【2022年5月10日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）發布了一項全新的CoolSiC?技術，即CoolSiC? MOSFET 1200
2022-05-10 14:10:02
2200 
德國英飛凌科技（Infineon Technologies AG）開發出了適用于光伏發電用逆變器等的耐壓為1200V的SiC型FET（JFET）“CoolSiC產品群”，并在2012年5月8日～10日于德國舉行的電源技術展會“PCIM Europ
2012-05-17 08:54:481711 美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC) 推出新一代1200V非穿通型(non-punch through，NPT) IGBT系列中的首款產品。
2012-05-18 09:25:34781 
全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 推出新一代絕緣柵雙極型晶體管 （IGBT） 技術平臺。全新第八代 （Gen8） 1200V IGBT技術平臺采用
2012-11-17 10:40:171505 全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 推出堅固可靠的全新1200V超高速絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 系列，針對工業電機驅動及不間斷電源 （UPS） 應用進行了優化。
2013-06-14 15:22:001278 大聯大控股宣布，其旗下品佳代理的英飛凌（Infineon）推出革命性的1200V SiC MOSFET，使產品設計可以在功率密度和性能上達到前所未有的水平。它們將有助于電源轉換方案的開發人員節省空間、減輕重量、降低散熱要求，并提高可靠性和降低系統成本。
2018-04-10 14:04:347768 
基本半導體1200V 碳化硅MOSFET采用平面柵碳化硅工藝，結合元胞鎮流電阻設計，開發出了短路耐受時間長，導通電阻小，閾值電壓穩定的1200V系列性能卓越的碳化硅MOSFET。
2019-01-17 15:40:039313 
該功率MOSFET采用碳化硅（SiC）這種新材料，與常規的硅（Si）MOSFET、IGBT產品相比，具有高耐壓、高速開關和低導通電阻特性，有利于降低功耗，精簡系統。
2020-10-20 15:18:001556 CIPOS Maxi IPM集成了改進的6通道1200 V絕緣體上硅（SOI）柵極驅動器和六個CoolSiC? MOSFET，以提高系統可靠性，優化PCB尺寸和系統成本。
2020-12-11 17:01:08971 Easy模塊F3L11MR12W2M1_B74專為在整個功率因數（cos φ）范圍內工作而設計，它采用最先進的CoolSiC MOSFET和TRENCHSTOP IGBT7技術，并具備更高的二極管額定值。
2021-06-09 11:30:261272 ---“TWxxxZxxxC系列”，該產品采用東芝最新的 [1] 第3代碳化硅MOSFET芯片 ，用于支持工業設備應用 。該系列中五款額定電壓為650V，另外五款額定電壓為1200V，十款產品于今日開始批量
2023-09-04 15:13:401134 
電子發燒友網報道（文/梁浩斌）近日英飛凌推出了CoolSiC MOSFET G2技術，據官方介紹，這是新一代的溝槽柵SiC MOSFET技術，相比上一代產品也就是CoolSiC MOSFET G1
2024-03-19 18:13:181555 
采用了CoolMOS? C7和TRENCHSTOP? 5 IGBT技術的半導體器件，以及采用D2PAK 7引腳表面貼裝封裝的1200V CoolSiC? MOSFET（IMBG120R350M1H
2022-08-09 15:17:41
測試1200V輸入時，加十多分鐘后就炸機了，不是一開始就炸，MOS管那一串都炸了，變壓器沒燒毀。大神幫我看一下電路和波形，600V以后的CS波形感覺就不太好看了，不知道是什么導致的。示波器通道2壞了，沒法雙通道，只能這樣了。
2017-12-13 08:56:00
逆變器等中高功率領域，可顯著的減少電路的損耗，提高電路的工作頻率。 關斷波形圖（650V/10A產品） 650V/1200V碳化硅肖特基二極管選型
2020-09-24 16:22:14
Nov. 2019IV1D12010T2 – 1200V 10A 碳化硅肖特基二極管特性 封裝外形?最大結溫為 175°C?高浪涌電流容量?零反向恢復電流?零正向恢復電壓?高頻工作?開關特性不受溫度
2020-03-13 13:42:49
。尤其在高壓工作環境下，依然體現優異的電氣特性，其高溫工作特性，大大提高了高溫穩定性，也大幅度提高電氣設備的整體效率。 產品可廣泛應用于太陽能逆變器、車載電源、新能源汽車電機控制器、UPS、充電樁、功率電源等領域。 1200V碳化硅MOSFET系列選型
