本推文主要介Ga2O3器件，氧化鎵和氮化鎵器件類似，都難以通過離子注入擴散形成像硅和碳化硅的一些阱結(jié)構(gòu)，并且由于氧化鎵能帶結(jié)構(gòu)的價帶無法有效進行空穴傳導，因此難以制作P型半導體。學習氧化鎵仿真初期
2023-11-27 17:15:09
1026 
成國內(nèi)首條集晶體生長、晶體加工、薄膜外延于一體的
氧化鎵完整產(chǎn)業(yè)線。行業(yè)分析人士表示，
氧化鎵是第四代半導體材料，在市場對性能好、損耗低、
功率密度高的
功率器件需求不斷釋放背景下，
氧化鎵市場發(fā)展?jié)摿薮?/div>
2023-03-15 11:09:59
三菱電機發(fā)布了家用空調(diào)“ZW系列”8款機型，可根據(jù)人的位置和活動量控制風量及風向，在不降低舒適性的前提下提高節(jié)能性。將于2007年11月中旬開始陸續(xù)上市。價格為開放式，該公司設想的實際售價約為18萬
2019-07-10 07:34:43
三菱電機通用交流伺服放大器MELSERVO-J3系列的基礎知識點匯總
2021-11-15 06:00:56
三菱FX1S PLC如何控制伺服電機？
2021-09-27 07:04:04
有哪位大俠賜教下三菱FX系列的PLC的地址計算方法啊？特別是輔助繼電器M的置位和復位，輸出Y的置位復位以及讀取。
2017-05-11 08:33:11
推薦課程：張飛軟硬開源：基于STM32的BLDC直流無刷電機驅(qū)動器（視頻+硬件）http://url.elecfans.com/u/73ad899cfd 三菱PLC與西門子PLC有什么區(qū)別
2015-09-17 08:53:43
三菱PLC如何控制步進電機？
2021-10-09 07:04:42
三菱PLC怎樣在脈沖總數(shù)未知的情況下實現(xiàn)步進電機的加減速呢？
2023-03-23 15:29:20
三菱PLC控制三菱伺服選型技巧有哪些？
2021-09-26 07:13:03
OPC總是與三菱PLC通訊失敗，是怎么回事，都是按照網(wǎng)上的步驟來的，還是說需要在woks2里設置一些參數(shù)。
2020-04-14 16:12:07
三菱電機開發(fā)出預計可用于氣囊的新結(jié)構(gòu)加速度傳感器。并在“第20屆微機械/MEMS展”上展示。
2019-09-02 08:25:02
如何解決三菱伺服電機上的常見報警代碼？伺服電機報警時電機停止方式與報警解除呢？報警解除的具體方法有哪些？
2021-09-27 06:39:12
三菱伺服電機故障修理的要點有哪些？是什么原因造成三菱伺服電機故障的？
2021-09-26 06:06:22
三菱伺服電機的轉(zhuǎn)矩控制模式有哪幾種？分別是什么？
2021-09-27 07:53:48
三菱伺服電機的控制方式有哪些？
2021-09-29 08:03:44
三菱伺服電機編碼器故障的技術(shù)方法原則是什么？
2021-09-26 06:16:11
三菱伺服電機轉(zhuǎn)矩模式怎么設置？
2021-09-30 08:08:19
三菱伺服電機馬達使用/安裝注意事項？
2021-09-28 06:43:00
三菱伺服剛性調(diào)節(jié)方法是什么？
2021-09-30 06:30:45
三菱伺服控制器所有的報警代碼以及處理方法是什么？
2021-11-15 06:40:55
什么是慣量匹配呢？三菱伺服電動機慣性發(fā)生的主要原因是什么？
2021-09-27 06:31:29
三菱伺服驅(qū)動器故障維修優(yōu)勢是什么？
2021-11-12 07:56:36
三菱各類伺服電機標準參數(shù)是什么？
2021-11-12 07:40:28
充電器變得高效起來，發(fā)熱更低，體積也縮小便于攜帶，推進了百瓦大功率充電器的普及，也改變了人們對大功率充電器的印象。但是氮化鎵器件對柵極驅(qū)動電壓要求非常敏感，并且對布線要求也很高，這也導致了應用門檻較高
2021-11-28 11:16:55
GaN功率半導體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢
2023-06-19 09:28:46
車、工業(yè)電機等領域具有巨大的發(fā)展?jié)摿Α１痉謺闹黝}涵蓋大尺寸襯底上橫向或縱向氮化鎵器件外延結(jié)構(gòu)與生長、氮化鎵電力電子器件的新結(jié)構(gòu)與新工藝開發(fā)、高效高速氮化鎵功率模塊設計與制造，氮化鎵功率應用與可靠性等。本屆
2018-11-05 09:51:35
Higham表示：“一旦高功率射頻半導體產(chǎn)品攻破0.04美元/瓦難關(guān)，射頻能量市場將會迎來大量機會。在商用微波爐、汽車照明和點火、等離子照明燈等設備市場，射頻能量器件出貨量可能在數(shù)億規(guī)模，銷售額可達
