旋轉圓盤與旋轉輪類似，不同之處在于旋轉圓盤不是擺動整個圓盤，而是用掃描離子束的方式在整個晶圓表面獲得均勻的離子注入。下圖說明了旋轉圓盤系統。
2023-06-06 10:43:44
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阱區注入的工藝說明如下圖所示，是高能量離子注入過程，因為它需要形成阱區建立MOS晶體管。NMOS晶體管形成于P型阱區內，而P型晶體管形成于N型阱區。
2023-06-09 11:31:083889 
統的硅功率器件工藝中，高溫擴散和離子注入是最主要的摻雜控制方法，兩者各有優缺點。一般來說，高溫擴散工藝簡單，設備便宜，摻雜分布輪廓為等向性，且高溫擴散工藝引入的晶格損傷低。離子注入工藝復雜且設備昂貴，但它可獨立控制摻雜元素的濃度和結深，雖然也會給襯底引入大量的點缺陷和擴展缺陷。
2023-12-22 09:41:21704 
離子注入是將離子源產生的離子經加速后高速射向材料表面，當離子進入表面，將與固體中的原子碰撞，將其擠進內部，并在其射程前后和側面激發出一個尾跡。這些撞離原子再與其它原子碰撞，后者再繼續下去，大約在10-11s內，材料中將建立一個有數百個間隙原子和空位的區域。
2019-10-30 09:10:53
離子注入工藝資料~還不錯哦~
2012-08-01 10:58:59
常見的故障注入架構（這是基于我們的FIU故障注入單元的實例）。圖2單故障總線架構 在圖2中顯示的架構使用的是我們的故障注入單元（40-195和40-196）。在這兩個輸入連接是成對的，然后組合的一對
2015-03-05 09:39:47
問題。為了克服這些挑戰，半導體業界不斷開發出一系列的先進工藝技術，例如多晶硅柵、源漏離子注入自對準、LDD離子注入、polycide、Salicide、SRD、應變硅和HKMG技術。另外，晶體管也從
2018-09-06 20:50:07
Mask ROM存儲單元構成高度集成化的NAND構成。（1個晶體管單元）數據的寫入方法在Wafer過程內寫入信息"1"：將離子注入晶體管"0"：不注入離子數據
2019-07-22 04:20:16
業界不斷開發出一系列的先進工藝技術，例如多晶硅柵、源漏離子注入自對準、LDD離子注入、polycide、Salicide、SRD、應變硅和HKMG技術。另外，晶體管也從MOSFET演變為FD-SOI
2018-11-06 13:41:30
今日分享晶圓制造過程中的工藝及運用到的半導體設備。晶圓制造過程中有幾大重要的步驟：氧化、沉積、光刻、刻蝕、離子注入/擴散等。這幾個主要步驟都需要若干種半導體設備，滿足不同的需要。設備中應用較為廣泛
2018-10-15 15:11:22
【作者】：李璠;曾晨暉;【來源】：《測控技術》2010年03期【摘要】：后驅動技術作為故障注入的有效方法,適用于數字電路在線故障注入,然而后驅動技術對器件產生的加速退化作用不容忽視。在分析后驅動技術
2010-04-22 11:29:19
圖形處理在多媒體技術應用方面的經驗和成果
2021-02-01 06:07:29
請問各位大俠 有用過離子傳奇的嗎，針對鈉離子檢測的，或者有這方面的資料，資源，網站介紹的！！！
2015-05-12 11:54:43
周期性陣列中。將單元放入一系列重復項中將有助于提高增益。
在第一步中，天線單元是自行評估的。現在使用無限天線陣列的周期元素重復該過程。
工程師會注意到增益、回波損耗、旁瓣和波束控制等特性
2023-05-05 09:58:32
介質層進行P型雜質離子注入和N型雜質離子注入，進而形成P-層及JFET層。然后將JEFT層的中間區域作為半導體器件結構的JFET區域，在JEFT區域兩側進行離子注入，形成半導體器件結構的體區域。接著再
2020-07-07 11:42:42
使用等離子清洗技術清洗晶圓去除晶圓表面的有機污染物等雜質，但是同時在等離子產生過程中電極會出現金屬離子析出，如果金屬離子附著在晶圓表面也會對晶圓造成損傷，如果在使用等離子清洗技術清洗晶圓如何規避電極產生的金屬離子？
