車規級功率模塊封裝的現狀，SiC MOSFET對器件封裝的技術需求

1、SiC MOSFET對器件封裝的技術需求；2、車規級功率模塊封裝的現狀；3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝；4、未來模塊封裝發展趨勢及看法

編輯：黃飛

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MOSFET(209665) MOSFET(209665)
封裝技術(67735) 封裝技術(67735)
SiC(61351) SiC(61351)
功率模塊(44656) 功率模塊(44656)

SiC功率模塊封裝技術及展望

SiC MOSFET器件的集成化、高頻化和高效化需求，對功率模塊封裝形式和工藝提出了更高的要求。本文中總結了近年來封裝形式的結構優化和技術創新，包括鍵合式功率模塊的金屬鍵合線長度、寬度和并聯

2023-01-07 10:24:37

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碳化硅功率器件封裝技術解析

碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件，具有耐高壓、高溫，導通電阻低，開關速度快等優點。如何充分發揮碳化硅器件的這些優勢性能則給封裝技術帶來了新的挑戰：傳統封裝

2023-09-24 10:42:40

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同是功率器件，為什么SiC主要是MOSFET，GaN卻是HEMT

電子發燒友網報道（文/梁浩斌）在我們談論第三代半導體的時候，常說的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金屬-氧化物半導體場效應晶體管），而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT（高電子

2023-12-27 09:11:36

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SiC-MOSFET功率晶體管的結構與特征比較

SiC-DMOS的特性現狀是用橢圓圍起來的范圍。通過未來的發展，性能有望進一步提升。從下一篇開始，將單獨介紹與SiC-MOSFET的比較。關鍵要點:?功率晶體管的特征因材料和結構而異。?在特性方面各有優缺點，但SiC-MOSFET在整體上具有優異的特性。＜相關產品信息＞MOSFETSiC-DMOS

2018-11-30 11:35:30

SiC-MOSFET器件結構和特征

另一方面，按照現在的技術水平，SiC-MOSFET的MOS溝道部分的遷移率比較低，所以溝道部的阻抗比Si器件要高。　　因此，越高的門極電壓，可以得到越低的導通電阻（VCS=20V以上則逐漸飽和）?！　∪绻?/div>

2023-02-07 16:40:49

SiC-MOSFET與Si-MOSFET的區別

從本文開始，將逐一進行SiC-MOSFET與其他功率晶體管的比較。本文將介紹與Si-MOSFET的區別。尚未使用過SiC-MOSFET的人，與其詳細研究每個參數，不如先弄清楚驅動方法等

2018-11-30 11:34:24

SiC-MOSFET有什么優點

，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅動，從而也可以實現無源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優勢在于芯片面積小（可實現小型封裝），而且體

2019-04-09 04:58:00

SiC-MOSFET的應用實例

SiC-MOSFET，還可以從這里了解SiC-SBD、全SiC模塊的應用實例。SiC-MOSFET應用實例1：移相DC/DC轉換器下面是演示機，是與功率Power Assist Technology Ltd.聯合制

2018-11-27 16:38:39

SiC MOSFET的器件演變與技術優勢

一樣，商用SiC功率器件的發展走過了一條喧囂的道路。本文旨在將SiC MOSFET的發展置于背景中，并且 - 以及器件技術進步的簡要歷史 - 展示其技術優勢及其未來的商業前景?！　√蓟杌蛱蓟璧臍v史

2023-02-27 13:48:12

SiC MOSFET：經濟高效且可靠的高功率解決方案

家公司已經建立了SiC技術作為其功率器件生產的基礎。此外，幾家領先的功率模塊和功率逆變器制造商已為其未來基于SiC的產品的路線圖奠定了基礎。碳化硅（SiC）MOSFET即將取代硅功率開關;性能和可靠性

2019-07-30 15:15:17

SiC功率器件SiC-MOSFET的特點

，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅動，從而也可以實現無源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優勢在于芯片面積?。蓪崿F小型封裝），而且體

