，有如下反應(yīng)：42 （2） 上式表明，被氧俘獲的
電子釋放出來(lái)，這樣半導(dǎo)體表面載流子濃度上升，從而半導(dǎo)體表面電阻率減小。三、
氧化物半導(dǎo)體甲烷傳感器的
研究進(jìn)展 盡管甲烷是分子結(jié)構(gòu)最簡(jiǎn)單的一種碳?xì)?/div>
2018-10-24 14:21:10
特定金屬或者合金（例如鎳鉻合金、氧化錫或者氮化鉭）淀積在絕緣基體（如模制酚醛塑料）表面上形成薄膜電阻體，構(gòu)成的電阻叫做氧化膜電阻。來(lái)源于：上上電子網(wǎng)`
2013-07-15 16:47:00
`超經(jīng)典復(fù)旦大學(xué)微電子工藝教案包含：離子注入、晶體生長(zhǎng)、實(shí)驗(yàn)室凈化與硅片清洗、 光刻、氧化、工藝集成、未來(lái)趨勢(shì)與挑戰(zhàn)等。錯(cuò)過(guò)便不再擁有研究生畢業(yè)繼續(xù)送資料——超經(jīng)典復(fù)旦大學(xué)微電子工藝教案[hide][/hide]`
2011-12-15 15:23:57
的質(zhì)量，字符缺陷檢測(cè)系統(tǒng)基于遠(yuǎn)心光學(xué)設(shè)計(jì)，可以清晰的顯示出字符，更有利于字符識(shí)別和印刷字符缺陷的檢測(cè)，目前主要用在電子器件表面印刷字符識(shí)別和字符缺陷檢測(cè)，例如曾經(jīng)應(yīng)用在國(guó)外某手機(jī)充電器表面印刷字符缺陷檢測(cè)
2015-11-18 13:48:29
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 該GaN內(nèi)部匹配（IM）FET與其他技術(shù)相比，具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
Cree的CMPA801B025是氮化鎵（GaN）高電子遷移率基于晶體管（HEMT）的單片微波集成電路（MMIC）。 氮化鎵與硅或砷化鎵相比具有更好的性能，包括更高的擊穿電壓，更高的飽和電子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
襯底上GaN基外延材料生長(zhǎng)及雜質(zhì)缺陷研究的成果，首次提供了在C摻雜半絕緣氮化鎵中取代C原子占據(jù)N位點(diǎn)的明確證據(jù)。中科院半導(dǎo)體所張翔帶來(lái)了關(guān)于石墨烯提升氮化鋁核化以及高質(zhì)量氮化鋁薄膜外延層的報(bào)告，分享了該
2018-11-05 09:51:35
分子的排列。通過(guò)對(duì)兩種典型點(diǎn)狀缺陷的研究，發(fā)現(xiàn)不同缺陷核心影響其周?chē)壕Х肿优帕械哪芰τ袠O大不同，并通過(guò)外推長(zhǎng)度理論和彈性長(zhǎng)程關(guān)聯(lián)理論對(duì)實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象進(jìn)行論證。
2018-11-05 16:19:50
、鎵，鉛、 鉀、鈉小于1ppm 否則不能用。4個(gè)9的氧化鋁雖然可以長(zhǎng)出晶體，但是由于不是5n氧化鋁，晶體晶棒質(zhì)量就差一些。有的長(zhǎng)出晶體就透明度不好，不很白，易有粉色、黃色等顏色不純。有的即使長(zhǎng)出較白
2011-12-20 10:03:56
`作為一家具有60多年歷史的公司，MACOM在射頻微波領(lǐng)域經(jīng)驗(yàn)豐富，該公司的首款產(chǎn)品就是用于微波雷達(dá)的磁控管，后來(lái)從真空管、晶體管發(fā)展到特殊工藝的射頻及功率器件（例如砷化鎵GaAs）。進(jìn)入2000年
2017-09-04 15:02:41
的各個(gè)電端子之間的距離縮短十倍。這樣可以實(shí)現(xiàn)更低的電阻損耗，以及電子具備更短的轉(zhuǎn)換時(shí)間。總的來(lái)說(shuō)，氮化鎵器件具備更快速的開(kāi)關(guān)、更低的功率損耗及更低的成本優(yōu)勢(shì)。由于氮化鎵技術(shù)在低功耗、小尺寸等方面具有獨(dú)特
2017-07-18 16:38:20
