本推文主要介Ga2O3器件，氧化鎵和氮化鎵器件類似，都難以通過離子注入擴散形成像硅和碳化硅的一些阱結構，并且由于氧化鎵能帶結構的價帶無法有效進行空穴傳導，因此難以制作P型半導體。學習氧化鎵仿真初期
2023-11-27 17:15:09
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水平。2022年12月，銘鎵半導體完成了4英寸氧化鎵晶圓襯底技術突破，成為國內首個掌握第四代半導體氧化鎵材料4英寸（001）相單晶襯底生長技術的產業化公司。2022年5月，浙大杭州科創中心首次采用新技術
2023-03-15 11:09:59
生物功能材料并應用于人體是1969年，高純氧化鋁精細陶瓷用于醫學工程的有單晶體和燒結的多晶體兩種。現在，美國、西德、瑞士和荷蘭都在廣泛地使用多晶高純納米氧化鋁制作人造牙和人造骨，醫學用材料主要是高純納米
2016-10-21 13:51:08
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 該GaN內部匹配（IM）FET與其他技術相比，具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
充電器變得高效起來，發熱更低，體積也縮小便于攜帶，推進了百瓦大功率充電器的普及，也改變了人們對大功率充電器的印象。但是氮化鎵器件對柵極驅動電壓要求非常敏感，并且對布線要求也很高，這也導致了應用門檻較高
2021-11-28 11:16:55
GaN功率半導體(氮化鎵)的系統集成優勢
2023-06-19 09:28:46
材料在制作耐高溫的微波大功率器件方面也極具優勢。筆者從材料的角度分析了GaN 適用于微波器件制造的原因，介紹了幾種GaN 基微波器件最新研究動態，對GaN 調制摻雜場效應晶體管（MODFETs）的工作原理以及特性進行了具體分析，并同其他微波器件進行了比較，展示了其在微波高功率應用方面的巨大潛力。
2019-06-25 07:41:00
功率氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關頻率、更低的導通電阻等優勢，并可與成本極低、技術成熟度極高的硅基半導體集成電路工藝相兼容，在新一代高效率、小尺寸的電力轉換與管理系統、電動機
2018-11-05 09:51:35
本帖最后由 kuailesuixing 于 2018-2-28 11:36 編輯
整合意法半導體的制造規模、供貨安全保障和電涌耐受能力與MACOM的硅上氮化鎵射頻功率技術，瞄準主流消費
2018-02-12 15:11:38
用于無線基礎設施的半導體技術正在經歷一場重大的變革，特別是功率放大器(PA)市場。橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管在功率放大器領域幾十年來的主導地位正在被氮化鎵(GaN)撼動，這將對無線
2017-08-30 10:51:37
`作為一家具有60多年歷史的公司，MACOM在射頻微波領域經驗豐富，該公司的首款產品就是用于微波雷達的磁控管，后來從真空管、晶體管發展到特殊工藝的射頻及功率器件（例如砷化鎵GaAs）。進入2000年
2017-09-04 15:02:41
的各個電端子之間的距離縮短十倍。這樣可以實現更低的電阻損耗，以及電子具備更短的轉換時間。總的來說，氮化鎵器件具備更快速的開關、更低的功率損耗及更低的成本優勢。由于氮化鎵技術在低功耗、小尺寸等方面具有獨特
2017-07-18 16:38:20
蘇試宜特實驗室通過掃描電鏡看試樣氧化層的厚度，直接掰開看斷面，這樣準確嗎？通過掃描電鏡看試樣氧化層的厚度，如果是玻璃或陶瓷這樣直接掰開看斷面是可以的；如果是金屬材料可能在切割時，樣品結構發生變化就不行了，所以要看是什么材料的氧化層。
2021-09-30 18:45:38
20 GHz。使用的tgf2040 Qorvo的證明標準的0.25微米功率PHEMT器件生產工藝設計。這個過程具有先進的技術，以優化微波功率和效率在高漏極偏壓條件下。通常提供26 dBm的輸出功率在
2018-07-18 12:00:19
的蝕刻速率作為溫度的函數圖。1.用三角形指定的數據來自于在砷化鎵上生長的多晶AlN。這種材料的蝕速率比在氧化鋁上生長的兩個單晶樣品快得多。2. 用正方形表示的數據來自一個1μm厚的層，雙晶X射線衍射峰寬為
2021-10-14 11:48:31
的開路條件下被光蝕刻。 介紹近年來，氮化鎵和相關氮化物半導體在藍綠色發光二極管、激光二極管和高溫大功率電子器件中的應用備受關注。蝕刻組成材料的有效工藝的可用性因此非常重要。由于第三族氮化物不尋常的化學
2021-10-13 14:43:35