2019-05-07 06:21:55

SiC功率器件概述

1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾

2019-05-06 09:15:52

SiC功率器件概述

載流子器件（肖特基勢壘二極管和MOSFET）去實現高耐壓，從而同時實現 "高耐壓"、"低導通電阻"、"高頻" 這三個特性。另外，帶隙較寬，是Si的3倍，因此SiC功率器件即使在高溫下也可以穩定工作。

2019-07-23 04:20:21

SiC功率器件的封裝技術研究

不具備足夠的堅固性。當前對大功率、高溫器件封裝技術的大量需求引起了對這一領域的研發熱潮?！　?b class="flag-6" style="color: red">SiC器件的封裝襯底必須便于處理固態銅厚膜導電層，且具有高熱導率和低熱膨脹系數，從而可以把大尺寸SiC芯片直接焊接到襯底上

2018-09-11 16:12:04

SiC功率模塊的柵極驅動其1

的不是全SiC功率模塊特有的評估事項，而是單個SiC-MOSFET的構成中也同樣需要探討的現象。在分立結構的設計中，該信息也非常有用?！皷艠O誤導通”是指在高邊SiC-MOSFET＋低邊

2018-11-30 11:31:17

SiC功率模塊的特征與電路構成

2019-03-25 06:20:09

SiC功率元器件的開發背景和優點

前面對SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征進行了介紹。SiC功率元器件具有優于Si功率元器件的更高耐壓、更低導通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發背景和具體優點

2018-11-29 14:35:23

SiC器件在新能源電力系統中的發展分析和展望

SBD串聯技術，實現6支器件串聯，研制了39 kV/100 A SiC SBD組件，并在24 kV換流閥功率模塊中得到應用。　　圖1 ZPOC封裝示意圖　　應用ZPOC封裝技術的模塊使用了焊接與壓接

2023-02-27 14:22:06

Sic MOSFET SCT30N120 、SCT50N120 功率管

Sic MOSFET 主要優勢.更小的尺寸及更輕的系統.降低無源器件的尺寸/成本.更高的系統效率.降低的制冷需求和散熱器尺寸Sic MOSFET ，高壓開關的突破.SCT30N120

2017-07-27 17:50:07

功率元器件

。SiC半導體的功率元器件SiC-SBD（肖特基勢壘二極管）和SiC-MOSFET已于2010年＊1量產出貨，SiC的MOSFET和SBD的“全SiC”功率模塊也于2012年＊1實現量產。此時，第二代

2018-11-29 14:39:47

封裝寄生電感對MOSFET性能的影響

。特別是，封裝源極寄生電感是是器件控制的關鍵因素。在本文中，英飛凌提出了一種用于快速開關超結MOSFET的最新推出的TO247 4引腳器件封裝解決方案。這個解決方案將源極連接分為兩個電流路徑；一個用于

2018-10-08 15:19:33

車規級GPS模塊有哪些特征？

2021-05-18 06:54:02

車規級的器件選型

`各位今天聊聊車規級的芯片選型。如果需要的芯片沒有車規級別的，但又工業級別的。從穩定性，可靠性方面考慮，應該要層元器件的那些特性為主要的考慮因素呢，是溫度？`

2015-10-15 14:22:18

車規二級管

車規二級管，有通過AEC-Q101、TS16949、IATF16949希望對所有汽車電子設計有幫助，產品特點：1.領先全球薄型封裝片式二級管： 0402/0603/0805/1206/2010

2018-02-09 15:22:44

車用SiC元件討論

個月的研發合作。本文將討論本專案中與車用電子的相關內容，并聚焦在有關SiC技術和封裝的創新。WInSiC4AP聯盟由來自4個歐盟國家（意大利、法國、德國和捷克共和國）的20個合作伙伴組成，包括大型企業

2019-06-27 04:20:26

GW1NZ系列車規級FPGA產品封裝與管腳手冊

GW1NZ系列車規級FPGA產品封裝與管腳手冊主要包括高云半導體GW1NZ系列FPGA產品（車規級）的封裝介紹、管腳定義說明、管腳數目列表、管腳分布示意圖以及封裝尺寸圖。

