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電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術(shù)>一文告訴你如何驅(qū)動MOS管

一文告訴你如何驅(qū)動MOS管

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2018-12-16 19:40:27

MOS 驅(qū)動問題

需要個高頻方波電流源 借用信號發(fā)生器和UCC27524芯片 配合MOS來實現(xiàn)當(dāng)mos 不接通VDD時 G極可以正常產(chǎn)生方波 但是VDD接通后 UCC27524芯片就會被燒毀是電路有問題么紅孔
2016-04-10 08:02:14

MOS驅(qū)動變壓器隔離電路分析和應(yīng)用

和應(yīng)用和MOS驅(qū)動基礎(chǔ)和時間功耗計算。參考材料:《Design And Application Guide For High Speed MOSFET Gate Drive Circuits》是份很好
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MOS驅(qū)動電壓是DS之間的壓差還是正電壓

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2021-03-04 09:17:27

MOS驅(qū)動電壓問題

自己設(shè)計了MOS驅(qū)動電路,仿真時候上正常開關(guān),下管始終關(guān)斷,但是測得上柵源極之間電壓波形是這樣的,有個很大的抖動,想請教這是為什么?
2019-11-06 20:46:17

MOS驅(qū)動電路總結(jié)

也是不允許的。下面是我對MOSFET及MOSFET驅(qū)動電路基礎(chǔ)的點總結(jié),其中參考了些資料,非全部原創(chuàng)。包括MOS的介紹,特性,驅(qū)動以及應(yīng)用電路。1,MOS種類和結(jié)構(gòu)MOSFET是FET的
2011-11-07 15:56:56

MOS驅(qū)動電路的些分析

本帖最后由 24不可說 于 2018-7-9 17:25 編輯 MOS驅(qū)動電路綜述在使用MOS設(shè)計開關(guān)電源或者馬達驅(qū)動電路的時候,大部分人都會考慮MOS的導(dǎo)通電阻,最大電壓等,最大電流
2018-07-09 17:24:24

MOS驅(qū)動電路的相關(guān)資料下載

  在使用MOS設(shè)計開關(guān)電源或者馬達驅(qū)動電路的時候,大部分人都會考慮MOS的導(dǎo)通電阻,最大電壓等,最大電流等,也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的,但并不是優(yōu)秀的,作為
2021-11-12 06:33:42

MOS驅(qū)動電路綜述

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2021-11-12 09:19:30

MOS驅(qū)動電路設(shè)計

MOS驅(qū)動電路設(shè)計秘籍(工作原理+電路設(shè)計+問題總結(jié))
2023-09-26 06:11:28

MOS驅(qū)動電路設(shè)計相關(guān)資料推薦

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2021-11-12 08:20:58

MOS驅(qū)動電路設(shè)計經(jīng)驗分享

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2018-07-11 22:37:16

MOSH橋驅(qū)動問題

那么多。另外我覺得應(yīng)該在MOS前用個BJT作為前級驅(qū)動,5V是不能行的,轉(zhuǎn)載自http://cxtke.com/
2012-07-06 16:19:39

MOSH橋驅(qū)動問題

那么多。另外我覺得應(yīng)該在MOS前用個BJT作為前級驅(qū)動,5V是不能行的轉(zhuǎn)載自http://www.wggk.net/
2012-07-04 17:34:06

MOS具有哪些特性功能應(yīng)用?

MOS種類和結(jié)構(gòu)MOS導(dǎo)通特性MOS驅(qū)動及應(yīng)用電路
2021-04-21 06:02:10

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;把萬用表打到二極檔,紅筆接S黑筆接D,此時大約有幾百歐姆,反接測量為斷路;然后黑筆接D,紅筆觸碰下G在把紅筆接到S,這時如果顯示值比之前測量的小了很多說明MOS管好的。(2)在加速過程中,如24V
2018-12-31 22:15:52

MOS應(yīng)用概述():等效模型

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2018-11-21 14:43:01

MOS是怎么工作的?