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：氮化鎵發展技術編號：JFSJ-21-041作者：炬豐科技網址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要：在單個芯片上集成多個
2021-07-06 09:38:20
功率模塊（APM）、加熱和冷卻單元等。表1：突破性半導體材料的最佳應用氮化鎵的魅力在于其固有的超越硅的幾個屬性。氮化鎵提供更低的開關損耗；更快的速度，類似RF的開關速度；增加的功率密度；更好的熱預算
2018-07-19 16:30:38
氮化鎵(GaN)這種寬帶隙材料將引領射頻功率器件新發展并將砷化鎵(GaAs)和LDMOS(橫向擴散金屬氧化物半導體)器件變成昨日黃花？看到一些媒體文章、研究論文、分析報告和企業宣傳文檔后你當然會這樣
2019-07-31 07:54:41
氮化鎵(GaN)的重要性日益凸顯，增加。因為它與傳統的硅技術相比，不僅性能優異，應用范圍廣泛，而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發和應用中，傳統硅器件在能量轉換方面，已經達到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
度為1.1 eV，而氮化鎵的禁帶寬度為3.4 eV。由于寬禁帶材料具備高電場強度，耗盡區窄短，從而可以開發出載流子濃度非常高的器件結構。例如，一個典型的650V橫向氮化鎵晶體管，可以支持超過800V
2023-06-15 15:53:16
目前，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等“WBG（Wide Band Gap，寬禁帶，以下簡稱為：WBG）”以及基于新型材料的電力半導體，其研究開發技術備受矚目。根據日本環保部提出的“加快
2023-02-23 15:46:22
金屬氧化物H+選擇性電極作為玻璃電極的替代材料已引起了廣泛的關注，文獻報導的金屬氧化物pH電化學傳感器大部分是基于貴金屬氧化物電極，制備成本較貴，但W及其氧化物價格相對比校低。
2019-09-16 10:05:21
氮化鎵(GaN)功率芯片，將多種電力電子器件整合到一個氮化鎵芯片上，能有效提高產品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化鎵功率芯片，能令先進的電源轉換拓撲結構，從學術概念和理論達到
2023-06-15 14:17:56
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現氮化鎵器件、驅動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設計，帶集成柵極驅動和穩健的器件保護。從那時起，我們就致力于利用這項尖端技術將功率級
2020-10-27 09:28:22
、高功率、高效率的微電子、電力電子、光電子等器件方面的領先地位。『三點半說』經多方專家指點查證，特推出“氮化鎵系列”，告訴大家什么是氮化鎵（GaN）？
2019-07-31 06:53:03
的 3 倍多，所以說氮化鎵擁有寬禁帶特性（WBG）。
禁帶寬度決定了一種材料所能承受的電場。氮化鎵比傳統硅材料更大的禁帶寬度，使它具有非常細窄的耗盡區，從而可以開發出載流子濃度非常高的器件結構。由于氮化
2023-06-15 15:41:16
=rgb(51, 51, 51) !important]射頻氮化鎵技術是5G的絕配，基站功放使用氮化鎵。氮化鎵（GaN）、砷化鎵（GaAs）和磷化銦（InP）是射頻應用中常用的半導體材料。[color
2019-07-08 04:20:32
傳統的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
明佳達電子優勢供應氮化鎵功率芯片NV6127+晶體管AON6268絲印6268，只做原裝，價格優勢，實單歡迎洽談。產品信息型號1：NV6127絲印：NV6127屬性：氮化鎵功率芯片封裝：QFN芯片
2021-01-13 17:46:43
先進陶瓷材料又稱精密陶瓷材料，是指采用精制的高純、超細的無機化合物為原料及先進的制備工藝技術制造出的性能優異的產品。根據工程技術對產品使用性能的要求，制造的產品可以分別具有壓電、鐵電、導電、半導體
2021-03-29 11:42:24
材料特性對比展開，通過泰克儀器測試英飛凌GaN器件來進行氮化鎵特性的測量與分析。方案配置：示波器MSO5+光隔離探頭TIVH08+電壓及電流探頭+電源和IGBT town 軟件第二步：電路設計和PCB
2020-11-18 06:30:50
合理開關損耗的同時，提升功率密度和瞬態性能。傳統上，GaN器件被封裝為分立式器件，并由單獨的驅動器驅動，這是因為GaN器件和驅動器基于不同的處理技術…