在通信領(lǐng)域上亦憑借超低損耗、高隔離度、成本低等優(yōu)勢(shì)在手機(jī)上得到應(yīng)用。然而RF MEMS開(kāi)關(guān)普遍存在驅(qū)動(dòng)電壓高、開(kāi)關(guān)時(shí)間長(zhǎng)的問(wèn)題，劣于FET場(chǎng)效應(yīng)管開(kāi)關(guān)和PIN二極管開(kāi)關(guān)。相對(duì)于國(guó)外已取得的成果，國(guó)內(nèi)的研究尚處于起步階段。下文將針對(duì)MEMS開(kāi)關(guān)的缺陷做一些改進(jìn)。
2019-07-29 07:57:25
。一般采用白松香和異丙醇溶劑。 (2)焊接溫度和金屬板表面清潔程度也會(huì)影響可焊性。溫度過(guò)高，則焊料擴(kuò)散速度加快，此時(shí)具有很高的活性，會(huì)使電路板和焊料溶融表面迅速氧化，產(chǎn)生焊接缺陷，電路板表面受污染也會(huì)
2019-05-08 01:06:52
和特性幾乎是相同的，因此理論上相同面積和氧化層厚度的Si MOSFET和SiC MOSFET可以在相同的時(shí)間內(nèi)承受大致相同的氧化層電場(chǎng)應(yīng)力（相同的本征壽命）。但是，這只有在器件不包含與缺陷有關(guān)的雜質(zhì)
2022-07-12 16:18:49
Sic mesfet工藝技術(shù)研究與器件研究針對(duì)ＳｉＣ 襯底缺陷密度相對(duì)較高的問(wèn)題，研究了消除或減弱其影響的工藝技術(shù)并進(jìn)行了器件研制。通過(guò)優(yōu)化刻蝕條件獲得了粗糙度為２?０７ ｎｍ的刻蝕表面；犧牲氧化
2009-10-06 09:48:48
THz波填補(bǔ)了紅外光和微波的頻率空白。使在全頻范圍內(nèi)研究凝聚態(tài)物質(zhì)與電磁波(光)的相互作用成為可能，特別是對(duì)固體元激發(fā)的研究具有重要意義。THz頻率范圍內(nèi)的固體元激發(fā)有：離子晶體的橫光學(xué)聲子和縱光學(xué)
2019-05-29 07:32:31
高階XPS – Quantera II掃描式X光光電子能譜儀，相較傳統(tǒng)XPS最小僅能達(dá)到50微米的微區(qū)分析能力，宜特Quantera II最小可達(dá)7.5微米，更能針對(duì)樣品表面更細(xì)微的結(jié)構(gòu)進(jìn)行化學(xué)態(tài)分析
2018-09-17 14:28:42
有沒(méi)有大神做過(guò)labview玻璃缺陷檢測(cè)方面的項(xiàng)目？有償求項(xiàng)目資源，有償求缺陷玻璃圖片！
2017-05-10 22:54:11
陽(yáng)極偏壓光照下，在氫氧化鉀、硫酸和鹽酸溶液中的腐蝕速率測(cè)量結(jié)果。這項(xiàng)研究的目的是了解在這些不同的環(huán)境下，氮化鎵蝕刻的動(dòng)力學(xué)和機(jī)制。蝕刻后半導(dǎo)體表面的表面分析提供了關(guān)于蝕刻過(guò)程的附加信息。 實(shí)驗(yàn) 蝕刻
2021-10-13 14:43:35
% 的能源浪費(fèi)，相當(dāng)于節(jié)省了 100 兆瓦時(shí)太陽(yáng)能和1.25 億噸二氧化碳排放量。
氮化鎵的吸引力不僅僅在于性能和系統(tǒng)層面的能源利用率的提高。當(dāng)我們發(fā)現(xiàn)，制造一顆片氮化鎵功率芯片，可以在生產(chǎn)制造環(huán)節(jié)減少80
2023-06-15 15:47:44
氮化鎵(GaN)是一種“寬禁帶”(WBG)材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離出來(lái)所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4ev，是硅的 3 倍多，所以說(shuō)氮化鎵擁有寬禁帶特性（WBG）。
硅的禁帶寬
2023-06-15 15:53:16
V，并且氮化鎵耐電壓小于1000 V。正是由于這些區(qū)別，使得功率半導(dǎo)體廠商與研究開(kāi)發(fā)廠商之間產(chǎn)生了一種“無(wú)聲的默契”。但是，以上所說(shuō)的改變是非常有可能的。因?yàn)榈?b class="flag-6" style="color: red">鎵可以極大地減少晶片的缺陷（錯(cuò)位）密度