2018-02-12 15:11:38
`作為一家具有60多年歷史的公司，MACOM在射頻微波領域經(jīng)驗豐富，該公司的首款產(chǎn)品就是用于微波雷達的磁控管，后來從真空管、晶體管發(fā)展到特殊工藝的射頻及功率器件（例如砷化鎵GaAs）。進入2000年
2017-09-04 15:02:41
的各個電端子之間的距離縮短十倍。這樣可以實現(xiàn)更低的電阻損耗，以及電子具備更短的轉(zhuǎn)換時間。總的來說，氮化鎵器件具備更快速的開關(guān)、更低的功率損耗及更低的成本優(yōu)勢。由于氮化鎵技術(shù)在低功耗、小尺寸等方面具有獨特
2017-07-18 16:38:20
蘇試宜特實驗室通過掃描電鏡看試樣氧化層的厚度，直接掰開看斷面，這樣準確嗎？通過掃描電鏡看試樣氧化層的厚度，如果是玻璃或陶瓷這樣直接掰開看斷面是可以的；如果是金屬材料可能在切割時，樣品結(jié)構(gòu)發(fā)生變化就不行了，所以要看是什么材料的氧化層。
2021-09-30 18:45:38
一個項目，使用opc 與三菱plc通信的，通信正常，之后主VI 里修改了一點，然后重新生成 exe，運行之后，發(fā)現(xiàn) 延時情況特嚴重，不知道是什么原因，比如，打開一個閥門，等半天才 響應，求大神幫幫忙，這個怎么解決？？？
2014-03-31 16:57:47
如題，怎么知道三菱plc的內(nèi)存地址
2016-04-25 18:49:38
各位大神好我想用labview和三菱的mx component進行數(shù)據(jù)交互。使用ActUtltype控件來進行設計。現(xiàn)在使用ReadDeviceBlock方法來讀取PLC的數(shù)據(jù)。按照mx
2017-08-01 14:40:58
哪位大哥有用過labview與三菱q系列進行以太網(wǎng)連接的，或者不是q，有網(wǎng)口的三菱plc，我是小白，希望指點一下，謝謝
2019-06-10 15:48:18
有那個師傅能提供一個labview控制三菱plc的y0輸出VI程序給我參考學習下？？謝謝！
2015-05-06 21:30:23
有沒前輩于三菱Q/L系列MC協(xié)議通訊過，因上學沒學好，看通訊格式一頭霧水。若有程序例子最好，或者三菱 mx conpnonet 要怎么設置？對方的PCL為L02，TCP，跪謝了
2017-06-19 22:16:32
的設計和集成度，已經(jīng)被證明可以成為充當下一代功率半導體，其碳足跡比傳統(tǒng)的硅基器件要低10倍。據(jù)估計，如果全球采用硅芯片器件的數(shù)據(jù)中心，都升級為使用氮化鎵功率芯片器件，那全球的數(shù)據(jù)中心將減少30-40
2023-06-15 15:47:44
度為1.1 eV，而氮化鎵的禁帶寬度為3.4 eV。由于寬禁帶材料具備高電場強度，耗盡區(qū)窄短，從而可以開發(fā)出載流子濃度非常高的器件結(jié)構(gòu)。例如，一個典型的650V橫向氮化鎵晶體管，可以支持超過800V
2023-06-15 15:53:16
處于領先地位。氮化鎵功率半導體雖然適用性極高，但依然面臨三項社會問題僅從物理特性來看，氮化鎵比碳化硅更適合做功率半導體的材料。研究人員還將碳化硅與氮化鎵的“Baliga特性指標（與硅相比，硅是1）相比
2023-02-23 15:46:22
氮化鎵(GaN)功率芯片，將多種電力電子器件整合到一個氮化鎵芯片上，能有效提高產(chǎn)品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化鎵功率芯片，能令先進的電源轉(zhuǎn)換拓撲結(jié)構(gòu)，從學術(shù)概念和理論達到
2023-06-15 14:17:56
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現(xiàn)氮化鎵器件、驅(qū)動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設計，帶集成柵極驅(qū)動和穩(wěn)健的器件保護。從那時起，我們就致力于利用這項尖端技術(shù)將功率級
2020-10-27 09:28:22
、高功率、高效率的微電子、電力電子、光電子等器件方面的領先地位。『三點半說』經(jīng)多方專家指點查證，特推出“氮化鎵系列”，告訴大家什么是氮化鎵（GaN）？
2019-07-31 06:53:03
的 3 倍多，所以說氮化鎵擁有寬禁帶特性（WBG）。
禁帶寬度決定了一種材料所能承受的電場。氮化鎵比傳統(tǒng)硅材料更大的禁帶寬度，使它具有非常細窄的耗盡區(qū)，從而可以開發(fā)出載流子濃度非常高的器件結(jié)構(gòu)。由于氮化
