由于第三代半導體材料具有非常顯著的性能優勢和巨大的產業帶動作用,歐美日等發達國家和地區都把發展碳化硅半導體技術列入國家戰略,投入巨資支持發展。本文將對第三代半導體材料的定義、特性以及各國研發情況進行詳細剖析。
2016-11-15 09:26:482762 第三代半導體碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)是近幾年新興的功率半導體,相比于傳統的硅(Si)基功率半導體,氮化鎵和碳化硅具有更大的禁帶寬度,更高的臨界場強,使得基于這兩種材料制作的功率半導體具有
2023-01-06 15:26:41613 碳化硅(SiC)是由碳元素和硅元素組成的一種化合物半導體材料,是制作高溫、高頻、大功率、高壓器件的理想材料之一。
2024-01-24 16:42:04845 圍繞第三代半導體領域研發成果,揚杰科技近日在互動平臺上回應稱:在碳化硅業務板塊,公司已組建高素質的研發團隊,成功開發出多款碳化硅器件產品,其中部分產品處于主流客戶端的認證階段,可運用于電動汽車、光伏微型逆變器、UPS電源等領域。
2020-10-14 10:09:207582 ,也點燃半導體業新戰火。 ? 第三代半導體主要和氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)兩種材料有關,不少大廠都已先期投資數十年,近年隨著蘋果、小米及現代汽車等大廠陸續宣布產品采用新材料的計劃,讓第三代半導體成為各界焦點。 ? 目前各大廠都運用不同
2021-05-10 16:00:572569 。 ? 第三代半導體是以碳化硅、氮化鎵等為代表的寬禁帶半導體材料。某機構數據顯示,2022年,國內有超26家碳化硅企業拿到融資。而根據電子發燒友的不完全統計,今年光上半年就有32家碳化硅企業拿到融資。2023全年第三代半導體行業融資超
2024-01-09 09:14:331408 化合物半導體在通訊射頻領域主要用于功率放大器、射頻開關、濾波器等器件中。砷化鎵(GaAs)、氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)半導體分別作為第二代和第三代半導體的代表,相比第一代半導體高頻性能、高溫性能優異很多,制造成本更為高昂,可謂是半導體中的新貴。
2019-09-11 11:51:19
氧化鎵是一種新型超寬禁帶半導體材料,是被國際普遍關注并認可已開啟產業化的第四代半導體材料。與碳化硅、氮化鎵等第三代半導體相比,氧化鎵的禁帶寬度遠高于后兩者,其禁帶寬度達到4.9eV,高于碳化硅
2023-03-15 11:09:59
PN結器件優越的指標是正向導通電壓低,具有低的導通損耗。 但硅肖特基二極管也有兩個缺點,一是反向耐壓VR較低,一般只有100V左右;二是反向漏電流IR較大。 二、碳化硅半導體材料和用它制成的功率
2019-01-11 13:42:03
由于碳化硅具有不可比擬的優良性能,碳化硅是寬禁帶半導體材料的一種,主要特點是高熱導率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等,因此被應用于各種半導體材料當中,碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關管
2020-06-28 17:30:27
了。 固有優勢加上最新進展 碳化硅的固有優勢有很多,如高臨界擊穿電壓、高溫操作、具有優良的導通電阻/片芯面積和開關損耗、快速開關等。最近,UnitedSiC采用常關型共源共柵的第三代SiC-FET器件已經
2023-02-27 14:28:47
5G將于2020年將邁入商用,加上汽車走向智慧化、聯網化與電動化的趨勢,將帶動第三代半導體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發展。根據拓墣產業研究院估計,2018年全球SiC基板產值將達1.8
2019-05-09 06:21:14
、GaP、InP等)之后發展起來的第三代半導體材料。作為一種寬禁帶半導體材料,碳化硅具有禁帶寬度大、擊穿場強高、熱導率大、載流子飽和漂移速度高、介電常數小、抗輻射能力強、化學穩定性良好等特點,可以用來制造
