1w白光管，單個測試電流300ma時正向壓降2.8伏。兩個管子串聯后300ma時的正向壓降變成6.7伏。使用的是恒流電源。結電壓為什么會變化呢？單個測試的時候結電壓幾乎不隨著電流變化，但是串聯時電壓隨著電流的增加明顯提高
2015-05-07 10:31:36
—PN結變寬—漂移運動>擴散運動—少子漂移形成極小 的反向電流I—PN結截止。圖1-7所示為PN結反向偏置時的電路圖。(3) PN結的單向導電性。當PN結外加正向電壓（正偏），即P區接高電 位、N區
2017-07-28 10:12:45
產生電場,這電場阻止載流子進一步擴散 ,達到平衡.當PN結外加反向電壓時,內外電場的方向相同,在外電場的作用下,載流子背離PN結運動,結果使空間電荷區變寬,耗盡層會（變寬）變大.PN結外加正向電壓時,擴散電流大于漂移電流,耗盡層將變窄.
2017-04-13 10:09:24
第一章PN結伏安特性曲線當加在二極管兩端的電壓達到0.7V左右時，二極管正向導通；當反向電壓超過U（BR）一定值后就會出現齊納擊穿，當反向電壓繼續增大就會出現雪崩擊穿。溫度...
2021-11-15 06:43:45
多的空穴，n側或負極有過量的電子。為什么存在pn結？以及它是如何工作的？什么是p-n結二極管？I. PN 結基本型1.1 PN半導體N型半導體在硅晶體（或鍺晶體）中摻雜了少量的雜質磷元素（或銻元素），由于
2023-02-08 15:24:58
PN結的定義是什么？ 對于PN結的定義，首先我們看下來自于百度百科的內容：采用不同的摻雜工藝，通過擴散作用，將P型半導體與N型半導體制作在同一塊半導體（通常是硅或鍺）基片上，在它們的交界面
2021-01-15 16:24:54
PN結的定義是什么？對于PN結的定義，首先我們看下來自于百度百科的內容：采用不同的摻雜工藝，通過擴散作用，將P型半導體與N型半導體制作在同一塊半導體（通常是硅或鍺）基片上，在它們的交界面就形成
2021-03-16 13:50:45
;推導過程參見《晶體管原理》。當外加反向電壓時 I = Is ， CD趨于零。3、 PN結電容： PN結的總電容Cj為CT和CD兩者之和Cj = CT+CD ，外加正向電 壓CD很大
2008-09-10 09:26:16
PN結電容分為兩部分，勢壘電容和擴散電容。 PN結交界處存在勢壘區。結兩端電壓變化引起積累在此區域的電荷數量的改變，從而顯現電容效應。 當所加的正向電壓升高時，多子(N區的電子、P區的空穴
2021-06-01 07:55:49
（MPS）結構，該結構保持最佳場分布，但通過結合真正的少數載流子注入也可以增強浪涌能力。如今，SiC二極管非常可靠，它們已經證明了比硅功率二極管更有利的FIT率。 MOSFET替代品 2008年推出
2023-02-27 13:48:12
家公司已經建立了SiC技術作為其功率器件生產的基礎。此外，幾家領先的功率模塊和功率逆變器制造商已為其未來基于SiC的產品的路線圖奠定了基礎。碳化硅（SiC）MOSFET即將取代硅功率開關;性能和可靠性
2019-07-30 15:15:17
1. 器件結構和特征SiC能夠以高頻器件結構的SBD（肖特基勢壘二極管）結構得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現在主流產品快速PN結
2019-04-22 06:20:22
1. 器件結構和特征SiC能夠以高頻器件結構的SBD（肖特基勢壘二極管）結構得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現在主流產品快速PN結
2019-03-14 06:20:14
，VF變高，不會熱失控。但是VF上升，因此具有IFSM（瞬間大電流耐受能力）比Si-FRD低的缺點。SiC-SBD的VF特性改善為提升具有卓越本質的SiC-SBD的特性，使之更加易用，開發了VF降低