2022-09-28 11:05:08

GaN和SiC區別

半導體的關鍵特性是能帶隙，能帶動電子進入導通狀態所需的能量。寬帶隙（WBG）可以實現更高功率，更高開關速度的晶體管，WBG器件包括氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半導體。 GaN和SiC

2022-08-12 09:42:07

MEMS器件的封裝級設計

MEMS器件有時也采用晶圓級封裝，并用保護帽把MEMS密封起來，實現與外部環境的隔離或在下次封裝前對MEMS器件提供移動保護。這項技術常常用于慣性芯片的封裝，如陀螺儀和加速度計。這樣的封裝步驟是在MEMS

2010-12-29 15:44:12

Microsem美高森美用于SiC MOSFET技術的極低電感SP6LI封裝

) MOSFET功率模塊的極低電感封裝這款全新封裝專為用于公司SP6LI 產品系列而開發，經設計提供適用于SiC MOSFET技術的2.9 nH雜散電感，同時實現高電流、高開關頻率以及高效率。美高森美將在德國

2018-10-23 16:22:24

PCA9685是車規級的么？我想要一個車規級的PWM輸出信號芯片（引腳越多越好）有沒有推薦

PCA9685是車規級的么？我想要一個車規級的PWM輸出信號芯片（引腳越多越好）有沒有推薦。TLC5940-EP怎么樣

2021-05-24 09:43:54

PQFN封裝技術提高性能

標準(與線性電源相比具有更好的功率密度和效率)，組件設計人員設法通過芯片級創新和改進封裝來不斷提升功率MOSFET的導通和開關性能。芯片的不斷更新換代使得在導通電阻(RDS(ON))和影響開關性能

2018-09-12 15:14:20

ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功應用于Apex Microtechnology的工業設備功率模塊系列

技術領域都擁有強大的優勢，雙方保持著技術交流并建立了合作關系。今后，通過將ROHM的SiC功率元器件和控制技術與Apex Microtechnology的模塊技術完美結合，雙方將能夠提供滿足市場需求的出色的功率系統解決方案，從而持續為工業設備的效率提升做出貢獻。

2023-03-29 15:06:13

【羅姆SiC-MOSFET 試用體驗連載】SiC MOSFET元器件性能研究

項目名稱：SiC MOSFET元器件性能研究試用計劃：申請理由本人在半導體失效分析領域有多年工作經驗，熟悉MOSET各種性能和應用，掌握各種MOSFET的應用和失效分析方法，熟悉MOSFET的主要

2020-04-24 18:09:12

中國功率器件市場發展現狀

中國功率器件市場發展現狀:功率器件包括功率 IC 和功率分立器件，功率分立器件則主要包括功率MOSFET、大功率晶體管和IGBT 等半導體器件，功率器件幾乎用于所有的電子制造業，所應用的產品包括

2009-09-23 19:36:41

為SiC mosfet選擇柵極驅動IC時的關鍵參數

Navitas的GeneSiC碳化硅(SiC) mosfet可為各種器件提供高效率的功率傳輸應用領域，如電動汽車快速充電、數據中心電源、可再生能源、能源等存儲系統、工業和電網基礎設施。具有更高的效率

2023-06-16 06:04:07

為何使用 SiC MOSFET

要充分認識 SiC MOSFET 的功能，一種有用的方法就是將它們與同等的硅器件進行比較。SiC 器件可以阻斷的電壓是硅器件的 10 倍，具有更高的電流密度，能夠以 10 倍的更快速度在導通和關斷

2017-12-18 13:58:36

了解一下SiC器件的未來需求

Tesla的SiC MOSFET只用在主驅逆變器電力模塊上，共24顆，拆開封裝每顆有2個SiC裸晶(Die)所以共48顆SiC MOSFET。除此之外，其他包括OBC、一輛車附2個一般充電器、快充電樁等，都可以放上SiC，只是SiC久缺而未快速導入。不過，市場估算，循續漸進采用SiC后，平均2輛Te.