2021-06-08 16:45:05
如題，尋求一種Si襯底上N+離子注入的有效單項監控手段
2021-04-01 23:50:33
想學音影方面的技術，球推薦入門書籍和器材
2015-11-05 00:45:21
最新總線技術在儀器控制與連接方面的遠景簡介過去二十多年間﹐科學家與工程師已在自動化儀器系統中廣泛使用IEEE 488 和通用接口總線GPIB。當大眾化電腦技術進入測試與測量領域﹐并在連接儀器
2009-10-23 18:35:10
采用軟件注入技術的優勢和可行性，針對采用C8051F023的嵌入式系統，討論了基于C8051F023的軟件注入實現方案和相關的一些問題，并編寫了V2程序以完善C8051F023集成開發環境在實現軟件注入方面的功能。
2021-04-22 06:11:54
MOS的結構碳化硅MOSFET（SiC MOSFET）N+源區和P井摻雜都是采用離子注入的方式，在1700℃溫度中進行退火激活。一個關鍵的工藝是碳化硅MOS柵氧化物的形成。由于碳化硅材料中同時有Si和C
2019-09-17 09:05:05
了功率密度。圖2 新型MOSFET的平直功率損耗曲線使它可以工作在更高的頻率 理想的封裝技術 半導體器件在改善功率密度方面受到許多限制。需要被控制器件內部的功率消耗以減小它對電路板面積和器件之間
2012-12-06 14:32:55
現代測控技術在電力電子方面的應用，需要一個實例，求指導
2015-10-22 16:34:34
蝕刻。在集成電路修改方面有著重要應用。3.3 離子束沉積薄膜 利用離子束的能量激發化學反應來沉積金屬材料和非金屬材料。通過氣體注入系統將一些金屬有機物氣體噴涂在樣品上需要沉積的區域，當離子束聚焦在該區
2020-02-05 15:13:29
請問各位大俠，離子注入時有遇到做V-CURVE時，出現倒著的拋物線嗎？急，在線等，謝謝！
2018-08-05 19:29:33
【作者】：秦希峰;季燕菊;王鳳翔;付剛;趙優美;梁毅;【來源】：《濟南大學學報(自然科學版)》2010年02期【摘要】：鑒于利用離子注入技術摻雜制作光電集成器件時,離子注入半導體材料的射程分布、射程
2010-04-22 11:36:02
很快。鋰離子電池首先應用于電子產品，主要包括手機、筆記本電腦、數碼相機、移動DVD、攝像機、MP3等。 從2005年各類小型二次電池的市場情況可以看出，鋰離子電池在電子產品方面的銷售額和市場份額逐年
2013-06-11 11:33:01
前工序圖形轉換技術：主要包括光刻、刻蝕等技術薄膜制備技術：主要包括外延、氧化、化學氣相淀積、物理氣相淀積(如濺射、蒸發) 等摻雜技術：主要包括擴散和離子注入等技術 后工序劃片封裝測試老化篩選 :
2018-11-26 16:16:13
用氮離子注入的方法制備了4H-SiC歐姆接觸層。注入層的離子濃度分布由蒙特卡羅分析軟件 TRIM模擬提取，Si面4H-SiC-Ni/Cr合金歐姆接觸的特性由傳輸線方法結構進行了測量，得到氮離
2009-02-28 09:38:29
25 MAVR-000320-11410T低電壓、低 Rs Si HyperabruptMA4ST300 系列是采用 SC79、SC70 3LD 和 SOD-323 表面貼裝封裝的離子注入、超突變結、硅
2023-02-09 15:12:03
M5525100－1/UM型大角度離子注入機:M5525100－1/UM 型大角度離子注入機可滿足100 納米，8 英寸集成電路制造工藝的要求，適合源漏區的大角度暈、袋、柵閾值調整、阱等注入，可獲得良好
2009-12-19 12:57:0212 離子注入技術又是近30年來在國際上蓬勃發展和廣泛應用的一種材料表面改性高新技術。
2011-05-22 12:13:574275 
本文詳細介紹離子注入技術的特點及性能，以及離子注入技術的英文全稱。
2011-05-22 12:13:294861 
