繼上回的片狀鐵氧體磁珠之后，這次我們將為大家帶來片狀三端子電容器的介紹。
2012-04-13 09:40:52
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什么叫米勒電容？如何作用和影響于MOSFET？
2019-05-12 07:27:0022239 
我們應該都清楚，MOSFET 的柵極和漏源之間都是介質層，因此柵源和柵漏之間必然存在一個寄生電容CGS和CGD，溝道未形成時，漏源之間也有一個寄生電容CDS，所以考慮寄生電容時，MOSFET
2021-01-08 14:19:5915830 
什么是壓接？
壓接是在導線與端子的接觸區域施加壓力以使其成型并實現緊密連接的過程。
端子壓接的目的和要求是在壓接端子和導線之間提供不可分離的、長期可靠的電氣和機械連接。壓接應該易于制造。
2022-07-13 16:22:543971 
應用。MOSFET由四個區域組成：源(Source)、柵(Gate)、漏(Drain)和互補區域。柵通過氧化層與溝道隔離，控制了溝道的電阻。控制柵極電壓可以改變溝道中載流子的濃度，從而控制源漏電阻，實現了放大和開關功能。MOSFET主要分為兩種類型：N溝道型MOSFET和P溝道型MOSFET。
2023-02-25 16:23:533870 常規的雙極晶體管是電流驅動器件，而MOSFET 是電壓驅動器件。 圖 1.1 所示為雙極晶體管。要在集電極中產生電流，必須在基極端子和發射極端子之間施加電流。
2023-06-25 12:24:00556 
和工作原理 功率MOSFET的種類：按導電溝道可分為P溝道和N溝道。按柵極電壓幅值可分為；耗盡型；當柵極電壓為零時漏源極之間就存在導電溝道，增強型；對于N（P）溝道器件，柵極電壓大于（小于）零時才存在
2019-06-14 00:37:57
，其他簡稱尚包括NMOSFET、PMOSFET、nMOSFET、pMOSFET等。 工作原理： 要使增強型N溝道MOSFET工作，要在G、S之間加正電壓及在D、S之間加正電壓VDS，則產生正向工作電流
2020-07-06 11:28:15
的工作效率。總之，MOSFET的等效輸出電容對于LLC原邊MOSFET ZVS的實現是至關重要的。如果MOSFET已經選定，諧振腔需要仔細計算、調試和設定，并選取合適的死區時間，來覆蓋所有負載的應用范圍
2018-07-18 10:09:10
與Vds和Vgs的關系。對于MOSFET工作于開關的應用，應該使得MOSFET工作在“ohmic”區域，劃分ohmic區域與飽和區域的臨界線是由Vds=Vgs-Vgs(th)決定的。6. Rds
2018-07-12 11:34:11
接近導電損耗，嚴重影響能效。輸出電容與功率損耗之間的關系如公式2所示。這只是切換損耗的其中一個組成部分，但十分重要。當選擇 MOSFET以及為MOSFET設計散熱片時，還必須考慮到切換期間的其它功率耗散
2014-10-08 12:00:39
MOSFET的工作波形。由于感性負載下，電流相位上會超前電壓，因此保證了MOSFET運行的ZVS。要保證MOSFET運行在感性區，諧振電感上的諧振電流必須足夠大，以確保MOSFET源漏間等效的寄生電容上存儲
2018-11-21 15:52:43
的工作效率。總之，MOSFET的等效輸出電容對于LLC原邊MOSFET ZVS的實現是至關重要的。如果MOSFET已經選定，諧振腔需要仔細計算、調試和設定，并選取合適的死區時間，來覆蓋所有負載的應用范圍
2018-07-13 09:48:50
MOSFET的輸出電容和輸入電容是什么？
2017-07-21 11:24:47
第四部份似乎很相似，這樣做可行么？問題分析：系統短路的時候，功率MOSFET相當于工作在放大的線性區，降低驅動電壓，可以降低跨導限制的最大電流，從而降低系統的短路電流，從短路保護的角度而言，確實有一定
