電子發燒友網報道（文/梁浩斌）SiC在電動汽車電驅模塊上的應用，隨著市場對電動汽車長續航、高壓電氣架構、快充等需求，正在加速普及。 ? 傳統硅基半導體由于自身物理性質受限?，在高溫、高壓、高頻
2022-07-06 08:36:00
3229 美國SemiSouth Laboratories公司發布了耐壓為650V和耐壓為1700V的SiC制JFET產品，均為常開型功率元件。耐壓為650V的產品名稱為“SJDA065R055”，導通電阻為55mΩ，漏電流在室溫時（25℃）為30A，在
2012-05-21 10:31:012494 初創公司 mqSemi 推出了適用于基于功率 MOS 的器件的單點源 MOS (S-MOS) 單元設計。使用 Silvaco Victory 工藝和設備軟件，在 1200V SiC MOSFET
2022-07-26 09:10:48573 
電子發燒友網報道（文/梁浩斌）GaN器件已經在消費電子領域站穩腳跟，而在消費電子之外，電源產品還有很多較大的應用市場，包括光伏逆變器、服務器電源、汽車領域等。而新能源汽車作為目前規模增長最快的市場之一，SiC已經成功導入電動汽車產品，并實現大批量落地。
2024-02-04 00:01:003359 
基于SBD的700V、1200V和1700V電源模塊可最大程度地提升開關效率、減少溫升和縮小系統尺寸。
2020-03-19 07:40:00831 1700V MOSFET裸片、分立器件和功率模塊器件等碳化硅產品陣容擴大了設計人員對效率和功率密度的選擇范圍
2021-07-28 14:47:031361 
工業三相供電（400 VAC to 690VAC）的功率變換系統，其母線電壓通常高于600V，母線電壓范圍在300Vdc-1000Vdc。
2021-10-11 17:26:211697 
PI看到了電動車的這個發展趨勢，因此在近期推出了全新的InnoSwitch3-AQ產品，該產品采用碳化硅（SiC）初級開關MOSFET的汽車級開關電源IC，將耐壓值提高到了1700V。
2022-02-18 09:33:224954 電子發燒友網報道（文/梁浩斌）在過去的2023年，國產SiC功率器件產品迎來了全面爆發，眾多廠商宣布入局或是推出車規級SiC MOSFET產品，尋求打進汽車供應鏈。而今年春節后的新一輪新能源汽車降價
2024-03-13 01:17:002639 
CRD-060DD12P，用于單端反激式轉換器設計的演示板，采用市售的1700V碳化硅（SiC）MOSFET，取代傳統的雙開關反激式轉換器，用于三相應用的高壓輸入輔助電源。演示板不是專為產品而設計的，僅用作評估Cree開關設備性能的工具
2019-04-30 07:42:31
電壓的自適應，從而取得優異的線型調整率和負 載調整率。 SIC9552A/9553A/9554A/9555A/9556A內部集成了500V功率MOSFET，無需次級反饋電路，也無需補 償電路，加之精準
2016-06-16 20:42:44
的第一款SiC功率晶體管以1200 V結型場效應晶體管（JFET）的形式出現。SemiSouth實驗室遵循JFET方法，因為當時雙極結晶體管（BJT）和MOSFET替代品具有被認為是不可克服的障礙。雖然
2023-02-27 13:48:12
另一方面，按照現在的技術水平，SiC-MOSFET的MOS溝道部分的遷移率比較低，所以溝道部的阻抗比Si器件要高。 因此，越高的門極電壓，可以得到越低的導通電阻（VCS=20V以上則逐漸飽和）。 如果
2023-02-07 16:40:49
的導通電阻。不僅能夠以小封裝實現低導通電阻，而且能夠使門極電荷量Qg、結電容也變小。SJ-MOSFET只有900V的產品，但是SiC卻能夠以很低的導通電阻輕松實現1700V以上的耐壓。因此，沒有必要再
2019-04-09 04:58:00