2023-06-15 15:41:16
氮化鎵也處于這一階段，成本將會隨著市場需求量加速、大規(guī)模生產(chǎn)、工藝制程革新等，而走向平民化，而最終的市場也將會取代傳統(tǒng)的硅基功率器件。8英寸硅基氮化鎵的商用化量產(chǎn)，可以大幅降低成本。第三代半導體的普及
2019-07-08 04:20:32
傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
明佳達電子優(yōu)勢供應氮化鎵功率芯片NV6127+晶體管AON6268絲印6268，只做原裝，價格優(yōu)勢，實單歡迎洽談。產(chǎn)品信息型號1：NV6127絲印：NV6127屬性：氮化鎵功率芯片封裝：QFN芯片
2021-01-13 17:46:43
關(guān)于三菱伺服電機扭矩控制的知識點你想知道都在這
2021-09-26 07:54:12
類型包括硅鍺雙極互補金屬氧化物半導體（BiCMOS）和硅鍺異質(zhì)結(jié)雙極晶體管（SiGe HBTs）。DTRA關(guān)注的其他設備類型還包括45納米絕緣硅（SOI）芯片、氮化鎵異質(zhì)結(jié)場效應晶體管（GaAn HFET）功率半導體和其他抗輻射微電子和光子器件，用于當前和未來軍事系統(tǒng)，如衛(wèi)星和導彈。
2012-12-04 19:52:12
多普康PLC兼容三菱PLC FX2N有哪些特點？多普康PLC兼容三菱PLC FX2N有哪些功能？
2021-07-05 07:27:14
由于可以在較高頻率、電壓和溫度下工作且功率損耗較低，寬禁帶半導體（SiC 和 GaN）現(xiàn)在配合傳統(tǒng)硅一同用于汽車和 RF 通信等嚴苛應用中。隨著效率的提高，對Si、SiC和GaN器件進行安全、精確
2020-11-18 06:30:50
砷化鎵的功率管資料上都給出了三階交調(diào)，可以根據(jù)資料選擇器件，但是氮化鎵功率管都沒給出三階的曲線，我先問一下大家一般經(jīng)驗值是什么樣的曲線？
2020-09-27 09:51:14
導讀：將GaN FET與它們的驅(qū)動器集成在一起可以改進開關(guān)性能，并且能夠簡化基于GaN的功率級設計。氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關(guān)速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實現(xiàn)更低的開關(guān)損耗。然而，當
2022-11-16 06:23:29
如何維修三菱PLC的常見故障？
2021-11-11 07:25:57
如何維修三菱系統(tǒng)330HM臥加？
2021-11-12 07:52:43
使用更小、成本更低且更可靠的陶瓷電容器，可增加功率密度。
氮化鎵器件使得電機驅(qū)動器在減小尺寸和重量的同時，可以實現(xiàn)更平穩(wěn)的運行。這些優(yōu)勢對于倉儲和物流機器人、伺服驅(qū)動器、電動自行車和電動滑板車、協(xié)作
2023-06-25 13:58:54
`網(wǎng)絡基礎設施與反導雷達等領域都要求使用高性能高功率密度的射頻器件，這使得市場對于射頻氮化鎵（GaN）器件的需求不斷升溫。舉個例子，現(xiàn)在的無線基站里面，已經(jīng)開始用氮化鎵器件取代硅基射頻器件，在
2016-08-30 16:39:28
、繁瑣的充電接口趨于統(tǒng)一。而生活中高頻使用的手機、平板電腦、筆記本電腦三件套，原本出差需要攜帶三個充電器，現(xiàn)在一顆2C1A、2C2A的多口大功率快充就能滿足用戶所需。電商品牌入局氮化鎵快充是氮化鎵普及
2021-04-16 09:33:21
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設計，帶集成柵極驅(qū)動和穩(wěn)健的器件保護。從那時起，我們就致力于利用這項尖端技術(shù)將功率級
2022-11-10 06:36:09
，以及分享GaN FET和集成電路目前在功率轉(zhuǎn)換領域替代硅器件的步伐。
誤解1：氮化鎵技術(shù)很新且還沒有經(jīng)過驗證
氮化鎵器件是一種非常堅硬、具高機械穩(wěn)定性的寬帶隙半導體，于1990年代初首次用于生產(chǎn)高
2023-06-25 14:17:47
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應用
2023-06-19 12:05:19
200℃。
1972年，基于氮化鎵材質(zhì)的 LED 發(fā)光二極管才被發(fā)明出來（使用摻有鎂的氮化鎵），。這是里程碑式的歷史事件。雖然最初的氮化鎵 LED ，它的亮度還不足以商用，但這是人類第一次制備出能夠發(fā)出藍
