當功率器件承受的雪崩耐量超過極限后，芯片最終會損壞，然而單脈沖雪崩與重復雪崩的失效機理并不相同。
2024-02-25 15:48:08
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功率MOSFET的雪崩損壞有三種模式：熱損壞、寄生三極管導通損壞和VGS尖峰誤觸發(fā)導通損壞。
2024-02-25 16:16:35487 
【100V17A低結(jié)電容低開啟低內(nèi)阻MOS管加濕器霧化器方案】【惠海MOS管】高頻率、大電流、低開啟電壓、低內(nèi)阻、結(jié)電容小、低消耗、溫升低、轉(zhuǎn)換效率高、過電流達、抗沖擊能力強、SGT工藝，開關(guān)損耗
2020-10-13 11:14:00
其他便攜式數(shù)碼電子產(chǎn)品中隨處可見。惠海半導體MOS管采用SGT工藝，性能優(yōu)越，品質(zhì)好，具有高頻率、大電流、低開啟電壓、低內(nèi)阻、結(jié)電容小、低消耗、低溫升、高轉(zhuǎn)換效率、過電流大、抗沖擊能力強、開關(guān)損耗小等
2021-02-23 16:22:55
■HC030N10L是一款采用SGT工藝超結(jié)MOS管，低開啟電壓1.5V，低內(nèi)阻，低結(jié)電容,低開啟電壓，溫升低，轉(zhuǎn)換效率高，過電流大，抗沖擊能力強。■HC030N10L可以應用于LED驅(qū)動電源，電弧
2021-01-08 11:16:46
（一）惠海半導體【中低壓MOS管廠家】，供應中低壓壓N溝道場效應管NMOS管 廠家直銷，質(zhì)優(yōu)價廉 大量現(xiàn)貨 量大價優(yōu) 歡迎選購，低內(nèi)阻，結(jié)電容小，采用先進溝槽工藝，性能優(yōu)越, 惠海半導體
2020-11-13 14:59:06
`30V 60V 100V 150V SGT工藝高性能MOS管 低內(nèi)阻 低開啟 低結(jié)電容常規(guī)型號：25N10 17N06 30N06 50N06 30N03 3400 5N10 10N10
2020-10-27 15:40:02
`惠海半導體【中低壓MOS管廠家】專注中低壓MOS管的設計、研發(fā)、生產(chǎn)與銷售。惠海半導體提供30V -150V系列中低壓NMOS管，廠家直銷，質(zhì)優(yōu)價廉 ，大量現(xiàn)貨。惠海半導體MOS管廣泛運用于LED
2020-12-07 11:02:00
壓場效率管（MOSFET）MOS管型號：HC021N10L-AMOS管參數(shù)：100V35A內(nèi)阻：22mR（VGS=4.5V）結(jié)電容：1880pF類型：SGT工藝NMOS開啟電壓：1.8V封裝：TO-252惠
2020-11-12 09:52:03
（MOSFET）MOS管型號：HC021N10L-AMOS管參數(shù)：100V35A內(nèi)阻：22mR（VGS=4.5V）結(jié)電容：1880pF類型：SGT工藝NMOS開啟電壓：1.8V封裝：TO-252惠海
2020-11-03 15:38:19
（MOSFET）MOS管型號：HC021N10L-AMOS管參數(shù)：100V35A內(nèi)阻：22mR（VGS=4.5V）結(jié)電容：1880pF類型：SGT工藝NMOS開啟電壓：1.8V封裝：TO-252惠海
2020-11-11 14:45:15
`30V 60V 100V 150V SGT工藝高性能MOS管 低內(nèi)阻 低開啟 低結(jié)電容常規(guī)型號：25N10 17N06 30N06 50N06 30N03 3400 5N10 10N10
2020-10-27 13:54:30
17N10 30V 60V 100V 150V SGT工藝高性能MOS管 低內(nèi)阻 低開啟 低結(jié)電容東莞市惠海半導體有限公司專業(yè)從事DC-DC中低壓MOS管市場，專注中低壓MOS管的設計、研發(fā)、生產(chǎn)與銷售
2020-09-24 16:34:09
用MOS管控制電容的充放電，電容分別接DS兩端，S接地，G極控制，MOS管不通時，電容充電，導通時電容放電。不過放電時，電容兩端電壓全部加在了MOS管上，MOS管導通內(nèi)阻在0.1歐姆左右，那電容
2018-11-21 14:47:12