2018-11-30 11:52:08
SiC-SBD轉換為反向偏置時的示意圖。因肖特基勢壘結構而不存在PN結,所以沒有少數載流子，在反向偏置時n層的多數載流子(電子)只需要返回,因此只需要很少的反向恢復時間，其關斷時間比PND明顯縮短。這種
2018-11-29 14:34:32
介紹。如下圖所示，為了形成肖特基勢壘，將半導體SiC與金屬相接合（肖特基結）。結構與Si肖特基勢壘二極管基本相同，其重要特征也是具備高速特性。而SiC-SBD的特征是其不僅擁有優異的高速性還同時實現了高
2018-11-29 14:35:50
電導率調制，向漂移層內注入作為少數載流子的空穴，因此導通電阻比MOSFET還要小，但是同時由于少數載流子的積聚，在Turn-off時會產生尾電流，從而造成極大的開關損耗。SiC器件漂移層的阻抗比Si器件低
2019-05-07 06:21:55
與硅相比，SiC有哪些優勢？SiC器件與硅器件相比有哪些優越的性能？碳化硅器件的缺點有哪些？
2021-07-12 08:07:35
制作穩壓二極管和雪崩二極管；利用高摻雜pn結隧道效應制作隧道二極管；利用結電容隨外電壓變化效應制作變容二極管。使半導體的光電效應與pn結相結合還可以制作多種光電器件。如利用前向偏置異質結的載流子注入
2016-11-29 14:52:38
要充分認識 SiC MOSFET 的功能，一種有用的方法就是將它們與同等的硅器件進行比較。SiC 器件可以阻斷的電壓是硅器件的 10 倍，具有更高的電流密度，能夠以 10 倍的更快速度在導通和關斷
2017-12-18 13:58:36
壓接式可控硅模塊與焊接式可控硅模塊有什么區別呢？下面就為大家介紹下：首先，從電流方面來說，焊接式模塊能做到160A電流，而壓接式模塊的電流則可達到1200A。也就是說，160A以下的模塊，既有焊接
2013-12-25 09:12:41
壓接式可控硅模塊與焊接式可控硅模塊有什么區別呢？下面就為大家介紹下：首先，從電流方面來說，焊接式模塊能做到160A電流，而壓接式模塊的電流則可達到1200A。也就是說，160A以下的模塊，既有焊接式
2014-02-11 11:08:23
正向偏置的pn結為什么是擴散增強漂移減小，pn 結就會變窄呢？求詳細解釋？另外還想請教下漂移具體是什么意思？
2013-07-04 23:39:21
為何能得到大家的青睞？MTC110-16有什么特別之處呢？ MTC110-16參數描述型號：MTC110-16品牌：ASEMI封裝：D1特性：可控硅模塊電性參數：110A 1600V正向電流：110A
2021-08-17 15:27:12
和N型導體組成的四層結構，總共有三個PN結。MTC160-16在結構上與只有一個 PN 結的硅整流二極管有很大不同。可控硅的四層結構和控制電極的引入，為其“以小控大”的優良控制特性奠定了基礎。在可控硅
2021-08-28 16:21:16
半導體材料可實現比硅基表親更小，更快，更可靠的器件，并具有更高的效率，這些功能使得在各種電源應用中減少重量，體積和生命周期成本成為可能。 Si，SiC和GaN器件的擊穿電壓和導通電阻。 Si，SiC
2022-08-12 09:42:07
SiC JBS二極管提供卓越的功能，包括但不限于高溫操作，高阻斷電壓和快速開關能力。本文檔介紹高級交換與SiC肖特基二極管相比，GeneSiC的1200 V/12 A SiC JBS二極管提供的性能
2023-06-16 11:42:39
L M393電壓比較器
*如果反向端比正向端高/那輸出電壓是正或負#
2016-01-27 07:55:55
的， 低濃度摻雜的PN結，耐壓頗高，反向漏電甚小，不過，當你在任何一端加上了發射極，這反偏結都能夠大量導電（Ic），且看此圖，左邊是PNP，右邊是NPN，中間則依然是反偏的PN結一個，啥都沒加，但你會發
