在采訪中朱勇華介紹了美浦森的發展現狀，以及本次展會展示的特色產品，他還特別介紹了該公司碳化硅器件的特性。
2019-12-25 18:20:33
13008 二十多年來，碳化硅(Silicon Carbide，SiC)作為一種寬禁帶功率器件，受到人們越來越多的關注。與硅相比，碳化硅具有很多優點，如：碳化硅的禁帶寬度更大，這使碳化硅器件擁有更低的漏電
2022-11-12 10:01:261315 SiC（碳化硅）是由硅和碳化物組成的化合物半導體。與硅相比，SiC具有許多優勢，包括10倍的擊穿電場強度，3倍的帶隙，以及實現器件結構所需的更廣泛的p型和n型控制。
2022-11-21 12:08:451254 本推文主要介碳化硅器件，想要入門碳化硅器件的同學可以學習了解。
2023-11-27 17:48:06642 
碳化硅（SiC）具有禁帶寬度大、擊穿電場強度高、飽和電子漂移速度高、熱導率大、介電常數小、抗輻射能力強、化學穩定性良好等特點，被認為是制作高溫、高頻、大功率和抗輻射器件極具潛力的寬帶隙半導體材料
2020-09-24 16:22:14
一樣，可以制成結型器件、場效應器件、和金屬與半導體接觸的肖特基二極管。 其優點是： (1)碳化硅單載流子器件漂移區薄，開態電阻小。比硅器件小100-300倍。由于有小的導通電阻，碳化硅功率器件
2019-01-11 13:42:03
650 V CoolSiC?混合分立器件，該器件包含一個50A TRENCHSTOP? 快速開關 IGBT 和一個 CoolSiC 肖特基二極管，能夠提升性價比并帶來高可靠性。這種組合為硬開關拓撲
2021-03-29 11:00:47
碳化硅MOSFET開關頻率到100Hz為什么波形還變差了
2015-06-01 15:38:39
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實驗(SCT)表現。具體而言，該實驗的重點是在不同條件下進行專門的實驗室測量，并借助一個穩健的有限元法物理模型來證實和比較測量值，對短路行為的動態變化進行深度評估。
2019-08-02 08:44:07
具有明顯的優勢。UnitedSiC的1200V和650V器件除了導通電阻低，還利用了低內感和熱阻的SiC性能?！ ?200V和650V第三代器件的導通電阻值比較 Anup Bhalla說，碳化硅的優點
2023-02-27 14:28:47
反向恢復電流，其關斷過程很快，開關損耗很小。由于碳化硅材料的臨界雪崩擊穿電場強度較高，可以制作出超過1000V的反向擊穿電壓。在3kV以上的整流器應用領域，由于SiC PiN二極管與Si器件相比具有更快
2019-10-24 14:21:23
，封裝也是影響產品可靠性的重要因素。基本半導體碳化硅分立器件采用AEC-Q101標準進行測試。目前碳化硅二級管產品已通過AEC-Q101測試，工業級1200V碳化硅MOSFET也在進行AEC-Q101
2023-02-28 16:59:26
由于碳化硅具有不可比擬的優良性能，碳化硅是寬禁帶半導體材料的一種，主要特點是高熱導率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等，因此被應用于各種半導體材料當中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關管
2020-06-28 17:30:27
。碳化硅壓敏電阻的主要特點自我修復。用于空氣/油/SF6 環境?？膳渲脼閱蝹€或模塊化組件。極高的載流量。高浪涌能量等級。100% 活性材料?？芍貜偷姆蔷€性特性。耐高壓。基本上是無感的。碳化硅圓盤壓敏電阻每個
2024-03-08 08:37:49
超過40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導體大功率電力電子器件是目前在電力電子領域發展最快的功率半導體器件之一。根據中國半導體行業協會統計，2019年中國半導體產業市場規模達7562億元
2021-01-12 11:48:45
碳化硅的顏色，純凈者無色透明，含雜質(碳、硅等)時呈藍、天藍、深藍，淺綠等色，少數呈黃、黑等色。加溫至700℃時不褪色。金剛光澤。比重,具極高的折射率, 和高的雙折射，在紫外光下發黃、橙黃色光，無
2019-07-04 04:20:22
的化學惰性? 高導熱率? 低熱膨脹這些高強度、較持久耐用的陶瓷廣泛用于各類應用，如汽車制動器和離合器，以及嵌入防彈背心的陶瓷板。碳化硅也用于在高溫和/或高壓環境中工作的半導體電子設備，如火焰點火器、電阻加熱元件以及惡劣環境下的電子元器件。
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現在比較好的材料，為什么應用的領域會受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
碳化硅（SiC）是比較新的半導體材料。一開始，我們先來了解一下它的物理特性和特征。SiC的物理特性和特征SiC是由硅(Si)和碳(C)組成的化合物半導體材料。其結合力非常強，在熱、化學、機械方面都
2018-11-29 14:43:52