正確選擇MOS管是很重要的一個環(huán)節(jié)，MOS管選擇不好有可能影響到整個電路的效率和成本，了解不同的MOS管部件的細微差別及不同開關(guān)電路中的應力能夠幫助工程師避免諸多問題，下面我們來學習下MOS管
2020-07-10 14:54:36
其實MOS管一個ESD敏感器件，它本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場或靜電的感應而帶電，又因在靜電較強的場合難于泄放電荷，容易引起靜電擊穿。而靜電擊穿有兩種方式，電壓
2019-02-12 13:59:28
MOS管型號：HG1006D參數(shù)：100V 25A封裝：DFN3333內(nèi)阻：25mR(Vgs=10V)30mR(Vgs=4.5V)結(jié)電容：839pF開啟電壓：1.7V應用領(lǐng)域：車燈照明、車載電子
2021-12-29 07:42:47
SGT03U13 - Unidirectional Transient - GE Solid State
2022-11-04 17:22:44
SGT06U13 - Unidirectional Transient - GE Solid State
2022-11-04 17:22:44
、邏輯分析儀、天饋線測試儀、直流電源、藍牙測試儀、數(shù)據(jù)采集儀、光波測量系統(tǒng)、多用表校準儀、色彩分析儀、各類通訊測試儀器及光學量測儀等電子儀器量表。SGT100A 信號發(fā)生器產(chǎn)品細述：品 牌
2021-08-06 09:35:51
SGT364350A - Three Phase Solid State Relays - celduc-relais
2022-11-04 17:22:44
SGT965360 - Three Phase Solid State Relays - celduc-relais
2022-11-04 17:22:44
耐張線夾用于轉(zhuǎn)角、接續(xù)，及終端的連接。螺旋鋁包鋼線具有極強的耐張強度，無集中應力，對光纜起到保護和輔助減振的作用。
2019-10-17 09:01:03
雪崩二極管的原理雪崩二極管的作用
2021-03-10 07:05:13
雪崩二極管如何幫助防止過電壓？雪崩二極管的噪聲是如何產(chǎn)生的？
2021-06-18 09:24:06
。?易于集成到測試裝置的多種遠程控制接口除了USB和GigabitLAN以外，R&S?SGT100A還配有PCIe接口，用于計算機遠程控制。這極大提高了遠程控制指令的數(shù)據(jù)吞吐量，加快了波形下載
2021-06-24 16:22:34
S32K146的ESD、Ultimate pressure、avalanche tolerance的測試報告如何獲取？ESD/極限耐壓測試/雪崩耐量測試報告
2023-03-22 06:22:21
中低壓場效率管（MOSFET）MOS管型號：HG012N06LMOS管參數(shù)：60V50A內(nèi)阻：14mR（VGS=4.5V）結(jié)電容：550pF類型：SGT工藝NMOS開啟電壓：1.8V封裝
2020-07-31 11:03:26
，截止損耗（漏電流引起的，這個忽略不計），還有雪崩能量損耗。只要把這些損耗控制在mos承受規(guī)格之內(nèi)，mos即會正常工作，超出承受范圍，即發(fā)生損壞。而開關(guān)損耗往往大于導通狀態(tài)損耗（不同mos這個差距可能很大。Mos損壞主要原因：過流----------持續(xù)大電流或瞬間超大電流引起的結(jié)溫過高而燒毀；過壓
2021-07-05 07:19:31
有些功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中列出了重復雪崩電流IAR和重復雪崩能量EAR，同時標注了測量條件，通常有起始溫度25C，最高結(jié)溫150C或者175C，以及電感值、脈沖寬度和脈沖頻率，這些測量的條件
2017-09-22 11:44:39
關(guān)于怎樣確定MOS管是否會擊穿的問題。在網(wǎng)上有看到大概兩種說法：1.計算雪崩能量然后進行判斷MOS管是否會損壞；2.計算MOS管結(jié)溫然后查出對應的擊穿電壓。第一種不知道是要測所有的能量還是只是大于
2018-12-21 10:46:27
