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電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術(shù)>IGBT雙脈沖仿真—片內(nèi)寄生電感的影響

IGBT雙脈沖仿真—片內(nèi)寄生電感的影響

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2013-01-21 10:54:377771

級聯(lián)Blumlein型脈沖網(wǎng)絡(luò)電感設(shè)計(jì)

為了利用級聯(lián)Blumlein型脈沖形成網(wǎng)絡(luò)在高阻抗負(fù)載產(chǎn)生理想的高壓平頂脈沖輸出,開展了構(gòu)成該脈沖功率源關(guān)鍵單元的始端電感和終端電感設(shè)計(jì)。從充電電壓一致性,輸出脈沖不發(fā)生嚴(yán)
2013-04-27 16:14:3622

翅柱式IGBT水冷散熱器的熱仿真與實(shí)驗(yàn)_丁杰

翅柱式IGBT水冷散熱器的熱仿真與實(shí)驗(yàn)_丁杰
2017-01-08 10:30:292

IGBT在逆變電路中的測試與仿真IGBT逆變器緩沖定律

在設(shè)計(jì)緩沖電路時(shí),應(yīng)考慮到緩沖二極管內(nèi)部和緩沖電容引線的寄生電感。利用小二級管和小電容并聯(lián)比用單只二極管和單只電容的等效寄生電感小,并盡量采用低感或無感電容。另外,緩沖電路的設(shè)計(jì)應(yīng)盡可能近地聯(lián)接在lGBT模塊上。以上措施有助于減小緩沖電路的寄生電感
2017-05-16 11:15:325448

寄生電感IGBT開關(guān)損耗測量平臺的搭建

MOS門極功率開關(guān)元件的開關(guān)損耗受工作電壓、電流、溫度以及門極驅(qū)動(dòng)電阻等因素影響,在測量時(shí)主要以這些物理量為參變量。但測量的非理想因素對測量結(jié)果影響是值得注意的,比如常見的管腳引線電感。本文在理論分析和實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)基礎(chǔ)上闡述了各寄生電感IGBT開關(guān)損耗測量結(jié)果的影響。
2017-09-08 16:06:5221

測量寄生電容與寄生電感

電容的寄生電感寄生電阻主要是指它的引線和極板形成的電感和電阻,尤其是容量較大的電容更為明顯。如果你解剖過電容器,會(huì)看到它的極板是用長達(dá)1米的金屬薄膜卷曲而成的,其層狀就像一個(gè)幾十、甚至上百圈的線圈
2018-01-31 13:44:5537300

壓接式IGBT模塊結(jié)溫提取方法

的重要因素。基于壓接式IGBT模塊雙脈沖測試平臺,介紹一種基于關(guān)斷電流最大變化率的壓接式IGBT模塊結(jié)溫提取方法,分析壓接式IGBT芯片結(jié)溫和模塊關(guān)斷電流最大變化率間單調(diào)變化關(guān)系,并利用壓接式IGBT模塊封裝結(jié)構(gòu)固有的寄生電感有效獲取關(guān)斷電流最大
2018-02-01 10:20:499

寄生電感怎么產(chǎn)生的_寄生電感產(chǎn)生原因是什么

本文開始闡述了寄生電感的概念和和寄生元件危害,其次闡述了寄生電感測量儀的設(shè)計(jì)和寄生電感產(chǎn)生原因或產(chǎn)生方式,最后介紹了PCB過孔的寄生電容和電感的計(jì)算以及使用。
2018-03-28 14:50:4239049

磁芯對電感寄生電容有哪些影響

減小電感寄生電容的方法 如果磁芯是導(dǎo)體,首先: 用介電常數(shù)低的材料增加繞組導(dǎo)體與磁芯之間的距離
2019-07-18 08:00:001

什么是寄生電感_PCB寄生電容和電感計(jì)算

寄生電感一半是在PCB過孔設(shè)計(jì)所要考慮的。在高速數(shù)字電路的設(shè)計(jì)中,過孔的寄生電感帶來的危害往往大于寄生電容的影響。它的寄生串聯(lián)電感會(huì)削弱旁路電容的貢獻(xiàn),減弱整個(gè)電源系統(tǒng)的濾波效用。我們可以用下面的公式來簡單地計(jì)算一個(gè)過孔近似的寄生電感
2019-10-11 10:36:3319064

寄生電感怎么來的?

