高k柵介質(zhì)NMOSFET遠(yuǎn)程聲子散射對溝道遷移率的影響

器件溝道長度為1μm，HFO2柵介質(zhì)厚度為4.88nm；SiO2柵介質(zhì)厚度為2nm；P襯底摻雜濃度4E15cm^-3；柵電極為鋁金屬。

在高K柵介質(zhì)中，有效的金屬功函數(shù)模型：

Remote Phonon Scattering Mobility Model：

不考慮遠(yuǎn)程聲子散射影響：

ID~VG

Q~VG

NMOB~EP

PMOB~EP

考慮遠(yuǎn)程聲子散射影響：

ID~VG

Q~VG

NMOB~EP

PMOB~EP

（1）高K金屬柵：

隨著晶體管的尺寸縮小，柵氧厚度和源漏間距進(jìn)一步減小，柵漏電流以及源漏間的漏電流急劇增加，傳統(tǒng)的SiO2和SiON都己經(jīng)無法滿足工業(yè)界的需求。為了克服這些問題，只能采用介電常數(shù)較高的高k介質(zhì)替代傳統(tǒng)的Si02介質(zhì)。高k柵介質(zhì)能夠在保持柵電容不變的同時，增加?xùn)沤橘|(zhì)的物理厚度，達(dá)到降低柵漏電流和提高器件可靠性的雙重目的。

在元素周期表里要找到符合條件的可能元素的氧化物,就需要綜合考慮以下方面的問題：合適的k值；較高的禁帶寬度（Eg）和導(dǎo)帶價帶能帶補(bǔ)償（?Ec和?Ev）；與Si接觸的熱穩(wěn)定性要好；能與Si襯底形成良好的接觸界面，應(yīng)盡量保證Hf02/Si接觸界面光滑平整，界面缺陷少；材料的薄膜性能要好，材料的相變溫度應(yīng)盡量高，組分和結(jié)晶性穩(wěn)定；與柵材料的兼容性要好，不與硅柵之間發(fā)生反應(yīng)；與現(xiàn)有的工藝兼容；長期工作的可靠性要好。

HfO2作為柵介質(zhì)具有很多的優(yōu)點，也在工業(yè)界得到了廣泛的應(yīng)用，但是由于HfO2本身結(jié)晶溫度較低不利于后續(xù)工藝的高溫處理, HfO2直接與Si襯底接觸界面較差，另外在薄膜沉積過程中容易產(chǎn)生高濃度的氧空位等缺陷，這些材料特性使得以HfO2為柵介質(zhì)的器件的可靠性受到了巨大的挑戰(zhàn)。以HfO2為柵介質(zhì)的器件的可靠性問題主要有以下幾個方面：閾值電壓的滯后現(xiàn)象（hysteresis）、正偏壓或負(fù)溫度不穩(wěn)定性（PBTI or NBTI）、熱載流子效應(yīng)（HCI）應(yīng)力引起的漏電流（SILC）以及時變擊穿（TDDB）。

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晶體管(134510) 晶體管(134510)
TDD(37979) TDD(37979)
漏電流(16616) 漏電流(16616)
MOSFET管(9570) MOSFET管(9570)

CG2H80015D-GP4 氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）

` 本帖最后由射頻技術(shù) 于 2021-4-8 09:16 編輯 Wolfspeed的CG2H80015D是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。GaN具有比硅或砷化鎵更高的性能，包括

2021-04-07 14:31:00

CGH40010F氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管

`Cree的CGH40010是無與倫比的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。 CGH40010，正在運(yùn)行從28伏電壓軌供電，提供通用寬帶解決方案應(yīng)用于各種射頻和微波應(yīng)用。 GaN

2020-12-03 11:51:58

CGH40120高電子遷移率晶體管

Wolfspeed 的 CGH40120 是無與倫比的；氮化鎵（GaN）；高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGH40120；從 28 伏電壓軌運(yùn)行；提供通用；各種射頻和微波應(yīng)用的寬帶解決方案