簡述了離子注入技術的發展趨勢及典型應用，并簡要分析了該領域的技術發展方向。
2011-05-22 12:10:3110636 
詳細介紹離子注入技術的工作原理和離子注入系統原理圖。
2011-05-22 12:24:1618742 
離子注入的特點,與通常的冶金方法不同,離子注入是用高能量的離子注入來獲得表面合金層的,因而有其特點。
2011-05-22 12:27:084337 離子注入設備和方法:最簡單的離子注入機（圖2）應包括一個產生離子的離子源和放置待處理物件的靶室。
2011-05-22 12:29:557367 
在玻璃基體上,采用射頻磁控濺射方法在不同的基體溫度下制備了TiO2 薄膜,然后在薄膜中注入注量分別為5 1016 , 1 1017和5 1017 / cm2 的N離子以制備N摻雜的TiO2 薄膜。X射線衍射結果表明:制備
2011-05-22 12:32:4116 離子注入是現代集成電路制造中的一種非常重要的技術,其利用離子注入機實現半導體的摻雜,即將特定的雜質原子（Dopant）以離子加速的方式注入硅半導體晶體內改變其導電特性并最終
2011-05-22 12:34:0083 離子注八材料表面陡性技術， 是材料科學發展的一個重要方面。文中概述7等離子體源離子注八技術的特點 基皋原理 應用效果。取覆等離子體源離子注八技術的發展趨勢。例如， 除7在
2011-05-22 12:35:2948 半導體工藝中應用的離子注入是將高能量的雜質離子導入到半導體晶體，以改變半導體，尤其是表面層的電學性質． 注入一般在50-500kev能量下進行 離子注入的優點 注入雜質不受材料溶
2011-05-22 12:37:320 給金屬表面注入一定的高能離子，這些離子與金屬中的元素以及真空氣氛中的某些元素在金屬表面形成一種表面臺金．借以改善金屬表面的性能。本文通過大量的實驗和分析得知，在碳
2011-05-22 12:39:0661 離子注入是另一種對半導體進行摻雜的方法。將雜質電離成離子并聚焦成離子束，在電場中加速而獲得極高的動能后，注入到硅中（稱為 靶 ）而實現摻雜。 離子束是一種帶電原子或帶
2011-05-22 12:40:530 系統介紹了金屬表面改性用離子注入的機理和特點。剖析了溫度、注入劑量、離子種類等影響因子對改性層效果的影響，綜述了該技術在提高強度和硬度、改善磨損性能、降低摩擦系數
2011-05-22 12:42:2368 離子注入是另一種對半導體進行摻雜的方法。將雜質電離成離子并聚焦成離子束，在電場中加速而獲得極高的動能后，注入到硅中（稱為 靶 ）而實現摻雜。 離子束的性質 離子束是一種
2011-05-22 12:43:520 高能束加工 常用的高能密度束流加工方法主要是: 激光加工、電子束加工、離子束加工等。 高能密度束流加工的共同特點： 加工速度快，熱流輸入少，對工件熱影響小，工件變形小。
2011-05-22 12:53:210 表面熱處理中的金屬表面滲碳或滲氮, 主要是依靠元素的擴散。盡管在加大濃度差和提高處理溫度方面采取了措施, 但仍需要幾十個小時, 這與我們時代的高速度、快節奏太不協調了。離
2011-05-22 12:54:4155 離子注入的特點是加工溫度低，易做淺結，大面積注入雜質仍能保證均勻，摻雜種類廣泛，并且易于自動化。由于采用了離子注入技術，大大地推動了半導體器件和集成電路工業的發展
2011-05-22 12:56:47118 上帝在調情 發表于: 2010-5-28 10:45 來源: 電子發燒友網 1． 什么是離子注入? 離子注入（Ion Implant）是一種把高能量的摻雜元素的離子注入半導體晶片中，以得到所需要的摻雜濃度和結深的
2011-05-22 13:00:000 離子束注入技術概述 基本原理：離子束射到固體材料以后，受到固體材料的抵抗而速度慢慢減低下來，并最終停留在固體材料中，這一現象就叫做離子注入。 用能量為100keV量級的離子