話去給別人解釋。 比如說,寄生電感這個(gè)字眼就經(jīng)常出現(xiàn),特別是引線電感。我們解釋一些問題的時(shí)候都是直接套用的,默認(rèn)它的存在。可實(shí)際上是,我在很長一段時(shí)間內(nèi)并不理解它到底是怎么來的,因?yàn)槲矣∠笾?b class="flag-6" style="color: red">電感都是線圈,而
2020-12-26 09:53:3610934

寄生電感怎么來的呢

最近在整理電感的內(nèi)容,忽然就有個(gè)問題不明白了:寄生電感怎么來的呢?一段直直的導(dǎo)線怎么也會(huì)存在電感,不是只有線圈才能成為電感嗎?
2022-02-12 09:22:593476

【科普文】寄生電感怎么來的?

最近在整理電感的內(nèi)容,忽然就有個(gè)問題不明白了:寄生電感怎么來的呢?一段直直的導(dǎo)線怎么也會(huì)存在電感,不是只有線圈才能成為電感嗎?
2021-03-01 10:04:4219

基于現(xiàn)有標(biāo)準(zhǔn)模塊封裝實(shí)現(xiàn)功率模塊的低寄生電感設(shè)計(jì)

在關(guān)斷IGBT過程中,IGBT電流急劇變化,由于有寄生電感的存在,會(huì)在IGBT上產(chǎn)生電壓尖峰 Vce(peak) = Vce + L * di/dt,如圖1所示。
2021-03-15 15:39:392592

IGBT的內(nèi)部寄生參數(shù)介紹

大功率的大電流大電壓中對于雜散電感Ls的關(guān)注就比較多,而小功率中可能就不會(huì)太看重。今天我們就來聊聊IGBT中涉及到的寄生參數(shù)。
2021-06-12 10:29:009667

什么是寄生電容,什么是寄生電感

本來沒有在那個(gè)地方設(shè)計(jì)電容,但由于布線之間總是有互容,互容就好像是寄生在布線之間的一樣,所以叫寄生電容 寄生電容: 本質(zhì)上還是電容,滿足i=c*du/dt。 電容是用來衡量儲(chǔ)存電荷能力的物理量。根據(jù)
2022-07-27 14:23:5515292

寄生電感對Buck電路中開關(guān)管的影響

LP6451內(nèi)部集成了兩個(gè)MOS管,構(gòu)成同步Buck電路中所必須的上管和下管,同樣由于PCB上的走線,Die與芯片引腳之間Bonding線都會(huì)帶來寄生電感,我們在分析LP6451的MOS管應(yīng)力時(shí),就需要把這些寄生電感都考慮進(jìn)來,而圖1就是LP6451功率部分的實(shí)際等效電路圖。
2022-11-15 09:27:271382

寄生電感的優(yōu)化

在實(shí)際電路中,寄生電感最主要的來源是PCB上的走線以及過孔,PCB板上的走線長度越長,過孔的深度越大,寄生電感就越大。
2022-12-28 18:05:492008

IGBT的測試

;若發(fā)雙脈沖IGBT模塊上管,則下管截止。 當(dāng)下管導(dǎo)通時(shí),電容池給空心電感充電;當(dāng)下管截止時(shí),空心電感與上管的二極管構(gòu)成回路并續(xù)流。 二、短路測試。 仍然使用雙脈沖測試的框圖。 有兩種短路測試方法: 1
2023-02-22 15:16:182

IGBT脈沖測試的原理

裕量; IGBT關(guān)斷時(shí)的電壓尖峰是否合適,關(guān)斷之后是否存在不合適的震蕩; IGBT開通和關(guān)斷時(shí)間; 測量母線的雜散電感。(二)IGBT脈沖測試的原理 所謂IGBT脈沖測試就是 上管持續(xù)關(guān)斷 、 下管驅(qū)動(dòng)信號
2023-02-22 15:07:1511

IGBT的雙脈沖測試實(shí)驗(yàn)