，1200V產品可支持50A的裸芯片。而且在進行1700V高耐壓產品的開發。下表為機型名中符號的意義及當前供應中的產品陣容一覽。此外，機型名的最后帶有HR的表示為支持車載產品，符合AEC-Q101標準
2018-12-04 10:09:17
10倍的絕緣擊穿場強,所以不僅能保持實際應用特性且可耐高壓。ROHM的650V和1200V的SiC-SBD已經實現量產，1700V產品正在開發中。SiC-SBD和Si-PN結二極管通過Si二極管來應對
2018-11-29 14:35:50
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉換器SiC/GaN具有的優勢
2021-03-10 08:26:03
的導通電阻。不僅能夠以小封裝實現低導通電阻，而且能夠使門極電荷量Qg、結電容也變小。SJ-MOSFET只有900V的產品，但是SiC卻能夠以很低的導通電阻輕松實現1700V以上的耐壓。因此，沒有必要再
2019-05-07 06:21:55
半導體有限公司的第一大股東，是行業龍頭天科合達。11月中旬，天科合達舉辦了“8英寸導電型SiC襯底”新產品發布會，預計項目明年量產。這一量產時間，緊跟全球步伐。SiC大規模上車，三原因成加速上車“推手
2022-12-27 15:05:47
耐壓。Si-SBD在實際應用中耐壓極限大概為200V左右，而ROHM已經量產的SiC-SBD產品最高達1700V，并且還正在開發更高耐壓的產品。Si-PND屬于少數載流子，可同時實現遠超Si-SBD
2018-12-03 15:12:02
國產碳化硅MOS基于車載OBC與充電樁新技術：1 車載電源OBC與最新發展2 雙向OBC關鍵技術3 11kW全SiC雙向OBC電路4 OBC與車載DC/DC集成二合一5 車載DC/DC轉換電源電路比較6 充電樁電源電路
2022-06-20 16:31:07
，1700V，60A，SIC，這個管子的Qg是256nC，Rg=1.8Ω，tdon和tr分別為52ns和32ns。IXDN609SI的一部分參數和驅動的電路原理圖如下
目前的狀況是ACPL-333J的輸出
2023-06-10 15:32:20
10A, 1700V, G5 ZREC SIC SCHOTTKY
2023-03-27 14:48:35
650A 1700V SIC HALF-BRIDGE
2023-12-13 05:43:29
MOS GATE DRIVER 62MM 1700V SIC
2023-03-27 12:29:45
SIC DIODE 1700V 5A TO-247-2
2023-03-27 13:46:43
SIC DIODE 1700V 25A TO-247-2
2023-03-27 14:44:42
1700V 15A TO-247-2 SIC SCHOTTKY
2023-03-27 14:49:29
1700V 25A TO-247-2 SIC SCHOTTKY
2023-03-27 13:34:26
1700V 50A SIC SBD PARALLEL
2023-03-29 15:19:22
SIC SCHOTTKY DIODE 1700V TO247-2
2023-03-29 15:13:55
和GaN的特性比較 氧化鎵（GaO）是另一種帶隙較寬的半導體材料，GaO的導熱性較差，但其帶隙（約4.8 eV）超過SiC，GaN和Si，但是，GaO在成為主要動力之前將需要更多的研發工作。系統參與者
2022-08-12 09:42:07
電壓（600V、1200V、1700V）均對應于常用電網的電壓等級。考慮到過載，電網波動，開關過程引起的電壓尖峰等因素，通常電力電子設備選擇IGBT器件耐壓都是直流母線電壓的一倍。如果結構、布線、吸收
2022-05-10 10:06:52
DIODE SIC SCHOTTKY 1700V 10A
2023-03-27 14:48:42