2023-02-23 15:46:22
[img][/img]二氧化碳爆破加熱器中加熱電子元件叫什么有誰(shuí)知道是什么
2016-07-15 17:32:17
氮化鎵(GaN)功率芯片，將多種電力電子器件整合到一個(gè)氮化鎵芯片上，能有效提高產(chǎn)品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化鎵功率芯片，能令先進(jìn)的電源轉(zhuǎn)換拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，從學(xué)術(shù)概念和理論達(dá)到
2023-06-15 14:17:56
通過(guò)SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實(shí)現(xiàn)氮化鎵器件、驅(qū)動(dòng)、控制和保護(hù)集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導(dǎo)體市場(chǎng)多年，無(wú)論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強(qiáng)和良好的化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)越性質(zhì)，確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
氮化鎵，由鎵（原子序數(shù) 31）和氮（原子序數(shù) 7）結(jié)合而來(lái)的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
）。[color=rgb(51, 51, 51) !important]從目前的應(yīng)用上看，功率放大器主要由砷化鎵功率放大器和互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體功率放大器（CMOS PA）組成，其中又以GaAs PA為主
2019-07-08 04:20:32
傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導(dǎo)體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導(dǎo)體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
明佳達(dá)電子優(yōu)勢(shì)供應(yīng)氮化鎵功率芯片NV6127+晶體管AON6268絲印6268，只做原裝，價(jià)格優(yōu)勢(shì)，實(shí)單歡迎洽談。產(chǎn)品信息型號(hào)1：NV6127絲印：NV6127屬性：氮化鎵功率芯片封裝：QFN芯片
2021-01-13 17:46:43
設(shè)備負(fù)荷。根據(jù)“ Insight Partners”對(duì)“到2027年歐洲氧化鋁陶瓷市場(chǎng)預(yù)測(cè)– COVID-19的影響和分析–按應(yīng)用（電子和半導(dǎo)體，能源和電力，軍事和國(guó)防，汽車(chē)，工業(yè)，醫(yī)療等）的研究
2021-03-29 11:42:24
印刷電路板（PCB）焊接缺陷分析 1、引 言 焊接實(shí)際上是一個(gè)化學(xué)處理過(guò)程。印刷電路板（PCB）是電子產(chǎn)品中電路元件和器件的支撐件，它提供電路元件和器件之間的電氣連接。隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展
2013-10-17 11:49:06
近日，微電子所納米加工與新器件集成技術(shù)研究室（三室）在阻變存儲(chǔ)器研究工作中取得進(jìn)展，并被美國(guó)化學(xué)協(xié)會(huì)ACS Nano雜志在線報(bào)道。 基于二元氧化物材料的電阻式隨機(jī)存儲(chǔ)器（ReRAM）具有低廉的價(jià)格
2010-12-29 15:13:32
請(qǐng)各位大俠么講解一下高阻態(tài)與不定態(tài)的區(qū)別?單片機(jī)的接口如何設(shè)置成高組態(tài)如何設(shè)置成不定態(tài)！