2020-09-24 16:23:17
ROHM面向工業設備用電源、太陽能發電功率調節器及UPS等的逆變器、轉換器，開發出1200V耐壓的400A/600A的全SiC功率模塊“BSM400D12P3G002
2018-12-04 10:20:43
變壓器進行限制。主要特色針對多個光伏串的隔離式高側電流感應能夠以小于 1% 滿量程的精度監測電流通過智能匯流箱中的 I2C 支持 1200V 隔離式電流感應可將其他 INA260 器件連接到 I2C 總線
2018-10-25 16:24:34
Ls上產生的電壓VLs=di/dt*Ls=500A/us*10nH=5V. 一旦門極震蕩電壓在閥值范圍內，MOSFET會不斷重復開關，造成極大的開關損耗甚至會影響到MOSFET的可靠性。圖4 綜上，對于
2018-12-10 10:04:29
上一章基于ROHM的SJ-MOSFET產品陣容，以標準AN系列、低噪聲EN系列、高速KN系列為例介紹了SJ-MOSFET的特征。本章將以SJ-MOSFET的trr速度更高的PrestoMOS?的兩個
2018-11-28 14:27:08
2ED250E12-F_EVAL，2ED250E12-F評估驅動板的開發是為了在客戶使用1200V PrimePACK IGBT模塊進行首次設計時為其提供支持。評估驅動板是一個功能齊全的IGBT模塊驅動器，其中兩個1ED020I12-F驅動器IC過程控制和反饋信號并提供電流絕緣
2020-04-14 09:54:37
，高速混合IGBT模塊的實施對于逆變器操作意味著什么，在圖4中顯示了仿真結果。該仿真是在小容量PCS中對200A / 1200V 62mm標準封裝進行的。對于20kHz的開關頻率，可以實現約50％的總體
2020-09-02 15:49:13
、車載電源、太陽能逆變器、充電樁、UPS、PFC 電源等領域有廣泛應用。附上1200V同系列碳化硅MOSFET B1M160120HC B1M080120HC B1M080120HK B1M032120HC B1M018120HC 參數選型表：
2021-11-10 09:10:42
RD-354，參考設計使用FNA22512A 25A / 1200V，3.7 kW三相逆變器。該參考設計支持1200 V Motion SPM 2系列的設計
2020-07-18 12:23:30
RD-354，參考設計使用FNA23512A 35A / 1200V，5.5 kW三相逆變器。該參考設計支持1200 V Motion SPM 2系列的設計
2020-07-18 12:46:31
產品系列包括以下SiC MOSFET：1200V 80/120 /160mΩ和1700V750mΩ，均采用TO247-3L封裝。其他器件很快將在同一封裝中投入生產，加上類似器件將采用TO247-4L
2019-07-30 15:15:17
。如果是相同設計，則與芯片尺寸成反比，芯片越小柵極電阻越高。同等能力下，SiC-MOSFET的芯片尺寸比Si元器件的小，因此柵極電容小，但內部柵極電阻增大。例如，1200V 80mΩ產品（S2301為裸芯片
2018-11-30 11:34:24
、SCT50N120 （Vbr=1200v（SCT*N120），Vbr=650v（SCT*N65G2/G2V））.高溫時功率損耗低.高溫工作性能（200C）.無恢復損耗的體二極管.驅動方便.低柵極充電（SCT*N65G2V）了解更多信息，請關注英特洲電子，QQ584140894
2017-07-27 17:50:07
MOSFET 因導通內阻低、 開關速度快等優點被廣泛應用于開關電源中。MOSFET 的驅動常根據電源 IC 和 MOSFET 的參數選擇合適的電路。 下面一起探討 MOSFET 用于開關電源的驅動
2022-01-03 06:34:38
對江蘇中科君芯科技有限公司(以下簡稱中科君芯)針對焊機領域開發1200V系列產品性能、和國外主流器件的參數比對、實際焊機測試比對展開討論。1電路拓撲工業用焊接電源電路拓撲有半橋和全橋(圖1,圖2)兩種
2014-08-13 09:01:33
試驗，以在實際應用條件下，評估1200V/45mΩ CoolSiC? MOSFET在TO-247 3引腳和4引腳封裝中的寄生導通特性。所有試驗均在柵極關斷電壓為0V的條件下開展。 圖2. 用于特性測試
2023-02-27 13:53:56
SiC-MOSFET的量產。SiC功率模塊已經采用了這種溝槽結構的MOSFET，使開關損耗在以往SiC功率模塊的基礎上進一步得以降低。右圖是基于技術規格書的規格值，對1200V/180A的IGBT模塊、采用第二代
2018-11-27 16:37:30
介紹了采用商用1200V碳化硅（SiC）MOSFET和肖特基二極管的100KHz，10KW交錯式硬開關升壓型DC / DC轉換器的參考設計和性能。 SiC功率半導體的超低開關損耗使得開關頻率在硅實現方面顯著增加