2011-05-22 13:00:550 離子注入生物誘變是不同于傳統輻射生物學的人工誘變新方法。在離子注入生物誘變實驗中, 真空室真空度及其穩定性影響著生物樣品的存活狀態; 注入劑量決定著生物樣品的輻射損傷程
2011-05-22 13:02:410 F根據直升機傳動系統干運轉能力的要求,用銷盤試驗機測定了Mo離子注入量及潤滑條件對齒輪鋼I2Cr2Ni4a摩擦副摩擦因數和磨損量的影響I結果表明FMo離子注入對摩擦因數影響很小,但可大大
2011-05-22 13:06:0042 電子發燒友為大家整理的離子注入技術專題有離子注入技術基本知識、離子注入技術論文及離子注入技術培訓學習資料。離子注入技術就是把摻雜劑的原子引入固體中的一種材料改性方
2011-05-22 16:40:46
設計了一個工作在S波段矢量陣列的天線單元，利用HFSS軟件進行優化和仿真。實測結果表明，該天線在E面和H面的交叉極化電平分別小于-26 dB和-23 dB，兩個端口之間的隔離度大于32 dB。該
2013-06-25 16:17:2215 本文詳細介紹了離子注入高效SE電池。
2017-11-06 17:27:083 近日，中車時代電氣SiC產業化基地離子注入工藝設備技術調試完成，標志著SiC芯片生產線全線設備、工藝調試圓滿完成，具備SiC產品的生產條件，下個月產線將正式啟動試流片。
2018-01-15 09:50:096732 近日有消息顯示，萬業企業（600641.SH）全資子公司凱世通的低能大束流集成電路離子注入機已搬進杭州灣潔凈室，目前正在根據集成電路芯片客戶工藝要求，進行離子注入晶圓驗證。
2019-12-31 10:04:085297 近日，從電科裝備旗下爍科中科信公司傳來喜訊，公司研發的12英寸中束流離子注入機順利發往某集成電路大產線，這臺由客戶直接采購的設備如期交付，標志著公司國產離子注入機市場化進程再上新臺階。
2020-06-23 10:20:284019 據業內人士透露，中國知名電子企業中國電子科技集團有限公司近日取得重大技術突破，其自主研發的高能離子注入機已成功實現百萬電子伏特高能離子加速，其性能達國際主流先進水平。
2020-06-28 11:36:023688 離子注入機是高壓小型加速器中的一種，是由離子源得到所需要的離子，經過加速得到幾百千電子伏能量的離子束流，用做半導體材料、大規模集成電路和器件的離子注入，還能用于太陽能電池等的制造。
2020-10-10 16:55:453314 
去它主頁了解。 重點介紹激光領域用到的一款設備： 主要是注入H離子用的，可以達到400KeV的H+離子注入。 主頁：http://www.nissin-ion.co.jp/en/sitemap.html 2016年，日本日新離子機株式會社與揚州經濟技術開發區簽訂了合作協議。日新株式會社將在揚州
2020-11-20 10:03:276458 離子注入作為半導體常用的摻雜手段，具有熱擴散摻雜技術無法比擬的優勢。列表對比 摻雜原子被動打進到基板的晶體內部，但是它是被硬塞進去的，不是一個熱平衡下的過程，雜質一般也不出在晶格點陣上，且離子軌跡
2020-11-20 10:10:305208 
目前，離子注入機行業主要由美國廠商壟斷，應用材料（Applied Materials）、亞舍立（Axcelis）合計占據全球 85%-90%的市場，存在較高競爭壁壘，也是解決芯片國產化設備卡脖子的關鍵環節。
2020-12-04 10:21:293635 很多人都知道，離子注入機是集成電路制造前工序中的關鍵設備，而中國電子科技集團有限公司旗下裝備子集團就是在離子注入機方面取得了重大突破，其成功實現了離子注入機全譜系產品國產化，包括中束流、大束流、特種應用及第三代半導體等離子注入機，工藝段覆蓋至28nm，累計形成了413項核心發明專利。
2021-04-17 08:14:194126 為鋰離子電池組注入安全性(高頻開關電源技術及應用答案)-為鋰離子電池組注入安全性? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?
