本文主要闡述了MOSFET在模塊電源中的應用，分析了MOSFET損耗特點，提出了優化方法；并且闡述了優化方法與EMI之間的關系。
2015-09-18 14:33:17
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簡化的MOSFET等效電路MOSFET開通（turn on）過程MOSFET損耗——Rds和Rg電阻損耗Di
2017-10-31 15:43:3821570 
損耗是MOSFET的Qg乘以驅動器電壓和開關頻率的值。Qg請參考所使用的MOSFET的技術規格書。驅動器電壓或者實測，或者參考IC的技術規格書。
2020-04-05 11:52:003550 
MOSFET/IGBT的開關損耗測試是電源調試中非常關鍵的環節，但很多工程師對開關損耗的測量還停留在人工計算的感性認知上，PFC MOSFET的開關損耗更是只能依據口口相傳的經驗反復摸索，那么該如何量化評估呢?
2022-10-19 10:39:231504 MOSFET作為主要的開關功率器件之一，被大量應用于模塊電源。了解MOSFET的損耗組成并對其分析，有利于優化MOSFET損耗，提高模塊電源的功率;但是一味的減少MOSFET的損耗及其他方面的損耗
2023-04-18 09:22:021252 本文主要闡述了MOSFET在模塊電源中的應用，分析了MOSFET損耗特點，提出了優化方法;并且闡述了優化方法與EMI之間的關系。
2023-08-17 09:16:301300 
電源設計工程師在選用 Power MOSFET 設計電源時，大多直接以 Power MOSFET 的最大耐壓、最大導通電流能力及導通電阻等三項參數做出初步決定。但實際上，MOSFET/IGBT
2024-01-20 17:08:06916 
損耗。2.65A PFC交流輸入電流等于MOSFET中由公式2計算所得的2.29A RMS。MOSFET傳導損耗、I2R，利用公式2定義的電流和MOSFET125℃的RDS(on)可以計算得出。把RDS
2018-08-27 20:50:45
相交點為2.65A RMS。對PFC電路而言，當交流輸入電流大于2.65A RMS時，MOSFET具有較大的傳導損耗。2.65A PFC交流輸入電流等于MOSFET中由公式2計算所得的2.29A RMS
2021-06-16 09:21:55
電流大于2.65A RMS時，MOSFET具有較大的傳導損耗。2.65A PFC交流輸入電流等于MOSFET中由公式2計算所得的2.29A RMS。MOSFET傳導損耗、I2R，利用公式2定義的電流
2020-06-28 15:16:35
最大持續電流只依賴于最大功耗，此時最大持續電流可以通過功率公式（P=I^2 R）推算出。如下式：然而實際中，其他條件會限制理論上計算出來的最大持續電流，比如銅線直徑，芯片工藝與組裝水平等。比如上式中計算
2018-07-12 11:34:11
MOSFET功率損耗的詳細計算
2023-09-28 06:09:39
公式12計算功率損耗，其中Poc表示的是由存儲在輸出電容中的電荷導致的功率損耗。此方程式便于用戶理解及運用，而且還剛好采用了與計算MOSFET驅動功率損耗最常用方式相同的形式。當然，仍然需要顧及切換期間
2014-10-08 12:00:39
LLC的優勢之一就是能夠在比較寬的負載范圍內實現原邊MOSFET的零電壓開通（ZVS），MOSFET的開通損耗理論上就降為零了。要保證LLC原邊MOSFET的ZVS，需要滿足以下三個基本條件：1
2018-07-18 10:09:10
等的再生電流的高速路徑，需要2個FRD。這樣一來，添加FRD必然會使元器件數量增加，而且MOSFET導通時的漏極電流（Id）路徑中也因添加FRD而導致損耗增加。PrestoMOS通過實現內部二極管
2018-11-28 14:27:08