2019-05-30 09:07:24
本產品說明展示了接近理論的理想因素和勢壘高度GeneSiC的1200V SiC肖特基二極管，設計用于工作溫度> 225°C主要應用于井下石油鉆井、航空航天和電動汽車。溫度理想因子
2023-06-16 06:15:24
員要求的更低的寄生參數滿足開關電源（SMPS）的設計要求。650V碳化硅場效應管器件在推出之后，可以補充之前只有1200V碳化硅場效應器件設計需求，碳化硅場效應管（SiC MOSFET）由于能夠實現硅
2023-03-14 14:05:02
測試板。 實驗結果： 電流源驅動器和傳統電壓源驅動器板均使用雙脈沖測試進行評估。評估了 1200V、100A 分立式 IGBT 和 1200V、55A、40mΩ 碳化硅-MOSFET。兩款器件
2023-02-21 16:36:47
半導體陣容的包括用于主逆變器的650 V至1200V IGBT、1200 V SiC二極管、用于充電器的650 V超級結MOSFET、用于48V系統的80 V至200 V極低RDSon（< 1m
2018-10-25 08:53:48
MOSFET因導通內阻低、開關速度快等優點被廣泛應用于開關電源中。MOSFET的驅動常根據電源IC和MOSFET的參數選擇合適的電路。下面一起探討MOSFET用于開關電源的驅動電路。在
2021-10-28 06:56:14
求一個適用于高頻開關電路的mosfet，極間電容要小一點，越小越好
2019-08-19 13:47:23
。在今年 7 月的 PCIM（電力元件、可再生能源管理展覽會）虛擬展位上，展示了采用CoolSiC?汽車 MOSFET 技術的 EasyPACK?模塊，即 1200V/8mΩ(150A)的半橋模塊
2021-03-27 19:40:16
。 總結 與硅替代品相比，SiC MOSFET 具有一系列優勢，再加上其在硬開關應用中的魯棒性，使其值得在最有效的功率轉換應用中加以考慮。650 V CoolSiC 系列的推出使 SiC? MOSFET 技術在經濟上更加可行，適合那些將功率轉換推向極限的用戶。
2023-02-23 17:11:32
。與此同時，SiC模塊也已開發出采用第3代SiC-MOSFET的版本。“BSM180D12P3C007”就是通過采用第3代SiC-MOSFET而促進實現更低導通電阻和更大電流的、1200V/180A、Ron
2018-12-04 10:11:50
上海回收IGBT模塊FF200R12KT3_E 200A,1200V,共發射極,用于矩陣開關,雙向變換器等 62mm ?回收IGBT模塊電話151-5220-9946 QQ 2360670759江蘇
2021-09-17 19:23:57
輸出1200V,800W，輸出脈寬可調的電源電路:由芯片SG3525A組成。
2008-12-07 19:20:001580 
IR全新堅固耐用的1200V控制集成電路
電源管理技術領先供應商國際整流器公司(International Rectifier，簡稱IR)推出用于工業電機驅動控制的額定1200VIR2214和
2009-07-06 08:42:28798 IR針對汽車應用推出1200V絕緣IGBT AUIRG7CH80K6B-M
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出采用焊前金屬 (Solderable Front Metal，SFM) 的 1200V 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) AUIRG7
2009-11-19 08:49:32697 Infineon 公司的EconoDUAL 3模塊是600A/1200V的IGBT,主要的典型應用包括自動驅動系統的頻率變換器,光伏電壓系統的中央逆變器,汽車柴油發動機驅動器(CAV),同等封裝尺寸,可增加功率30%.本文
2010-06-21 21:52:093084 
SCH2090ke是?SiC(碳化硅)的Planer型MOSFET。耐高壓、低導通電阻、高速開關、實現整機的小型化和節能化。
2011-11-20 15:49:561311 全球領先的高性能功率半導體解決方案供應商Fairchild （NASDAQ： FCS） 發布首個1200V碳化硅（SiC）二極管 —— FFSH40120ADN，納入即將推出的SiC解決方案系列。
2016-03-22 11:12:161329 英飛凌全新1200V SiC MOSFET經過優化，兼具可靠性與性能優勢。它們在動態損耗方面樹立了新標桿，相比1200V硅（Si）IGBT低了一個數量級。這在最初可以支持光伏逆變器、不間斷電源（UPS）或充電/儲能系統等應用的系統改進，此后可將其范圍擴大到工業變頻器。
2016-05-10 17:17:498006 G2S12010B 1200V 10A 碳化硅肖特基功率二極管 兼容C4D10120D
正溫度系數，易于并聯使用?