對雪崩效應也有很大影響。例如，晶片尺度的添加會進步抗雪崩能力，最終進步器材的穩(wěn)健性。對最終用戶而言，這意味著要在體系中選用更大的封裝件。 第四步：決議開關(guān)功能 挑選MOS管的最后一步是決議MOS管
2021-03-15 16:28:22
快速、緊湊、節(jié)省空間的解決方案，提供最高速度以確保優(yōu)化吞吐量并適合任何測試系統(tǒng)。R&S?SGT100A 明確關(guān)注自動化環(huán)境。它的主要特點是高速和緊湊的設計。R&S?SGT100A 是首
2021-09-26 08:57:49
、節(jié)省空間的解決方案，提供最高速度以確保優(yōu)化吞吐量并適合任何測試系統(tǒng)。R&S?SGT100A 明確關(guān)注自動化環(huán)境。它的主要特點是高速和緊湊的設計。R&S?SGT100A 是首款具有集成
2021-10-09 10:46:49
`60V50A 50N06 惠海半導體 高性能低結(jié)電容SGT工藝N溝道MOS管HG012N06L TO-252封裝 高性能 穩(wěn)定可靠東莞市惠海半導體有限公司專業(yè)從事DC-DC中低壓MOS管市場，專注
2020-08-29 14:51:46
型號:HC030N10L參數(shù)：100V 30A類型：N溝道 MOS場效應管內(nèi)阻22毫歐低結(jié)電容2000pF封裝：貼片（TO-252）■HC030N10L是一款采用SGT工藝超結(jié)MOS管，低開啟電壓
2020-12-12 14:41:06
推薦全新HG080N10LS TO-252 100v貼片MOS管場效應管 1. 惠海半導體【中低壓MOS管廠家】專注中低壓MOS管的設計、研發(fā)、生產(chǎn)與銷售。2. 惠海半導體提供30V -150V系列
2020-11-12 14:51:50
全國回收SGT100A、高價收購R&S SGT100A信號發(fā)生器本公司大量回收二手儀器上門回收現(xiàn)金回收高價回收無論你在哪，只要你想賣，一個電話，我們上門回收！R&S?SGT
2018-11-23 16:33:09
`請問汽車電瓶耐多少度高溫？`
2019-11-13 16:56:49
BVDSS，即便這個尖峰脈沖電壓的持續(xù)只有幾個或幾十個ns，功率MOS管也會進入雪崩從而發(fā)生損壞。 不同于三極管和IGBT，功率MOS管具有抗雪崩的能力，而且很多大的半導體公司功率MOS管的雪崩能量在生
2018-11-19 15:21:57
基于單粒子輻照的等離子體輸運機理，提出了橫向高壓DMOS單粒子輻照的瞬態(tài)響應模型。借助對橫向高壓DMOS的關(guān)態(tài)和開態(tài)的不同能量粒子輻照瞬態(tài)響應的二維數(shù)值分析，獲得了橫向
2009-03-03 11:46:42
28 SGT100A 是 Rohde & Schwarz 的 3 或 6 GHz 射頻發(fā)生器。?特征：頻率范圍：1 MHz 至 3 GHz使用 SGT-KB106 選項：1 MHz 至 6 GHz
2023-02-16 14:44:41
介紹了無載波脈沖探地雷達的現(xiàn)狀及雪崩三極管一般工作原理,并且對其雪崩過程提出了一種新的仿真思路。介紹了一種雙極性雪崩三極管脈沖產(chǎn)生器電路;電路采用雙管并聯(lián)以增大輸
2010-07-31 10:33:5628
功率MOSFET雪崩擊穿問題分析
摘要：分析了功率MOSFET雪崩擊穿的原因，以及MOSFET故障時能量耗散與器件溫升的關(guān)系。和傳統(tǒng)的
2009-07-06 13:49:385513 
雪崩二極管
2009-11-07 08:35:56801 雪崩二極管,雪崩二極管是什么意思
雪崩二極管
PN結(jié)有單向?qū)щ娦裕螂娮栊。聪螂娮韬艽蟆?
2010-02-27 11:34:374634 雪崩光電二極管,雪崩光電二極管是什么意思
英文縮寫: APD (A
2010-02-27 11:36:391155 雪崩擊穿,雪崩擊穿是什么意思
在材料摻雜濃度較低的PN結(jié)中，當PN結(jié)反向電壓增加時，空間電荷區(qū)中的電場隨著增強。這樣，通過空
2010-02-27 11:49:253288 雪崩渡越時間二極管,雪崩渡越時間二極管是什么意思
雪崩二極管，亦稱為“碰撞雪崩渡越時間二極管”。是一種在外加電壓作用下可以產(chǎn)生超高頻
2010-03-05 09:46:332327 雪崩渡越時間二極管振蕩器是什么?