2019-10-24 14:21:23
超過40%,其中以碳化硅材料(SiC)為代表的第三代半導體大功率電力電子器件是目前在電力電子領域發展最快的功率半導體器件之一。根據中國半導體行業協會統計,2019年中國半導體產業市場規模達7562億元
2021-01-12 11:48:45
。 碳化硅近幾年的快速發展 近幾年來,低碳生活也是隨之而來,隨著太陽能產業的發展,作為光伏產業用的材料,碳化硅的銷售市場也是十分火爆,許多磨料磨具業內人開始關注起碳化硅這個行業了。目前碳化硅制備技術非常
2019-07-04 04:20:22
的化學惰性? 高導熱率? 低熱膨脹這些高強度、較持久耐用的陶瓷廣泛用于各類應用,如汽車制動器和離合器,以及嵌入防彈背心的陶瓷板。碳化硅也用于在高溫和/或高壓環境中工作的半導體電子設備,如火焰點火器、電阻加熱元件以及惡劣環境下的電子元器件。
2019-07-02 07:14:52
第二代碳化硅肖特基二極管-JBS簡介 產業界以第一代標準肖特基結構做成的肖特基二極管(SBD)漏電流大,反向耐壓低,產品競爭力差,商業應用價值低。為了提升產品競爭力,碳化硅肖特基二極管的結構也從標準
2023-02-28 16:55:45
、15A三等級電流測試中,碳化硅肖特基二極管的反向恢復電流比硅快恢復二極管小,有利提升產品效率。 4、基本半導體碳化硅肖特基二極管主要特性參數及應用 最高反向工作電壓(VRSM):二極管能承受的最大反向
2023-02-28 16:34:16
已經成為全球最大的半導體消費國,半導體消費量占全球消費量的比重超過40%,其中以碳化硅材料(SiC)為代表的第三代半導體大功率電力電子器件是目前在電力電子領域發展最快的功率半導體器件之一。根據中國
2021-03-25 14:09:37
、InP化合物半導體材料之后的第三代半導體材料。 在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應用方面有著廣闊的前景。SiC功率器件在C波段以上受頻率的限制,也使其使用受到一定的限制;GaN功率管因其
2017-06-16 10:37:22
主要的產業聚集在中國,世界LED聯盟的主席是中國人)。除了,氮化鎵和碳化硅,第三代半導體材料還包含ZnO,GaO氧化鎵等。既然LED已經離三代半導體陣營而去了,我們在這里就不再敘述了,如果哪天
2017-05-15 17:09:48
3G定義 3G是英文3rd Generation的縮寫,至第三代移動通信技術。相對于第一代模擬制式手機(1G)和第二代GSM、TDMA等數字手機(2G)來說,第三代手機是指將無線通信與國際互聯網等
2019-07-01 07:19:52
第三代移動通信過渡技術——EDGE作者:項子GSM和TDMA/136現在是全球通用的第二代蜂窩移動通信標準。當前有100多個國家的1億多人采用GSM,有近100個國家的約9500萬用戶采用 TDMA
2009-11-13 21:32:08
(PATRO)高解析強光抑制攝像機、帕特羅(PATRO)遠距離紅外一體攝像機、帕特羅(PATRO)紅外防雷攝像機 正當IR-III技術以新臉孔出現在紅外夜視市場時,市場上也出現了第三代陣列式紅外攝像機,造成
2011-02-19 09:35:33
不超過20W。對于環保節能更符合我國相關的環保節能政策,提倡低碳經濟生活。散熱性能:帕特羅(PATRO)第三代紅外技術可以應用球機,槍機等各類型監控攝像機,外型結構設計合理,而激光紅外在球機應用方面
2011-02-19 09:38:46
LED:節能環保的第三代照明技術1、半導體照明 LED:變革照明的第三代革命1.1LED 代替白熾燈—任重而道遠自 20 世紀 60 年代世界第一個半導體發光二極管誕生以來,LED 照明因具 有
2011-09-28 00:12:44
據業內權威人士透露,我國計劃把大力支持發展第三代半導體產業,寫入“十四五”規劃,計劃在2021-2025年期間,在教育、科研、開發、融資、應用等等各個方面,大力支持發展第三代半導體產業,...
2021-07-27 07:58:41
什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?碳化硅(SiC)的結構是如何構成的?