2012-08-26 16:52:47
阻礙業(yè)界在各種應(yīng)用中采納氮化鎵器件，例如氮化鎵器件不僅使能激光雷達(dá)應(yīng)用，而且在硅MOSFET以前占據(jù)主導(dǎo)地位的傳統(tǒng)應(yīng)用中，如數(shù)據(jù)中心和車(chē)載電子，也逐漸轉(zhuǎn)用氮化鎵器件。本文將揭穿關(guān)于氮化鎵技術(shù)的最常見(jiàn)誤解
2023-06-25 14:17:47
的是用于藍(lán)光播放器的光盤(pán)激光頭）。
在光子學(xué)之外，雖然氮化鎵晶體管在1993年就發(fā)布了相關(guān)技術(shù)，但直到2004年左右，第一個(gè)氮化鎵高電子遷移率晶體管（HEMT）才開(kāi)始商用。這些晶體管通常用于需要
2023-06-15 15:50:54
被譽(yù)為第三代半導(dǎo)體材料的氮化鎵GaN。早期的氮化鎵材料被運(yùn)用到通信、軍工領(lǐng)域，隨著技術(shù)的進(jìn)步以及人們的需求，氮化鎵產(chǎn)品已經(jīng)走進(jìn)了我們生活中，尤其在充電器中的應(yīng)用逐步布局開(kāi)來(lái)，以下是采用了氮化鎵的快
2020-03-18 22:34:23
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點(diǎn)高穩(wěn)定性強(qiáng)。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)體材料，具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn)，應(yīng)用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級(jí)模塊
2021-03-09 06:33:26
時(shí)間。
更加環(huán)保：由于裸片尺寸小、制造工藝步驟少和功能集成，氮化鎵功率芯片制造時(shí)的二氧化碳排放量，比硅器件的充電器解決方案低10倍。在較高的裝配水平上，基于氮化鎵的充電器，從制造和運(yùn)輸環(huán)節(jié)產(chǎn)生的碳足跡，只有硅器件充電器的一半。
2023-06-15 15:32:41
扮演著關(guān)鍵的角色。與此同時(shí)，美國(guó)國(guó)防部還通過(guò)了高級(jí)研究計(jì)劃局 (DARPA) 的寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù) (WBST) 計(jì)劃，該計(jì)劃在氮化鎵的早期開(kāi)發(fā)中發(fā)揮了積極的推動(dòng)作用。該項(xiàng)計(jì)劃于 2001 年正式啟動(dòng)，力求
2017-08-15 17:47:34
激光器是20世紀(jì)四大發(fā)明之一，半導(dǎo)體激光器是采用半導(dǎo)體芯片加工工藝制備的激光器，具有體積小、成本低、壽命長(zhǎng)等優(yōu)勢(shì)，是應(yīng)用最多的激光器類(lèi)別。氮化鎵激光器（LD）是重要的光電子器件，基于GaN材料
2020-11-27 16:32:53
氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產(chǎn)品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料。 當(dāng)用于電源時(shí)，GaN 比傳統(tǒng)硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
采用介質(zhì)涂覆的球-筒電極結(jié)構(gòu),用以脈沖電壓條件下在水中產(chǎn)生放電,通過(guò)比色法檢測(cè)放電產(chǎn)生的過(guò)氧化氫,研究了不同電壓脈沖幅值、脈沖寬度(儲(chǔ)能電容的大小)、水的電導(dǎo)率以及脈沖頻率對(duì)過(guò)氧化氫產(chǎn)生速率
2010-05-13 09:12:45