MOS的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)MOS的工作機制MOS驅(qū)動應(yīng)用
2021-03-08 06:06:47

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2022-01-03 06:54:52

MOS的外圍電路

現(xiàn)在用全橋輸出拓撲較多經(jīng)常看見在每個橋臂的MOSG極前加個阻值不大但是功率較大的電阻同時和MOS并聯(lián)的還有個RCD(電阻+二極+電容)電路現(xiàn)在知道這個RCD電路是用于吸收MOS的突波或者
2017-08-11 09:20:17

MOS的應(yīng)用及導(dǎo)通特性和應(yīng)用驅(qū)動電路的總結(jié)。

也是不允許的。下面是我對MOSFET及MOSFET驅(qū)動電路基礎(chǔ)的點總結(jié),其中參考了些資料,非全部原創(chuàng)。包括MOS的介紹,特性,驅(qū)動以及應(yīng)用電路。1,MOS種類和結(jié)構(gòu)MOSFET是FET的
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MOS的應(yīng)用及導(dǎo)通特性和應(yīng)用驅(qū)動電路的總結(jié)。

這些因素。這樣的電路也許是可以工作的,但并不是優(yōu)秀的,作為正式的產(chǎn)品設(shè)計也是不允許的。下面是我對MOSFET及MOSFET驅(qū)動電路基礎(chǔ)的點總結(jié),其中參考了些資料,非全部原創(chuàng)。包括MOS的介紹
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MOS的應(yīng)用場景

mos的應(yīng)用場景,了解么?低壓MOS可稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng),因為低壓MOS具有良好的開關(guān)特性,廣泛應(yīng)用在電子開關(guān)的電路中。如開關(guān)電源,電動馬達、照明調(diào)光等!下面銀聯(lián)寶科技就跟大家
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MOS的檢測

  今天小編給大家?guī)淼氖遣竭M驅(qū)動MOS損壞了我們應(yīng)該怎么去解決,這個mos在步進驅(qū)動器上也還是較重要的,旦這個som燒毀了步進驅(qū)動器外面的保險絲也會被燒毀,整個設(shè)備也會受到影響不能
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MOS種類和結(jié)構(gòu)

**。所以開關(guān)電源和馬達驅(qū)動的應(yīng)用中,般都用NMOS。下面的介紹中,也多以NMOS為主。  MOS的三個管腳之間有寄生電容存在,這不是我們需要的,而是由于**工藝限制產(chǎn)生的。寄生電容的存在使得在
2019-02-14 11:35:54

MOS種類和結(jié)構(gòu)知道多少

的應(yīng)用中,般都用NMOS。下面的介紹中,也多以NMOS為主。 MOS的三個管腳之間有寄生電容存在,這不是我們需要的,而是由于制造工藝限制產(chǎn)生的。寄生電容的存在使得在設(shè)計或選擇驅(qū)動電路的時候要麻煩
2021-01-11 20:12:24

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2018-12-26 09:35:16

MOS詳解,讓頭痛的MOS不在難~!!!

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2018-06-25 09:57:31

mos驅(qū)動內(nèi)部圖

可以幫忙分析下ncp81704mos驅(qū)動器內(nèi)部工作原理圖嗎?實在不理解,求大神支持
2020-08-10 15:06:56

mos驅(qū)動電路

`MOS電路在通斷過程中,Vgs的波形是個完整的方波,但是Vds的波形是條5v的直線,這是什么原因`
2021-03-15 16:48:53

mos驅(qū)動電流如何設(shè)計呢

mos驅(qū)動電流如何設(shè)計呢 如果已經(jīng)知道MOS的Qg 恒壓模式下如何設(shè)計驅(qū)動的電流 恒流模式下設(shè)置多大電流呢
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,關(guān)于MOS的封裝改進直是令電子行業(yè)頭疼的件事。MOS封裝是在完成MOS管芯片在制作之后,需要給MOS管芯片加上個外殼,這就是MOS封裝。該封裝外殼主要起著支撐、保護和冷卻的作用,同時還可
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單片機的功耗是非常難算的,而且在高溫下,單片機的功耗還是個特別重要的參數(shù)。暫且把單片機的功耗按照下面的劃分。暫且把單片機的功耗按照下面的劃分。 1.內(nèi)部功耗(與頻率有關(guān)) 2.數(shù)字輸入輸出口功耗
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文告訴怎么解決單片機電路設(shè)計中的10 個難點