DIODE SIC SCHOTTKY 1700V 50A
2023-03-27 13:30:39
、根據評估版原理圖，分析SIC MOS的驅動和保護方案。2、搭建一個非隔離的半橋結構的雙向DC-DC變換器樣機。預期參數：高壓端400V，低壓端200V，開關頻率250KHZ，電流10A。3、對DSP
2020-04-24 18:08:05
`收到了羅姆的sic-mosfet評估板，感謝羅姆，感謝電子發燒友。先上幾張開箱圖，sic-mos有兩種封裝形式的，SCT3040KR，主要參數如下：SCT3040KL，主要參數如下：后續準備搭建一個DC-DC BUCK電路，然后給散熱器增加散熱片。`
2020-05-20 09:04:05
1700V耐壓的產品。Si-PND通過在n-層積蓄少數載流子空穴而使電阻值下降，因此可同時實現遠遠超過Si-SBD的高耐壓與低電阻，但關斷速度較慢。盡管FRD是Si-PND中提高了速度的產品，但其trr
2018-11-29 14:33:47
業內先進的 AC/DC轉換器IC ，采用 一體化封裝 ，已將1700V耐壓的SiC MOSFET*和針對其驅動而優化的控制電路內置于 小型表貼封裝 （TO263-7L）中。主要適用于需要處理大功率
2022-07-27 11:00:52
SiC功率模塊”量產。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關并可大幅降低損耗。關于這一點，根據這之前介紹過的SiC-SBD和SiC-MOSFET的特點與性能，可以很容易理解
2018-11-27 16:38:04
SiC-MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管的相關內容，有許多與Si同等產品比較的文章可以查閱并參考。采用第三代SiC溝槽MOSFET，開關損耗進一步降低ROHM在行業中率先實現了溝槽結構
2018-11-27 16:37:30
本文介紹了一個新的1700V 25A至300A快速恢復二極管（FRD）系列。實驗結果與數值模擬結果一致，表明采用SIPOS、SIN和聚酰亞胺鈍化法的橫向摻雜變化（VLD）可以實現穩定的1700V
2023-02-27 09:32:57
ROHM一直專注于功率元器件的開發。最近推出并已投入量產的“SCT2H12NZ”，是實現1700V高耐壓的SiC-MOSFET。是在現有650V與1200V的產品陣容中新增的更高耐壓版本。不僅具備
2018-12-04 10:11:25
ROHM一直專注于功率元器件的開發。最近推出并已投入量產的“SCT2H12NZ”，是實現1700V高耐壓的SiC-MOSFET。是在現有650V與1200V的產品陣容中新增的更高耐壓版本。不僅具備
2018-12-05 10:01:25
求推薦一下。可以實現數字轉模擬的接口的國產芯片12位到16位可以輸出0~5V,或者0~10V,輸出電流4~20mA這個暫時還沒有奢望。其他不限，原來使用的ADI的，現在價格實在太貴了。想找個國產的DAC試試。謝謝啦
2022-04-18 13:50:20
CH32V307 配套國產千兆PHY芯片，全套國產。官方有沒有做過適配
2022-06-16 07:08:56
MOS的結構碳化硅MOSFET（SiC MOSFET）N+源區和P井摻雜都是采用離子注入的方式，在1700℃溫度中進行退火激活。一個關鍵的工藝是碳化硅MOS柵氧化物的形成。由于碳化硅材料中同時有Si和C
2019-09-17 09:05:05
CRD-060DD17P-2，采用市售1700V碳化硅（SiC）MOSFET的單端反激式轉換器設計演示板。該設計采用1700V SiC MOSFET，采用新型7LD2PAK表面貼裝封裝，占板面
2019-04-29 09:25:59
用推挽電路做大功率sic-mos管的驅動，有什么辦法可以輸出+21/-6的pwm信號嘛?