2021-06-18 08:32:43
隨著第三代移動通信技術的興起,UMTS網絡的建立將帶來一場深刻的革命,這對網絡規劃也提出了更高的要求。在德國轟動一時的UMTS執照拍賣,引起了公眾對這一新技術的極大興趣。第三代移動通信網絡的建設正方
2019-08-15 07:08:29
傳統的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導體電力電子器件的誕生,以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
大功率適配器為了減小對電網的干擾,都會采用PFC電路、使用氮化鎵的充電器,基本也離不開碳化硅二極管,第三代半導體材料幾乎都是同時出現,強強聯手避免短板。創能動力推出的碳化硅二極管
2023-02-22 15:27:51
的功率半導體器件選型,并給出性能和成本平衡的混合碳化硅分立器件解決方案。 02 圖騰柱無橋PFC拓撲分析 在正半周期(VAC大于0)的時候,T2為主開關管。 當T2開通時,電感L儲能,電流
2023-02-28 16:48:24
基于第三代移動通信系統標準的ALC控制方案的設計與實現
2021-01-13 06:07:38
導 讀 追求更低損耗、更高可靠性、更高性價比是碳化硅功率器件行業的共同目標。為不斷提升產品核心競爭力,基本半導體成功研發第三代碳化硅肖特基二極管,這是基本半導體系列標準封裝碳化硅肖特基二極管
2023-02-28 17:13:35
淺析第三代移動通信功率控制技術
2021-06-07 07:07:17
MOSFET更好的在系統中應用,需要給碳化硅MOSFET匹配合適的驅動。 接下來介紹基本半導體碳化硅MOSFET及驅動產品 基本半導體自主研發的碳化硅 MOSFET 具有導通電阻低,開關損耗小的特點,可降低
2023-02-27 16:03:36
深圳市薩科微半導體有限公司,技術骨干來自清華大學和韓國延世大學,掌握第三代半導體碳化硅功率器件國際領先的工藝,和第五代超快恢復功率二極管技術。薩科微slkor(www.slkormicro.com
2024-03-15 11:22:07
深圳市薩科微半導體有限公司,技術骨干來自清華大學和韓國延世大學,掌握第三代半導體碳化硅功率器件國際領先的工藝,和第五代超快恢復功率二極管技術。薩科微slkor(www.slkormicro.com
2022-05-31 14:00:20
°C。系統可靠性大大增強,穩定的超快速本體二極管,因此無需外部續流二極管。三、碳化硅半導體廠商SiC電力電子器件的產業化主要以德國英飛凌、美國Cree公司、GE、ST意法半導體體和日本羅姆公司、豐田
2023-02-20 15:15:50
第三代半導體是以氮化鎵和碳化硅為代表的寬禁帶半導體材料。預測2018年是第三代半導體產業化準備的關鍵期,第三代半導體設備行業將迎來景氣拐點。到2025年,第三代半導體器件將大規模的使用。
2017-12-19 11:56:163226 5G將于2020年將邁入商用,加上汽車走向智慧化、聯網化與電動化的趨勢,將帶動第三代半導體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發展。根據拓墣產業研究院估計,2018年全球SiC基板產值將達1.8億美元,而GaN基板產值僅約3百萬美元。
2018-03-29 14:56:1235825 近日科技部高新司在北京組織召開“十二五”期間863計劃重點支持的“第三代半導體器件制備及評價技術”項目驗收會。通過項目的實施,我國在第三代半導體關鍵的碳化硅和氮化鎵材料、功率器件、高性能封裝以及可見光通信等領域取得突破。
2018-09-14 10:51:1620140 日前,科技部高新司在北京組織召開十二五期間863計劃重點支持的第三代半導體器件制備及評價技術項目驗收會。通過項目的實施,中國在第三代半導體關鍵的碳化硅和氮化鎵材料、功率器件、高性能封裝以及可見光
2018-10-24 22:38:02478 第三代半導體,又稱寬禁帶半導體,是以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表的半導體材料,具備高壓、高溫、高頻大功率等特性。
2019-06-21 10:29:317739 華為為5G鋪路,布局碳化硅半導體,打破國外第三代半導體市場壟斷
2019-08-27 11:19:034989 碳化硅,作為發展的最成熟的第三代半導體材料,其寬禁帶,高臨界擊穿電場等優勢,是制造高壓高溫功率半導體器件的優質半導體材料。
2020-09-02 11:56:351470 第一代材料是硅(Si),大家通俗理解的硅谷,就是第一代半導體的產業園。