2022-11-16 06:23:29
使用更小、成本更低且更可靠的陶瓷電容器，可增加功率密度。
氮化鎵器件使得電機驅動器在減小尺寸和重量的同時，可以實現更平穩的運行。這些優勢對于倉儲和物流機器人、伺服驅動器、電動自行車和電動滑板車、協作
2023-06-25 13:58:54
的射頻技術，碳化硅（SiC）可用于功率或射頻領域。可以肯定的是，氮化鎵不會統治整個射頻應用，設備廠商會像以前一樣，根據應用選擇不同的器件和工藝制程技術，包括三五價化合物與硅材料。“（射頻領域）還是有砷
2016-08-30 16:39:28
大幅降低電流在保護板上的損耗，隨著手機充電功率達到200W，電池端的電流達到20A。傳統硅MOS溫升明顯，甚至需要輔助導熱措施來為其散熱。使用氮化鎵代替硅MOS之后，可以無需導熱材料，降低快充過程中
2023-02-21 16:13:41
和功率因數校正 （PFC） 配置。 簡單的電路提供了將硅控制器用于GaN器件的過渡能力。對于單個氮化鎵器件，隔離式負 V一般事務（關閉）EZDrive?電路是一種低成本、簡單的方法，可以使用12V驅動器
2023-02-21 16:30:09
和安全性試驗，各項性能均滿足電動汽車的技術要求，加上氧化鎳錳鈷鋰三元材料的價格僅為氧化鈷鋰的50％左右，所以摻雜氧化鎳錳鈷鋰三元材料是解決電動汽車對動力型鋰離子電池嚴格需求的理想途徑之一。
2011-03-04 14:30:54
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設計，帶集成柵極驅動和穩健的器件保護。從那時起，我們就致力于利用這項尖端技術將功率級
2022-11-10 06:36:09
氮化鎵(GaN)是一種全新的使能技術，可實現更高的效率、顯著減小系統尺寸、更輕和于應用中取得硅器件無法實現的性能。那么，為什么關于氮化鎵半導體仍然有如此多的誤解？事實又是怎樣的呢？
關于氮化鎵技術
2023-06-25 14:17:47
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應用
2023-06-19 12:05:19
(86) ，因此在正常體溫下，它會在人的手中融化。
又過了65年，氮化鎵首次被人工合成。直到20世紀60年代，制造氮化鎵單晶薄膜的技術才得以出現。作為一種化合物，氮化鎵的熔點超過1600℃，比硅高
2023-06-15 15:50:54
氮化鎵功率半導體技術解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
氮化鎵為單開關電路準諧振反激式帶來了低電荷（低電容）、低損耗的優勢。和傳統慢速的硅器件，以及分立氮化鎵的典型開關頻率（65kHz）相比，集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
時間。
更加環保：由于裸片尺寸小、制造工藝步驟少和功能集成，氮化鎵功率芯片制造時的二氧化碳排放量，比硅器件的充電器解決方案低10倍。在較高的裝配水平上，基于氮化鎵的充電器，從制造和運輸環節產生的碳足跡，只有硅器件充電器的一半。
2023-06-15 15:32:41
從將PC適配器的尺寸減半，到為并網應用創建高效、緊湊的10 kW轉換，德州儀器為您的設計提供了氮化鎵解決方案。LMG3410和LMG3411系列產品的額定電壓為600 V，提供從低功率適配器到超過2 kW設計的各類解決方案。
2019-08-01 07:38:40
的數十億次的查詢，便可以獲得數十億千瓦時的能耗。
更有效地管理能源并占用更小空間，所面臨的挑戰絲毫沒有減弱。氮化鎵（GaN）等新技術有望大幅改進電源管理、發電和功率輸出的諸多方面。預計到2030年
2019-03-14 06:45:11
被譽為第三代半導體材料的氮化鎵GaN。早期的氮化鎵材料被運用到通信、軍工領域，隨著技術的進步以及人們的需求，氮化鎵產品已經走進了我們生活中，尤其在充電器中的應用逐步布局開來，以下是采用了氮化鎵的快
2020-03-18 22:34:23
的挑戰絲毫沒有減弱。氮化鎵（GaN）等新技術有望大幅改進電源管理、發電和功率輸出的諸多方面。預計到2030年，電力電子領域將管理大約80％的能源，而2005年這一比例僅為30％1。這相當于30億千瓦時以上
2020-11-03 08:59:19
的選擇。 生活更環保 為了打破成本和大規模采用周期，一種新型功率半導體技術需要解決最引人注目應用中現有設備的一些缺點。氮化鎵為功率調節的發展創造了機會，使其在高電壓應用中的貢獻遠遠超越硅材料。用于
2018-11-20 10:56:25
從“磚頭”手機到笨重的電視機，電源模塊曾經在電子電器產品中占據相當大的空間，而且市場對更高功率密度的需求仍是有增無減。硅電源技術領域的創新曾一度大幅縮減這些應用的尺寸，但卻很難更進一步。在現有尺寸
2019-08-06 07:20:51