2023-06-15 15:50:54
氮化鎵功率半導體技術(shù)解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
氮化鎵為單開關(guān)電路準諧振反激式帶來了低電荷（低電容）、低損耗的優(yōu)勢。和傳統(tǒng)慢速的硅器件，以及分立氮化鎵的典型開關(guān)頻率（65kHz）相比，集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
時間。
更加環(huán)保：由于裸片尺寸小、制造工藝步驟少和功能集成，氮化鎵功率芯片制造時的二氧化碳排放量，比硅器件的充電器解決方案低10倍。在較高的裝配水平上，基于氮化鎵的充電器，從制造和運輸環(huán)節(jié)產(chǎn)生的碳足跡，只有硅器件充電器的一半。
2023-06-15 15:32:41
；這也說明市場對于充電器功率的市場需求及用戶使用的范圍；隨著小米65W的充電器的發(fā)布，快速的走進氮化鎵快充充電器時代。目前市面上已經(jīng)量產(chǎn)商用的氮化鎵方案主要來自PI和納微半導體兩家供應商。其中PI
2020-03-18 22:34:23
結(jié)構(gòu)可以使用雙柵結(jié)構(gòu)控制電流。用于電機驅(qū)動的矩陣轉(zhuǎn)換器可以通過利用雙向設備潛在地減少開關(guān)的數(shù)量。此外，氮化鎵器件可以在比硅器件更高的溫度下工作，這使其成為許多熱門應用(如集成電機驅(qū)動)的有吸引力的選擇
2018-11-20 10:56:25
度大、擊穿電場高、熱導率大、電子飽和漂移速度高、介電常數(shù)小等獨特的性能，被譽為第三代半導體材料。氮化鎵在光電器件、功率器件、射頻微波器件、激光器和探測器件等方面展現(xiàn)出巨大的潛力，甚至為該行業(yè)帶來跨越式
2022-06-14 11:11:16
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導體特性，早期應用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點高穩(wěn)定性強。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導體材料，具有寬帶隙、高熱導率等特點，應用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
滿足軍方對小型高功率射頻器件的需求，WBST 計劃在一定程度上依托早期氮化鎵在藍光 LED 照明應用中的成功經(jīng)驗。為了快速跟蹤氮化鎵在軍事系統(tǒng)中的應用，WBST 計劃特準計劃參與方深耕 MMIC 制造
2017-08-15 17:47:34
本文展示氮化鎵場效應晶體管并配合LM5113半橋驅(qū)動器可容易地實現(xiàn)的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
封裝技術(shù)的效率。三維散熱是GaN封裝的一個很有前景的選擇。
生活更環(huán)保
為了打破成本和大規(guī)模采用周期，一種新型功率半導體技術(shù)需要解決最引人注目應用中現(xiàn)有設備的一些缺點。氮化鎵為功率調(diào)節(jié)的發(fā)展創(chuàng)造了機會
2019-03-14 06:45:11
射頻半導體技術(shù)的市場格局近年發(fā)生了顯著變化。 數(shù)十年來，橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應用中的射頻半導體市場領域起主導作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si
2018-08-17 09:49:42
。
與硅芯片相比：
1、氮化鎵芯片的功率損耗是硅基芯片的四分之一
2、尺寸為硅芯片的四分之一
3、重量是硅基芯片的四分之一
4、并且比硅基解決方案更便宜
然而，雖然 GaN 似乎是一個更好的選擇，但它
2023-08-21 17:06:18
求三菱電機第5代IGBT模塊和IPM模塊應用手冊完整版資料，網(wǎng)上下載下來都是只有目錄，沒有里面的內(nèi)容，有哪位有的可以分享嗎？跪求，萬分感謝！！！
2012-04-21 21:16:03
求 三菱PLC對沼氣發(fā)電控制程序和I\O分配表
2016-10-15 16:19:05
：10-1K 允差：D,F,G 最大重量： 3.5G溫度系數(shù)+-200PPM（負溫：+300PPM） 金屬氧化膜電阻器的阻值范圍為1Ω~200kΩ這種電阻器是由能水解的金屬鹽類溶液（如四氯化錫和三氯化銻
2013-07-15 16:49:07