MOSFET較小的柵極電阻可以減少開通損耗嗎？柵極電阻的值會在開通過程中影響與漏極相連的二極管嗎？
2023-05-16 14:33:51
，這種方法是不對的。功率MOSFET的電流是一個計算值，而且是基于TC=25℃，也沒有考慮開關損耗，因此這種方法和實際的應用差距太大，沒有參考價值。在一些有大電流沖擊要求有短路保護的應用中，會校核數據表
2017-11-15 08:14:38
時，MOS管的損耗是不容忽視的一部分。下面將詳細計算MOS管的損耗。2. MOS管的損耗來源2.1 MOS開關損耗MOS在開關電源中用作開關器件，顧名思義，MOS會經常的開通和關斷。由于電壓和電流都是
2021-07-29 06:01:56
MOSFET與環流二極管中的傳導損耗，電感器中也有傳導損耗，因為每一個電感器都有有限的直流電阻（DCR），即線圈中導線的電阻。公式3表示電感器中的功率耗散：傳導損耗取決于負載電流。負載增大時，MOSFET中
2018-08-30 14:59:56
在本系列最后一期文章中，我將討論DC/DC穩壓器元件的傳導損耗。傳導損耗是由設備寄生電阻阻礙直流電流在DC/DC變換器中的傳導產生的。傳導損耗與占空比有直接關系。當電流較高一側的MOSFET打開后
2022-11-16 06:30:24
IGBT作為電力電子領域的核心元件之一，其結溫Tj高低，不僅影響IGBT選型與設計，還會影響IGBT可靠性和壽命。因此，如何計算IGBT的結溫Tj，已成為大家普遍關注的焦點。由最基本的計算公式Tj=Ta+Rth(j-a)*Ploss可知，損耗Ploss和熱阻Rth(j-a)是Tj計算的關鍵。
2019-08-13 08:04:18
計算，直接得出結論如下： 10、二極管反向恢復損耗 11、實際模型計算 實際驗證FFR600R12ME4模塊損耗步驟如下： 11.1 參數獲取 12、IPOSIM驗證 英飛凌官方條件下，計算
2023-02-24 16:47:34
如圖片所示，為什么MOS管的開關損耗（開通和關斷過程中）的損耗是這樣算的，那個72pF應該是MOS的輸入電容，2.5A是開關電源限制的平均電流
2018-10-11 10:21:49
在器件設計選擇過程中需要對MOSFET的工作過程損耗進行先期計算（所謂先期計算是指在沒能夠測試各工作波形的情況下，利用器件規格書提供的參數及工作電路的計算值和預計波形，套用公式進行理論上
2020-06-28 17:48:13
本帖最后由 張飛電子學院魯肅 于 2021-1-30 13:21 編輯
本文詳細分析計算功率MOSFET開關損耗，并論述實際狀態下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關斷的過程，從而使電子
2021-01-30 13:20:31
URF2405P- 6WR3的吸收電路(采用如圖3中的②RC吸收電路)為例： MOSFET的功耗優化工作實際上是一個系統工程，部分優化方案甚至會影響EMI的特性變化。上述案例中，平衡了電源整體效率與EMI
2019-09-25 07:00:00
減少開關損耗。 圖2全部絕對最大電流和功率數值都是真實的數據 圖3MOSFET在施加功率脈沖情況下的熱阻實際上，我們可以把MOSFET選型分成四個步驟。 選好額定電流后，還必須計算導通損耗。在實際
2019-09-04 07:00:00
。對PFC電路而言，當交流輸入電流大于2.65A RMS時，MOSFET具有較大的傳導損耗。2.65A PFC交流輸入電流等于MOSFET中由公式2計算所得的2.29A RMS。MOSFET傳導損耗
2017-04-15 15:48:51
MOS管損耗的8個組成部分在器件設計選擇過程中需要對 MOSFET 的工作過程損耗進行先期計算（所謂先期計算是指在沒能夠測試各工作波形的情況下，利用器件規格書提供的參數及工作電路的計算值和預計波形
2019-09-02 08:30:00
