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碳化硅賽道持續升溫，哪些資本參與了基本半導體的D輪融資？
- MOSFET(209665)
- 半導體(200960)
- 芯片設計(54341)
- 驅動芯片(53488)
- 碳化硅(47293)
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6月7日，國內第三代半導體碳化硅功率器件頭部企業——基本半導體在公司成立六周年之際宣布完成C2輪融資，由廣汽資本、潤峽招贏、藍海華騰等機構聯合投資。本輪融資將用于進一步推動碳化硅功率器件的研發
2022-06-07 18:07:21
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基本半導體發布高可靠性1200V碳化硅MOSFET
基本半導體1200V 碳化硅MOSFET采用平面柵碳化硅工藝，結合元胞鎮流電阻設計，開發出了短路耐受時間長，導通電阻小，閾值電壓穩定的1200V系列性能卓越的碳化硅MOSFET。
2019-01-17 15:40:039313
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。 ? 第三代半導體是以碳化硅、氮化鎵等為代表的寬禁帶半導體材料。某機構數據顯示，2022年，國內有超26家碳化硅企業拿到融資。而根據電子發燒友的不完全統計，今年光上半年就有32家碳化硅企業拿到融資。2023全年第三代半導體行業融資超
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650V/1200V碳化硅肖特基二極管如何選型
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碳化硅(SiC)肖特基二極管的特點
PN結器件優越的指標是正向導通電壓低，具有低的導通損耗。 但硅肖特基二極管也有兩個缺點，一是反向耐壓VR較低，一般只有100V左右;二是反向漏電流IR較大。 二、碳化硅半導體材料和用它制成的功率
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碳化硅半導體器件有哪些？
由于碳化硅具有不可比擬的優良性能，碳化硅是寬禁帶半導體材料的一種，主要特點是高熱導率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等，因此被應用于各種半導體材料當中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關管
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碳化硅MOSFET是如何制造的？如何驅動碳化硅場效應管？
充電器、電機和太陽能逆變器，不僅可以從這些新器件中受益匪淺，不僅在效率上，而且在尺寸上，可實現高功率、高溫操作。但是，不僅器件的特性讓人對新設計充滿好奇，也是意法半導體的戰略。碳化硅（SiC）技術是意
2023-02-24 15:03:59
碳化硅MOSFET的SCT怎么樣？
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實驗(SCT)表現。具體而言，該實驗的重點是在不同條件下進行專門的實驗室測量，并借助一個穩健的有限元法物理模型來證實和比較測量值，對短路行為的動態變化進行深度評估。
2019-08-02 08:44:07
碳化硅SiC技術導入應用的最大痛點
。 功率半導體就是這樣。在首度商業化時，碳化硅的創新性和較新的顛覆性技術必然很昂貴，盡管認識到了與硅基產品（如IGBT和Si-MOSFET）相比的潛在優勢，大多數工程師還是把它放在了“可有可無”的清單
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碳化硅二極管選型表
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碳化硅功率器件可靠性之芯片研發及封裝篇
至半導體內部導致失效。同樣的晶片表面鈍化層損壞后，雜質可能遷移到晶片內部導致失效。 HTRB試驗可以使這些失效加速呈現，排查出異常器件。基本半導體碳化硅二級管的HTRB實驗溫度為175℃，高于一般
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碳化硅基板——三代半導體的領軍者
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碳化硅深層的特性
。 碳化硅近幾年的快速發展 近幾年來，低碳生活也是隨之而來，隨著太陽能產業的發展，作為光伏產業用的材料，碳化硅的銷售市場也是十分火爆，許多磨料磨具業內人開始關注起碳化硅這個行業了。目前碳化硅制備技術非常
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碳化硅肖特基二極管技術演進解析