雪崩二極管，亦稱為“碰撞雪崩渡越時間二極管”。是一種在外加電壓作用下可以產(chǎn)生超高頻振蕩的半導體二極
2010-03-05 10:23:241181 MOSFET的UIS及雪崩能量解析
在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中，通常包括單脈沖雪崩能量EAS，雪崩
2010-04-26 18:19:135531 
The L6206 device is a DMOS dual full bridge designed for motor control applications， realized
2017-09-25 10:34:0418 一、概述?? 半導體的接合部施加較大的反向衰減偏壓時，電場衰減電流的流動會引起雪崩衰減，此時元件可吸收的能量稱為雪崩耐量，表示施加電壓時的抗擊穿性。對于那些在元件兩端產(chǎn)生較大尖峰電壓的應用場合，就要
2018-06-20 12:06:5412436 常常會有廠家將 MOS管 和三極管進行對比，甚至有些時候還會產(chǎn)生疑問。到底為什么不使用三極管來代替MOS管？實際上，MOS管與三極管有許多不同的特點，一些廠家還不清楚，而飛虹作為30年來一直銷售生產(chǎn)
2019-03-24 22:50:02823 體二極管，而溝道電流為零。 在開關(guān)管雪崩擊穿過程中，能量集中在功率器件各耗散層和溝道中，在寄生三極管激活導通發(fā)生二次擊穿時，MOSFET會伴隨急劇的發(fā)熱現(xiàn)象，這是能量釋放的表現(xiàn)。雪崩電流在功率MOS
2019-04-28 19:24:338391 
雪崩二極管是利用半導體PN結(jié)中的雪崩倍增效應及載流子的渡越時間效應產(chǎn)生微波振蕩的半導體器件。如果在二極管兩端加上足夠大的反向電壓，使得空間電荷區(qū)展寬，從N+P結(jié)處一直展寬到IP+結(jié)處。
2019-12-06 13:50:0918732 特點和優(yōu)勢
1、國內(nèi)第一顆采用SGT技術(shù)的P-100V的MOSFET產(chǎn)品；
2、P Channel產(chǎn)品在負載開關(guān)應用中，電路更簡潔，高效；
2020-10-21 15:51:542267 過程），導通損耗，截止損耗（漏電流引起的，這個忽略不計），還有雪崩能量損耗。只要把這些損耗控制在 mos 承受規(guī)格之內(nèi)，mos 即會正常工作，超出承受范圍，即發(fā)生損壞。
2020-12-14 22:04:0018 SGT MOSFE是一種新型的功率半導體器件，具有傳統(tǒng)深溝槽MOSFE的低導通損耗的優(yōu)點，同時具有更加低的開關(guān)損耗。SGT MOSFE作為開關(guān)器件應用于新能源電動車、新型光伏發(fā)電、節(jié)能家電等領(lǐng)域
2020-12-25 14:02:0728404 MOSFET大致可以分為以下幾類：平面型MOSFET；Trench （溝槽型）MOSFET，主要用于低壓領(lǐng)域；SGT（Shielded Gate Transistor，屏蔽柵溝槽）MOSFET，主要用于中壓和低壓領(lǐng)域；SJ-（超結(jié)）MOSFET，主要在高壓領(lǐng)域應用。
2021-01-22 08:41:429130 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供MOS管損壞之謎：雪崩壞？發(fā)熱壞？內(nèi)置二極管壞？資料下載的電子資料下載，更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設計、用戶指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-03-29 16:52:5423 MOS器件第一個深溝槽（Deep Trench）作為“體內(nèi)場板”在反向電壓下平衡漂移區(qū)電荷，這樣可以降低漂移區(qū)的電阻率，從而降低器件的比導通電阻（RSP）和柵極電荷（Qg）。
2021-05-08 17:47:2120461 