2016-12-21 11:39:07
電流以及驅動平均損耗需要盡量高于最低值，避免MOSFET長時間工作在線性放大區。圖12是MOSFET的I/V特性曲線，MOSFET工作在線性放大區時非完全導，通Vds之間出現高阻抗。MOSFET具有
2018-12-10 10:04:29
有的文獻說mosfet并聯緩沖電容，可以提升效率？？ 是否有這一說法
2017-02-22 18:19:40
LRI2K在最小13.56MHz工作功率下相應的調諧電容值是多少呢？
2023-01-06 09:37:59
MOSFET 切換高于5V 的電壓，則需要另一個晶體管（某種晶體管）來打開和關閉它。P 溝道場效應管P溝道區域位于P溝道MOSFET的源極和漏極之間。它是一個四端子器件，具有以下端子：柵極、漏極、源極和主體
2023-02-02 16:26:45
，大部分電荷載流子是電子。增強模式和耗盡模式下的P溝道MOSFET符號如下圖所示：P溝道MOSFET包括一個P溝道區域，該區域布置在兩個端子之間，如源極 (S) 和漏極 (D) 并且主體為N區域。與N溝道
2022-09-27 08:00:00
（D）和源極（S）端子的方向。極性和MOSFET工作特性極性決定了MOSFET的工作特性。 對N溝道器件為正的電流和電壓對P溝道器件為負值。圖4：MOSFET第一象限特征在有充足電壓施加到柵-源極端子
2018-03-03 13:58:23
SG3525的3腳和4腳是怎么協同工作的？？？？
2021-01-16 18:28:18
llc諧振中，的感性區域和容性區域是根據什么區分的呢，大多數論文中只是說不能工作工作于容性區域，這是為啥呢？
感性區域是諧振電感電流滯后于諧振電容的電壓，為何就能實現zvs？
2023-08-01 10:48:44
穩定一些。這也就是為什么過了平臺區之后，管子不怎么震蕩了，這也和上面這幅圖表達的含義有關系的。上面這幅圖相對來說比較關鍵。它是MOSFET工作的一個安全區域。MOSFET選型的合適與否，就要看上面這幅圖
2021-09-07 15:27:38
`請問三相電之間電阻是多少？`
2019-11-01 16:51:39
問一下通常的應用中都有什么方式使兩片或多片430協同工作？
2015-01-19 19:27:49
狀態之間轉換，并且具有更低的導通電阻。例如，900 伏 SiC MOSFET 可以在 1/35 大小的芯片內提供與 Si MOSFET 相同的導通電阻（圖 1）。圖 1：SiC MOSFET（右側）與硅
2017-12-18 13:58:36
及鐵心、屏蔽罩等引起的損耗等有關。4、分布電容:分布電容是指線圈的匝與匝之間、線圈與磁心之間存在的電容。電感器的分布電容越小，其穩定性越好。5、額定電流:額定電流是指電感器有正常工作時反允許通過的最大電流
2016-05-23 11:40:20
前言： ESR和ESL，寄生電阻和寄生電感，因為寄生電感的存在，導致高頻信號的IL（插入損耗）較大，嚴重影響到電容的高頻濾波效果，因此發展出了三端子電容，它比普通電容更加接近理想電容，寄生電感
2023-03-29 11:33:38
柵極（Gate），漏極（Drain）和源極（Source）。功率MOSFET為電壓型控制器件，驅動電路簡單，驅動的功率小，而且開關速度快，具有高的工作頻率。常用的MOSFET的結構有橫向雙擴散型
2016-10-10 10:58:30
)的結構圖。雖然有不同的結構，但其 工作原理是相同的，這里就不一一介紹了。 功率場效應管(MOSFET)的工作原理要使增強型N溝道場效應管(MOSFET)工作，要在G、S之間加正電壓VGS及在D、S之間
2011-12-19 16:52:35
本篇應用筆記介紹如何利用示波器檢測熱插拔電路MOSFET功耗和負載電容的精確值。