度大、擊穿電場高、熱導率大、電子飽和漂移速度高、介電常數小等獨特的性能，被譽為第三代半導體材料。氮化鎵在光電器件、功率器件、射頻微波器件、激光器和探測器件等方面展現出巨大的潛力，甚至為該行業帶來跨越式
2022-06-14 11:11:16
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導體特性，早期應用于發光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點高穩定性強。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導體材料，具有寬帶隙、高熱導率等特點，應用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
卻在這兩個指標上彰顯出了卓越的性能，同時，它還具備某些附加的技術優勢。氮化鎵的原始功率密度比當前砷化鎵和 LDMOS 技術的高很多，且支持將器件技術擴展到高頻應用。氮化鎵技術允許器件設計師在保持高頻率
2017-08-15 17:47:34
本文展示氮化鎵場效應晶體管并配合LM5113半橋驅動器可容易地實現的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
推出了連續波1000 W以上光功率的藍色激光系統。日本島津也報道了應用于水下通信的光WiFi系統。 三、前景與挑戰 隨著襯底、外延和器件的制備和封裝技術的進步，特別是采用導電透明氧化物為激光器光腔
2020-11-27 16:32:53
射頻半導體技術的市場格局近年發生了顯著變化。 數十年來，橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)技術在商業應用中的射頻半導體市場領域起主導作用。如今，這種平衡發生了轉變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si
2018-08-17 09:49:42
的尺寸和更輕的重量。 傳統硅晶體管有兩種類型的損耗：傳導損耗和開關損耗。 功率晶體管是開關電源中功率損耗的主要原因。 為了遏制這些損失，GaN 晶體管（取代舊的硅技術）的開發已引起電力電子行業的關注
2023-08-21 17:06:18
不易損傷，不燃性結構涂裝3、選用高品質瓷棒制作小型品以替代大尺寸高功率的一般型電阻氧化膜電阻的缺點 氧化膜電阻在直流下容易發生電解使氧化物還原，性能不太穩定。耐壓較低。用真空鍍膜或者陰極濺射工藝，將
2013-07-15 16:49:07
烙鐵頭氧化了怎么解決呢？首先深圳市龍鼎盛科技給大家介紹下烙鐵頭的材質。電烙鐵頭的材質一般采用紫銅材料制造的。為保護在高溫條件下焊接的而不被氧化生銹，常會將烙鐵頭經電鍍處理，有的烙鐵頭還采用不易氧化
2016-01-09 16:42:43
不易損傷，不燃性結構涂裝3、選用高品質瓷棒制作小型品以替代大尺寸高功率的一般型電阻氧化膜電阻的缺點 氧化膜電阻在直流下容易發生電解使氧化物還原，性能不太穩定。耐壓較低。用真空鍍膜或者陰極濺射工藝，將
2013-07-15 16:47:00
及技術砷化鎵鍺藍寶石單晶合成設備及技術微控高位擴散/退火/氧化系統設備。進口全新 翻新設備光刻機AP/PECVD擴散爐濺射臺蒸發機注入機刻蝕機 ICP深槽刻蝕機清洗輔助設備等.電話：***
2016-05-05 09:51:18
SiC器件的50%至70%。可用性 –砷化鎵作為一種材料已經在射頻應用中廣泛使用，是世界上第二大最常用的半導體材料。由于其廣泛使用，它可以從多個來源獲得，其制造工藝類似于硅。這些因素都支持該技術的低成本
2023-02-22 17:13:39
射頻半導體技術的市場格局近年發生了顯著變化。數十年來，橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)技術在商業應用中的射頻半導體市場領域起主導作用。如今，這種平衡發生了轉變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術成為接替傳統LDMOS技術的首選技術。
2019-09-02 07:16:34
日前，在廣州舉行的2013年LED外延芯片技術及設備材料最新趨勢專場中，晶能光電硅襯底LED研發副總裁孫錢博士向與會者做了題為“硅襯底氮化鎵大功率LED的研發及產業化”的報告，與同行一道分享了硅襯底
2014-01-24 16:08:55
GaN將在高功率、高頻率射頻市場及5G 基站PA的有力候選技術。未來預估5-10年內GaN 新型材料將快速崛起并占有多半得半導體市場需求。。。以下內容均摘自網絡媒體，如果不妥，請聯系站內信進行刪除
2019-04-13 22:28:48