），P阱與N-形成的PiN會投入工作，減小浪涌時刻VF的增長，降低器件功耗，提升器件的抗浪涌能力。 圖（4）二極管正向與電流密度關系圖 基本半導體B1D系列碳化硅肖特基二極管均采用JBS結構。 05
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碳化硅肖特基二極管的基本特征分析
基于基本半導體碳化硅肖特基二極管1D20065K（650V/20A），電流特性（5A、10A、15A）： 硅快速恢復二極管（環境溫度25℃） 碳化硅肖特基二極管（環境溫度25℃） 硅快恢復二極管在
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碳化硅陶瓷線路板,半導體功率器件的好幫手
，因此使用碳化硅（SiC）陶瓷線路板的功率器件的阻斷電壓比Si器件高很多。3) 低損耗一般而言，半導體器件的導通損耗與其擊穿場強成反比，故在相似的功率等級下，SiC器件的導通損耗比Si器件小很多。且使用斯
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TO-247封裝碳化硅MOSFET引入輔助源極管腳的必要性
通損耗一直是功率半導體行業的不懈追求。 相較于傳統的硅MOSFET和硅IGBT 產品，基于寬禁帶碳化硅材料設計的碳化硅 MOSFET 具有耐壓高、導通電阻低，開關損耗小的特點，可降低器件損耗、減小
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iFLY投融資日報 | 創紀錄，國有資本首次注資，全域醫療獲7億B輪融資！
」獲4億元B輪融資，華興新經濟基金領投互聯網蛋糕品牌「幸福西餅」已完成4億元B輪融資，華興新經濟基金領投，老股東美團龍珠資本、璀璨資本持續加碼，新投資方亞商投資、信中利跟投。本輪融資由華興Alpha擔任
2018-07-25 10:01:36
【羅姆BD7682FJ-EVK-402試用體驗連載】基于碳化硅功率器件的永磁同步電機先進驅動技術研究
項目名稱：基于碳化硅功率器件的永磁同步電機先進驅動技術研究試用計劃：申請理由：碳化硅作為最典型的寬禁帶半導體材料，近年來被越來越廣泛地用于高頻高溫的工作場合。為了提高永磁同步電機伺服控制系統的性能
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為何碳化硅比氮化鎵更早用于耐高壓應用呢？
目前，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等“WBG（Wide Band Gap，寬禁帶，以下簡稱為：WBG）”以及基于新型材料的電力半導體，其研究開發技術備受矚目。根據日本環保部提出的“加快
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傳統的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)
傳統的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
創能動力推出碳化硅二極管ACD06PS065G
大功率適配器為了減小對電網的干擾，都會采用PFC電路、使用氮化鎵的充電器，基本也離不開碳化硅二極管，第三代半導體材料幾乎都是同時出現，強強聯手避免短板。創能動力推出的碳化硅二極管
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功率模塊中的完整碳化硅性能怎么樣？
復雜的設計，功率模塊的集成能力使其成為首選。但是哪些封裝適用于快速開關碳化硅器件？ 當傳統硅器件在功率損耗和開關頻率方面達到極限時，碳化硅可能是合適的半導體選擇。高達 30 至 40kHz，最新一代
2023-02-20 16:29:54
圖騰柱無橋PFC中混合碳化硅分立器件的應用
和分析，為滿足不同的市場需求，基本半導體為圖騰柱無橋PFC這一硬開關拓撲設計了能同時兼顧效率與性價比的混合碳化硅分立器件，同時也提供了更高效率的全碳化硅 MOSFET方案。 04 對比測試 這里
2023-02-28 16:48:24
在開關電源轉換器中充分利用碳化硅器件的性能優勢
技術需求的雙重作用，導致了對于可用于構建更高效和更緊湊電源解決方案的半導體產品擁有巨大的需求。這個需求寬帶隙（WBG）技術器件應運而生，如碳化硅場效應管（SiC MOSFET） 。它們能夠提供設計人
2023-03-14 14:05:02
基本半導體第三代碳化硅肖特基二極管性能詳解
家族中的新成員。 相較于前兩代二極管，基本半導體第三代碳化硅肖特基二極管在沿用6英寸晶圓工藝基礎上，實現了更高的電流密度、更小的元胞尺寸、更低的正向導通壓降。 基本半導體第三代碳化硅肖特基二極管繼承
2023-02-28 17:13:35
應用于新能源汽車的碳化硅半橋MOSFET模塊
采用溝槽型、低導通電阻碳化硅MOSFET芯片的半橋功率模塊系列 產品型號 BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽車級全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2