2021-05-08 08:48:00
計算MOSFET非線性電容
2021-01-08 06:54:43
的工作特性。 對N溝道器件為正的電流和電壓對P溝道器件為負值。圖4：MOSFET第一象限特征。在有充足電壓施加到柵-源極端子的歐姆區域（ohmic region），MOSFET“完全導通”。在對比圖中
2021-04-09 09:20:10
快速實現ARM和DSP的通信和協同工作
2012-08-17 14:08:39
怎么實現一個電子設備的不同工作模式，工作模式（待機，喚醒，自動休眠，低功耗，低噪聲，極低噪聲），
2013-03-10 10:04:57
怎樣解決MOSFET并聯工作時出現的問題？ 來糾正傳統認識的局限性和片面性。
2021-04-07 07:05:04
接線端子的工作原理 接線端子利用現有軌道式接線端子 RTB 連接技術，并加裝了電子元器件組成的電路，實現了光電過程的傳輸耦合。接線端子是為了方便導線的連接而應用的，它其實就是一段封在絕緣塑料里面
2012-07-20 10:46:19
不同頻段的RFID產品會有不同的特性，本文詳細介紹了無源的感應器在不同工作頻率產品的特性以及主要的應用。目前定義RFID產品的工作頻率有低頻、高頻和甚高頻的頻率范圍內的符合不同標準的不同的產品,而且
2019-10-09 07:17:59
測試電路(c) Crss測試電路(d) 標準的LCR圖2：寄生電容測試電路功率MOSFET柵極的多晶硅和源極通道區域的電容決定了這些參數，其不具有偏向的敏感度，也非常容易重現。溝槽型功率MOSFET
2016-12-23 14:34:52
向GND引腳注入電流，關閉MOSFET。SA和SB PinsGHA和GHB Pins直接連接到電機上，這些端子感應負載上的電壓。這些端子還連接到自舉電容器的負極，是浮動高端驅動器的負極電源連接。來自高側
2020-09-29 16:51:51
電感和電容的測量原理是什么電感和電容測量時指針的指示范圍是多少電感和電容的測量方法，有什么注意事項？
2021-05-10 06:42:02
的開關時間和更大的電容。圖2顯示了兩個不同工作頻率（F）的關系。傳導損耗（P con）與工作頻率無關，而開關損耗（P sw F1和P sw F2）直接相關。因此，較高的工作頻率（P sw F2）會產生較高
2020-07-29 14:38:28
方式不同。源極和漏極端子之間的間隙由N型雜質組成。當在源極和漏極等兩個端子之間施加電位差時，電流會流過襯底的整個N區。當在該MOSFET的柵極端施加負電壓時，電荷載流子(如電子)將在介電層下方的 N區域
2022-09-13 08:00:00
請問STM32怎么通過一個按鍵實現不同工作模式？stm32幾種低功耗模式的實現和差別是什么？
2022-02-23 06:23:38
功率MOSFET的結構和工作原理功率MOSFET的種類：按導電溝道可分為P溝道和N溝道。按柵極電壓幅值可分為；耗盡型；當柵極電壓為零時漏源極之間就存在導電溝道，增強型；對于N（P
2008-08-12 08:43:32
103 在瓷片電容上，我們經常會看到電容上有101、102、104這樣的標識。那么，這樣的電容阻值是多少呢，如何計算其電容值，他們的耐壓值是多大，讓我們一起看看。
2016-10-09 10:10:0585286 
反激式光伏并網微逆變器不同工作模式的研究_周茜茜
2016-12-15 19:30:581 反激型光伏微型逆變器不同工作模式的分析與比較_石林
2016-12-15 18:02:430 基于交錯反激的微型逆變器不同工作模式控制策略的仿真研究_胡林靜
2016-12-15 18:02:434 本文主要介紹了貼片電容100是多少_貼片電容讀數方法。電容標100的話是指10PF，即10納法。比如：103，即10*10^3皮法=10納法，以此類推，前兩位數字代表有效數字，第三位代表10