：10-1K 允差：D,F,G 最大重量： 3.5G溫度系數(shù)+-200PPM（負溫：+300PPM） 金屬氧化膜電阻器的阻值范圍為1Ω~200kΩ這種電阻器是由能水解的金屬鹽類溶液（如四氯化錫和三氯化銻
2013-07-15 16:47:00
（包括寬帶隙器件）都會偏離這一理想，其實際行為的不同方面會導致功率損耗。在大多數(shù)轉(zhuǎn)換器中，次級側(cè)二極管引起的損耗貢獻可分為三個主要區(qū)域之一：非零正向壓降，當二極管傳導電流時會導致傳導損耗。這種損耗機制
2023-02-22 17:13:39
射頻半導體技術(shù)的市場格局近年發(fā)生了顯著變化。數(shù)十年來，橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應用中的射頻半導體市場領域起主導作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術(shù)成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術(shù)的首選技術(shù)。
2019-09-02 07:16:34
日前，在廣州舉行的2013年LED外延芯片技術(shù)及設備材料最新趨勢專場中，晶能光電硅襯底LED研發(fā)副總裁孫錢博士向與會者做了題為“硅襯底氮化鎵大功率LED的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”的報告，與同行一道分享了硅襯底
2014-01-24 16:08:55
請教三菱PLC如何利用一個編碼器完成測速與長度呢？使用三菱PLC的SPD指令（測速），在此被指定的輸入不能與告訴計數(shù)器重復使用。
2023-03-30 15:28:15
推薦課程：張飛軟硬開源：基于STM32的BLDC直流無刷電機驅(qū)動器（視頻+硬件）http://url.elecfans.com/u/73ad899cfd在做一個課設，用三菱FX-3U(C)型號的plc能夠讓一個伺服電機實現(xiàn)正弦形式的加速或者減速過程么，做不出來，問一下前輩們這個方案的可行性。謝謝！
2019-05-23 15:49:57
candence中的Spice模型可以修改器件最基本的物理方程嗎？然后提取參數(shù)想基于candence model editor進行氮化鎵器件的建模，有可能實現(xiàn)嗎？求教ICCAP軟件呢？
2019-11-29 16:04:02
三菱伺服電機馬達使用注意事項有哪些？
2021-10-08 08:38:59
請問一下VGA應用中硅器件注定要改變砷化鎵一統(tǒng)的局面？
2021-05-21 07:05:36
請問如何使用三菱伺服電機實現(xiàn)定位功能？
2021-09-26 07:03:54
氮化鎵GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學術(shù)研究，始于 2009 年左右的香港科技大學，但強大的高壓氮化鎵功率芯片平臺的量產(chǎn)，則是由成立于 2014 年的納微半導體最早進行研發(fā)的。納微半導體的三位聯(lián)合創(chuàng)始人
2023-06-15 15:28:08
工作的晶體管而言，這是一個非常重要的特性。這類器件多見于多千伏級變電站設備、醫(yī)學成像用的高能光子發(fā)生器以及電動汽車和工業(yè)電機驅(qū)動器的功率逆變器中。在這類應用中，氧化鎵有一個天然優(yōu)勢。在這些頻率下，優(yōu)值
2023-02-27 15:46:36
從器件的角度來看， Ga 2 O 3 的Baliga品質(zhì)因子要比SiC高出二十倍。對于各種應用來說，陶瓷氧化物的帶隙約為5eV，遠遠高于SiC和GaN的帶隙，后兩者都不到到3.5eV。因此，這種陶瓷氧化物器件可以承受比SiC或GaN器件更高的工作電壓，導通電阻也更低。
2020-10-12 15:58:034956 三菱電機集團近日（2023年7月28日）宣布，已投資日本氧化鎵晶圓開發(fā)和銷售企業(yè)Novel Crystal Technology，今后將加快研究開發(fā)高性能低損耗氧化鎵功率半導體，為實現(xiàn)低碳社會做出貢獻。
2023-08-02 10:38:18665 三菱電機集團近日（2024年2月27日）宣布，將于2月28日開始提供其新型6.5W硅射頻（RF）高功率金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）樣品，用于商用手持式雙向無線電（對講機）的射頻高功率放大器。
2024-02-28 18:18:46910 
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