2023-02-27 11:55:35
歸納碳化硅功率器件封裝的關鍵技術
明顯偏大，不適合碳化硅的高溫工作。AlN λ值高，α 值接近 SiC 材料，成本合適，是目前較為理想的碳化硅器件的基板材料。BeO 雖然 λ 值高，但其強毒性則限制了其應用。Si3N4 α 值最接近
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新型電子封裝熱管理材料鋁碳化硅
新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問題，解決各行業遇到的各種芯片散熱問題，如果你有類似的困惑，歡迎前來探討，鋁碳化硅做封裝材料的優勢它有高導熱，高剛度，高耐磨，低膨脹，低密度，低成本，適合各種產品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問題及時交流，謝謝各位！
2016-10-19 10:45:41
淺談硅IGBT與碳化硅MOSFET驅動的區別
MOSFET更好的在系統中應用，需要給碳化硅MOSFET匹配合適的驅動。 接下來介紹基本半導體碳化硅MOSFET及驅動產品 基本半導體自主研發的碳化硅 MOSFET 具有導通電阻低，開關損耗小的特點，可降低
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被稱為第三代半導體材料的碳化硅有著哪些特點
好，硬度大（莫氏硬度為9.5級，僅次于世界上最硬的金剛石（10級））、導熱性能優良、高溫抗氧化能力強等。由于天然含量甚少，碳化硅主要多為人造。二、碳化硅半導體器件由于碳化硅具有不可比擬的優良性能，碳化硅
2023-02-20 15:15:50
請教碳化硅刻蝕工藝
最近需要用到干法刻蝕技術去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達到表面改性的效果。但是實際刻蝕過程中總是會在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
芯聞精選：發力碳化硅半導體器件，致瞻科技完成Pre-A輪融資
碳化硅半導體器件供應商致瞻科技有限公司獲得Pre-A輪融資。11月20日，毅達資本在官方微信宣布，已完成對致瞻科技的投資。依托核心團隊10余年的碳化硅功率半導體設計和驅動系統研發經驗
2020-11-30 10:33:272199
2199國內碳化硅“先鋒”，基本半導體的碳化硅新布局有哪些？
基本半導體是國內比較早涉及第三代半導體碳化硅功率器件研發的企業，率先推出了碳化硅肖特基二極管、碳化硅MOSFET等器件，為業界熟知，并得到廣泛應用。在11月27日舉行的2021基本創新日活動
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國內首條！基本半導體汽車級碳化硅功率模塊專用產線正式通線
12月30日，基本半導體位于無錫市新吳區的汽車級碳化硅功率模塊制造基地正式通線運行，首批碳化硅模塊產品成功下線。這是目前國內第一條汽車級碳化硅功率模塊專用產線，采用先進碳化硅專用封裝工藝技術，打造
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寬禁帶半導體發展迅猛 碳化硅MOSFET未來可期
在高端應用領域，碳化硅MOSFET已經逐漸取代硅基IGBT。以碳化硅、氮化鎵領銜的寬禁帶半導體發展迅猛，被認為是有可能實現換道超車的領域。
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1072基本半導體碳化硅B1M080120HC助力光伏逆變器設計
基本半導體碳化硅MOSFET B1M080120HC(替代C2M0080120D)助力光伏逆變器設計
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2022年9月20日，國內第三代半導體碳化硅頭部企業——基本半導體完成C4輪融資，由新股東德載厚資本、國華投資、新高地等機構聯合投資，現有股東屹唐長厚、中美綠色基金等機構繼續追加投資。 本輪融資將用
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億美元的新工廠。隨著新能源汽車的加速滲透，碳化硅技術的重要性愈發凸顯。安森美、Wolfspeed、意法半導體等碳化硅領域主導企業，均發表了對行業發展的積極展望，并計劃投資擴大產能。碳化硅大廠間的新一輪卡位之戰正在展開。 激進的擴產步伐 作為碳化
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872漢京半導體完成數千萬元天使輪融資，加速半導體設備用碳化硅制品研發
近日，遼寧漢京半導體材料有限公司（以下簡稱“漢京半導體”）宣布完成數千萬元天使輪融資，由浙商創投獨家投資。本輪融資將主要用于半導體設備用碳化硅制品的研發投入、和設備采購等。 漢京半導體成立于2022