2022-04-19 10:47:30
。Si-SBD的耐壓極限為200V，而SiC具有硅10倍的擊穿場強，故ROHM已經開始量產1200V的產品，同時在推進1700V耐壓的產品。Si-PND通過在n-層積蓄少數載流子空穴而使電阻值下降，因此可同時實現
2019-07-10 04:20:13
1700V?SiC MOSFET+AC/DC轉換器 評估板BD7682FJ-EVK-401為三相AC400～690V輸入 24V/1A輸出，搭載了ROHM適用于大功率工業設備的1700V高耐壓SiC
2020-02-20 11:50:40
使用的N-ch 1700V 3.7A的SiC-MOSFET：SCT2H12NZ（右）的導通電阻與VGS特性比較圖。從比較圖中可以看出，上述IC的柵極驅動電壓在每種MOSFET將要飽和前變為VGS。由于該比較不是
2018-11-27 16:54:24
市場現有芯片的直徑尺寸較小（150mm），尤其是離子注入或摻雜劑激活等制程與半導體元件制程使用的常規層不相容。因此，這些特異性需要特殊的集成方案。使用這些方法將可以實現截止電壓高于1200V和1700V
2019-06-27 04:20:26
ROHM在全球率先實現了搭載ROHM生產的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關并可大幅降低
2018-12-04 10:11:50
驅動1700V IGBT的幾種高性能IC 選型設計:通過對幾種常用的1700V IGBT 驅動專用集成電路進行詳細的分析，對M579 系列和CONCEPT 公司的2SD 系列進行深入的討論，給出了電氣特性參數和內部
2009-06-19 20:29:52
39 1700V、17.5mΩ、120A、第 3 代裸片 SiC MOSFETWolfspeed 憑借我們的首款工業級第 3 代 1700 V 裸片 SiC MOSFET 繼續在碳化硅 (SiC) 領域
2023-07-28 14:21:34
華潤微電子有限公司旗下的華潤上華科技有限公司（后簡稱“華潤上華”）宣布已開發完成600V和1700V Planar NPT IGBT（平面非穿通型絕緣柵雙極晶體管）以及600V Trench PT IGBT（溝槽穿通型絕緣
2012-05-29 08:47:481938 G2S17010A 1700V 10A 碳化硅肖特基功率二極管
正溫度系數，易于并聯使用?
不受溫度影響的開關特性?
最高工作溫度175℃
?零反向恢復電流? 零正向恢復電壓
2016-06-23 17:56:191 今年即將發布的iphone8多次被曝光會采用AR技術，并且豎排分布的攝像頭就是為了這一技術而準備，不過，這一次可能要被截胡了，國產手機率先用上。
2017-05-22 09:41:401548 國產芯片替代這一國家發展戰略正在顯示出成效。隨著國內資金大規模投入、技術引進后自主研發形成突破，國產芯片有望在未來幾年內迅速崛起，這給相關領域的上市公司帶來發展前景。
2017-12-20 10:46:544622 近日，中科院微電子研究所微波器件與集成電路研究室（四室）碳化硅電力電子器件研究團隊在SiC MOSFET器件研制方面取得重要進展，成功研制出1200V/15A、1700V/8A SiC MOSFET器件。
2018-04-20 11:33:001922 海市政府新聞辦發放了全國首批智能網聯汽車開放道路測試牌照，蔚來、上汽率先上路。下一步，將分級逐步開放更多的道路環境用于智能網聯汽車測試。
2018-03-03 07:22:40912 Littelfuse公司近期推出了首款1700V SiC 器件，使其在碳化硅（SiC）MOSFET上的產品更加豐富。
2018-09-26 11:32:173606 今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000，擴充了其碳化硅MOSFET器件組合。 LSIC1MO170E1000既是Littelfuse碳化硅MOSFET產品
2018-10-23 11:34:375600 支持電動和混合動力汽車、數據中心和輔助電源等高頻、高效電源控制應用 Littelfuse公司，今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000，擴充了其碳化硅MOSFET器件組合。