。2.65A PFC交流輸入電流等于MOSFET中由公式2計算所得的2.29A RMS。MOSFET傳導損耗、I2R，利用公式2定義的電流和MOSFET125℃的RDS(on)可以計算得出。把RDS(on)隨漏
2019-03-06 06:30:00
的散熱通道的器件。最后還要量化地考慮必要的熱耗和保證足夠的散熱路徑。本文將一步一步地說明如何計算這些MOSFET的功率耗散，并確定它們的工作溫度。然后，通過分析一個多相、同步整流、降壓型CPU核電源中
2023-03-16 15:03:17
什么是MOSFET驅動器？MOSFET驅動器功耗包括哪些部分？如何計算MOSFET的功耗？
2021-04-12 06:53:00
一般如圖2示。 圖2開關管實際功率損耗測試二、導通過程損耗晶體管開關電路在轉換過程中消耗的能量通常會很大，因為電路寄生信號會阻止設備立即開關，該狀態的電壓與電流處于交變的狀態，因此很難直接計算功耗，以往
2021-11-18 07:00:00
使用功率 MOSFET 也有兩年多時間了，這方面的技術文章看了不少，但實際應用選型方面的文章不是很多。在此，根據學到的理論知識和實際經驗，和廣大同行一起分享、探討交流下功率 MOSFET 的選型
2019-11-17 08:00:00
公式計算：同樣，關斷損耗的米勒平臺時間在關斷損耗中占主導地位。對于兩個不同的MOSFET，如A管和B管，即使A管的Qg和Ciss小于B管的，但如果A管的Crss比B管的大得多時，A管的開關損耗就有可能
2017-03-06 15:19:01
MOSFET內部的柵極電阻，RG=RUp+RG1+RG2為G極串聯的總驅動電阻。圖1：功率MOSFET驅動等效電路實際的應用中功率MOSFET所接的負載大多為感性負載，感性負載等效為電流源，因此功率MOSFET
2017-02-24 15:05:54
功率MOSFET的概念是什么 MOSFET的耗散功率如何計算 同步整流器的功耗如何計算
2021-03-11 07:32:50
在功率MOSFET的數據表中，列出了開通延時、開通上升時間，關斷延時和關斷下降時間，作者經常和許多研發的工程師保持技術的交流，在交流的過程中，發現有些工程師用這些參數來評估功率MOSFET的開關損耗
2016-12-16 16:53:16
方法是不對的。功率MOSFET的電流是一個計算值，而且是基于TC=25℃，也沒有考慮開關損耗，因此這種方法和實際的應用差距太大，沒有參考價值。在一些有大電流沖擊要求有短路保護的應用中，會校核數據表中的最大
2019-04-04 06:30:00
計算公式 （1）有功損耗： ΔP=P0+KTβ2PK-------（1） （2）無功損耗：ΔQ=Q0+KTβ2QK-------（2） （3）綜合功率損耗：ΔPZ=ΔP+KQΔQ----
2020-06-19 16:06:49
的散熱通道的器件。最后還要量化地考慮必要的熱耗和保證足夠的散熱路徑。本文將一步一步地說明如何計算這些MOSFET的功率耗散，并確定它們的工作溫度。然后，通過分析一個多相、同步整流、降壓型CPU核電源中
2021-01-11 16:14:25
計算MOSFET非線性電容
2021-01-08 06:54:43
如何計算MOS管的損耗？
2021-11-01 08:02:22
開關MOS的損耗如何計算？
2021-03-02 08:36:47
如何更加深入理解MOSFET開關損耗？Coss產生開關損耗與對開關過程有什么影響？
2021-04-07 06:01:07
開關管MOSFET的功耗分析MOSFET的損耗優化方法及其利弊關系
2020-12-23 06:51:06
和計算開關損耗，并討論功率MOSFET導通過程和自然零電壓關斷過程的實際過程，以便電子工程師了解哪個參數起主導作用并了解MOSFET. 更深入地MOSFET開關損耗1，通過過程中的MOSFET開關損耗功率M...