用的,只能當(dāng)做參考使用。 描述IGBT主要參數(shù)包括:ton,toff,Eon,Eoff,Isc,Irr,二極管的di/dt等。 要觀測這些參數(shù),最有效的方法就是‘雙脈沖測試法’。
2023-02-22 14:25:004

IGBT脈沖測試matlab仿真模型

IGBT脈沖測試matlab仿真模型,電機(jī)控制器驅(qū)動(dòng)測試驗(yàn)證,學(xué)習(xí)驗(yàn)證igbt開關(guān)特性.附贈(zèng)大廠資深工程師總結(jié)的雙脈沖測試驗(yàn)證資料,全部是實(shí)際項(xiàng)目總結(jié)。 鏈接:提取碼:fbif ? ? ?
2023-02-24 10:40:5717

IGBT脈沖現(xiàn)象解讀

什么是窄脈沖現(xiàn)象IGBT作為一種功率開關(guān),從門級信號到器件開關(guān)過程需要一定反應(yīng)時(shí)間,就像生活中開關(guān)門太快容易擠壓手一樣,過短的開通脈沖可能會(huì)引起過高的電壓尖峰或者高頻震蕩問題。這種現(xiàn)象隨著IGBT
2022-05-26 09:52:271472

壓接型IGBT芯片動(dòng)態(tài)特性實(shí)驗(yàn)平臺設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

重要意義。為了全面獲得電-熱-力綜合影響下壓接型 IGBT 芯片的動(dòng)態(tài)特性,該文結(jié)合雙脈沖測試 電路原理,研制出具備電-熱-力靈活調(diào)節(jié)的壓接型 IGBT 芯片動(dòng)態(tài)特性實(shí)驗(yàn)平臺。通過對動(dòng)態(tài)特性 實(shí)驗(yàn)平臺關(guān)鍵問題進(jìn)行有限元仿真計(jì)算,實(shí)現(xiàn)平臺回路寄生電感IGBT 芯片表面壓力分布
2023-08-08 09:58:280

介紹寄生電感對PCB布局的影響

《處理穩(wěn)壓器高開關(guān)頻率的 PCB 布局》系列專輯由三篇文章構(gòu)成,主要圍繞高開關(guān)頻率處理穩(wěn)壓器,介紹了高頻 DC/DC 轉(zhuǎn)換器的優(yōu)點(diǎn)、使用注意事項(xiàng)以及寄生電感對 PCB 布局的影響。
2023-08-21 14:51:23880

如何減少導(dǎo)線的寄生電感

如何減少導(dǎo)線的寄生電感?? 引言: 隨著電子設(shè)備的廣泛應(yīng)用,對于高速數(shù)據(jù)傳輸和高頻信號的傳輸要求也越來越高。然而電學(xué)特性的限制使得對導(dǎo)線的寄生電感逐漸成為制約高頻電路性能的瓶頸之一。降低寄生電感
2023-09-05 17:29:313211

寄生電感的影響

寄生電感的影響
2023-11-29 16:32:26328

寄生電感的介紹

寄生電感的介紹
2023-11-29 16:41:12816

詳解MOS管的寄生電感寄生電容

寄生電容和寄生電感是指在電路中存在的非意圖的電容和電感元件。 它們通常是由于電路布局、線路長度、器件之間的物理距離等因素引起的。
2024-02-21 09:45:35246

寄生電感到底是什么?如何計(jì)算過孔的寄生電感

從式中可以看出:過孔的直徑對寄生電感的影響較小,而長度才是影響寄生電感的關(guān)鍵因素。所以,在設(shè)計(jì)電路板時(shí),要盡量減小過孔的長度,以提高電路的性能。
2024-02-27 14:28:57161

如何測量功率回路中的雜散電感

本文支持快捷轉(zhuǎn)載影響IGBT和SiCMOSFET在系統(tǒng)中的動(dòng)態(tài)特性有兩個(gè)非常重要的參數(shù):寄生電感寄生電容。而本文主要介紹功率回路中寄生電感的定義和測試方法,包括直流母線電容的寄生電感,直流母排寄生
2024-03-07 08:13:08118

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