第二代材料是砷化鎵(GaAs),為4G時代而生,目前的大部分通信設備的材料。
第三代材料主要以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表的寬禁帶的半導體材料,是未來5G時代的標配
2020-09-04 19:07:147242 7月20日,長沙三安第三代半導體項目開工活動在長沙高新區舉行。 當前,第三代半導體材料及器件已成為全球半導體材料產業的前沿和制高點之一。以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導體成熟商用材料,在新能源汽車
2020-09-12 09:28:092819 碳化硅(SiC)半導體材料是自第一代元素半導體材料(Si、Ge)和第二代化合物半導體材料(GaAs、GaP、InP等)之后發展起來的第三代半導體材料。
2020-10-02 18:20:0012091 什么是第三代半導體? 第三代半導體是以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為主的寬禁帶半導體材料,具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點。 一、二、三代半導體
2020-09-28 09:52:203299 據公告介紹,該項目包括但不限于碳化硅等化合物第三代半導體的研發及產業化項目,包括長晶—襯底制作—外延生長—芯片制備—封裝產業鏈,投資總額160億元。
2020-10-13 14:31:193388 呢?為什么說第三代半導體有望成為國產替代希望? 第三代半導體也被稱為寬帶隙半導體,主要是以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的寬帶隙半導體材料,其帶隙寬度大于2.2eV,是5G、人工智能、工業互聯網等多個新基建產業的重要材料,同時也是
2020-10-29 18:26:404897 。 什么是第三代半導體? 第三代半導體是以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為主的寬禁帶半導體材料,具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點。 一、二、三代半導體什么區別? 一、材料 第一代半導體材料,發
2020-11-04 15:12:374305 些新興材料中,碳化硅、氮化鎵技術目前來看相對較為成熟,,因此這兩種材料也成為近年來市場布局的重點。下面查IC網小編帶大家一起看一看瑞能半導體沈鑫在全球CEO峰會發表的關于第三代半導體的主題演講。
2020-11-09 17:22:052755 中國第三代半導體正迎來發展的窗口期。第三代半導體產業技術創新戰略聯盟理事長吳玲11月24日在2020國際第三代半導體論壇上透露,雙循環模式推動國產化替代,2020年中國SiC(碳化硅)、GaN(氮化鎵)電力電子和微波射頻產值預計將約為70億元。
2020-11-26 10:15:082148 在5G和新能源汽車等新市場需求的驅動下,第三代半導體材料有望迎來加速發展。硅基半導體的性能已無法完全滿足5G和新能源汽車的需求,碳化硅和氮化鎵等第三代半導體的優勢被放大。
2020-11-29 10:48:1287783 碳化硅(SiC)又名碳硅石、金剛砂,是第三代半導體材料的代表之一,SiC主要用于電力電子器件的制造。受新能源汽車、工業電源等應用的推動,全球電力電子碳化硅的市場規模不斷增長,預計2020年的市場規模
2020-12-30 15:52:097765 日前,阿里巴巴達摩院預測了2021年科技趨勢,其中位列第一的是以氮化鎵和碳化硅為代表的第三代半導體將迎來應用大爆發。第三代半導體與前兩代有什么不同?為何這兩年會成為爆發的節點?第三代半導體之后
2021-01-07 14:19:483427 中心、車規級碳化硅功率器件封裝線和中歐創新中心孵化器等,最終形成國內領先的具備全產業鏈研發和生產制造能力的第三代半導體產業基地。 據青銅劍集團消息,深圳青銅劍技術有限公司曾成功研發中國首款大功率IGBT驅動ASIC芯片,推出IGBT標準驅動
2021-01-20 13:47:363814 ? 第三代半導體主要指以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶半導體材料,它具有寬禁帶、耐高壓、耐高溫、大電流、導熱好、高頻率等獨特性能和優勢。第三代半導體目前主要應用于電力電子器件、光電子器件、射頻電子器件