2021-10-29 08:43:49
MOS管損耗的8個組成部分 在器件設計選擇過程中需要對 MOSFET 的工作過程損耗進行先期計算（所謂先期計算是指在沒能夠測試各工作波形的情況下，利用器件規格書提供的參數及工作電路的計算值和預計波形
2019-09-06 09:00:00
交流電磁場作用下，導線中心的電流被“推向”導線表面而使導線的電阻實際增加所致，電流在更小的截面中流動使導線的有效直徑顯得小了。式(8)給出了這兩個損耗在一個表達式中的計算式。 漏感(用串聯于繞組
2020-08-27 08:07:20
導線內強交流電磁場作用下，導線中心的電流被“推向”導線表面而使導線的電阻實際增加所致，電流在更小的截面中流動使導線的有效直徑顯得小了。式（8）給出了這兩個損耗在一個表達式中的計算式。 漏感（用串聯
2023-03-16 16:37:04
插入損耗的計算
2009-09-23 17:43:24
無線充電電力傳輸過程中主要的損耗：1.供電端的驅動組件，主要是MOSFET的開關損耗2. 供電端和受電端的線圈與諧振電容通過電流的損耗3.受電端的整流部分，交流到直流的轉換損耗4.受電端的穩壓轉換
2021-09-15 07:13:55
》100KHz的實際開關操作中，開關損耗占主導地位。對低Rdson的追求需要更高的電容，這會減慢開關速度，從而產生更高的損耗。更快的開關需要強大的驅動器或級聯;后者是最好和最具成本效益的解決方案，但仍然沒有
2023-02-20 16:40:52
永磁同步電機的損耗理論到實際永磁同步電動機損耗可以分成4部分，即定子繞組損耗、鐵心損耗、機械損耗和負載雜散損耗。性質上分為三類，鐵損，銅損和機械損耗。1、電機鐵損，電流通過永磁同步電機定子繞組
2021-07-05 07:48:16
本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供應的SiC-MOSFET的相關信息。獨有的雙溝槽結構SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不斷發展的進程中，ROHM于世界首家實現了溝槽柵極
2018-12-05 10:04:41
功率MOSFET的Coss會產生開關損耗，在正常的硬開關過程中，關斷時VDS的電壓上升，電流ID對Coss充電，儲存能量。在MOSFET開通的過程中，由于VDS具有一定的電壓，那么Coss中儲能
2017-03-28 11:17:44
。數據表中ID只考慮導通損耗，在實際的設計過程中，要計算功率MOSFET的最大功耗包括導通損耗、開關損耗、寄生二極管的損耗等，然后再據功耗和熱阻來校核結溫，保證其結溫小于最大的允許值，最好有一定的裕量
2016-08-15 14:31:59
今天，Ms.參與大家共同了解實際流體，談談流體運動時的損耗計算。 1 實際流體及其運動方程與理想流體相比，實際流體存在著粘滯性，管道對流體也存在各種形式的阻力，因此管道中的流體(如電機中的空氣)流動
2018-10-29 17:13:18
（ Tj,max - Tamb ） / R θj-a 計算值。二、 損耗組成及計算方法在器件設計選擇過程中需要對 MOSFET 的工作過程損耗進行先期計算（所謂先期計算是指在沒能夠測試各工作波形
2018-06-26 10:52:18
作為散熱對策。視MOSFET的廠商而定，提出損耗的測量方法或進行確認的方法。以下示例僅供參考。從摘錄網站畫面中的①開始，操作鼠標依序點擊后，就可以閱覽計算元件溫度和判定能否使用的方法。對于實機操作時的確
2018-11-27 16:58:28
。在此期間，電感電流通過輸出電容、負載和正向偏置二極管。負載電流流過二極管產生的功率耗散可以用公式2表示：其中VF是選定二極管的正向電壓降。除了集成MOSFET與環流二極管中的傳導損耗，電感器中也有傳導
2018-06-07 10:17:46
如何正確計算2.4GHz頻段模塊的路徑損耗？
2021-05-21 06:46:15