本文對MOS失效原因總結(jié)以下六點，然后對1，2重點進行分析： 1、雪崩失效（電壓失效），也就是漏源間的BVdss電壓超過MOSFET的額定電壓，并且超過達到了一定的能力從而導致MOSFET失效
2021-06-22 15:53:297504 A4950全橋DMOS PWM電機驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
2021-11-19 17:46:1220 mos管的損壞主要圍繞雪崩損壞、器件發(fā)熱損壞、內(nèi)置二極管破壞、由寄生振蕩導致的破壞、柵極電涌、靜電破壞這五大方面。接下來就由小編針對mos管的損壞原因做以下簡明介紹。
2022-03-11 11:20:172517 
MOS管中文名金屬氧化物半導體絕緣柵場效應管。其輸入阻抗高、開關(guān)速度快、熱穩(wěn)定性、電壓控制電流等特性。IGBT中文名絕緣柵雙極型場效應晶體管。是MOS管與晶體三極管的組合，MOS是作為輸入管，而晶體三極管作為輸出管。
2022-02-09 10:02:5831 針對電控系統(tǒng)中分立器件的需求，上海貝嶺研制了基于電荷平衡原理的Split-Gate Trench MOS(簡稱SGT)，全面優(yōu)化了器件的開關(guān)特性和導通特性，為客戶的應用方案帶來高效率和穩(wěn)定性的同時
2022-03-20 14:43:453032 MOS或者DMOS. 一般主板上使用最多的是增強型MOS管，NMOS最多，一般多用在信號控制上，其次是PMOS,多用在電源開關(guān)等方面，耗盡型幾乎不用。
一般主板上使用最多的是增強型MOS管，NMOS最多，一般多用在信號控制上，其次是PMOS多用在電源開關(guān)等方面，耗盡型幾乎不用。
2022-03-29 13:59:4711 它就是FHP3710C型號的MOS管，是由國內(nèi)已經(jīng)專注研發(fā)20年的MOS管廠家生產(chǎn)，它是純國產(chǎn)制造，具有100% EAS測試，100% DVDS測試，高EAS雪崩能量，可靠性高,抗沖擊性能強的特點。
2022-11-07 12:03:00692 瑞森半導體低壓MOS-SGT產(chǎn)品,具有參數(shù)一致性高、抗沖擊能力強等特點為電動車駕乘提供有力保障
2022-12-27 17:52:31713 
揭秘WAYON維安新研發(fā)的SGT MOSFET，三大優(yōu)勢前途無量！
2023-01-06 12:59:081797 
Mos主要損耗也對應這幾個狀態(tài)，開關(guān)損耗（開通過程和關(guān)斷過程），導通損耗，截止損耗（漏電流引起的，這個忽略不計），還有雪崩能量損耗。只要把這些損耗控制在mos承受規(guī)格之內(nèi)，mos即會正常工作，超出承受范圍，即發(fā)生損壞。
2023-01-30 10:48:26805 功率器件作為電力電子裝置的核心器件，其在設計使用過程中的魯棒性能一直是工程師關(guān)心的問題，雪崩能力其中一個很重要的指標，如何理解雪崩，單次雪崩和重復雪崩是如何定義的，以及雪崩會帶來哪些危害
2023-02-06 13:54:242408 
當向MOSFET施加高于絕對最大額定值BVDSS的電壓時，就會發(fā)生擊穿。當施加高于BVDSS的高電場時，自由電子被加速并帶有很大的能量。這會導致碰撞電離，從而產(chǎn)生電子-空穴對。這種電子-空穴對呈雪崩
2023-02-13 09:30:071298 
便攜式儲能電源MOS管應用，主逆變儲能單元，推薦“平面高壓MOS”系列；DC-DC單元，推薦“低壓MOS-SGT”系列
2023-04-27 09:00:51554 
MOS 管可能會遭受與其他功率器件相同的故障，例如過電壓(半導體的雪崩擊穿)、過電流(鍵合線或者襯底熔化)、過熱(半導體材料由于高溫而分解)。
2023-05-05 09:11:22557 EAS單脈沖雪崩擊穿能量, EAS標定了器件可以安全吸收反向雪崩擊穿能量的高低。以低于Tj(max)為極限。
2023-05-24 09:51:302765 
針對市面上的電動平衡車，瑞森半導體推薦SGT-MOS系列，具有高一致性、高可靠性、開關(guān)速度快、低導通內(nèi)阻