汽車(chē)召回不僅會(huì)損害公司聲譽(yù)，而且成本高昂，與電子 設(shè)備相關(guān)的召回次數(shù)增多所帶來(lái)的影響讓廠商無(wú)法承受。汽車(chē)電子設(shè)備的一個(gè)已知風(fēng)險(xiǎn)是潛在缺陷，也就是在半導(dǎo)體晶圓廠的測(cè)試中或在組件封裝的后續(xù)老化測(cè)試中并未出現(xiàn)的故障。隨著時(shí)間的推移，這些缺陷會(huì)逐漸發(fā)展， 從而引發(fā)可能導(dǎo)致安全危害和昂貴召回的故障。
2019-08-01 08:26:51
特定金屬或者合金（例如鎳鉻合金、氧化錫或者氮化鉭）淀積在絕緣基體（如模制酚醛塑料）表面上形成薄膜電阻體，構(gòu)成的電阻叫做氧化膜電阻。來(lái)源于：上上電子網(wǎng)
2013-07-15 16:49:07
電機(jī)的冷態(tài)、熱態(tài)是怎樣定義的？?jī)烧呷绾闻袛啵繚M負(fù)載時(shí)是熱態(tài)否則就是冷態(tài)是這樣嗎？
2023-12-13 08:16:41
砷化鎵銦微光顯微鏡(InGaAs)與微光顯微鏡(EMMI)其偵測(cè)原理相同，都是用來(lái)偵測(cè)故障點(diǎn)定位，尋找亮點(diǎn)、熱點(diǎn)(Hot Spot)的工具，其原理都是偵測(cè)電子-電洞結(jié)合與熱載子所激發(fā)出的光子。差別
2018-10-24 11:20:30
射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場(chǎng)格局近年發(fā)生了顯著變化。數(shù)十年來(lái)，橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場(chǎng)領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術(shù)成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術(shù)的首選技術(shù)。
2019-09-02 07:16:34
，降低LED的光度。學(xué)術(shù)界希望把硅和氮化鎵整合在一起，但是有困難，主要困難是鎵與硅之間的大晶格失配。由于很高的缺陷密度，54%的熱膨脹系數(shù)，外延膜在降溫過(guò)程中產(chǎn)生裂紋。金屬架直接與硅襯底結(jié)束時(shí)會(huì)有化學(xué)
2014-01-24 16:08:55
納米三氧化二鋁包覆鋰電池正極材料效果明顯 出處：鋰電池導(dǎo)報(bào) 作用一：當(dāng)電池充至高壓時(shí)，LiCoO2結(jié)構(gòu)中的大量Co3+將會(huì)變成Co4+, Co4+的形成將導(dǎo)致氧缺陷的形成，這將會(huì)減弱過(guò)度金屬與氧之間
2014-05-12 13:49:26
氮化鎵GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學(xué)術(shù)研究，始于 2009 年左右的香港科技大學(xué)，但強(qiáng)大的高壓氮化鎵功率芯片平臺(tái)的量產(chǎn)，則是由成立于 2014 年的納微半導(dǎo)體最早進(jìn)行研發(fā)的。納微半導(dǎo)體的三位聯(lián)合創(chuàng)始人
2023-06-15 15:28:08
。氧化鎵由于作為自己的基底，所以不存在不匹配的情況，也就沒(méi)有缺陷。日本埼玉的諾維晶科技術(shù)公司已經(jīng)開(kāi)發(fā)出150毫米的β-氧化鎵晶圓。 日本國(guó)家信息與通信技術(shù)研究所（NICT，位于東京）的東脅正高
2023-02-27 15:46:36
焊料潤(rùn)濕被焊板電路表面。一般采用白松香和異丙醇溶劑。(2)焊接溫度和金屬板表面清潔程度也會(huì)影響可焊性。溫度過(guò)高，則焊料擴(kuò)散速度加快，此時(shí)具有很高的活性，會(huì)使電路板和焊料溶融表面迅速氧化，產(chǎn)生焊接缺陷
2018-03-11 09:28:49
迅速氧化，產(chǎn)生焊接缺陷，電路 板表面受污染也會(huì)影響可焊性從而產(chǎn)生缺陷，這些缺陷包括錫珠、錫球、開(kāi)路、光澤度不好等。 2、翹曲產(chǎn)生的焊接缺陷 電路板和元器件在焊接過(guò)程中產(chǎn)生翹曲，由于應(yīng)力變形而產(chǎn)生虛
2018-09-21 16:35:14