5、無源元件損耗??我們已經了解MOSFET 和二極管會導致SMPS 損耗。采用高品質的開關器件能夠大大提升效率，但它們并不是唯一能夠優化電源效率的元件。圖1 詳細介紹了一個典型的降壓型轉換器IC
2021-12-31 06:19:44
電流，只需直接選擇能承受這個最大電流的器件便可。 選好額定電流后，還必須計算導通損耗。在實際情況下，MOSFET并不是理想的器件，因為在導電過程中會有電能損耗，這稱之為導通損耗。MOSFET在“導
2011-08-17 14:18:59
尖峰電流)流過器件。一旦確定了這些條件下的最大電流，只需直接選擇能承受這個最大電流的器件便可。選好額定電流后，還必須計算導通損耗。在實際情況下，MOSFET并不是理想的器件，因為在導電過程中會有電能
2012-10-30 21:45:40
尖峰電流)流過器件。一旦確定了這些條件下的最大電流，只需直接選擇能承受這個最大電流的器件便可。選好額定電流后，還必須計算導通損耗。在實際情況下，MOSFET并不是理想的器件，因為在導電過程中會有電能
2012-10-31 21:27:48
，還必須計算導通損耗。在實際情況下，MOSFET并不是理想的器件，因為在導電過程中會有電能損耗，這稱之為導通損耗。MOSFET在“導通”時就像一個可變電阻，由器件的RDS(ON)所確定，并隨溫度而顯著變化
2013-03-11 10:49:22
圖1：開關損耗讓我們先來看看在集成高側MOSFET中的開關損耗。在每個開關周期開始時，驅動器開始向集成MOSFET的柵極供應電流。從第1部分，您了解到MOSFET在其終端具有寄生電容。在首個時段（圖
2022-11-16 08:00:15
IGBT損耗計算和損耗模型研究：器件的損耗對系統設計堯器件參數及散熱器的選擇相當重要。損耗模型主要分為兩大類院基于物理結構的IGBT損耗模型淵physics-based冤和基于數學方法的IG
2009-06-20 08:33:53
96 線路電能損耗計算方法:線路電能損耗計算方法 A1 線路電能損耗計算的基本方法是均方根電流法，其代表日的損耗電量計算為： ΔA=3 Rt×10-3 (kW•h) (Al-1) Ijf = (A) (Al-2) 式
2010-01-27 11:53:4939 摘要：從功率MOSFET內部結構和極間電容的電壓依賴關系出發，對功率MOSFET的開關現象及其原因進行了較深入分析。從實際應用的角度，對功率MOSFET開關過程的功率損耗和所需驅動
2010-11-11 15:36:3853 光鏈路總損耗計算公式：
A=0.25L+10 lg(1/K)+E+0.3N
4)光鏈路計算 ①計算依據 光纖損耗<0.2 dB/km(使用1級
2008-08-13 01:48:495531 理解功率MOSFET的開關損耗
本文詳細分析計算開關損耗，并論述實際狀態下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關斷的過程，從而使電子工程師知道哪個參數起主導作用并
2009-10-25 15:30:593320 根據MOSFET的簡化模型，分析了導通損耗和開關損耗，通過典型的修正系數，修正了簡化模型的極間電容。通過開關磁鐵電源的實例計算了工況下MOSFET的功率損耗，計算結果表明該電源中
2011-11-14 16:46:22112 MOSFET才導通，因此同步MOSFET是0電壓導通ZVS，而其關斷是自然的0電壓關斷ZVS，因此同步MOSFET在整個開關周期是0電壓的開關ZVS，開關損耗非常小，幾乎可以忽略不計，所以同步MOSFET只有RDS(ON)所產生的導通損耗，選取時只需要考慮RDS（ON）而不需要考慮Crss的值。
2012-04-12 11:04:2359180 
為了有效解決金屬-氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）在通信設備直流-48 V緩啟動應用電路中出現的開關損耗失效問題，通過對MOSFET 柵極電荷、極間電容的闡述和導通過程的解剖，定位了MOSFET 開關損耗的來源，進而為緩啟動電路設計優化，減少MOSFET的開關損耗提供了技術依據。