2021-09-17 19:53:53

CGHV1F006S 高電子遷移率晶體管

Wolfspeed 的 CGHV1F006 是無與倫比的；專為高效率而設(shè)計的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)；高增益和寬帶寬能力。該設(shè)備可部署為L；; C; X 和 Ku 波段

2021-09-17 19:58:10

CGHV1J025D-GP4高電子遷移率晶體管

`Wolfspeed的CGHV1J025D是一種碳化硅襯底上的高壓氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），采用0.25μm的柵長制造工藝。這種SiC上的GaN產(chǎn)品具有出色的高頻，高效率特性

2021-04-20 11:04:52

CGHV40030氮化鎵高電子遷移率晶體管

Wolfspeed的CGHV40030是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），專為高效率，高增益和寬帶寬功能而設(shè)計。該器件可部署在L，S和C頻段放大器應(yīng)用中。數(shù)據(jù)手冊中的規(guī)格

2020-02-25 09:37:45

CGHV40030氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管

Wolfspeed的CGHV40030是無與倫比的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），專為高效率，高增益和寬帶寬功能而設(shè)計。該器件可部署在L，S和C頻段放大器應(yīng)用中。數(shù)據(jù)手冊中的規(guī)格

2020-02-24 10:48:00

CGHV60040D-GP4高電子遷移率晶體管

` 本帖最后由射頻微波技術(shù) 于 2021-4-8 09:15 編輯 Wolfspeed的CGHV60040D是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。GaN具有比硅或砷化鎵更高的性能

2021-04-07 14:24:11

CGHV96050F1衛(wèi)星通信氮化鎵高電子遷移率晶體管CREE

CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產(chǎn)品相比，這些GaN內(nèi)部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵

2024-01-19 09:27:13

CGHV96100F2氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管

`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。該GaN內(nèi)部匹配（IM）FET與其他技術(shù)相比，具有出色的功率附加效率。氮化鎵與硅或砷化

2020-12-03 11:49:15

CMOS工藝一般都是用P襯底而不是N襯底？兩者有什么區(qū)別啊？

的原因，主要是溝道材料的電氣性能不一樣。在N溝道中參與導(dǎo)電的是電子，而在P溝道中參與導(dǎo)電的是空穴，兩者在單位電場強(qiáng)度下的遷移率相差非常大。電子的遷移率遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于空穴的遷移率，即N溝道的導(dǎo)電性能要比P溝道

2012-05-22 09:38:48

CMPA801B025F氮化鎵（GaN）高電子遷移率基于晶體管

Cree的CMPA801B025是氮化鎵（GaN）高電子遷移率基于晶體管（HEMT）的單片微波集成電路（MMIC）。氮化鎵與硅或砷化鎵相比具有更好的性能，包括更高的擊穿電壓，更高的飽和電子漂移速度

2020-12-03 11:46:10

FHX35X高電子遷移率晶體管銷售

`描述FHX35X是旨在用于高電子遷移率晶體管（HEMT）的產(chǎn)品通用的低噪聲和高增益放大器2-18GHz頻率范圍。該設(shè)備非常適合電信，DBS，TVRO，VSAT或其他低噪聲應(yīng)用。Eudyna嚴(yán)格

2021-02-26 11:59:02

FHX35X高電子遷移率晶體管（HEMT）

`FHX35X是一款高電子遷移率晶體管（HEMT），旨在用于2-18GHz頻率范圍內(nèi)的通用，低噪聲和高增益放大器。該設(shè)備非常適合電信，DBS，TVRO，VSAT或其他低噪聲應(yīng)用。住友電工嚴(yán)格

2021-03-30 11:21:24

P溝道和N溝道MOSFET在開關(guān)電源中的應(yīng)用

IC圖2：用自舉電路對高側(cè)N溝道MOSFET進(jìn)行柵控極性決定了MOSFET的圖形符號。不同之處在于體二極管和箭頭符號相對于端子的方向。圖3：P溝道和N溝道MOSFET的原理圖注意體二極管和箭頭相對漏極

2018-03-03 13:58:23

【轉(zhuǎn)】一文看懂MOS器件的發(fā)展與面臨的挑戰(zhàn)