2015-09-18 10:21:06
常出現反向峰值電流幾乎不再存在； ·無論負載電流，還是溫度變化，反向電荷產生的電流變化率di/dt低至為零； ·工作結溫可高于200℃。 由于采用碳化硅制造的二極管比硅基二極管貴得多，所以
2019-01-02 13:57:40
1-3 場板結構示意圖當PN結反偏時，場板電位相對P型區為高電位。若場板下的絕緣介質厚度合適，高電位的作用使P型硅表面耗盡，結耗盡區擴展至場板以下區域，表面靠近N+P結位置原有的高電場被分散，并在場板
2019-07-11 13:38:46
asemi的進口整流橋型號RMB4S正向壓降是多少呢？
2016-09-28 15:58:30
不知道為什？ 我multisim 10 中 所以二極管正向壓降都是0v要設置二極管的正向壓降參數為0.7v 改怎么設置呢？請教高手謝謝新手上路（詳教）謝謝
2014-02-28 09:10:22
伏安特性曲線上升得稍慢一點，如圖1所示。 圖1兩種結的伏安特性比較 （5）勢壘高度和正向壓降： 熱平衡時pn結和pin結的勢壘高度（～內建電勢Vo與電子電荷q的乘積），原則上都由兩邊半導體的Fermi能級
2013-05-20 10:00:38
(1)由于肖特基勢壘的高度低于PN結勢壘，肖特基二極管的正向傳導閾值電壓和正向壓降均低于PN結勢壘，約低0.2V。(2)由于肖特基二極管是一種大多數載流子導電器件，不存在少數載流子壽命和反向恢復問題。肖特基二極管規格書下載：
2022-01-18 10:35:14
（Schottky Barrier Diode，SBD）利用金屬與半導體接觸形成的金屬-半導體結原理制作，正向壓降比PN結低。同時SBD是一種多數載流子導電器件，不存在少數載流子壽命和反向恢復問題。目前主流Si
2023-10-07 10:12:26
區，進入P區的電子和進入N區的空穴分別成為該區的少子，因此，在P區和N區的少子比無外加電壓時多，這些多出來的少子稱為非平衡少子。在正向電壓作用下，P區空穴越過PN結，在N區的邊界上進行積累，N區電子
2021-06-15 17:08:31
正向電阻？因為我的第一感覺是根據PN結的情況來看，應該是紅表筆接陽極，黑表筆接陰極，這樣我覺得是正向電阻。2：測有的二極管，紅表筆接陰極，黑表筆接陽極，即PN結正向，萬用表顯示為無窮大。如果黑表筆接陰極，紅表筆接陽極，即PN結反向，反而有讀數。這是什么原因啊?在此拜托各位了，幫我解決心中疑惑。
2017-08-25 10:59:34
通的正向電壓稱為死區電壓。當正向電壓大于死區電壓以后，PN結內電場被克服，二極管正向導通，電流隨電壓增大而迅速上升。增加很快，所以二極管上的壓降，其實很小，否則由于電流太大，就燒壞了。在正常使用的電流范圍內
2022-01-25 10:33:57
廣泛。我們應該很清楚很多二極管特性，讓我們逐步檢查以下內容。導電性能2.1 好評施加正向電壓時，開始時正向電壓很小（鍺管小于0.1 V，硅管小于0.5 V），不足以克服PN結中電場的阻塞效應。此時
2023-02-09 10:33:09
，由于正向電壓較小，外電場還不足以克服PN結的內電場，因而這時的正向電流幾乎為零，二極管呈現出一個大電阻，好像有一個門坎。 硅管的門坎電壓Vth(又稱死區電壓)約為0·5V，鍺管的Vth約為0·lV，當
2015-11-27 18:01:44
應用領域，SiC和GaN形成競爭。隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續應用在二極管、場效晶體管(MOSFET)等組件上，電力電子產業的技術大革命已揭開序幕。這些新組件雖然在成本上仍比傳統硅
2021-09-23 15:02:11
幾納秒)，尤其適合于高頻應用。其正向壓降低，僅0.4V左右，比PN結二極管低(約低0.2V)。而整流電流卻可達到幾千毫安。這些優良特性是快恢復二極管所無法比擬的。但其反向擊穿電壓比較低，大多