2016-01-04 14:59:0538 MOSFET的損耗主要包括如下幾個部分：1導通損耗，導通損耗是比較容易理解的，即流過MOSFET的RMS電流在MOSFET的Rdson上的I^2R損耗。降低這個損耗也是大家最容易想到的，例如選用更低
2017-11-22 17:26:0225214 
為精確計算光伏逆變器的IGBT損耗，指導系統熱設計，提出了一種IGBT損耗精確計算的實用方法。以可視化的T程計算T具MathCAD為載體，基于SVPWM矢量控制原理，建立了光伏逆變器IGBT實際
2017-12-08 10:36:0264 本文主要介紹了介質損耗怎樣計算_介質損耗計算公式。什么是介質損耗：絕緣材料在電場作用下，由于介質電導和介質極化的滯后效應，在其內部引起的能量損耗。也叫介質損失，簡稱介損。介質損耗與外施電壓、電源頻率
2018-03-20 10:03:0278706 
MOSFET的損耗分析
2019-04-17 06:44:006005 
本文介紹了電動自行車無刷電機控制器的熱設計。其中包括控制器工作原理的介紹、MOSFET功率損耗的計算、熱模型的分析、穩態溫升的計算、導熱材料的選擇、熱仿真等。
2019-11-07 15:37:1767 Mosfet的損耗主要有導通損耗，關斷損耗，開關損耗，容性損耗，驅動損耗
2020-01-08 08:00:0011 功率MOSFET的開關損耗分析。
2021-04-16 14:17:0248 本文介紹了電動自行車無刷電機控制器的熱設計。其中包括控制器工作原理的介紹、MOSFET功率損耗的計算、熱模型的分析、穩態溫升的計算、導熱材料的選擇、熱仿真等。
2021-06-10 10:34:2965 和計算開關損耗，并討論功率MOSFET導通過程和自然零電壓關斷過程的實際過程，以便電子工程師了解哪個參數起主導作用并了解MOSFET. 更深入地MOSFET開關損耗1，通過過程中的MOSFET開關損耗功率M...
2021-10-22 17:35:5953 MOS管損耗的8個組成部分
在器件設計選擇過程中需要對 MOSFET 的工作過程損耗進行先期計算（所謂先期計算是指在沒能夠測試各工作波形的情況下，利用器件規格書提供的參數及工作電路的計算值和預計波形
2022-02-11 14:06:463 此前計算了損耗發生部分的損耗，本文將介紹匯總這些損耗并作為電源IC的損耗進行計算的例子。電源IC的功率損耗計算示例（內置MOSFET的同步整流型IC），圖中給出了從“電源IC的損耗”這個角度考慮時相關的部分。
2023-02-23 10:40:51705 
在此前的文章中介紹了損耗的發生部位以及通過計算求出相應損耗的方法。從本文開始，將介紹根據求得的損耗進行熱計算，并判斷在實際使用條件下是否在最大額定值范圍內及其對應方法等。
2023-02-23 10:40:52848 
MOS管在電源應用中作為開關用時將會導致一些不可避免的損耗，這些損耗可以分為兩類。
2023-03-26 16:18:555704 
在器件設計選擇過程中需要對 MOSFET 的工作過程損耗進行先期計算（所謂先期計算是指在沒能夠測試各工作波形的情況下，利用器件規格書提供的參數及工作電路的計算值和預計波形，套用公式進行理論上的近似計算）。
2023-06-10 09:25:01997 前言：為了方便理解MOSFET的開關過程及其損耗，以Buck變換器為研究對象進行說明（注：僅限于對MOSFET及其驅動進行分析，不涉及二極管反向恢復等損耗。）
2023-06-23 09:16:001354 
SiC MOSFET 和Si MOSFET寄生電容在高頻電源中的損耗對比
2023-12-05 14:31:21258 
使用SiC MOSFET時如何盡量降低電磁干擾和開關損耗
2023-11-23 09:08:34333 
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