2018-11-03 11:02:414694 ROHM面向以戶外發電系統和充放電測試儀等評估裝置為首的工業設備用電源的逆變器和轉換器，開發出實現行業領先*可靠性的、額定值保證1700V/250A的全SiC功率模塊“BSM250D17P2E004”。
2019-04-24 13:06:522469 SiC SBD和 MOS是目前最為常見的 SiC 基的器件，并且 SiC MOS 正在一些領域和 IGBT爭搶份額。我們都知道，IGBT 結合了 MOS 和 BJT 的優點，第三代寬禁帶半導體SiC
2020-03-20 15:56:284190 金升陽緊跟功率半導體市場動向，推出QAxx3D-2GR3（下文稱：QA-R3系列驅動電源），可有效應用于1700V及以下電壓的IGBT/SiC MOSFET上。
2021-05-07 11:49:581413 參考板"REF_62W_FLY_1700V_SiC"是為支持客戶采用SIC MOSFET設計輔助電源而開發的。該參考板旨在支持客戶為三相系統設計輔助電源，工作電壓范圍在200VDC至1000VDC
2021-09-07 14:11:032396 
在開關頻率、散熱、耐壓、功率密度方面優勢更為凸顯。 下文主要對國產SiC MOSFET進行介紹并與國外相近參數的主流產品相對比。 國產1700V SiC MOSFET 派恩杰2018年開始專注于第三代半導體SiC、GaN的功率器件的研究。公司成立半年后就研制出了首款650V GaN功率器件，在基于
2021-09-16 11:05:374228 自2018年特斯拉Model3率先搭載基于全SiC MOSFET模塊的逆變器后，全球車企紛紛加速SiC MOSFET在汽車上的應用落地。
2021-12-08 15:55:511670 
?東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）已推出兩款碳化硅(SiC) MOSFET雙模塊：額定電壓為1200V、額定漏極電流為600A的“MG600Q2YMS3”；額定電壓為1700V、額定
2022-02-01 20:22:024606 要使用的MOS管還是有所差異的，因此今天仁懋電子整理了這一份儲能電源可使用的國產MOS管合集，供廣大電子工程師參。 目前國產MOS管中，可替換多款場效應管產品使用的具體型號為：MOT4112T、MOT4115T、MOT8112T、MOT8123T、MOT8118T、MOT1120T、MOT1
2022-07-26 14:35:303005 
Power Integrations （PI） 宣布為其 InnoSwitch?3-AQ 系列新增兩款 1700 伏額定 AEC-Q100 合格 IC。新的解決方案包括用于汽車級開關電源的碳化硅
2022-07-29 08:07:271216 
相比于硅基高壓器件，碳化硅開關器件擁有更小的導通電阻和開關損耗。電力電子系統需要輔助電源部分用來驅動功率器件，為控制系統及散熱系統等提供電源。額定電壓1700V的SiC MOSFET為高壓輔助電源提供了設計更簡單，成本更低的解決方案。
2022-08-01 14:18:582310 Infineon，最新1700V的SiC MOSFET產品。62W輔助電源參考設計
2022-08-28 11:17:068 使用SIC MOS的開發人員是越來越多，但驅動電壓到底選15V還是18V，每個人都有自己的理解，今晚聽許老師講SIC MOS驅動技術，有些感悟分享給大家。
2022-11-07 10:57:582122 安森美宣布將其碳化硅(SiC)系列命名為“EliteSiC”。在本周美國拉斯維加斯消費電子展覽會(CES)上，安森美將展示EliteSiC 系列的3款新成員：一款1700 V EliteSiC
2023-01-04 13:46:19433 重點必看內置1700V耐壓SiC MOSFET的小型表貼封裝AC/DC轉換器IC：BM2SC12xFP2-LBZ－規格篇－使采用了SiC MOSFET的高效AC/DC轉換器的設計更容易支持自動安裝的小型解決方案&...
2023-02-08 13:43:19389 
內置1700V耐壓SiC MOSFET的小型表貼封裝AC/DC轉換器IC：BM2SC12xFP2-LBZ－優點篇－使采用了SiC MOSFET的高效AC/DC轉換器的設計更容易可自動安裝的小型表貼封裝BM2SC12x...