2021-09-23 17:55:018 是將3族或5族的離子加速到電場，使其具有足以穿透硅表面的大能量，注入到硅中的工藝，通過在硅中興奮劑摻雜不純離子，部分導電。 為了形成源/垂域，要經過高度量的離子注入工藝，從而加速了光刻膠上部的輕化，因而消除該光
2022-07-01 15:16:081442 
與通過傳統熱擴散工藝進行摻雜的方式相比，離子注入摻雜具有如下優點。
2022-10-31 09:06:015608 高單元密度 MOSFET
2022-11-15 19:19:520 針對p-on-n長波碲鎘汞紅外焦平面探測器展開研究，器件采用原位摻In的LPE 技術在CdZnTe襯底上生長N型碲鎘汞薄膜，通過As離子注入及退火激活實現P摻雜，進而制備得到像元間距25μm，640×512陣列的p-on-n長波焦平面探測器
2022-12-05 15:00:11947 離子注入過程提供了比擴散過程更好的摻雜工藝控制（見下表）。例如，摻雜物濃度和結深在擴散過程中無法獨立控制，因為濃度和結深都與擴散的溫度和時間有關。離子注入可以獨立控制摻雜濃度和結深，摻雜物濃度可以
2023-05-08 11:19:331545 
離子注入是一種向襯底中引入可控制數量的雜質，以改變其電學性能的方法。它是一個物理過程，不發生化學反應。
2023-05-12 16:00:084597 
高電流的硅或錯離子注入將嚴重破壞單晶體的晶格結構，并在晶圓表面附近產生非晶態層。
2023-05-19 09:22:131960 
高溫爐廣泛用于進行注入后的熱退火。高溫爐的退火處理是一個批量過程，在850攝氏度至1000攝氏度情況下，通常約30min能處理100片晶圓。
2023-05-22 09:56:592495 
高壓直流電源用于加速離子，大約為200kV的DC電源供應系統被裝配在注入機內。為了通過離子源產生離子，需要用熱燈絲或射頻等離子體源。熱燈絲需要大電流和幾百伏的供電系統，然而一個射頻離子源需要大約
2023-05-26 14:44:171358 
當質譜儀選擇了所需的離子后，離子將進入后段加速區域，射束電流與最后的離子能量被控制在該區內，離子束電流利用可調整的葉片控制，而離子能量則由后段加速電極的電位控制。
2023-06-04 16:38:261185 
6.1.4半絕緣區域的離子注入6.1離子注入第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.1.3p型區的離子注入∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件
2022-01-06 09:23:25402 
6.1.3p型區的離子注入6.1離子注入第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.1.1選擇性摻雜技術∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件
2022-01-06 09:21:13565 6.1.6離子注入及后續退火過程中的缺陷行成6.1離子注入第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.1.5高溫退火和表面粗糙化∈《碳化硅技術基本原理——生長
2021-12-31 14:13:05466 6.1.5高溫退火和表面粗糙化6.1離子注入第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.1.4半絕緣區域的離子注入∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件
2021-12-31 14:25:52549 6.2.1反應性離子刻蝕6.2刻蝕第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.1.6離子注入及后續退火過程中的缺陷行成∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件