溝道效應(yīng)中的器件亞閾值電流成為妨礙工藝進(jìn)一步發(fā)展的主要因素，盡管提高溝道摻雜濃度可以在一定程度上抑制短溝道效應(yīng)，然而高摻雜的溝道會增大庫倫散射，使載流子遷移率下降，導(dǎo)致器件的速度降低，所以僅僅依靠縮小

2018-09-06 20:50:07

差分散射參數(shù)測試方法設(shè)計

是差分形式的，低噪聲放大器與混頻器之間是一個單端到差分形式的聲表濾波器和必要的匹配網(wǎng)絡(luò)，在設(shè)計該匹配網(wǎng)絡(luò)時，需要知道混頻器輸入端差分散射參數(shù)和聲表的散射參數(shù)，通常網(wǎng)絡(luò)分析儀都不是差分型的。下面以對聲表的測試為例來說明如何測試差分散射參數(shù)。

2019-06-26 07:03:53

開關(guān)電源設(shè)計之：P溝道和N溝道MOSFET比較

溝道MOSFET也可用作降壓穩(wěn)壓器高側(cè)開關(guān)。這些應(yīng)用需要自舉電路或其它形式的高側(cè)驅(qū)動器。圖1：具有電平移位器的高側(cè)驅(qū)動IC。圖2：用自舉電路對高側(cè)N溝道MOSFET進(jìn)行柵控。極性決定了MOSFET的圖形

2021-04-09 09:20:10

第三代半導(dǎo)體材料盛行，GaN與SiC如何撬動新型功率器件

粗糙散射在SiC反型層中起主要作用;反之，溝道散射以庫侖散射為主，此時高密度的界面態(tài)電荷將成為降低溝道遷移率的主要因素。　　4.總結(jié)通過學(xué)習(xí)這兩款新型的功率器件，不僅在設(shè)計上，更取得了實質(zhì)性的效果。來源

2017-06-16 10:37:22

載流子遷移率的測量方法有哪幾種？

什么是遷移率μ？載流子遷移率的測量方法有哪幾種？

2021-04-09 06:45:53

隧穿場效應(yīng)晶體管是什么_隧穿場效應(yīng)晶體管的介紹

=CVdd/Ion）增加或者器件的開關(guān)速度減小。由于InAs和GaAs的電子遷移率高于Si的電子遷移率，Ge和InSb的空穴遷移率高于Si的空穴遷移率，如果選用上述高遷移率的材料作為器件的溝道材料可以緩解

2018-10-19 11:08:33

CGH40006S氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CGH40006 是無與倫比的；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGH40006；從 28 伏電壓軌運(yùn)行；提供通用的；適用于各種射頻和微波應(yīng)用的寬帶

2022-05-18 11:55:04

CGH40006P氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Cree 的 CGH40006P 是無與倫比的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。該CGH40006P，運(yùn)行來自 28 伏電源軌，提供通用寬帶解決方案到各種射頻和微波

2022-05-18 14:14:48

CGH40010P氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CGH40010 是無與倫比的；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGH40010；從 28 伏電壓軌運(yùn)行；提供通用的；適用于各種射頻和微波應(yīng)用的寬帶

2022-05-19 10:31:34

CGH40010F氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

2022-05-19 10:34:14

CGH27015F氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CGH27015 是一種氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管，專為高效率而設(shè)計；高增益和寬帶寬能力；這使得 CGH27015 成為 VHF 的理想選擇；通訊；3G；4G

2022-05-20 09:29:43

CGH27015P氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

2022-05-20 09:31:48

CGH09120F氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CGH09120F 是一種氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)，專為高效率而設(shè)計；高增益和寬帶寬能力；這使得 CGH09120F 成為 MC-GSM 的理想

2022-05-25 10:00:31

CGH21120F氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CGH21120F 是一種氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)，專為高效率而設(shè)計；高增益和寬帶寬能力；這使得 CGH21120F 非常適合 1.8

2022-05-25 10:13:50

CGH21120F-AMP氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)測試板

Wolfspeed 的 CGH21120F 是一種氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)，專為高效率而設(shè)計；高增益和寬帶寬能力；這使得 CGH21120F 非常適合 1.8