2015-06-19 14:52:18
肖特基勢壘，將半導體SiC與金屬相接合（肖特基結）。結構與Si肖特基勢壘二極管基本相同，僅電子移動、電流流動。而Si-PND采用P型硅和N型硅的接合結構，電流通過電子與空穴（孔）流動。SiC
2018-11-29 14:33:47
工作電壓）、工作電流、溫度系數、材料常數、時間常數等，而光敏二極管,最高工作電壓,暗電流，光電流，光電靈敏度、響應時間、結電容和正向壓降等。四.結構不同光敏電阻，只需要兩個電極就行了，而光敏二極管，兩個電極間要求能夠形成一個PN結，而且為了加大導通電流，把一個電極的面積設計的很大，另一個相對很小。
2014-04-11 17:02:19
Pn結制作溫度傳感器中用什么運放比較合適
2017-11-08 23:33:56
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:50 編輯
學習pn結后，一直有個問題困惑我：當pn結外加正向電壓是，削弱了內電場，擴散大于漂移，那豈不是又進一步增強了內電場，當內電場慢慢增強后，那不是又重新到達一個平衡狀態，擴散等于漂移。怎么會正向導通呢？望高手指教！謝謝……
2012-12-08 17:44:54
并且無法移動。什么是p型和n型？在硅摻雜中，有兩種類型的雜質：n型和p型。在n型摻雜中，砷或磷少量添加到硅中。。..在p型摻雜中，硼或鎵用作摻雜劑。這些元素的外軌道上都有三個電子。什么是PN結二極管
2023-02-15 18:08:32
是在鍺或硅材料的單晶片上壓觸一根金屬針后，再通過電流法而形成的。因此，其PN結的靜電容量小，適用于高頻電路。但是，與面結型相比較，點接觸型二極管正向特性和反向特性都差，因此，不能使用于大電流和整流
2015-11-27 18:09:05
帶有體電阻，這就導致正向電流比PN結小一些，另外加反向電壓的時候，不僅僅有PN結的漂移運動，還有外殼的漂移運動，所以反向飽和電流比PN結要大。溫度對二極管的影響溫度上升，正向曲線左移，反向曲線下移。正向左移的原因：溫度升高的時候，擴散運動加強，多數載流子的運動加劇，在同以電壓下，溫度越高電流越大
2021-12-29 07:14:37
導通。正向壓降很小,且隨溫度上升而減小。 PN 結反向偏置時,空間電荷層變寬,內電場增強,漂移大于擴散,反向電流很小(少子漂移形成), PN 結呈現為高電阻,稱為反向截止。反偏電壓在一定范圍內,反向電流
2021-05-24 08:05:48
相應措施以達到各參數的要求。2、單向可控硅：由三個PN結PNPN組成的四層三端半導體器件與具有一個PN結的二極管相比，單向可控硅正向導通受控制極電流控制。產品概述：RM9005E 是單通道調光LED恒流驅動
2020-05-08 10:39:14
可控硅是可控硅整流元件的簡稱，是一種具有三個PN 結的四層結構的大功率半導體器件，一般由兩晶閘管反向連接而成。可控硅是可控硅整流元件的簡稱，是一種具有三個PN 結的四層結構的大功率半導體器件，一般由
2012-08-08 21:09:50
請問怎么確定可控硅的結溫？？？超過結溫時會有哪些危害？
2014-05-24 11:35:10
過程：可控硅是四層三端器件，它有J1、J2、J3三個PN結圖1，可以把它中間的NP分成兩部分，構成一個PNP型三極管和一個NPN型三極管的復合管圖2當可控硅承受正向陽極電壓時，為使可控硅導銅，必須使承受反向
2021-12-08 06:30:00
可控硅全稱“可控硅整流元件”（Silicon Controlled Rectifier），簡寫為SCR，別名晶體閘流管（Thyristor），是一種具有三個PN結、四層結構的大功率半導體器件。可控硅體積小、結構簡單、功能強，可起到變頻、整流、逆變、...