金屬氧化物變阻器應(yīng)用于能量吸收電路的研究摘要：對(duì)金屬氧化物變阻器（MOV）的物理特性進(jìn)行了分析，在此基礎(chǔ)上提出了將MOV 吸收能量的過(guò)程分為三個(gè)階段即：換流部分、線性吸收部分、電流漸近部分的分析方法
2009-08-20 18:18:01
“重組”氫氣和氧氣，用以釋放能量，將是理想狀態(tài)。 斯坦福大學(xué)研究人員在不同溫度條件下測(cè)試三種金屬氧化物，分別是釩酸鉍、氧化鈦和氧化鐵，所獲結(jié)果超出預(yù)想：溫度升高時(shí)，電子通過(guò)這三種氧化物的速率加快，所
2016-03-07 15:18:52
在論述二氧化錫氣敏機(jī)理的基礎(chǔ)上，介紹了通過(guò)摻雜金屬、金屬離子、金屬氧化物等方法制備二氧化錫膜氣敏傳感器的研究成果以及二氧化錫傳感器陣列電鼻子的研究現(xiàn)狀，并對(duì)
2009-07-03 09:01:09
16 固體氧化物燃料電池研究進(jìn)展和發(fā)展動(dòng)態(tài)1在已研究發(fā)展的六類(lèi)固體氧化物燃料電池電解質(zhì)中，釔穩(wěn)定氧化鋯（YSZ）、稀土金屬摻雜氧化鈰（RDC）、堿土摻雜鎵酸鑭（L
2009-11-09 11:48:0413 在論述二氧化錫氣敏機(jī)理的基礎(chǔ)上，介紹了通過(guò)摻雜金屬、金屬離子、金屬氧化物等方法制備二氧化錫膜氣敏傳感器的研究成果以及二氧化錫傳感器陣列電鼻子的研究現(xiàn)狀，并對(duì)其
2009-11-23 14:07:1028 結(jié)合某復(fù)合土工膜斜墻壩工程材料實(shí)際情況,自行設(shè)計(jì)試驗(yàn)裝置,進(jìn)行復(fù)合土工膜缺陷滲透量試驗(yàn)研究.,經(jīng)長(zhǎng)期觀測(cè)得到復(fù)合土工膜在不同缺陷孔徑、不同水頭作用下的缺陷滲透量實(shí)測(cè)
2010-01-14 16:13:426 該文研究了銅互連線中的多余物缺陷對(duì)兩根相鄰的互連線間信號(hào)的串?dāng)_，提出了互連線之間的多余物缺陷和互連線之間的互容、互感模型，用于定量的計(jì)算缺陷對(duì)串?dāng)_的影響。提出
2010-02-09 15:03:506 車(chē)輛輪對(duì)踏面缺陷的光電檢測(cè)方法研究
鐵路車(chē)輛輪對(duì)踏面的擦傷與剝離是車(chē)輛在運(yùn)行過(guò)程中形成的一種常見(jiàn)的不規(guī)則表面缺陷，是輪對(duì)檢修過(guò)程中必須檢測(cè)的一
2010-02-22 11:46:5510 氧化鎳電極的工作原理
氧化鎳電極的活性物質(zhì)是具有一定晶型結(jié)構(gòu)的氧化物β-NiOOH。晶格中某一數(shù)量的OH-被O2-代替叫質(zhì)子缺陷；晶格中一定數(shù)量Ni2+被Ni3+
2009-11-05 17:38:36
2369 印刷電路板焊接缺陷研究 【摘 要】分析了印刷電路板（PCB）在焊接過(guò)程中產(chǎn)生缺陷的原因，提出了解決上述缺陷的一些辦法。
2010-03-10 09:02:121374 對(duì)輝鉬精礦在Na2MoO42Na2 SO4 體系的熔鹽氧化過(guò)程進(jìn)行了研究 ,探索了不同的工藝參數(shù)對(duì)鉬的轉(zhuǎn)化率和脫
硫率的影響.研究結(jié)果表明 ,在熔鹽組成Na2MoO4 與Na2 SO4 質(zhì)量比
2011-02-02 11:24:5017 文中工作旨在利用第一性原理來(lái)研究存在Stone-wales缺陷和單、雙空位缺陷的石墨烯的電子結(jié)構(gòu)，探討多種缺陷對(duì)石墨烯電子結(jié)構(gòu)的影響。
2012-02-20 15:04:226379 
缺陷形狀對(duì)油田注水管強(qiáng)度影響研究_劉清友_徐濤
2017-01-12 20:08:010 油罐底板腐蝕缺陷漏磁檢測(cè)及其應(yīng)用研究
2017-05-22 15:06:275 隨著集成電路密度的不斷提高，多晶硅柵的線寬不斷變小，柵氧化層的厚度繼續(xù)變薄，多晶硅的刻蝕變得越來(lái)越關(guān)鍵。多晶硅柵的形貌控制，柵氧化層二氧化硅的損失等關(guān)鍵特征已經(jīng)被普遍關(guān)注。多晶硅刻蝕中的另一種現(xiàn)象
