HM臥加？
2021-11-12 07:52:43
損耗。最新的模塊中采用第3代SiC-MOSFET，損耗更低。全SiC功率模塊的結構現在正在量產的全SiC功率模塊有幾種類型，有可僅以1個模塊組成半橋電路的2in1型，也有可僅以1個模塊組成升壓電路的斬波型。有以
2018-12-04 10:14:32
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
求三菱電機第5代IGBT模塊和IPM模塊應用手冊完整版資料，網上下載下來都是只有目錄，沒有里面的內容，有哪位有的可以分享嗎？跪求，萬分感謝！！！
2012-04-21 21:16:03
求 三菱PLC對沼氣發電控制程序和I\O分配表
2016-10-15 16:19:05
本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供應的SiC-MOSFET的相關信息。獨有的雙溝槽結構SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不斷發展的進程中，ROHM于世界首家實現了溝槽柵極
2018-12-05 10:04:41
SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關注的器件。成果比較突出的就是美國的Cree公司和日本的ROHM公司。在國內雖有幾家在持續投入，但還處于開發階段, 且技術尚不完全成熟。從國內
2019-09-17 09:05:05
低，可靠性高，在各種應用中非常有助于設備實現更低功耗和小型化。本產品于世界首次※成功實現SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝。內部二極管的正向電壓（VF）降低70％以上，實現更低損耗的同時
2019-03-18 23:16:12
本文將從設計角度首先對在設計中使用的電源IC進行介紹。如“前言”中所述，本文中會涉及“準諧振轉換器”的設計和功率晶體管使用“SiC-MOSFET”這兩個新課題。因此，設計中所使用的電源IC，是可將
2018-11-27 16:54:24
請教三菱PLC如何利用一個編碼器完成測速與長度呢？使用三菱PLC的SPD指令（測速），在此被指定的輸入不能與告訴計數器重復使用。
2023-03-30 15:28:15
三菱伺服電機馬達使用注意事項有哪些？
2021-10-08 08:38:59
請問如何使用三菱伺服電機實現定位功能？
2021-09-26 07:03:54
損耗。最新的模塊中采用第3代SiC-MOSFET，損耗更低。采用第3代SiC-MOSFET，損耗更低組成全SiC功率模塊的SiC-MOSFET在不斷更新換代，現已推出新一代產品的定位–采用溝槽結構的第3代產品
2018-12-04 10:11:50
世界首家！ROHM開始量產采用溝槽結構的SiC-MOSFET，導通電阻大大降低，有助于工業設備等大功率設備的小型化與低功耗化
2015-06-25 14:26:461974 和MOSFET器件的同時，沒有出現基于SiC的類似器件。
SiC-MOSFET與IGBT有許多不同，但它們到底有什么區別呢？本文將針對與IGBT的區別進行介紹。
2017-12-21 09:07:0436486 
功率轉換電路中的晶體管的作用非常重要，為進一步實現低損耗與應用尺寸小型化，一直在進行各種改良。SiC功率元器件半導體有如下優勢，如低損耗、高速開關、高溫工作等，顯而易見這些優勢是非常有用的。本章將通過其他功率晶體管的比較，進一步加深對SiC-MOSFET的理解。
2023-02-06 14:39:132876 
本章將介紹部分SiC-MOSFET的應用實例。其中也包括一些以前的信息和原型級別的內容，總之希望通過這些介紹能幫助大家認識采用SiC-MOSFET的好處以及可實現的新功能。另外，除了SiC-MOSFET，還可以從這里了解SiC-SBD、全SiC模塊的應用實例。
2023-02-06 14:39:51645 
繼前篇結束的SiC-SBD之后，本篇進入SiC-MOSFET相關的內容介紹。功率轉換電路中的晶體管的作用非常重要，為進一步實現低損耗與應用尺寸小型化，一直在進行各種改良。
2023-02-08 13:43:19211 
近年來超級結（Super Junction）結構的MOSFET（以下簡稱“SJ-MOSFET”）應用越來越廣泛。關于SiC-MOSFET，ROHM已經開始量產特性更優異的溝槽式結構的SiC-MOSFET。
2023-02-08 13:43:19525 
從本文開始，將逐一進行SiC-MOSFET與其他功率晶體管的比較。本文將介紹與Si-MOSFET的區別。尚未使用過SiC-MOSFET的人，與其詳細研究每個參數，不如先弄清楚驅動方法等與Si-MOSFET有怎樣的區別。
2023-02-08 13:43:20644 
上一章針對與Si-MOSFET的區別，介紹了關于SiC-MOSFET驅動方法的兩個關鍵要點。本章將針對與IGBT的區別進行介紹。與IGBT的區別：Vd-Id特性，Vd-Id特性是晶體管最基本的特性之一。
2023-02-08 13:43:201722 
上一章介紹了與IGBT的區別。本章將對SiC-MOSFET的體二極管的正向特性與反向恢復特性進行說明。如圖所示，MOSFET（不局限于SiC-MOSFET）在漏極-源極間存在體二極管。
2023-02-08 13:43:20790 
在SiC-MOSFET不斷發展的進程中，ROHM于世界首家實現了溝槽柵極結構SiC-MOSFET的量產。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。溝槽結構在Si-MOSFET中已被廣為采用，在SiC-MOSFET中由于溝槽結構有利于降低導通電阻也備受關注。
2023-02-08 13:43:211381 