2018-03-14 15:16:1358176
??? 編者按：PC接口品種繁多，本版將連載PC常用接口的端子功能，供產品設計和維修工作參考。
??? USB插頭各端子的功能見附表，其中標準A型主要用于臺式和筆記本電腦，而標準B型常用于打印機及移動硬盤接口，迷你型則多見于數碼相機等。附圖a~e為常用USB插座的端子排列。
2018-09-20 18:25:111539 接線端子在裝配的全過程中，一定要經得住預熱區域的高溫及其經過波峰焊接傳輸至端子本身的溫度。焊劑不能影響到端子，一定要便于消除，不可以有一點殘留物。
2020-03-22 17:13:0011704 一個1V的交流信號，連接著一個1Ω電阻和一個1Ω電抗的電容。在電容兩端的交流電壓是多少？
2020-07-14 14:34:416409 
鉭電容額定溫度環境是多少，鉭電容又稱為（貼片電容），額定環境溫度是指鉭電容的工作周圍溫度。因為鉭電容的可靠性和電參數隨溫度而變化，因此，必須限定鉭電容能承受的氣候條件。最重要的氣候因素是容許的最低
2020-12-01 12:47:044300 工作在容性區域的話電流超前于電壓，對于前級開關管而言容易實現 ZCS 關斷，這個區域比較適合 IGBT；工作在感性區域的話電壓超前于電流，對于前級開關管而言容易實現 ZVS開通，這個區域比較適合 MOSFET；
2020-12-07 14:51:1523176 
東莞連接線之端子線的壓緊機構是什么?以字母數字符號標志端子線的原則和方法，單個元件的兩個端點用連續的兩個數字表示。 單個元件的中間各端子用自然遞增數序的數字表示。相同元件組，在數字前冠以字母，如標志
2021-01-19 15:17:082613 MOSFET是具有源極（Source），柵極（Gate），漏極（Drain）和主體（Body）端子的四端子設備。通常，MOSFET的主體與源極端子連接，從而形成諸如場效應晶體管的三端子器件。MOSFET通常被認為是晶體管，并且在模擬和數字電路中都使用。
2021-04-27 10:03:4240179 
接線端子就是一種用于實現電氣連接的配件產品，隨著電子行業的發展，接線端子的使用范圍和種類都越來越多。 接線端子工作原理 接線端子利用軌道式接線端子連接電子元器件。 ? ? ? ?一端金屬片封在絕緣
2021-08-17 17:16:226960 MOSFET門 源極并聯電容后，開關可靠性得到提升開關電路如下圖電路解釋開關電路如下圖電路解釋1.該電路用于高邊開關，當MOS_ON 網絡拉低到地時，開關Q1導通；2.電路中D3作用為鉗位Q1門源
2022-01-10 10:14:0911 許多剛入行的采購可能對包裝規格不太了解，不知道一盤貼片電容是多少PCS?，接下來平尚科技就拿代理的國巨貼片電容和自主品牌貼片電容講解一下。
2022-02-14 11:59:061540 
因為寄生電感的存在，導致高頻信號的IL（插入損耗）較大，嚴重影響到電容的高頻濾波效果，因此發展出了三端子電容，它比普通電容更加接近理想電容，寄生電感更小，在高頻范圍中阻抗相對普通電容更低，在高頻域濾波效果更出眾。
2022-08-17 09:58:462330 
對于MOSFET，米勒效應（Miller Effect）指其輸入輸出之間的分布電容（柵漏電容）在反相放大作用下，使得等效輸入電容值放大的效應。由于米勒效應，MOSFET柵極驅動過程中，會形成平臺電壓，引起開關時間變長，開關損耗增加，給MOS管的正常工作帶來非常不利的影響。
2022-10-28 10:18:378282 電子發燒友網站提供《三個傳感器協同工作的智能狗碗.zip》資料免費下載
2022-11-17 10:28:170 在N溝道MOSFET中，源極為P型區域，而在P溝道MOSFET中，源極為N型區域。在MOSFET的工作中，源極是控制柵極電場的參考點，它是連接到源極-漏極之間的電路，電流會從源極流入器件。通過改變柵極和源極之間的電壓，可以控制源極和漏極之間的電流流動。