2021-12-31 10:57:22817 對于許多仍在使用旋轉輪的離子注入設備，大顆粒粒子可能掉落在晶圓表面，這如同一個高速導彈與建筑物的墻壁碰撞。
2023-06-30 10:11:24605 離子注入機是芯片制造中的關鍵裝備。在芯片制造過程中，需要摻入不同種類的元素按預定方式改變材料的電性能，這些元素以帶電離子的形式被加速至預定能量并注入至特定半導體材料中，離子注入機就是執行這一摻雜工藝的芯片制造設備。
2023-06-30 16:41:19412 來源：芯智訊，謝謝 編輯：感知芯視界 6月29日，據中國電子科技集團有限公司（以下簡稱“中國電科”）官方消息，該集團旗下中電科電子裝備集團有限公司（以下簡稱“電科裝備”）已實現國產離子注入機28納米
2023-07-03 09:16:46651 離子注入機是芯片制造中的關鍵裝備。在芯片制造過程中，需要摻入不同種類的元素按預定方式改變材料的電性能，這些元素以帶電離子的形式被加速至預定能量并注入至特定半導體材料中，離子注入機就是執行這一摻雜工藝的芯片制造設備。
2023-07-03 15:05:55593 
硅表面的薄片電阻。離子注入過程中，薄片電阻R由Rs=p/t定義。電阻系數主要由摻雜物濃度決定，厚度方主要由摻雜結深決定，結深由摻雜物離子的能量決定。薄片電阻的測量可以提供有關摻雜物濃度的信息，因為結深可以由已知的離子能量、離子種類和襯底材料估計。
2023-07-07 09:51:172240 
在常規離子注入中，三氟化硼常用于形成P型淺結的注入不是B,因為BF2+離子大且重。B10H14,B18H22和硼烷（C2B10&或CBH）是研究中的大分子。
2023-07-21 10:18:571399 
譜儀可通過測量離子注入工藝后晶硅太陽能電池的H含量，來判定其鈍化效果是否符合電池生產標準，進而判斷太陽能電池的效率與性能。本期「美能光伏」將給您介紹離子注入技術在晶
2023-08-29 08:35:56376 
半導體的這些參數的最佳值。在廣泛使用的絕緣體上硅晶片的制造過程中，對硅的起泡和分裂過程進行了詳細的研究。因此，還對硅和化合物半導體的起泡過程進行了比較。這項比較研究在技術上是相關的，因為離子注入誘導的層分裂與直接晶片鍵合相結合，
2023-09-04 17:09:31317 
本文從離子注入工藝的溫度控制出發，研究了離子注入工藝中的束流、注入能量、接觸面粗糙度等因素對溫控的影響，并結合器件的I-V曲線，探究了碲鎘汞紅外探測器工藝中注入溫度的影響。
2023-09-29 10:45:002367 
想要使半導體導電，必須向純凈半導體中引入雜質，而離子注入是一種常用的方法，下面來具體介紹離子注入的概念。
2023-12-11 18:20:46764 
離子注入是一種重要的半導體工藝，用于在材料中引入離子，改變其物理和化學性質。離子注入仿真是對離子的注入過程進行建模和模擬，以幫助優化工藝參數并預測材料性能的變化。以下將詳細介紹離子注入仿真的模型
2023-12-21 16:38:19257 半導體改變電阻率的方式有三種，原位摻雜、擴散和離子注入，這三種方式分別過程如何，有何區別呢？
2024-01-05 18:21:111112 
隧道效應，又稱溝道效應，對晶圓進行離子注入時，當注入離子的方向與晶圓的某個晶向平行時，其運動軌跡將不再是無規則的碰撞，而是將沿溝道（原子之間的縫隙）運動并且很少受到原子核的碰撞
2024-01-08 10:25:42420 
對器件設計工程師來講，離子注入的濃度往往是需要關心的參數，什么樣的濃度對應什么樣的方阻，器件仿真參數輸入的是濃度，通過DSIMS測出來的也是濃度和深度的關系。
2024-01-26 13:37:02581 
在MEMS電容式壓力傳感器、平面硅電容器和RF MEMS開關中，離子注入均有應用。
2024-02-23 10:47:13181 
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