不受溫度影響的開關特性?
最高工作溫度175℃
?零反向恢復電流? 零正向恢復電壓
2016-06-23 17:56:19
0 G2S12005A 1200V 5A 碳化硅肖特基功率二極管 兼容 C4D05120A
正溫度系數，易于并聯使用?
不受溫度影響的開關特性?
最高工作溫度175℃
?零反向恢復電流? 零正向恢復電壓
2016-06-23 17:56:190 G2S12002C 1200V 2A 碳化硅肖特基功率二極管 兼容 C4D02120A
正溫度系數，易于并聯使用?
不受溫度影響的開關特性?
最高工作溫度175℃
?零反向恢復電流? 零正向恢復電壓
2016-06-23 17:56:1910 G2S12005C 1200V 5A 碳化硅肖特基功率二極管 兼容 C4D05120E
正溫度系數，易于并聯使用?
不受溫度影響的開關特性?
最高工作溫度175℃
?零反向恢復電流? 零正向恢復電壓
2016-06-23 17:56:192 1200V溝槽柵場截止型IGBT終端設計_陳天
2017-01-08 14:36:357 大聯大旗下品佳代理的英飛凌（Infineon）推出革命性的1200V SiC MOSFET，使產品設計可以在功率密度和性能上達到前所未有的水平。它們將有助于電源轉換方案的開發人員節省空間、減輕重量、降低散熱要求，并提高可靠性和降低系統成本。
2018-04-23 16:18:003685 
MOSFET因導通內阻低、開關速度快等優點被廣泛應用于開關電源中。MOSFET的驅動常根據電源IC和MOSFET的參數選擇合適的電路。下面一起探討MOSFET用于開關電源的驅動電路。
2018-05-07 10:38:0011265 
新一代1200V TRENCHSTOP? IGBT6專門針對開關頻率在15kHz以上的硬開關和諧振拓撲而設計，可滿足其對更高能效以及更低導通損耗和開關損耗的要求.
2018-07-11 11:28:574836 
ROHM第三代碳化硅MOSFET特點（相比第二代）ROHM第三代設計應用于650V和1200V產品之中，包括分立或模組封裝。本報告深入分析了650V和1200V第三代溝槽MOSFET，并利用光學顯微鏡和掃描電鏡研究復雜的碳化硅溝槽結構。
2018-08-20 17:26:299042 據外媒報道，最近，日本羅姆半導體公司（ROHM）宣布新增兩款車用級1200V耐壓絕緣柵雙極型晶體管（IGBT），此類晶體管非常適合用于電子壓縮機內的逆變器，以及正溫度系數（PTC）加熱器中的開關電路。
2019-05-27 08:41:501493 。該模塊分別針對CoolSiC MOSFET和TRENCHSTOP IGBT4芯片組的最佳點損耗進行了優化，具有更高的功率密度和高達48 kHz的開關頻率，適用于新一代1500V光伏和儲能應用。
2019-09-14 10:56:003727 該功率MOSFET采用碳化硅（SiC）這種新材料，與常規的硅（Si）MOSFET、IGBT產品相比，具有高耐壓、高速開關和低導通電阻特性，有利于降低功耗，精簡系統。
2020-10-19 16:11:223530 
英飛凌推出采用全新D2PAK-7L封裝的1200V CoolSiC MOSFET，導通電阻從30m?到350m?，可助力不同功率的工業電源、充電器及伺服驅動器（不同的電流額定值）實現最高效率。 了解
2020-11-03 14:09:492695 英飛凌采用全新 D2PAK-7L 封裝的 1200V CoolSiC? MOSFET，導通電阻從 30m?到 350m?，可助力不同功率的工業電源、充電器及伺服驅動器（不同的電流額定值）實現最高
2021-03-01 12:16:022084 英飛凌科技股份公司（FSE:IFX/OTCQX:IFNNY）推出了1200V碳化硅（SiC）集成功率模塊（IPM），并在今年大規模推出了SiC解決方案。CIPOS Maxi IPM IM828系列
2021-01-08 11:34:513427 。結合硅 IGBT 或超結 MOSFET，譬如，在三相系統中用于 Vienna 整流或 PFC 升壓，CoolSiCTM 二極管相比于硅二極管，效率可提高 1% 或以上，PFC 和 DC-DC 級的輸出功率可增加 40% 或以上。除開關損耗微乎其微之外——這是碳化硅肖特基二極管的標志性特點——第五代 C
2021-01-11 08:00:003 英飛凌科技股份公司將EasyDUAL? CoolSiC? MOSFET模塊升級為新型氮化鋁（AIN） 陶瓷。