2023-02-21 17:52:551975 “什么是接線端子。”“這兩者與連接器有什么區別。“相信很多剛接觸電力的人都會有這樣的疑惑，分不清彼此之間的關系。今天康瑞連接器廠家就來告訴大家什么是接線端子和連接器。
2023-03-09 15:37:49321 很多電子元器件都害怕高溫，對于X2安規電容也不例外，高溫也極容易導致X2電容損壞，在特別高的溫度環境下工作，X2電容的壽命也會變短，甚至損壞，x2電容工作溫度范圍是多少？
2023-05-04 17:29:02611 在功率MOSFET的數據手冊中會有一個看似復雜的SOA（Safe Operation Area）圖片，這個安全工作區域圖告訴我們只有MOSFET工作在曲線內才是安全可靠的。如下面的Nexperia的NMOS管PHB32N06LT的SOA圖。
2023-05-15 16:16:311176 
以上就是MOSFET的漏-源極處于正偏置狀態基本工作原理，還有必要關注MOSFET在通態時的特性，會出現與結型場效應晶體管一樣的線性、過渡、飽和等區域。
2023-06-03 11:22:09836 
CBB21和CBB22電容是同一種電容器，在使用的時候，一般大家都知道它的工作溫度，正常的CBB21電容的工作溫度上限一般都是105℃，那些市面上打價格戰的劣質CBB21電容的工作溫度上限是85
2021-12-10 09:56:56712 
了解MOSFET安全工作區域SOA如果您想知道或擔心您的MOSFET在極端條件下或極端耗散情況下究竟能承受多少功率，那么您應該查看器件的SOA數據。在這篇文章中，我們將全面討論MOSFET數據表
2022-05-11 09:59:021108 
MMKP82電容屬于雙面金屬化諧振電容器，它一般用在大功率電源上面，而這些電源散熱量特別大，所以對MMKP82諧振電容的耐溫要求也比較高，MMKP82電容的使用溫度是多少呢？MMKP82電容由于
2021-12-27 14:04:40916 
CBB22電容使用的頻率特別高，甚至可以說，所有CBB電容里面，就CBB22電容使用頻率最高，屬于使用量最大的一類薄膜電容器，有人在問：cbb22電容是多少微法？cbb22電容是多少微法？答案
2023-01-12 11:28:251800 
X2安規電容的型號還是非常多的，而且它有很多尺寸供選擇，不過事實上，安規電容雖然型號極多，常用的并不是特別多，像104、224等就是最常用的型號，安規電容104k是多少uF？X2安規電容的容量
2023-02-23 17:01:357436 
在CBB22電容選型的時候，需要重點考慮的一個參數就是它的容量大小，cbb22電容容量是多少？cbb22電容容量是多少答案是：CBB22電容是一類電容器的總稱，它屬于金屬化聚丙烯薄膜電容器，它的容量
2023-03-27 17:09:561501 
MOSFET安全工作區域SOA是啥?了解MOSFET安全工作區域SOA如果您想知道或擔心您的MOSFET在極端條件下或極端耗散情況下究竟能承受多少功率，那么您應該查看器件的SOA數據。在這
2023-05-09 09:47:03861 金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）是一種場效應晶體管（FET），由三個端子-柵極、源極和漏極組成。在MOSFET中，漏極由柵極端的電壓控制，因此MOSFET是一種電壓控制器件。施加在柵極
2023-07-07 10:13:352977 
官方提供了多篇文檔說明如何配置 Cilium 和 BGP 協同工作，本文主要對以下部分功能進行驗證
2023-08-15 09:15:15720 
MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)是一種常用的半導體器件，由源(Source)、漏(Drain)和柵(Gate)三個主要區域組成。依照其“通道”(工作載流子的極性不同，可分為“N型“與“P 型”的兩種類型，通又稱為 NMOS與 PMOS。。
2023-09-01 09:53:331160 
x2電容工作溫度范圍是多少？它真的耐高溫嗎？? 首先，我們需要了解什么是x2電容。X2電容是一種可用于電子電氣設備中的特殊類型電容器。它是一種安全等級比較高的金屬化聚丙烯薄膜電容器，在交流電路中用
2023-09-22 16:35:22553 。自然電容指兩個電極之間的空氣電容，而薄膜電容是指電容器的兩個電極之間的導電薄膜電容。 二、怎么知道電容的SFR是多少 電容的SFR是決定電容性能的一個重要參數。了解電容的SFR有助于我們在設計和選擇電路時更加精確。一般情況下，電容的SFR可以通
2023-10-23 09:52:16574 ，當電壓在兩個電極之間反向施加時，MOSFET會進入反向電阻工作區，這可能導致器件損壞甚至燃燒。 反向電阻是指在MOSFET的漏極和源極之間，當控制電壓在零或負偏置時，電阻值會變得非常小，導致電流產生反向流動。這種情況通常發生在高反向電壓下，由于電場
2023-10-26 11:38:19435 什么是三端子電容？為什么三端子電容的ESL小？為什么三端子電容的高頻特性好呢？ 三端子電容是一種特殊的電容器，由三個電極組成。這三個電極通常被稱為主電極、輔助電極和屏蔽電極。三端子電容器具有獨特
2023-11-22 17:33:19501 不同。在本篇文章中，我們將詳細討論MOSFET的工作原理以及JFET和MOSFET之間的區別。 首先，讓我們來了解MOSFET的工作原理。MOSFET由P型/ N型半導體材料構成，它們之間被一層絕緣物（通常是二氧化硅）隔離，形成了一個稱為柵氧化物的絕緣層。MOSFET有三個主要的電極：柵極、漏
2023-11-22 17:33:301061 端子機的工作原理是什么？端子機使用前檢測要注意哪些？ 端子機是一種用于連接電線與端子的自動化設備，用于提高電氣連接的效率和質量。它主要由機械結構、電器元件、傳感器、控制系統等多個部分組成，通過各種
2023-12-09 14:15:26592 X安規電容是一種用于抑制差模干擾的電容器，通常跨接在電力線兩線之間，即“L-N”之間。
2024-01-18 09:42:02330 通過電池的能量儲存、電機的轉換能量以及電控系統的運行控制，實現了汽車的動力輸出。下面將詳細介紹三電系統的協同工作原理以及各個部分的功能和之間的關系。 首先，我們來看動力電池的作用。動力電池是新能源汽車儲存能量
2024-01-18 16:37:54209 原文來自我的原創書籍《硬件設計指南 從器件認知到手機基帶設計》： 電容分為陶瓷電容、電解電容等種類，陶瓷電容在移動智能產品中使用廣泛，又可分為兩端子電容和三端子電容。人們常說三端子電容高頻特性
2024-02-21 14:53:28201 
它們對飽和區的定義有一些差別。 首先，讓我們從基本原理開始理解飽和區。在晶體管中，飽和區是電流最大的區域，通常被用來實現開關操作。晶體管在飽和區工作時，處于最低的電壓狀態，導通電流較大。然而，飽和區的定義在IGBT和MOSFET之間有所區別。 IGBT是一種三極管結構
2024-02-18 14:35:35327 X安規電容是 X安規電容的特點介紹 X電容耐壓等級是多少你知道嗎？ X安規電容是目前市場上主要應用于電子產品的電容器之一。它具有一系列特點，包括高質量、穩定性強、使用壽命長、噪音小等特點。此外
2024-03-14 15:46:32124
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