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淺析MOS門極驅(qū)動電路背后的秘密

  (1)直接驅(qū)動  電阻R1的作用是限流和抑制寄生振蕩,般為10ohm到100ohm,R2是為關(guān)斷時提供放電回路的;穩(wěn)壓二極D1和D2是保護MOS的門]極和源極;二極D3是加速MOS的關(guān)斷
2018-12-24 14:39:02

淺析設(shè)備MOS損壞?MOS代理商告訴這6點可以簡易判斷!

`  MOS的導(dǎo)通電阻小而且柵極驅(qū)動也不需要電流,所以它造成的損耗較小。除此之外還具備熱特性好、自動保護二極等優(yōu)點,這也使它獲得了大多數(shù)廠商的青睞。現(xiàn)如今,有許多的電子行業(yè)廠家都會采用性能優(yōu)秀
2018-12-27 13:49:40

電機驅(qū)動 MOS燒了

上電電機不轉(zhuǎn)MOS發(fā)聲隨占空比的增加聲音增加大概 10s鐘冒煙MOS燒了 求各位大俠 指點!!!!!
2013-05-04 08:54:57

電機驅(qū)動MOS發(fā)熱問題

`做了個無刷直流電機驅(qū)動板,但是現(xiàn)在MOS發(fā)熱太嚴(MOS型號CSD18540)。測試波形如下圖。想問下有沒有大佬知道怎么解決散熱問題?(增加散熱片沒什么效果)`
2020-03-26 16:46:00

自己的心得:告訴mos的發(fā)熱情況有哪些

  MOS發(fā)熱情況有:  1.電路設(shè)計的問題,就是讓MOS管工作在線性的工作狀態(tài),而不是在開關(guān)狀態(tài)。這也是導(dǎo)致MOS發(fā)熱的個原因。如果N-MOS做開關(guān),G級電壓要比電源高幾V,才能完全導(dǎo)
2013-10-30 17:32:39

萌新求助,求種簡單的MOS直流電機驅(qū)動電路

萌新求助,求種簡單的MOS直流電機驅(qū)動電路
2021-10-19 06:49:59

詳解MOS驅(qū)動電路

正式的產(chǎn)品設(shè)計也是不允許的。下面是我對MOSMOS驅(qū)動電路基礎(chǔ)的點總結(jié),其中參考了些資料,并非原創(chuàng)。包括MOS的介紹、特性、驅(qū)動以及應(yīng)用電路。MOSFETFET的種(另種是JEFT),可以被制造成
2017-12-05 09:32:00

詳解MOS驅(qū)動電路

的,作為正式的產(chǎn)品設(shè)計也是不允許的。下面是我對MOSMOS驅(qū)動電路基礎(chǔ)的點總結(jié),其中參考了些資料,并非原創(chuàng)。包括MOS的介紹、特性、驅(qū)動以及應(yīng)用電路。MOSFETFET的種(另種是JEFT
2017-08-15 21:05:01

詳述MOS驅(qū)動電路的五大要點

的P溝道MOS,所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是這兩種。  對于這兩種增強型MOS,比較常用的是NMOS。原因是導(dǎo)通電阻小,且容易制造。所以開關(guān)電源和馬達驅(qū)動的應(yīng)用中,般都用NMOS
2018-11-27 13:44:26

請教MOS的保護.