2023-05-25 14:19:44238 
針對電動兩輪車，瑞森半導體推薦SGT-MOS系列，一致性高、可靠性高、開關(guān)速度快、低導通內(nèi)阻
2023-06-19 15:15:29231 
士蘭微mos管產(chǎn)品主要包括低高壓、超結(jié)mos管，實現(xiàn)了溝槽柵低壓MOS，溝槽屏蔽柵SGT-MOS，超級結(jié)MOS和IGBT等多個產(chǎn)品的量產(chǎn)，廣泛應用于家電、工業(yè)、LED照明、汽車、消費類電子、影音設備
2022-06-01 16:31:481304 
便攜式儲能電源MOS管應用，主逆變儲能單元，推薦“平面高壓MOS”系列；DC-DC單元，推薦“低壓MOS-SGT”系列
2023-04-27 10:13:57398 
針對市面上的電動平衡車，瑞森半導體推薦SGT-MOS系列，具有高一致性、高可靠性、開關(guān)速度快、低導通內(nèi)阻
2023-05-25 14:36:39301 
針對電動兩輪車，瑞森半導體推薦SGT-MOS系列，一致性高、可靠性高、開關(guān)速度快、低導通內(nèi)阻
2023-06-19 16:57:52306 
使用高壓MOS作為開關(guān)，例如下圖（來自于ADI官網(wǎng)）LTC2949的典型應用電路中，使用高壓MOS作為絕緣檢測的橋臂開關(guān)；選用高壓MOS的原因是成本相對比光MOS要低。
2023-07-06 16:57:26878 
MOS管在戶用儲能上的應用，推薦使用瑞森半導體（超結(jié)MOS系列+ 低壓SGT-MOS系列）
2023-10-12 13:46:01214 
MOS管在戶用儲能上的應用，推薦使用瑞森半導體（超結(jié)MOS系列+ 低壓SGT-MOS系列）
2023-10-12 14:17:43372 
單光子雪崩二極管（SPAD）的關(guān)鍵特征是能夠探測單個光子并提供數(shù)字信號輸出。
2023-11-21 09:17:39589 
什么是雪崩失效
2023-12-06 17:37:53295 
【科普小貼士】MOSFET的性能：雪崩能力
2023-12-07 16:46:47426 
什么是雪崩擊穿？單脈沖雪崩與重復雪崩有何不同？雪崩擊穿失效機理是什么？ 雪崩擊穿是指在電力系統(tǒng)中，由于過電壓等原因?qū)е陆^緣擊穿，進而引發(fā)設備失效的一種故障現(xiàn)象。在電力系統(tǒng)中，絕緣是保證設備正常運行
2023-11-24 14:15:36820 功率MOSFET雪崩特性分析
2023-12-04 14:12:36315 
MOS管在5G電源上的應用——PFC線路、Fly?back線路，推薦瑞森半導體超結(jié)MOS系列，同步整流線圖推薦低壓SGT MOS系列。
2023-12-18 10:06:17198 
MOS管在5G電源上的應用——PFC線路、Fly?back線路，推薦瑞森半導體超結(jié)MOS系列，同步整流線路推薦低壓SGT MOS系列。
2023-12-18 10:26:43161 
本文通過單項實驗對比與分析，選取原生HgCdTe材料，對其進行PIN結(jié)構(gòu)雪崩器件的全過程工藝模擬，形成大面積的雪崩Ⅰ區(qū)。采用微分霍爾、微分少子壽命等測試手段進行材料表征，評估獲得了關(guān)鍵雪崩區(qū)域的真實材料晶體質(zhì)量。
2024-03-15 09:38:28106 
無人機在無刷電機MOS管上的應用，推薦瑞森半導體低壓MOS-SGT系列，具有極低導通電阻，低損耗，高雪崩耐量，高效率，滿足不同方案需求的選型。
2024-03-21 10:20:5848 
無人機在無刷電機MOS管上的應用，推薦瑞森半導體低壓MOS-SGT系列，具有極低導通電阻，低損耗，高雪崩耐量，高效率，滿足不同方案需求的選型。
2024-03-21 10:47:5357 
較低的導通電阻、優(yōu)越的開關(guān)性能及很高的雪崩擊穿耐量。 30v大電流mos管SVG030R7NL5：采用PDFN-8-5X6封裝，漏源電壓VDS=30V，
2022-08-30 13:54:16
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