2022-05-25 10:16:06

CGH21240F氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CGH21240F 是一款專為高效設(shè)計的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)；高增益和寬帶寬能力；這使得 CGH21240F 非常適合 1.8

2022-05-25 10:30:20

CGH25120F氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CGH25120F 是一種氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)，專為實現(xiàn)高效率而設(shè)計；高增益和寬帶寬能力；這使得 CGH25120F 成為

2022-05-25 10:45:16

CGH27030P氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CGH27030 是一種氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)，專為高效率而設(shè)計；高增益和寬帶寬能力；這使得 CGH27030 成為 VHF 的理想選擇；通訊

2022-05-25 10:54:17

CGH27030S氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

2022-05-25 10:56:08

CGH27060F氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CGH27060F 是一種氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)，專為高效率而設(shè)計；高增益和寬帶寬能力；這使得 CGH27060F 成為 VHF 的理想選擇

2022-05-30 09:25:37

CGH31240F氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CGH31240F 是一款專為高效設(shè)計的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)；高增益和寬帶寬能力；這使得 CGH31240F 成為 2.7 –3.1 GHz

2022-05-30 10:03:05

CGH35015P氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CGH35015 是一款氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管，專為 802.16-2004 WiMAX 固定接入應(yīng)用而設(shè)計。GaN HEMT 提供高效率；高增益和寬帶寬能力

2022-05-30 10:20:15

CGH35060P2氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CGH35060P2 是一種氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)，專為高效率而設(shè)計；高增益和寬帶寬能力；這使得 CGH35060P2 非常適合 3.1

2022-05-30 11:03:41

CGH35240F氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CGH35240F 是一款專為高效設(shè)計的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)；高增益和寬帶寬能力；這使得 CGH35240F 非常適合 3.1

2022-05-30 11:12:32

CGH40025P氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CGH40025 是無與倫比的；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGH40025；從 28 伏電壓軌運(yùn)行；提供通用的；適用于各種射頻和微波應(yīng)用的寬帶

2022-06-09 10:41:30

CGH40025F氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

2022-06-09 10:44:57

CGH40035F氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CGH40035F 是無與倫比的；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGH40035F；從 28 伏電壓軌運(yùn)行；提供通用的；適用于各種射頻和微波應(yīng)用的寬帶

2022-06-09 11:08:38

CGH40045F氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CGH40045 是無與倫比的；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGH40045；從 28 伏電壓軌運(yùn)行；提供一般用途；適用于各種射頻和微波應(yīng)用的寬帶

2022-06-09 11:33:44

CGH40045P氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

2022-06-09 11:37:53

CGH40090PP氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CGH40090PP 是無與倫比的；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGH40090PP；從 28 伏電壓軌運(yùn)行；提供一般用途；適用于各種射頻和微波

2022-06-10 14:38:20

CGH40120P氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CGH40120 是無與倫比的；氮化鎵（GaN）；高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGH40120；從 28 伏電壓軌運(yùn)行；提供通用的；適用于各種射頻和微波應(yīng)用的寬帶

2022-06-13 10:19:53

CGH40120F氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

2022-06-13 10:22:02

CGH40180PP氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CGH40180PP 是無與倫比的；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGH40180PP；從 28 伏電壓軌運(yùn)行；提供通用的；適用于各種射頻和微波

2022-06-14 10:58:02

CGHV14250P氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CGHV14250 是一款專為高效設(shè)計的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)；高增益和寬帶寬能力；這使得 CGHV14250 非常適合 1.2

2022-06-15 11:00:55

CGHV14250F氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CGHV14250 是一款專為高效設(shè)計的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)；高增益和寬帶寬能力；這使得 CGHV14250 非常適合 1.2

2022-06-15 11:02:39

CGHV14500P氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CGHV14500 是一款專為高效設(shè)計的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)；高增益和寬帶寬能力；這使得 CGHV14500 非常適合 1.2