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1911羅姆將量產下一代碳化硅功率半導體
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498RS瑞森半導體碳化硅二極管在光伏逆變器的應用
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希科半導體國產碳化硅外延片正式投產
希科半導體（蘇州）有限公司宣布碳化硅外延片投產。據悉，該產品通過了行業權威企業歐陸埃文思材料科技（上海）有限公司和寬禁帶半導體電力電子器件國家重點實驗室的雙重檢測，具備媲美國際大廠碳化硅外延片的品質，解決了國外產品的卡脖子問題，為我國碳化硅行業創下了一個新紀錄。
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1006汽車碳化硅技術原理圖
汽車碳化硅技術原理圖 相比硅基功率半導體，碳化硅功率半導體在開關頻率、損耗、散熱、小型化等方面存在優勢，隨著特斯拉大規模量產碳化硅逆變器之后，更多的企業也開始落地碳化硅產品。 功率半導體碳化硅
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467什么是碳化硅（SiC）？
碳化硅（SiC）是第三代化合物半導體材料。半導體材料可用于制造芯片，這是半導體行業的基石。碳化硅是通過在電阻爐中高溫熔化石英砂，石油焦，鋸末等原材料而制造的。
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20965特斯拉碳化硅技術怎么樣？特斯拉碳化硅技術成熟嗎？
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2602碳化硅技術壁壘分析：碳化硅技術壁壘是什么 碳化硅技術壁壘有哪些
碳化硅技術壁壘分析：碳化硅技術壁壘是什么 碳化硅技術壁壘有哪些 碳化硅芯片不僅是一個新風口，也是一個很大的挑戰，那么我們來碳化硅技術壁壘分析下碳化硅技術壁壘是什么？碳化硅技術壁壘
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淺談碳化硅的應用
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933功率半導體碳化硅(SiC)技術
功率半導體碳化硅（SiC）技術 Silicon Carbide Adoption Enters Next Phase 碳化硅（SiC）技術的需求繼續增長，這種技術可以最大限度地提高當今電力系統的效率
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0SiC碳化硅二極管和SiC碳化硅MOSFET產業鏈介紹
晶圓（前端工藝）。碳化硅晶圓再經過劃片封裝測試（后段工藝）就變成了我們現在使用的半導體-碳化硅二極管和碳化硅MOS。
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SiC碳化硅二極管的特性和優勢
什么是第三代半導體？我們把SiC碳化硅功率器件和氮化鎵功率器件統稱為第三代半導體，這個是相對以硅基為核心的第二代半導體功率器件的。今天我們著重介紹SiC碳化硅功率器件，也就是SiC碳化硅二極管
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2090激光在碳化硅半導體晶圓制程中的應用
本文介紹了激光在碳化硅（SiC）半導體晶圓制程中的應用，概括講述了激光與碳化硅相互作用的機理，并重點對碳化硅晶圓激光標記、背金激光表切去除、晶粒隱切分片的應用進行了介紹。
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意法半導體供應超千萬顆碳化硅器件
意法半導體（ST）宣布與采埃孚科技集團公司(ZF)簽署碳化硅器件長期供應協議。從 2025 年起，采埃孚將從意法半導體采購碳化硅器件。
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930什么是碳化硅半導體
硅（Si）是電子產品中常用的純半導體的一個例子。鍺（Ge）是另一種純半導體，用于一些最早的電子設備。半導體也由化合物制成，包括砷化鎵 （GaAs）、氮化鎵 （GaN）、硅鍺 （SiGe） 和碳化硅 （SiC）。我們稍后將回到最后一項。
2023-05-24 11:26:141681
1681碳化硅功率模組有哪些
讀者的持續關注。 一、簡介 二、碳化硅功率器件產業鏈 三、碳化硅功率器件產業鏈上游 四、碳化硅功率器件設計 五、碳化硅功率器件制造 六、碳化硅功率器件的應用與市場 01 | 碳化硅功率器件的應用 目前市場上常見的碳化硅功率器
2023-05-31 09:43:20390
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碳化硅二極管是什么 碳化硅二極管是一種半導體器件，它由碳化硅材料制成。碳化硅具有高的耐壓能力和高的溫度耐受性，因此碳化硅二極管具有較低的反向漏電流、高溫下穩定性良好、響應速度快等特點，廣泛用于高功率、高頻率、高溫、高壓等領域，如電源、變頻器、太陽能、電動汽車等。