2021-09-15 07:42:00

什么是車規級芯片

`　　誰來闡述一下什么是車規級芯片？`

2019-10-18 10:55:55

使采用了SiC MOSFET的高效AC/DC轉換器的設計更容易

業內先進的 AC/DC轉換器IC ，采用一體化封裝，已將1700V耐壓的SiC MOSFET*和針對其驅動而優化的控制電路內置于小型表貼封裝（TO263-7L）中。主要適用于需要處理大功率

2022-07-27 11:00:52

倒裝芯片和晶片級封裝技術及其應用

定義的CSP分類中。晶片級CSP是多種應用的一種低成本選擇,這些應用包括EEPROM等引腳數量較少的器件，以及ASIC和微處理器。CSP采用晶片級封裝(WLP)工藝加工，WLP的主要優點是所有裝配

2018-08-27 15:45:31

全SiC功率模塊介紹

從本文開始進入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC

2018-11-27 16:38:04

全SiC功率模塊使逆變器重量減少6kg、尺寸減少43%

的內部結構和優化了散熱設計的新封裝，成功提高了額定電流。另外，與普通的同等額定電流的IGBT＋FRD模塊相比，開關損耗降低了75%（芯片溫度150℃時）。不僅如此，利用SiC功率元器件的優勢–高頻驅動，不僅

2018-12-04 10:24:29

全SiC功率模塊的開關損耗

SiC-MOSFET的量產。SiC功率模塊已經采用了這種溝槽結構的MOSFET，使開關損耗在以往SiC功率模塊的基礎上進一步得以降低。右圖是基于技術規格書的規格值，對1200V/180A的IGBT模塊、采用第二代

2018-11-27 16:37:30

分立器件封裝技術及產品的主要發展狀況

和雙極型功率晶體管的特點，現已開發出第5代技術的產品，在600V以上中等電壓范圍內成為主流功率器件，從模塊化封裝轉向分立單管封裝，做成塑封器件，應用于空調器、洗衣機、微波爐、電飯煲、電磁灶等白色家電中

2018-08-29 10:20:50

創新型MOSFET封裝：大大簡化您電源的設計

應用。雖然3mm x 3mm功率封裝已經使DC-DC電路使用的空間大幅減少，還是有機會能夠把所用的空間再減少一點，以及提高功率密度。實現這個目的的辦法之一是用組合了兩個器件的封裝替代分立的單片MOSFET

2013-12-23 11:55:35

基于EDT2技術及EasyPACK? 2B半橋封裝的功率模塊

英飛凌科技股份公司于近日推出了一款車規級基于EDT2技術及EasyPACK? 2B半橋封裝的功率模塊，這款模塊具有更高的靈活性及可擴展性。根據逆變器的具體條件，這款750V的模塊最大可以支撐50kW

2021-11-29 07:42:30

歸納碳化硅功率器件封裝的關鍵技術

摘要：碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件，具有耐高壓、高溫，導通電阻低，開關速度快等優點。如何充分發揮碳化硅器件的這些優勢性能則給封裝技術帶來了新的挑戰

2023-02-22 16:06:08

微電子封裝技術

論述了微電子封裝技術的發展歷程發展現狀及發展趨勢主要介紹了微電子封裝技術中的芯片級互聯技術與微電子裝聯技術芯片級互聯技術包括引線鍵合技術載帶自動焊技術倒裝芯片技術倒裝芯片技術是目前

2013-12-24 16:55:06

搭載SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊

2019-03-12 03:43:18

晶圓級封裝的方法是什么？

晶圓級封裝技術源自于倒裝芯片。晶圓級封裝的開發主要是由集成器件制造廠家（IBM）率先啟動。1964年，美國IBM公司在其M360計算器中最先采用了FCOB焊料凸點倒裝芯片器件。