2021-08-06 15:25:301194 與業內人士交流互動產品和應用技術。 借英飛凌碳化硅20周年之際，9月10日，我們在展會會場，隆重舉辦第三屆碳化硅應用技術發展論壇，敬請蒞臨。 英飛凌科技股份公司(FSE:IFX/OTCQX:IFNNY)將EasyDUAL CoolSiC MOSFET模塊升級為新型氮化鋁(AIN) 陶瓷。該器件采用半橋配置
2021-08-24 09:31:502749 MOSFET因導通內阻低、開關速度快等優點被廣泛應用于開關電源中。MOSFET的驅動常根據電源IC和MOSFET的參數選擇合適的電路。下面一起探討MOSFET用于開關電源的驅動電路
2021-10-21 20:06:1219 ?東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）已推出兩款碳化硅(SiC) MOSFET雙模塊：額定電壓為1200V、額定漏極電流為600A的“MG600Q2YMS3”；額定電壓為1700V、額定
2022-02-01 20:22:024606 除了其他關鍵的改進外，最近推出的1200V CoolSiC? MOSFET，即M1H，還顯示出了出色的穩定性，并降低了漂移現象的影響。
2022-06-13 10:03:561417 
新一代碳化硅模塊采用增強型CoolSiC? MOSFET（M1H），首發型號為EasyPACK?和EasyDUAL?封裝。
2022-06-14 09:47:191258 CoolSiC? MOSFET集高性能、堅固性和易用性于一身。由于開關損耗低，它們的效率很高，因此可以實現高功率密度。
2022-06-22 10:22:222876 
英飛凌科技為電機控制應用開發了一款評估板，其中包括一個三相 SiC 模塊。特別是，它在電力驅動器中使用了 CoolSiC MOSFET 模塊的功率。 CoolSiC MOSFET 碳化硅 (SiC
2022-07-27 10:51:521072 
) 拓撲，并集成了 CoolSiC? MOSFET、TRENCHSTOP? IGBT7 器件和 NTC 溫度傳感器以及 PressFIT 接觸技術引腳。該電源模塊適用于儲能系統 (ESS) 等快速開關
2022-08-05 16:18:132076 
由于快速開關、傳導損耗和擊穿電壓增加，碳化硅 MOSFET在現代工業應用中的使用有所增加。憑借最快速的切換速度和更高的頻率授權，該框架減小了尺寸并提高了系統效率。大功率 SIC MOSFET 模塊
2022-08-05 08:04:521064 
和驅動板V2 - -米勒鉗位1EDC20I12MH用1200V的CoolSiC?MOSFET在TO247 3針/ 4針IMZ120R045M1備件如驅動板V1匯集一起。一是避免寄生開關，二是獲得
2022-08-05 10:04:51562 
值得一提的是，這款TO247-4封裝的產品通過AEC-Q101認證，同時表明1200V 17mΩ 的碳化硅(SiC) MOSFET裸芯片，也滿足車規級可靠性標準。該晶圓正面還可以采用鎳鈀金，如下圖，支持雙面散熱封裝，可進一步突破傳統單面封裝的功率密度極限。
2022-11-08 14:45:16874 2022年11月，上海瞻芯電子開發的1200V 17mΩ 的碳化硅(SiC) MOSFET通過了車規級可靠性認證(AEC-Q101)，該產品為TO247-4封裝，最大電流(Ids)可達111A。
2023-03-22 16:47:332073 
EiceDRIVER SOI系列誕生了首批1200V SOI半橋產品，用于高功率應用，如商用HVAC、熱泵、伺服驅動器、工業變頻器、泵和風機（高達10kW）。
2023-05-18 16:18:24317 隨著電動汽車的車載充電器 (OBC) 迅速向更高功率和更高開關頻率發展，對 SiC MOSFET 的需求也在增長。許多高壓分立 SiC MOSFET 已經上市，工程師也在利用它們的性能優勢
2023-06-08 15:40:02691 
提高。封裝采用.XT互連技術，最新的CoolSiCMOSFET具有一流的熱耗散性能。產品規格：1200V,7mΩ、14mΩ和20mΩTO247封裝CoolSiC12
2022-04-20 09:56:20594 
電量，逆變器效率的提高必不可少，在三相光伏逆變器上的升壓部分通常會放置一顆1200V的SiCMOSFET來替代普通的1200V的SI器件，相比具有相同額定值的12
2022-08-15 09:57:42511 