的固溶體（鎵鋁砷、鎵砷磷等）。除上述晶態半導體外，還有非晶態的玻璃半導體、有機半導體等。 半導體的分類，按照其制造技術可以分為：集成電路器件，分立器件、光電半導體、邏輯IC、模擬IC、儲存器等大類
2016-11-27 22:34:51
candence中的Spice模型可以修改器件最基本的物理方程嗎？然后提取參數想基于candence model editor進行氮化鎵器件的建模，有可能實現嗎？求教ICCAP軟件呢？
2019-11-29 16:04:02
我對工藝不是很懂，在氧化層上直接淀積的話是不是非晶硅？如果要單晶硅的話應該怎么做？（有個思路也可以）
2011-06-23 11:06:36
氮化鎵GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
，是氮化鎵功率芯片發展的關鍵人物。
首席技術官 Dan Kinzer在他長達 30 年的職業生涯中，長期擔任副總裁及更高級別的管理職位，并領導研發工作。他在硅、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08
，因此我們能夠借用各種各樣的既有商業光刻和加工技術。借助這些方法，精確定義幾十納米的晶體管尺寸和產生各種各樣的器件拓撲結構變得相對簡單。其他寬帶隙的半導體材料不具備這種難以置信的有用特性，甚至氮化鎵也不
2023-02-27 15:46:36
就可以實現。正是由于我們推出了LMG3410—一個用開創性的氮化鎵 (GaN) 技術搭建的高壓、集成驅動器解決方案，相對于傳統的、基于硅材料的技術，創新人員將能夠創造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26
就可以實現。正是由于我們推出了LMG3410—一個用開創性的氮化鎵 (GaN) 技術搭建的高壓、集成驅動器解決方案，相對于傳統的、基于硅材料的技術，創新人員將能夠創造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2018-08-30 15:05:50
由于在太陽能電池、透明電極、倦化荊，特別是氣敏傳感器領域的重要應用，金屬氧化物材料日益受到重視．現已有不步文獻資料介紹金屬氧化物的單晶、陶瓷燒結體和膜材的
2009-03-31 23:32:59
18 電池材料之——氧化鈷
2009-10-21 15:08:08793 西安電子科技大學微電子學院周弘副教授總結了目前氧化鎵半導體功率器件的發展狀況。著重介紹了目前大尺寸襯底制備、高質量外延層生長、高性能二極管以及場效應晶體管的研制進展。同時對氧化鎵低熱導率特性的規避提供了可選擇的方案，對氧化鎵未來發展前景進行了展望。
2019-01-10 15:27:1015118 
二氧化釩（VO?）材料是一種具有絕緣態到金屬態可逆相變特性的材料，在光器件及信息技術中有非常廣泛的應用。
2023-02-23 10:01:311147 6.3.3熱氧化氧化硅的結構和物理特性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.3.2氧化硅的介電性能∈《碳化硅技術基本原理
2022-01-04 14:10:56564 
第三代半導體功率器件的理想材料，可以在溶劑中生長。
2022-01-13 17:39:231522 
超寬禁帶氧化鎵(Ga2O3)半導體具有臨界擊穿場強高和可實現大尺寸單晶襯底等優勢， 在功率電子和微波射 頻器件方面具有重要的研究價值和廣闊的應用前景。
2023-07-27 10:24:02879 
三菱電機公司近日宣布，它已入股Novel Crystal Technology, Inc.——一家開發和銷售氧化鎵晶圓的日本公司，氧化鎵晶圓是一個很有前途的候選者。三菱電機打算加快開發優質節能功率半導體，以支持全球脫碳。
2023-08-08 15:54:30301 
微弧氧化技術工藝流程
主要包含三部分：鋁基材料的前處理，微弧氧化，后處理三部分
其工藝流程如下：鋁基工件→化學除油→清洗→微弧氧化→清洗→后處理→成品檢驗。
2023-09-01 10:50:341242 
紅外探測器是紅外熱成像技術的核心元器件，它能夠感知紅外輻射并且將紅外輻射轉化成電信號輸出，目前世界上主流的紅外探測器的敏感材料主要是氧化釩和非晶硅兩種，本文詳細介紹紅外熱成像氧化釩敏感材料。氧化
2023-11-03 16:54:37280 
2023年12月，日本Novel Crystal Technology宣布采用垂直布里奇曼（VB）法成功制備出直徑6英寸的β型氧化鎵（β-Ga2O3）單晶。通過增加單晶襯底的直徑和質量，可以降低β-Ga2O3功率器件的成本。
2023-12-29 09:51:35343 
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