2017-12-20 11:31:453872 鈍化層刻蝕對(duì)厚鋁鋁須缺陷影響的研究
2018-03-06 09:02:505607 缺陷漏磁成像技術(shù)一直是無(wú)損檢測(cè)領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)之一，也是鐵磁性構(gòu)件缺陷檢測(cè)與評(píng)估的重要手段。本文從缺陷的漏磁數(shù)據(jù)可視化、缺陷輪廓的二維漏磁成像以及缺陷的三維漏磁成像三個(gè)階段，對(duì)缺陷漏磁成像技術(shù)的發(fā)展
2018-03-21 14:48:284 電子器件是一個(gè)非常復(fù)雜的系統(tǒng)，其封裝過(guò)程的缺陷和失效也是非常復(fù)雜的。因此，研究封裝缺陷和失效需要對(duì)封裝過(guò)程有一個(gè)系統(tǒng)性的了解，這樣才能從多個(gè)角度去分析缺陷產(chǎn)生的原因。
2018-07-05 15:17:543836 
微弧氧化是在金屬及其合金表面生成陶瓷膜的一種表面處理技術(shù)，微弧氧化生成的陶瓷膜具有耐高溫、耐腐蝕、耐磨損、絕緣等優(yōu)良性能，在航天、航空、汽車(chē)、電子、造船等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。微弧氧化已經(jīng)成為一個(gè)研究熱點(diǎn)，電源是制約微弧氧化發(fā)展的一個(gè)重要因素，本文針對(duì)微弧氧化電源展開(kāi)研究。
2018-11-26 08:00:006 黃鐵礦氧化機(jī)制的研究已有一些報(bào)道[1 ,2 ] 。普遍認(rèn)為在黃鐵礦的氧化過(guò)程中 , 氧化亞鐵硫桿菌 ( Thiobacillus ferroxidans ) 起著決定性因素的作用。然而 , 在已有
2020-11-16 13:54:300 摘要：半導(dǎo)體器件制備過(guò)程中，SiO2犧牲氧化層經(jīng)常作為離子注入的阻擋層，用來(lái)避免Si材料本身直接遭 受離子轟擊而產(chǎn)生缺陷，犧牲氧化層在注入完成之后，氧化層的性質(zhì)和結(jié)構(gòu)會(huì)發(fā)生較大變化，在被腐蝕去除
2020-12-30 10:24:574773 
在相對(duì)較高的溫度和常壓下無(wú)損耗導(dǎo)電的世界紀(jì)錄，但是它的電子有沒(méi)有同樣的行為呢？這些答案可能有助于推進(jìn)新的非傳統(tǒng)超導(dǎo)體合成。 ? 并將其用于輸電、運(yùn)輸和其他應(yīng)用，還可以揭示銅酸鹽是如何的機(jī)制。但經(jīng)過(guò)30多年的研究，這仍然是一
2021-01-06 11:41:012449 
? 簡(jiǎn)介：電子器件是一個(gè)非常復(fù)雜的系統(tǒng)，其封裝過(guò)程的缺陷和失效也是非常復(fù)雜的。因此，研究封裝缺陷和失效需要對(duì)封裝過(guò)程有一個(gè)系統(tǒng)性的了解，這樣才能從多個(gè)角度去分析缺陷產(chǎn)生的原因。 1. 封裝缺陷與失效
2021-01-12 11:36:083657 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供封裝缺陷與失效的研究方法論資料下載的電子資料下載，更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計(jì)、用戶指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-03-29 16:47:0111 引言 近年來(lái)，氧化鋅薄膜因其低成本、低光敏性、無(wú)環(huán)境問(wèn)題、特別是高遷移率而被研究作為薄膜晶體管中的有源層來(lái)代替非晶硅。此外，氧化鋅的低溫制造使得在塑料薄膜上制造成為可能。氧化鋅(ZnO)半導(dǎo)體由于
2022-01-06 13:47:53582 電子器件是一個(gè)非常復(fù)雜的系統(tǒng)，其封裝過(guò)程的缺陷和失效也是非常復(fù)雜的。因此，研究封裝缺陷和失效需要對(duì)封裝過(guò)程有一個(gè)系統(tǒng)性的了解，這樣才能從多個(gè)角度去分析缺陷產(chǎn)生的原因。