2022-06-15 11:12:13

CGHV14500F氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CGHV14500 是一款專為高效設(shè)計的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)；高增益和寬帶寬能力；這使得 CGHV14500 非常適合 1.2

2022-06-15 11:13:47

CGHV14800P氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CGHV14800 是一款專為高效設(shè)計的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)；高增益和寬帶寬能力；這使得 CGHV14800 非常適合 1.2

2022-06-15 11:29:50

CGHV14800F氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CGHV14800 是一款專為高效設(shè)計的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)；高增益和寬帶寬能力；這使得 CGHV14800 非常適合 1.2

2022-06-15 11:31:34

CGHV27030S氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

CGHV27030S 是無與倫比的；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)，提供高效率；高增益和寬帶寬能力。CGHV27030S GaN HEMT 器件非常適合頻率為 700-960

2022-06-15 11:50:12

CGHV1F025S氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CGHV1F025S 是無與倫比的；氮化鎵（GaN）；專為高效設(shè)計的高電子遷移率晶體管 (HEMT)；高增益和寬帶寬能力。該設(shè)備可部署為L；小號；C; X 和 Ku 波段

2022-06-16 10:41:38

CGHV27015S氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CGHV27015S 是無與倫比的；專為高效率而設(shè)計的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)；高增益和寬帶寬能力；這使得 CGHV27015S 成為 LTE

2022-06-16 11:20:16

CGHV27060MP氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CGHV27060MP 是一個 60-W 氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)，封裝在一個小型封裝中；塑料 SMT 封裝 4.4 毫米 x 6.5 毫米

2022-06-16 11:39:12

CGHV35150P氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CGHV35150 是一款專為高效設(shè)計的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)；高增益和寬帶寬能力；這使得 CGHV35150 非常適合 2.9

2022-06-16 16:35:22

CGHV35150F氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CGHV35150 是一款專為高效設(shè)計的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)；高增益和寬帶寬能力；這使得 CGHV35150 非常適合 2.9

2022-06-16 16:37:44

CGHV35060MP氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CGHV35060MP 是一款 60W 輸入匹配；針對 S 波段性能進(jìn)行了優(yōu)化的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGHV35060MP 適用于 2.7

2022-06-16 17:11:06

CGHV35120F氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CGHV35120F 是專為高效率而設(shè)計的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)；高增益; 和寬帶寬能力；這使得 CGHV35120F 非常適合 2.9

2022-06-20 11:28:40

CGHV37400F氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CGHV37400F 是專為高效設(shè)計的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)；高增益和寬帶寬能力；這使得 CGHV37400F 非常適合 3.3 – 3.7

2022-06-22 10:13:50

CGHV40030F氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CGHV40030 是無與倫比的；專為高效率而設(shè)計的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)；高增益和寬帶寬能力。該設(shè)備可部署為L；S 和 C 波段放大器

2022-06-22 10:58:47

CGHV40030P氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

2022-06-22 11:01:14

CGHV40050F氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CGHV40050 是無與倫比的；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGHV40050；從 50 伏電壓軌運(yùn)行；提供通用的；適用于各種射頻和微波應(yīng)用的寬帶

2022-06-23 09:16:15

CGHV40050P氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

2022-06-23 09:19:21

CGHV40100P氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CGHV40100 是無與倫比的；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGHV40100；從 50 伏電壓軌運(yùn)行；提供通用的；適用于各種射頻和微波應(yīng)用的寬帶

2022-06-23 14:23:02

CGHV40100F氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

2022-06-23 14:28:12

CGHV40180F氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CGHV40180 是一款氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。它具有無與倫比的輸入，可在 DC-2.0 GHz 范圍內(nèi)提供最佳的瞬時寬帶性能。GaN與硅或砷

2022-06-24 09:19:36

CGHV40180P氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

2022-06-24 09:22:17

CGHV40200PP氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CGHV40200PP 是無與倫比的；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGHV40200PP；從 50 伏電壓軌運(yùn)行；提供通用的；適用于各種射頻和微波

2022-06-24 09:54:07

CGHV50200F氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CGHV50200F 是一款專為高效設(shè)計的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)；高增益和寬帶寬能力；這使得 CGHV50200F 成為對流散射通信的理想選擇