本章將介紹部分SiC-MOSFET的應用實例。其中也包括一些以前的信息和原型級別的內容，總之希望通過這些介紹能幫助大家認識采用SiC-MOSFET的好處以及可實現的新功能。
2023-02-08 13:43:21366 
本文就SiC-MOSFET的可靠性進行說明。這里使用的僅僅是ROHM的SiC-MOSFET產品相關的信息和數據。另外，包括MOSFET在內的SiC功率元器件的開發與發展日新月異，如果有不明之處或希望確認現在的產品情況，請點擊這里聯系我們。
2023-02-08 13:43:21860 
在探討“SiC MOSFET：橋式結構中Gate-Source電壓的動作”時，本文先對SiC MOSFET的橋式結構和工作進行介紹，這也是這個主題的前提。
2023-02-08 13:43:23340 
ROHM在全球率先實現了搭載ROHM生產的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關并可大幅降低損耗。
2023-02-10 09:41:081333 
ROHM在全球率先實現了搭載ROHM生產的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關并可大幅降低損耗。
2023-02-13 09:30:04331 
SiC功率MOSFET內部晶胞單元的結構，主要有二種：平面結構和溝槽結構。平面SiC MOSFET的結構，
2023-02-16 09:40:102938 
上一篇文章對設計中使用的電源IC進行了介紹。本文將介紹設計案例的電路。準諧振方式：上一篇文章提到，電源IC使用的是SiC-MOSFET驅動用AC/DC轉換器控制IC“BD7682FJ-LB”。
2023-02-17 09:25:06380 
截至上一篇文章，結束了部件選型相關的內容，本文將對此前介紹過的PCB電路板布局示例進行總結。使用SiC-MOSFET的隔離型準諧振轉換器的PCB布局示例
2023-02-17 09:25:07397 
此前共用19個篇幅介紹了“使用SiC-MOSFET的隔離型準諧振轉換器的設計案例”，本文將作為該系列的最后一篇進行匯總。該設計案例中有兩個關鍵要點。一個是功率開關中使用了SiC-MOSFET。
2023-02-17 09:25:08480 功率轉換電路中的晶體管的作用非常重要，為進一步實現低損耗與應用尺寸小型化，一直在進行各種改良。SiC功率元器件半導體的優勢前面已經介紹過，如低損耗、高速開關、高溫工作等，顯而易見這些優勢是非常有用的。本章將通過其他功率晶體管的比較，進一步加深對SiC-MOSFET的理解。
2023-02-23 11:25:47203 
本文將介紹與Si-MOSFET的區別。尚未使用過SiC-MOSFET的人，與其詳細研究每個參數，不如先弄清楚驅動方法等與Si-MOSFET有怎樣的區別。在這里介紹SiC-MOSFET的驅動與Si-MOSFET的比較中應該注意的兩個關鍵要點。
2023-02-23 11:27:57736 
如圖所示，MOSFET（不局限于SiC-MOSFET）在漏極-源極間存在體二極管。從MOSFET的結構上講，體二極管是由源極-漏極間的pn結形成的，也被稱為“寄生二極管”或“內部二極管”。對于MOSFET來說，體二極管的性能是重要的參數之一，在應用中使用時，其性能發揮著至關重要的作用。
2023-02-24 11:47:402315 
在SiC-MOSFET不斷發展的進程中，ROHM于世界首家實現了溝槽柵極結構SiC-MOSFET的量產。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。
2023-02-24 11:48:18426 
本章將介紹部分SiC-MOSFET的應用實例。其中也包括一些以前的信息和原型級別的內容，總之希望通過這些介紹能幫助大家認識采用SiC-MOSFET的好處以及可實現的新功能。
2023-02-24 11:49:19481 
ROHM針對SiC上形成的柵極氧化膜，通過工藝開發和元器件結構優化，實現了與Si-MOSFET同等的可靠性。
2023-02-24 11:50:12784 
2023年5月8日，三菱電機宣布將于5月31日開始提供一款新型集成SBD*1的SiC*2-MOSFET*3模塊樣品，該半橋模塊額定電壓為3.3kV，絕緣耐壓為6.0kVrms。將有助于為鐵路
2023-05-11 09:26:17834 相對于IGBT，SiC-MOSFET降低了開關關斷時的損耗，實現了高頻率工作，有助于應用的小型化。相對于同等耐壓的SJ-MOSFET，導通電阻較小，可減少相同導通電阻的芯片面積，并顯著降低恢復損耗。
2023-09-11 10:12:33566 
) MOSFET分立產品。Nexperia和三菱電機都是各自行業領域的領軍企業，雙方聯手開發，將促進SiC寬禁帶半導體的能效和性能提升至新高度，同時滿足對高效分立式功率半導體快速增長的需求。 三菱電機的功率半導體產品有助于客戶在汽車、家用電器、工業設備和牽引電機等眾多領域實現大幅節
2023-11-14 10:06:00101 
SiC MOSFET的橋式結構
2023-12-07 16:00:26157 2023年11月，日本三菱電機、安世半導體（Nexperia）宣布，將聯合開發高效的碳化硅（SiC）MOSFET分立產品功率半導體。
2023-11-25 16:50:53451 三菱電機公司宣布將與Nexperia B.V.結成戰略合作伙伴關系，共同為電力電子市場開發硅碳（SiC）功率半導體。三菱電機將利用其廣帶隙半導體技術開發和供應SiC MOSFET芯片，這些芯片將用于Nexperia開發SiC分立器件。
2023-11-30 16:14:09165 
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