2023-02-08 13:43:21390 
“BM2SCQ12xT-LBZ”是面向大功率通用逆變器、AC伺服、工業用空調及街燈等工業設備開發的內置1700V耐壓SiC MOSFET的AC/DC轉換器IC。
2023-02-09 10:19:23656 
ROHM面向以戶外發電系統和充放電測試儀等評估裝置為首的工業設備用電源的逆變器和轉換器，開發出實現行業領先*可靠性的、額定值保證1700V/250A的全SiC功率模塊“BSM250D17P2E004”。
2023-02-09 10:19:24518 
ROHM一直專注于功率元器件的開發。最近推出并已投入量產的“SCT2H12NZ”，是實現1700V高耐壓的SiC-MOSFET。是在現有650V與1200V的產品陣容中新增的更高耐壓版本。
2023-02-13 09:30:05434 
1700V是IGBT的主流電壓等級之一，廣泛應用于風力發電、無功補償（SVG）、智能電網，以及中高壓變頻器等領域。
2023-02-15 14:11:401686 1700V以下大功率IGBT智能驅動模塊使用手冊 （采用100%國產化元器件設計） 云南拓普科技出品的系列大功率IGBT智能驅動模塊是特別為100%國產化需求企業推出的一款可靠、安全的高性能驅動模塊
2023-02-16 15:01:5512 自己的模板 研究 報告《 2023國產sic上車關鍵年》，如需領取報告，請關注公眾號，后臺回復 ? SiC? 即可領取！ 聲明 ： 本文由電子發燒友原創 ，轉載請注明以上來源。如需入群交流 ，請添加
2023-03-11 13:15:02332 ModelName：ASC5N1700MT3Package：TO-247-3LVoltage：1700VRon：1000mohmTemperatureRange：-40～150°CStatus
2022-03-04 10:51:05495 
新品EasyPACK2B75A1700VIGBT三相橋模塊和2200VEasyBRIDGE整流模塊1700V電機驅動功率半導體解決方案，包括EasyPACK2B75A1700VIGBT三相橋模塊
2023-01-29 17:41:441189 
本土企業開始嶄露頭角，而日本車企偏向于選擇日本供應商。 相比IGBT，SiC功率器件具有更高開關速度、更低開關損耗、更高效率和耐用性等特點，轉化為汽車最直觀的體驗就是續航能力更長，更易于輕量化車身設計。特斯拉率先將SiC用于其爆款車型Model 3上，其也成
2023-08-11 17:07:36465 
芯塔電子1700V/5Ω SiC MOSFET主要應用新能源汽車電池電壓檢測和絕緣監測。該應用場景中，使用碳化硅方案可以有效提升光耦繼電器整體性能，使之響應速度更快、體積縮小、壽命延長等，對提升車輛電源系統整體效能、可靠性及安全性有著重要意義。
2023-08-16 11:49:31285 
?首搭國內首款自研車規級7nm量產芯片“龍鷹一號”，魅族車機系統首發上車。
2023-09-14 16:12:30484 電源中，由于母線電壓和功率不同，一般會選用單管反激或雙管反激拓撲，無論那種拓撲都離不開核心的功率器件，即1500V~1700V 功率MOS。
2023-10-16 11:38:05759 
市場空間巨大，SiC國產化趨勢加速
2023-01-13 09:07:052 2023年國產SiC上車
2023-10-31 23:02:000 11月27日，瞻芯電子開發的首款1700V碳化硅(SiC)MOSFET產品(IV2Q171R0D7Z)通過了車規級可靠性認證(AEC-Q101), 導通電阻標稱1Ω，
2023-11-30 09:39:18756 
瑞森半導體在工業電源上的應用上：主推碳化硅(SiC)二極管/超結MOS，助力廠家及品牌，打造高質、高性能產品。
2023-12-11 11:33:13194 
瑞森半導體在工業電源上的應用上：主推碳化硅(SiC)二極管/超結MOS，助力廠家及品牌，打造高質、高性能產品。
2023-12-11 11:56:42207 
基于SiC功率器件的整機應用系統解決方案，各項性能指標達到國際水平，提供各類規格參數的SiC MOS定制化服務。
2024-01-04 17:30:53284 
近日，廣東致能科技團隊與西安電子科技大學廣州研究院/廣州第三代半導體創新中心郝躍院士、張進成教授團隊等等合作攻關，通過采用廣東致能科技有限公司的薄緩沖層AlGaN / GaN外延片，基于廣州第三代半導體創新中心中試平臺，成功在6英寸藍寶石襯底上實現了1700V GaN HEMTs器件。
2024-01-25 10:17:24365 
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