請教各位老師,我的MOS經(jīng)常擊穿,是怎么回事.如何保護.MOSVDS為60V,ID=60A.負載為24V150W燈.驅(qū)動脈沖100HZ.請看圖片.謝謝!!!
2013-10-24 08:47:33

請教下大家,mos驅(qū)動電路中Rg(柵極驅(qū)動電阻)怎么匹配?

Rg具體會影響到那些參數(shù)?我個人的理解是①這個電阻對MOS的開關(guān)頻率有關(guān),決定了對mos的輸入輸出電容的充放電時間②匹配集成驅(qū)動驅(qū)動能力,電阻越到,集成驅(qū)動所需的最大驅(qū)動電流也就越小。大家有什么看法,請教
2017-06-05 11:28:22

請教mos的三極BJT邏輯驅(qū)動電路問題

本帖最后由 gk320830 于 2015-3-5 04:59 編輯 請教mos的三極BJT邏輯驅(qū)動電路問題。如圖,P輸出5V的PWM,則MOS柵極輸出12VPWM,那么三極Q4、Q5分別是什么作用?當(dāng)Q4導(dǎo)通和截止時,Q5的工作狀態(tài)?
2014-05-09 10:53:37

請教個2104驅(qū)動MOS的問題

小弟最近用2104和59n25搭了個單橋電機驅(qū)動(用于pwm調(diào)速),現(xiàn)在用12v電源供電,切正常,但這個電路最終要應(yīng)用在12到50v之間(給MOS驅(qū)動電機的電壓),查閱2104手冊,發(fā)現(xiàn)
2014-11-25 21:25:51

請問如何優(yōu)化MOS柵極驅(qū)動電路的設(shè)計?

MOS驅(qū)動對其工作效果起著決定性的作用。在設(shè)計時既要考慮減少開關(guān)損耗,又要求驅(qū)動波形較好即振蕩小、過沖小、EMI小。這兩方面往往是互相矛盾的,需要尋求個平衡點,即驅(qū)動電路的優(yōu)化設(shè)計,請問該如何進行優(yōu)化呢?可以通過哪些措施來優(yōu)化?
2019-02-14 09:44:37

請問我用個tlp250可以同時驅(qū)動幾個功率MOS

請問我用個tlp250可以同時驅(qū)動幾個功率MOS
2017-03-03 16:39:07

這個mos驅(qū)動怎么工作的?

ncp81074a這個mos驅(qū)動看不太懂,為啥珊級要加兩個電阻,OUTL和OUTH不是是驅(qū)動兩個mos嗎?只用個電阻不行嗎?
2020-08-10 10:34:51

高端驅(qū)動MOS的問題

我做了個高端驅(qū)動MOS,然后連的atmega328p。但是現(xiàn)在的問題是低Vgs的時候MOS不會完全打開。比如這個電路的Vgs大概是在5V左右,但是門極和源極之間測得的電壓只有2.1V。
2018-12-05 11:43:29

高端驅(qū)動MOS

  般情況下普遍用于高端驅(qū)動MOS,導(dǎo)通時需要是柵極電壓大于源極電壓。而高端驅(qū)動MOS導(dǎo)通時源極電壓與漏極電壓(VCC)相同,所以這時柵極電壓要比VCC大4V或10V。如果在同個系統(tǒng)里
2021-10-29 08:34:24

(原創(chuàng)干貨)MOS驅(qū)動電路分析

都是有直接驅(qū)動MOS的能力的,只是在應(yīng)用這種驅(qū)動方式的時候。1、需要去注意下我們芯片規(guī)格里面的Sink/Source Capability,不同的芯片對應(yīng)的參數(shù)是不樣的。2、了解下MOSFET
2021-06-28 16:44:51

_MOS驅(qū)動電路搞懂了嗎?實際檢驗

電路分析MOS驅(qū)動電路
學(xué)習(xí)電子知識發(fā)布于 2022-10-24 21:30:38

MOS驅(qū)動電阻如何放置?

MOS
學(xué)習(xí)電子知識發(fā)布于 2023-07-17 18:50:49

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