2021-11-16 06:32:22
可控硅是可控硅整流元件的簡稱,是一種具有三個PN 結的四層結構的大功率半導體器件,一般由兩晶閘管反向連接而成.它的功用不僅是整流，還可以用作無觸點開關以快速接通或切斷電路，實現將直流電變成交流電的逆
2011-10-11 13:54:14
具有高電子遷移率，適用于低壓大電流器件，但其溫度特性比硅材料差。PN結的反向漏電流遠大于硅材料。因此，硅管必須用于大功率器件和高背壓器件。三極管有兩個PN結。就PN結而言，鍺管的PN結的正向電壓降低
2023-02-07 15:59:32
?單向導電性的，是二極管，不是PN結！?
真正令 PN結 導不了電的，關非 過不去，而是? 離不開及進不來，
交叉對流無障礙，背道而馳不允許，所以，當PN結成了集電結，單向導電性就被打破了。
2024-02-25 08:57:14
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-9 20:41 編輯
兩個PN結都已經正向偏置了,為什么集電極電流還比基極大?應是大部分電子都上基極了吧,畢竟基極電位高嗎?
2009-07-01 10:46:52
1 硅管和鍺管（按半導體材料分）鍺管比硅管的起始工工作電壓低、飽和壓降較低。三極管導通時，發射極和集電極的電壓鍺管比硅管更低。因為鍺材料制成的PN結比硅材料制成的PN結的正向導通電壓低，前者為0.2
2018-01-31 10:14:10
晶體管發射極結間的正向壓差越大電流是越小吧
2016-01-19 22:27:49
AD8244壓擺率只有0.8V/μs，想要找一款壓擺率比這個高的產品。
2023-11-15 07:01:09
1. 器件結構和特征SiC能夠以高頻器件結構的SBD（肖特基勢壘二極管）結構得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現在主流產品快速PN結
2019-05-07 06:21:51
二極管，它在許多的電路中起著重要的作用，它是誕生最早的半導體器件之一，其應用也非常廣泛。<span] 二極管的管壓降：硅二極管（不發光類型）正向管壓降0.7V，鍺管正向管壓降為0.3V
2018-09-25 11:30:29
貼片二極管的管壓降：硅二極管（不發光類型）正向管壓降0.7V，鍺管正向管壓降為0.3V，發光二極管正向管壓降會隨不同發光顏色而不同。
2019-09-17 09:11:16
8050，使用相同的測試方案完成8050的b-e結的電壓-電流測試，所得到的數據曲線如下：▲ 測試NPN8050的發射極PN結的I-V曲線使用相同的方法進行建模，并計算參數： 這個數值比精確
2020-07-13 07:50:36
` 一、硅肖特基二極管的特點 硅肖特基二極管早已有之。它是一種金屬與半導體硅接觸的肖特基二極管，由于它的這種特殊結構，使其具有如下不同尋常的特性： 硅肖特基二極管比PN結器件的行為特性更像一個
2019-01-11 13:42:03
碳化硅作為一種寬禁帶半導體材料，比傳統的硅基器件具有更優越的性能。碳化硅的寬禁帶（3.26eV）、高臨界場（3×106V/cm）和高導熱系數（49W/mK）使功率半導體器件效率更高，運行速度更快
2023-02-28 16:34:16
穩壓二極管特點穩壓二極管，利用的是PN結的反向特性，其特性與PN結的反向曲線相同。二極管的正向導通有壓降，但是為什么不用正向導通做穩壓呢？因為鍺管或者硅管的正向導通電壓基本是定死的，但是在實際使用
2021-11-15 09:07:09
電子移動、電流流動。而Si-PND采用P型硅和N型硅的接合結構，電流通過電子與空穴（孔）流動。SiC-SBD和Si-SBD均具有高速性的特征，SiC-SBD不僅擁有優異的高速性且實現了高耐壓