2022-06-27 09:17:27

CGHV50200F-AMP氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)測試板

2022-06-27 09:19:25

CGHV59070F氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CGHV59070 是內(nèi)部匹配的；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGHV59070；從 50 伏電壓軌運(yùn)行；提供一般用途；適用于各種射頻和微波

2022-06-27 14:09:43

CGHV59070P氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

2022-06-27 14:11:15

CGHV96130F氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CGHV96130F 是碳化硅 (SiC) 基板上的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。與其他技術(shù)相比，這種 GaN 內(nèi)部匹配 (IM) FET 可提供

2022-06-27 16:24:32

CMPA0060025D氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CMPA0060025 是一種基于氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的單片微波集成電路 (MMIC)。GaN與硅或砷化鎵相比具有優(yōu)越的性能；包括更高的擊穿

2022-06-27 16:34:19

CMPA0060025F氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

2022-06-27 16:37:17

GTRA263902FC-V2氮化鎵 (GaN)on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

描述GTRA263902FC是一個370瓦(P3dB) GaN on SiC高電子遷移率晶體管(HEMT)，用于多標(biāo)準(zhǔn)蜂窩功率放大器應(yīng)用。它的特點是輸入匹配，高效率，熱增強(qiáng)包與無耳法蘭

2022-07-08 10:36:58

GTRA362002FC-V1氮化鎵 (GaN)on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

描述GTRA362002FC 是一款 200 瓦 (P3dB) GaN on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)，設(shè)計用于多標(biāo)準(zhǔn)蜂窩功率放大器應(yīng)用。它具有輸入匹配功能；高效率; 以及帶有無耳

2022-07-11 09:54:35

GTRA412852FC-V1氮化鎵 (GaN)on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

描述GTVA101K4 是一款專為高效設(shè)計的 GaN on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)；高增益和寬帶寬能力。這使得 GTVA101K4 非常適合 0.96 – 1.4 GHz 頻段

2022-07-11 14:40:10

GTVA126001EC-V1氮化鎵 (GaN)on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

描述GTVA126001EC 和 GTVA126001FC 是 600 瓦 GaN on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)，用于 1200 至 1400 MHz 頻段。它們具有輸入匹配功能

2022-07-12 15:04:32

QPD0006 是一種單路徑高電子遷移率晶體管

Qorvo 的 QPD0006 是一種單路徑高電子遷移率晶體管 (HEMT)，工作頻率范圍為 2.5 至 5 GHz。它提供 13.5 W (~41.3 dBm) 的輸出功率，增益為 16 dB，漏

2022-10-12 11:50:48

CMPA0527005F，CREE/科銳，5W, 0.5 - 2.7 GHz, 50 V,高電子遷移率晶體管

CMPA0527005F，CREE/科銳，5W, 0.5 - 2.7 GHz, 50 V,高電子遷移率晶體管CMPA0527005F，CREE/科銳，5W, 0.5 - 2.7 GHz, 50 V

2023-10-17 16:12:54

FHX04X 是一種高電子遷移率晶體管 HEMT

FHX04X型號簡介Sumitomo的FHX04X、FHX05X和FHX06X是一種高電子遷移率晶體管（HEMT）用于通用、低噪聲和高增益放大器在2到18GHz的頻率范圍內(nèi)。這些設(shè)備非常適合電信

2023-12-15 10:01:25

FHX05X 是一種高電子遷移率晶體管 HEMT

FHX05X型號簡介Sumitomo的FHX04X、FHX05X和FHX06X是一種高電子遷移率晶體管（HEMT）用于通用、低噪聲和高增益放大器在2到18GHz的頻率范圍內(nèi)。這些設(shè)備非常適合電信

2023-12-15 10:06:46

FHX06X 是一種高電子遷移率晶體管 HEMT

FHX06X型號簡介Sumitomo的FHX04X、FHX05X和FHX06X是一種高電子遷移率晶體管（HEMT）用于通用、低噪聲和高增益放大器在2到18GHz的頻率范圍內(nèi)。這些設(shè)備非常適合電信