2021-02-01 09:23:113265 半導體的觸角已延伸至數據中心、新能源汽車等多個關鍵領域,整個行業漸入佳境,未來可期。 第三代半導體可提升能源轉換效率 以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)為代表的第三代半導體具備耐高溫、耐高壓、高頻率、大功率等優勢,相比硅器件
2021-03-25 15:19:163618 中,基本半導體總經理和巍巍博士發布了汽車級全碳化硅模塊、第三代碳化硅肖特基二極管、混合碳化硅分立器件三大系列碳化硅新品。至此基本半導體產品布局進一步完善,產品競爭力再度提升,將助力國內第三代半導體產業進一步發展。基本半導體的碳化硅
2021-11-29 14:54:087839 電子發燒友網報道(文/黃晶晶)第三代半導體的火熱程度勿需多言,從氮化鎵電源適配器的規模放量到特斯拉搭載碳化硅模塊,再到國內如火如荼地投資第三代半導體,這個產業被廣泛地看好。那么,2021-2022
2021-12-14 18:25:503674 2022年9月20日,國內第三代半導體碳化硅頭部企業——基本半導體完成C4輪融資,由新股東德載厚資本、國華投資、新高地等機構聯合投資,現有股東屹唐長厚、中美綠色基金等機構繼續追加投資。 本輪融資將用
2022-09-23 15:07:51348 第三代半導體在我國發展的開端應追溯至2013年。當年我國科技部制定“863計劃”首次明確將第三代半導體產業劃定為國家戰略發展產業。隨后2016年,國務院國家新產業發展小組將第三半導體產業列為發展重點
2022-11-22 13:35:12398 SiC(碳化硅)器件作為第三代半導體,具有禁帶寬度大、熱導率高、電子飽和遷移速率高和擊穿電場高等特性,碳化硅器件在高溫、高壓、高頻、大功率電子器件領域和新能源汽車、光伏、航天、軍工等環境應用領域有著不可替代的優勢...以下針對SiC器件進行深度分析:
2022-12-09 11:31:261087 碳化硅(SiC) 是第三代半導體,相較于前兩代半導體(一代硅,二代砷化鉀)碳化硅在使用極限性能,上優于硅襯底,可以滿足高溫、高壓、高頻、大功率等條件下的應用需求。
2023-01-16 10:22:08412 碳化硅(SiC)是第三代化合物半導體材料。半導體材料可用于制造芯片,這是半導體行業的基石。碳化硅是通過在電阻爐中高溫熔化石英砂,石油焦,鋸末等原材料而制造的。
2023-02-02 16:23:4420965 對新材料探索的腳步便從未停止。碳化硅作為一種寬禁帶半導體材料,屬于第三代半導體材料,其禁帶寬度高達3.0eV,相比第一代半導體材料硅,碳化硅的禁帶寬度是硅的3倍;導熱率為硅的4-5倍;擊穿電壓為硅的8倍;電子飽和漂移速率為硅
2023-02-02 17:39:092602 碳化硅技術壁壘分析:碳化硅技術壁壘是什么 碳化硅技術壁壘有哪些 碳化硅芯片不僅是一個新風口,也是一個很大的挑戰,那么我們來碳化硅技術壁壘分析下碳化硅技術壁壘是什么?碳化硅技術
2023-02-03 15:25:163637 第三代半導體材料有哪些 第三代半導體材料: 氨化家、碳化硅、氧化鋅、氧化鋁和金剛石。 從半導體材料的三項重要參數看,第三代半導體材料在電子遷移率、飽和漂移速率、禁帶寬度三項指標上均有著優異的表現
2023-02-07 14:06:164201 碳化硅是目前應用最為廣泛的第三代半導體材料,由于第三代半導體材料的禁帶寬度大于2eV,因此一般也會被稱為寬禁帶半導體材料,除了寬禁帶的特點外,碳化硅半導體材料還具有高擊穿電場、高熱導率、高飽和電子
2023-02-12 15:12:32933 前途光明的第三代半導體材料。我們認為下游電力電子領 域向高電壓、高頻等趨勢邁進,碳化硅材料的特性決定了它將會逐 步取代傳統硅基,打開巨大的市場空間。由于碳化硅產業鏈涉及多 個復雜技
術環節,將會
2023-02-20 15:49:550 碳化硅:前途光明的第三代半導體材料。我們認為下游電力電子領 域向高電壓、高頻等趨勢邁進,碳化硅材料的特性決定了它將會逐 步取代傳統硅基,打開巨大的市場空間。由于碳化硅產業鏈涉及多
個復雜技術環節
2023-02-21 09:29:162 什么是第三代半導體?我們把SiC碳化硅功率器件和氮化鎵功率器件統稱為第三代半導體,這個是相對以硅基為核心的第二代半導體功率器件的。今天我們著重介紹SiC碳化硅功率器件,也就是SiC碳化硅二極管
2023-02-21 10:16:472090 作者?| 薛定諤的咸魚 第三代半導體 主要是指氮化鎵和碳化硅、氧化鋅、氧化鋁、金剛石等寬禁帶半導體,它們通常都具有高擊穿電場、高熱導率、高遷移率、高飽和電子速度、高電子密度、可承受大功率等特點