2019-07-10 04:20:13
凌訊MBR系列肖特基勢壘整流器（標準肖特基）是基于硅肖特基二極管技術的最新器件。肖特基勢壘整流器是非常受設計人員歡迎的器件，因為其具有極快的開關速度、非常低的正向壓降、低泄漏和高結溫能力。MBR系列
2016-04-11 11:53:55
原理和PN結整流管有很大區別，PN結整流管被稱作結整流管，而金屬-半導體整流管叫做肖特基整流管。肖特基勢壘高度低于PN結勢壘高度，正向導通門限電壓和正向壓降都比PN結二極管低特點：開關頻率高，正向壓降低
2021-11-15 06:47:36
肖特基二極管正向壓降變大，達到2.2V左右，正向電阻比正常的大，達到8.7K左右，導致電源供電不正常
2015-11-30 23:03:26
單向導電性的非線性器件。[編輯本段]特點 SBD的主要優點包括兩個方面： 1）由于肖特基勢壘高度低于PN結勢壘高度，故其正向導通門限電壓和正向壓降都比PN結二極管低（約低0.2V）。 2）由于
2017-10-19 11:33:48
肖特基二極管MUR3040PT的反向擊穿電壓和正向壓降測試記錄 測試器件MUR3040PT(ON)測試項目1.二極管反向擊穿電壓2.二極管正向壓降 測試方法1.測試二極管反向擊穿電壓用20KV高精度
2015-08-14 09:53:53
），這時候稱為正向壓降。 當電子與空穴復合時能輻射出可見光，PN結摻雜不同的化合物發出的光也不同，比如說鎵（Ga）、砷（As）、磷（P）、氮（N）等。然后加上引腳，用環氧樹脂封裝起來，通上正向電壓
2023-03-03 17:11:13
請問,制作PN結一般在硅的哪個晶面上?cznwl@163.com,謝謝!
2014-01-02 19:24:51
從本篇開始，介紹近年來MOSFET中的高耐壓MOSFET的代表超級結MOSFET。功率晶體管的特征與定位首先來看近年來的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的功率與頻率
2018-11-28 14:28:53
合的時間會比普通的Silicon PN結二極管快很多，而且由于這種二極管只有一個單邊的空間電荷區，所以PN結電容也變小了，所以SBD一般都適合高頻應用。另外，Silicon PN結的二極管正向導通電壓都是
2023-02-08 16:40:30
電壓。小電流硅二極管的正向壓降在中等電流水平下，約0.6~0.8 V;鍺二極管約0.2~0.3 V。大功率的硅二極管的正向壓降往往達到1V。更多的人則了解PN結的伏安特性，即PN結壓降與正向電流關系呈對數關系
2019-10-12 15:12:19
PN結加正向電壓時,空間電荷區將變窄是因為：**PN結外加正向電壓，此時外電場將多數載流子推向空間電荷區，使其變窄，削弱了內電場
2023-10-18 17:38:58
2421 
為什么加正向電壓PN結變薄,加反向會變厚呢？ PN結是半導體器件中最基本和最常用的一種器件，具有正向導通和反向截止的特性。如果將PN結的兩端施加正向電壓，電子從N型區流向P型區，空穴從P型區流向
2023-10-19 16:42:521805 二極管若加很大的正向電壓，PN結會不會損壞？ 二極管是一種基本的半導體器件，它是由一個p型半導體和一個n型半導體組成的，中間有一個PN結，二極管是具有單向導電性的電子元件，當施加的電壓為正向電壓
2023-10-19 16:53:20882 PN結是一種常見的半導體結構，它由p型半導體和n型半導體組成，這兩種半導體材料具有不同的摻雜濃度，形成一個正負載流的結構。當在PN結上施加正向電壓時，會引起空間電荷效應，即在PN結區域形成帶電
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