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碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導體器件，其中"MOSFET"表示金屬氧化物半導體場效應晶體管，"碳化硅"指的是其材料。碳化硅
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如今砷化鎵、磷化銦等作為第二代化半導體因其高頻性能效好主要是用于射頻領域，碳化硅、和氮化鎵等作為第三代半導體因禁帶寬度和擊穿電壓高的特性。
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405碳化硅是如何制造的？碳化硅的優勢和應用
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碳化硅的性能和應用場景
碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優良電氣特性，突破硅基半導體材料物理限制，是第三代半導體核心材料。碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化鎵射頻器件和碳化硅功率器件。受益于5G通信、國防軍工、新能源汽車和新能源光伏等領域的發展，碳化硅需求增速可觀。
2023-08-19 11:45:221042
1042igbt和碳化硅區別是什么？
igbt和碳化硅區別是什么？? IGBT和碳化硅都是半導體器件，它們之間的區別主要體現在以下幾個方面。 一、材料： IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣
2023-08-25 14:50:049049
9049第三代寬禁帶半導體碳化硅功率器件的應用
SiC器件是一種新型的硅基MOSFET，特別是SiC功率器件具有更高的開關速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN結組成。
在眾多的半導體器件中，碳化硅材料具有低熱導率、高擊穿
2023-09-26 16:42:29342
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三安光電8英寸碳化硅量產加速！
業內人士預測，今年將成為8英寸碳化硅器件的元年。國際功率半導體巨頭Wolfspeed和意法半導體等公司正在加速推進8英寸碳化硅技術。在國內市場方面，碳化硅設備、襯底和外延領域也有突破性進展，多家行業龍頭選擇與國際功率半導體巨頭合作。
2023-10-24 17:11:21969
969汽車缺“芯”，這是碳化硅功率半導體“上車”的關鍵
目前汽車業仍結構性缺芯，比如，電源類、控制類、通信類、計算類、功率類的芯片均緊缺。像碳化硅芯片項目投資建設期需18-24個月，去年有許多碳化硅項目的投資，要2025年才會釋放產能，預計2025年碳化硅功率半導體的緊缺狀況才會得到緩解。
2023-11-17 17:12:18664
664基本半導體：功率半導體的碳化硅時代
目前，全球碳化硅產業處于快速發展階段。據市場研究機構預測，未來幾年碳化硅市場將保持高速增長態勢。根據公開信息統計，2022年全球碳化硅市場份額約為18億美元，該數據包括多家上市公司，如意法半導體、英飛凌、Wolfspeed和安森美羅姆等。
2023-12-06 17:17:37603
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碳化硅是如何制造的？碳化硅的優點和應用
碳化硅，又稱SiC，是一種由純硅和純碳組成的半導體基材。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導體，或將其與鈹、硼、鋁或鎵摻雜以形成p型半導體。雖然碳化硅的品種和純度很多，但半導體級質量的碳化硅只是在過去幾十年中才浮出水面。
2023-12-08 09:49:23438
438氮化鎵半導體和碳化硅半導體的區別
氮化鎵半導體和碳化硅半導體是兩種主要的寬禁帶半導體材料，在諸多方面都有明顯的區別。本文將詳盡、詳實、細致地比較這兩種材料的物理特性、制備方法、電學性能以及應用領域等方面的差異。 一、物理特性： 氮化
2023-12-27 14:54:18331
331碳化硅相對傳統硅半導體有什么有缺點
碳化硅（SiC）和傳統硅半導體（Si）是兩種常見的半導體材料，它們在電子器件制造中具有廣泛的應用。然而，碳化硅相對于傳統硅半導體具有一定的優缺點。 優點： 更高的熱導率：碳化硅的熱導率是傳統硅半導體
2024-01-10 14:26:52231
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工商網監
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