）結構示意圖，其結構大致可分為四部分，上表面陽極金屬、外延層（漂移區+緩沖區）、襯底層和背面陰極金屬?！ ∽鳛閱螛O型器件，碳化硅肖特基二極管優點尤為突出，其“反向恢復為零”的特點讓其反向特性相比硅基快恢復
2023-02-28 16:55:45
特性比較 1、碳化硅肖特基二極管器件結構和特征 用碳化硅肖特基二極管替換快速PN 結的快速恢復二極管（FRD），能夠明顯減少恢復損耗，有利于開關電源的高頻化，減小電感、變壓器等被動元件的體積，使
2023-02-28 16:34:16
二十世紀五十年代后半期，才被納入到固體器件的研究中來。二十世紀九十年代，碳化硅技術才真正意義上得到了迅速發展。SiC材料與目前應該廣泛的Si材料相比，較高的熱導率決定了其高電流密度的特性，較高的禁帶寬
2021-03-25 14:09:37
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅動芯片有幾款,型號是什么
2020-03-05 09:30:32
產品尺寸，從而提升系統效率。而在實際應用中，我們發現：帶輔助源極管腳的TO-247-4封裝更適合于碳化硅MOSFET這種新型的高頻器件，它可以進一步降低器件的開關損耗，也更有利于分立器件的驅動
2023-02-27 16:14:19
和學習，現申請此開發板。項目名稱:基于碳化硅功率器件的永磁同步電機先進驅動技術研究計劃：研究碳化硅功率器件的開關行為；研究碳化硅功率器件熱阻抗特性；研究碳化硅功率器件在永磁同步電機伺服控制系統中的驅動技術。預計成果：以上研究及測試總結報告
2020-04-21 16:04:04
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結構是如何構成的？
2021-06-18 08:32:43
傳統的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
本文重點介紹賽米控碳化硅在功率模塊中的性能，特別是SEMITRANS 3模塊和SEMITOP E2無基板模塊?！ ?b class="flag-6" style="color: red">分立器件（如 TO-247）是將碳化硅集成到各種應用中的第一步，但對于更強大和更
2023-02-20 16:29:54
附件：嘉和半導體- 氮化鎵/碳化硅元件+解決方案介紹
2022-03-23 17:06:51
混合碳化硅分立器件（Hybrid SiC Discrete Devices）?；景雽w的碳化硅肖特基二極管采用的主要是碳化硅 JBS工藝技術，與硅 FRD對比的主要優點有： 圖9 二極管反向恢復
2023-02-28 16:48:24
技術需求的雙重作用，導致了對于可用于構建更高效和更緊湊電源解決方案的半導體產品擁有巨大的需求。這個需求寬帶隙（WBG）技術器件應運而生，如碳化硅場效應管（SiC MOSFET） 。它們能夠提供設計人
2023-03-14 14:05:02
摘要： 碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件，具有耐高壓、高溫，導通電阻低，開關速度快等優點。如何充分發揮碳化硅器件的這些優勢性能則給封裝技術帶來了新的挑戰
2023-02-22 16:06:08
新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問題，解決各行業遇到的各種芯片散熱問題，如果你有類似的困惑，歡迎前來探討，鋁碳化硅做封裝材料的優勢它有高導熱，高剛度，高耐磨，低膨脹，低密度，低成本，適合各種產品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問題及時交流，謝謝各位！
2016-10-19 10:45:41
硅IGBT與碳化硅MOSFET驅動兩者電氣參數特性差別較大，碳化硅MOSFET對于驅動的要求也不同于傳統硅器件，主要體現在GS開通電壓、GS關斷電壓、短路保護、信號延遲和抗干擾幾個方面，具體如下
2023-02-27 16:03:36
公司等為代表。四、碳化硅半導體應用碳化硅半導體器件，其高頻、高效、高溫的特性特別適合對效率或溫度要求嚴苛的應用?？蓮V泛應用于太陽能逆變器、車載電源、新能源汽車電機控制器、UPS、充電樁、功率電源等領域。原作者：大年君愛好電子
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達到表面改性的效果。但是實際刻蝕過程中總是會在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
很長的路要走。那為什么SiC器件這么受歡迎，但難以普及？本文簡單概述一下碳化硅器件的特性優勢與發展瓶頸！
2017-12-13 09:17:4421987 碳化硅器件與硅器件的對比，開關特性，導通特性對比。
2018-01-24 15:25:42
22 碳化硅半導體 一、碳化硅材料的特性 SiC（碳化硅）是由硅（Si）和碳（C）組成的化合物半導體。與 Si 相比，SiC 具有十倍的介電擊穿場強、三倍的帶隙和三倍的熱導率。在半導體材料中形成器件結構
2021-06-15 17:27:148206 
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