2022-02-10 11:09:3713 我們觀察到半導(dǎo)體制造過(guò)程中光刻膠掩模氧化硅濕法刻蝕過(guò)程中形成新的樹(shù)枝狀缺陷(DLD)。樹(shù)突是分枝狀晶體，表現(xiàn)出顯示晶體方向性的形態(tài)特征，如直的初生莖、次生側(cè)臂，甚至第三紀(jì)分枝。當(dāng)非多面材料從過(guò)冷
2022-03-15 11:28:531056 
為了研究鋼板表面與背部缺陷多頻平衡電磁檢測(cè)相關(guān)問(wèn)題，驗(yàn)證多頻平衡電磁方法對(duì)管道內(nèi)外缺陷的檢測(cè)效果，研究功率放大器在弱信號(hào)中的應(yīng)用，特進(jìn)行以下實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。
2022-03-22 13:51:231248 
鑒于目前國(guó)內(nèi)還沒(méi)有全面細(xì)致論述半導(dǎo)體芯片表面缺陷檢測(cè)方法的綜述文獻(xiàn)，本文通過(guò)對(duì) 2015—2021 年相關(guān)文獻(xiàn)進(jìn)行歸納梳理，旨在幫助研究人員快速和系統(tǒng)地了解該領(lǐng)域的相關(guān)方法與技術(shù)。本文主要
2022-07-22 10:27:124037 鍛件折疊缺陷主要是由于在鍛造的過(guò)程中，金屬發(fā)生部分氧化、局部金屬發(fā)生變形、金屬原材料不均勻等導(dǎo)致金屬內(nèi)部發(fā)生疲勞破壞，對(duì)于管接頭鍛造件表現(xiàn)為圓柱面產(chǎn)生較大裂縫。在檢測(cè)系統(tǒng)中，折疊缺陷在檢測(cè)工位五進(jìn)行檢測(cè)，相機(jī)曝光度設(shè)為26300，現(xiàn)場(chǎng)采集的圖片如下圖所示。
2022-10-09 16:35:56643 如何開(kāi)發(fā)出有效的邊緣終端結(jié)構(gòu)，緩解肖特基電極邊緣電場(chǎng)是目前氧化鎵肖特基二極管研究的熱點(diǎn)。由于氧化鎵P型摻雜目前尚未解決，PN結(jié)相關(guān)的邊緣終端結(jié)構(gòu)一直是難點(diǎn)。
2022-12-21 10:21:58557 電子線材銅導(dǎo)體氧化發(fā)黑的原因有很多，可能是由于原銅質(zhì)量、生產(chǎn)過(guò)程中導(dǎo)體保存不當(dāng)或使用環(huán)境等原因造成的。今天康瑞連接器廠家主要為大家分析使用過(guò)程中氧化的原因。
電子線材為什么會(huì)氧化
2023-01-03 16:10:091181 超寬禁帶氧化鎵(Ga2O3)半導(dǎo)體具有臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)高和可實(shí)現(xiàn)大尺寸單晶襯底等優(yōu)勢(shì)， 在功率電子和微波射 頻器件方面具有重要的研究價(jià)值和廣闊的應(yīng)用前景。
2023-07-27 10:24:02879 
制造業(yè)的全面智能化發(fā)展對(duì)工業(yè)產(chǎn)品的質(zhì)量檢測(cè)提出了新的要求。本文總結(jié)了機(jī)器學(xué)習(xí)方法在表面缺陷檢測(cè)中的研究現(xiàn)狀，表面缺陷檢測(cè)是工業(yè)產(chǎn)品質(zhì)量檢測(cè)的關(guān)鍵部分。首先，根據(jù)表面特征的用途，從紋理特征、顏色特征
2023-08-17 11:23:29530 
氧化鎵（Ga2O3）半導(dǎo)體具有4.85 eV的超寬帶隙、高的擊穿場(chǎng)強(qiáng)、可低成本制作大尺寸襯底等突出優(yōu)點(diǎn)。
2023-08-17 14:24:16412 
，另一方面需要控制材料表面的缺陷密度，減少由缺陷導(dǎo)致的碲鎘汞外延片可用面積損失。研究人員已經(jīng)對(duì)碲鎘汞薄膜的表面缺陷進(jìn)行了大量研究。液相外延碲鎘汞材料表面出現(xiàn)的貫穿型缺陷深度超過(guò)10 μm，與碲鎘汞材料的厚度相近，可達(dá)碲鋅鎘襯底界面
2023-09-10 08:58:20368 
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