SiC MOSFET體二極管的關斷特性與IGBT電路中硅基PN二極管不同，這是因為SiC MOSFET體二極管具有獨特的特性。對于1200V SiC MOSFET來說，輸出電容的影響較大，而PN
2023-01-04 10:02:071115 
新品光伏用1200VCoolSiCBoostEasyPACK模塊光伏用1200VCoolSiCBoostEasyPACK模塊，采用M1H芯片，導通電阻8-17毫歐五個規格，PressFIT
2023-03-31 10:47:19349 的英飛凌出色VCEsat特性TRENCHSTOP技術高速開關，低EMI輻射針對目標應用的優化二極管，實現了低Qrr可選擇較低的柵極電阻（低至5Ω），同時保持出色的開
2023-03-31 10:52:07472 相比第一代產品，1200 V CoolSiC系列的開關損耗降低了25%，具有同類最佳的開關性能。這種開關性能上的改進實現了高頻運行，縮小了系統尺寸并提高了功率密度。由于柵極-源極閾值電壓（VGS
2023-07-06 09:55:40540 
在此方向上，青桐資本項目伙伴「量芯微半導體（GaNPower）」（以下簡稱「量芯微」）在全球范圍內率先實現1200V 硅基GaN HEMT的商業化量產，并于近日與泰克科技（Tektronix Inc.）合作進行了器件測試。
2023-07-19 16:37:301370 
新品用于高速開關應用的1200VEasyDUALCoolSiCMOSFET增強型1代1200VCoolSiCMOSFET的EasyDUAL1B半橋模塊，采用PressFIT壓接式安裝技術和溫度檢測
2023-07-31 16:57:59584 2023年10月，凌銳半導體正式推出新一代1200V 18毫歐和35毫歐的SiC MOS。產品性能優異，開關損耗更低、柵氧質量更好、而且兼容15V和18V驅動，能夠滿足高可靠性、高性能的應用需求。
2023-10-20 09:43:26488 
繼1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二極管）器件獲AEC-Q101車規級認證后
2023-10-25 18:28:10423 
深入剖析高速SiC MOSFET的開關行為
2023-12-04 15:26:12293 
據悉，國聯萬眾公司已研發出具備指標性能堪比國外知名廠商的1200V SiC MOSFET產品，部分型號產品已開始供應市場。另一方面，針對比亞迪在內的多方潛在客戶，該公司的電動汽車主驅用大功率MOSFET產品正在進行進一步洽談。
2023-12-12 10:41:48229 英飛凌科技股份公司近日發布了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列。這款產品采用了先進的TO-247PLUS-4-HCC封裝，規格為12-100mΩ，旨在滿足高壓應用的需求。
2024-02-01 10:51:00382 另外，CoolSiC MOSFET產品組合還成功實現了SiC MOSFET市場中的最低導通電阻值（Rdson），這大大提高了能效、功率密度，以及在電力系統中的可靠性，降低了零件使用數量。
2024-03-10 12:32:41502 蓉矽半導體近日宣布，其自主研發的1200V 40mΩ SiC MOSFET產品NC1M120C40HT已順利通過AEC-Q101車規級測試和HV-H3TRB加嚴可靠性考核。這一里程碑式的成就不僅彰顯了蓉矽半導體在功率半導體領域的技術實力，也進一步證明了其產品在新能源汽車、光伏逆變等高端應用領域的強大競爭力。
2024-03-12 11:06:30228 英飛凌科技股份公司推出的新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術，無疑為功率系統和能量轉換領域帶來了革命性的進步。與上一代產品相比，全新的CoolSiC? MOSFET 650V和1200V
2024-03-20 10:32:36134 CoolSiC 2000V SiC MOSFET系列采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，規格為12-100mΩ。由于采用了.XT互聯技術，CoolSiC技術的輸出電流能力強，可靠性提高。
2024-03-22 14:08:3568
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