2023-02-27 15:19:2912 領域的性能方面表現不佳,但還有性價
比助其占據市場。第二代半導體以砷化鎵(GaAs)、銻化銦(InSb)、磷化銦(InP)為代表,主要應用領域為光電子、微電
子、微波功率器件等。第三代半導體以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、氧化鋅(ZnO)、金
2023-02-27 15:20:113 隨著高壓、高頻及高溫領域應用的逐漸提高,第三代半導體技術高頻化和可靠性等性能的要求已是必須。 第三代半導體材料通常是指氮化鎵、碳化硅、氧化鋅、金剛石等,其中氮化鎵、碳化硅為主要代表。在禁帶寬
2023-03-09 14:56:53497 按照電學性能的不同,碳化硅材料制成的器件分為導電型碳化硅功率器件和半絕緣型碳化硅射頻器件,兩種類型碳化硅器件的終端應用領域不同。導電型碳化硅功率器件是通過在低電阻率的導電型襯底上生長碳化硅外延層后進一步加工制成
2023-04-21 14:14:372437 又以碳化硅和氮化鎵材料技術的發展最為成熟。與第一代、第二代半導體材料相比,第三代半導體材料通常具備更寬的禁帶寬度、更高的擊穿場強、更高的熱導率,電子飽和速率和抗輻射能力也更勝一籌,在高溫、高壓、高頻、高功率等嚴苛環境下,依然能夠保證性能穩定。
2023-05-18 10:57:361018 第三代半導體碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)是近幾年新興的功率半導體,相比于傳統的硅(Si)基功率半導體,氮化鎵和碳化硅具有更大的禁帶寬度,更高的臨界場強,使得基于這兩種材料制作的功率半導體具有
2023-03-13 17:42:58495 半導體是當今世界的基石,幾乎每一項科技創新都離不開半導體的貢獻。過去幾十年,硅一直是半導體行業的主流材料。然而,隨著科技的發展和應用需求的增加,硅材料在一些方面已經無法滿足需求,這促使第三代半導體
2023-07-05 10:26:131322 如今砷化鎵、磷化銦等作為第二代化半導體因其高頻性能效好主要是用于射頻領域,碳化硅、和氮化鎵等作為第三代半導體因禁帶寬度和擊穿電壓高的特性。
2023-07-25 10:52:23405 碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優良電氣特性,它突破硅基半導體材料物理限制,成為第三代半導體核心材料。碳化硅材料性能優勢引領功率器件新變革。
2023-09-19 15:55:20893 SiC器件是一種新型的硅基MOSFET,特別是SiC功率器件具有更高的開關速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN結組成。
在眾多的半導體器件中,碳化硅材料具有低熱導率、高擊穿
2023-09-26 16:42:29342 近年來,碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等第三代半導體材料成為全球半導體市場熱點之一。
2023-10-16 14:45:06694 半導體材料目前已經發展至第三代。傳統硅基半導體由于自身物理性能不足以及受限于摩爾定律,逐漸不適應于半導體行業的發展需求,砷化鎵、碳化硅、氮化鎵等化合物半導體也因而誕生。
2023-12-21 15:12:20821 芯聯集成已全力挺進第三代半導體市場,自2021年起投入碳化硅MOSFET芯片及模組封裝技術的研究開發與產能建設。短短兩年間,芯聯集成便已成功實現技術創新的三次重大飛躍,器件性能與國際頂級企業齊肩,并且已穩定實現6英寸5000片/月碳化硅MOSFET芯片的大規模生產。
2023-12-26 10:02:38248 第三代半導體性能優越,應用場景更廣。半導體材料作為電子信息技術發展的 基礎,經歷了數代的更迭。隨著應用場景提出更高的要求,以碳化硅、氮化鎵為代 表的第三代半導體材料逐漸進入產業化加速放量階段。相較
2024-01-16 10:48:49314 總計投資32.7億元人民幣的第三代半導體碳化硅材料生產基地是中共廣東省委和深圳市委重點關注的項目之一,同時也是深圳全球招商大會的重點簽約項目。
2024-02-28 16:33:34336 2月27日,第三代半導體碳化硅材料生產基地在寶安區啟用,由深圳市重投天科半導體有限公司(以下簡稱“重投天科”)建設運營,預計今年襯底和外延產能達25萬片
2024-02-29 14:09:14236
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