2023-12-15 10:12:14

矩形波導(dǎo)中沿E面均勻多介質(zhì)柱散射特性分析

本文應(yīng)用有限元邊界元耦合法數(shù)值分析了矩形波導(dǎo)結(jié)中沿E 面均勻的多個任意截面形狀介質(zhì)柱的散射特性,對介質(zhì)柱所在區(qū)域和除去介質(zhì)柱后的空氣區(qū)域分別用有限元和多連域問題

2010-09-17 13:32:55

載流子遷移率測量方法總結(jié)

載流子遷移率測量方法總結(jié) 0 引言 遷移率是衡量半導(dǎo)體導(dǎo)電性能的重要參數(shù)，它決定半導(dǎo)體材料的電導(dǎo)率，影響器件的工作速度。已有很多文章對載流子遷

2009-11-03 10:44:51

11953

高遷移率二維半導(dǎo)體Bi2O2Se的紫外光輔助插層氧化方法

然而，將高遷移率二維半導(dǎo)體與高介電常數(shù)的柵介質(zhì)有效集成并極限微縮是電子學(xué)領(lǐng)域的一個重要挑戰(zhàn)。目前，商用硅基集成電路中所用的柵介質(zhì)為原子層沉積法（ALD）制備的氧化鉿（HfO2）

2022-09-26 10:04:42

1449

載流子輸運(yùn)現(xiàn)象之散射率、遷移率、電阻率、砷化鎵

前言載流子輸運(yùn)就是求電流密度相關(guān)。目錄前言平均自由時間 & 散射概率平均自由時間 & 遷移率 平均自由時間 & 電導(dǎo)率 遷移率-溫度關(guān)系電阻率-溫度關(guān)系輕摻雜時 1 016? 1 018

2023-02-27 10:34:56

MXene范德華接觸在氮化鎵高電子遷移率晶體管中的應(yīng)用

摘要：柵極控制能力是決定氮化鎵高電子遷移率晶體管性能的關(guān)鍵因素。然而在金屬-氮化鎵界面，金屬和半導(dǎo)體的直接接觸會導(dǎo)致界面缺陷和固定電荷，這會降低氮化鎵高電子遷移率晶體管柵控能力。在本項研究中，二維

2023-05-25 16:11:29

599

半導(dǎo)體材料方阻電阻率、霍爾遷移率非接觸式測量技術(shù)

半導(dǎo)體材料wafer、光伏硅片的電阻率非接觸式測量、霍爾遷移率測試儀

2023-06-15 14:12:10

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8.2.10.3 4H-SiC反型層遷移率的實驗結(jié)果∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

8.2.10.34H-SiC反型層遷移率的實驗結(jié)果8.2.10反型層電子遷移率8.2金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)第８章單極型功率開關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件

2022-03-05 10:43:22

266

8.2.10.1 影響反型層遷移率的機(jī)理∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

8.2.10.1影響反型層遷移率的機(jī)理8.2.10反型層電子遷移率8.2金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)第８章單極型功率開關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)

2022-03-03 09:46:19

354

8.2.10.2 反型層遷移率的器件相關(guān)定義∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

8.2.10.2反型層遷移率的器件相關(guān)定義8.2.10反型層電子遷移率8.2金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)第８章單極型功率開關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件

2022-03-04 10:19:46

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n溝道增強(qiáng)型絕緣柵場效應(yīng)管

n溝道增強(qiáng)型絕緣柵場效應(yīng)管 n溝道增強(qiáng)型絕緣柵場效應(yīng)管，又稱nMOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor），是一種非常

2023-09-02 10:05:25

1535

除碳可提高GaN電子遷移率？

據(jù)日本研究人員報告，通過減少碳污染來避免碳污染源導(dǎo)致的“遷移率崩潰”，氮化鎵（GaN）的電子遷移率性能創(chuàng)下新高。

2024-03-13 10:51:34

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高k柵介質(zhì)NMOSFET遠(yuǎn)程聲子散射對溝道遷移率的影響

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