2020-03-06 09:02:23

晶圓級三維封裝技術發展

先進封裝發展背景晶圓級三維封裝技術發展

2020-12-28 07:15:50

有效實施更長距離電動汽車用SiC功率器件

雖然電動和混合動力電動汽車（EV]從作為功率控制器件的標準金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）到基于碳化硅（SiC）襯底和工藝技術的FET的轉變代表了提高EV的效率和整體系統級特性的重要步驟

2019-08-11 15:46:45

有知道國內生產車規級器件的嗎？求大神

求可靠的生產廠家，車規級器件。求推薦

2017-05-12 10:21:28

求一種基于Richtek RTQ7880的車規級充電應用解決方案

基于Richtek RTQ7880的車規級充電裝置有哪些核心技術優勢？

2021-08-06 06:19:11

淺析SiC-MOSFET

，一直被視為“理想器件”而備受期待。然而，相對以往的Si材質器件，SiC功率器件在性能與成本間的平衡以及其對高工藝的需求，將成為SiC功率器件能否真正普及的關鍵。近年來，隨著國內多品牌的進入，SiC技術

2019-09-17 09:05:05

滿足供電需求的新型封裝技術和MOSFET

` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:50 編輯在小尺寸器件中驅動更高功率得益于半導體和封裝技術的進步。一種采用頂部散熱標準封裝形式的新型功率MOSFET就使用了新一代

2012-12-06 14:32:55

用于汽車應用的碳化硅MOSFET功率模塊

，LeapersSemiconductor使用其專利的電弧鍵合?技術（圖2）。　　與許多汽車級功率半導體制造商使用的傳統鋁引線鍵合技術不同，電弧鍵合?專利芯片表面連接技術可確保滿足汽車應用要求的SiC模塊的可靠性，同時顯著降低寄生電阻

2023-02-20 16:26:24

電子封裝技術最新進展

繼續從單芯片向多芯片發展，除了多芯片模塊(MCM)外還有多芯片封裝(MCP)、系統級封裝(SIP)及疊層封裝等。 ●電子封裝技術從分立向系統方向發展，出現了面向系統的SOC(片上系統)、SOP和SIP等

2018-08-23 12:47:17

碳化硅SiC技術導入應用的最大痛點

功率開關技術也是如此，特別是用SiC和GaN制作的寬帶隙器件。SiC已經從5年前的商業起步躍升到今天的第三代，價格已與硅開關相當，特別是在考慮到連鎖效益的情況下。　　隨著電動汽車、可再生能源和5G等

2023-02-27 14:28:47

羅姆成功實現SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝

方面的所有課題。而且，與傳統產品相比，單位面積的導通電阻降低了約30％，實現了芯片尺寸的小型化。另外，通過獨創的安裝技術，還成功將傳統上需要外置的SiC-SBD一體化封裝，使SiC-MOSFET的體

2019-03-18 23:16:12

能推薦一些國內車規級電子元器件原廠嗎？

誰能推薦一些國內車規級的電子元器件廠商？主要是電源IC、ADC、邏輯IC、復位IC、高低邊IC等等，其它的分立元器件也可以推薦，要國產的，謝謝！本人在國內一線整車廠上班。

2019-12-04 11:38:53

講解SRAM中晶圓級芯片級封裝的需求

SRAM中晶圓級芯片級封裝的需求

2020-12-31 07:50:40

請問車規級芯片到底有哪些要求？

2021-06-18 07:56:37

采用全SiC模塊解決方案的10kW 3級UPS逆變器可實現高效率并減小尺寸和重量

功率MCU，分立器件和功率器件的領先公司。為了追求卓越和高品質的產品，羅姆已經垂直整合了其碳化硅供應鏈。SiC MOSFET，SBD，模塊和柵極驅動器產品組合已在Bodo的Power雜志（2015年4

2019-10-25 10:01:08

采用第3代SiC-MOSFET，不斷擴充產品陣容

%。這非常有望進一步實現應用的高效化和小型化。全SiC功率模塊的產品陣容擴充下表為全SiC功率模塊的產品陣容現狀。除BSM180D12P3C007外，采用第2代SiC-MOSFET的產品陣容中也增添了

2018-12-04 10:11:50

驅動功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考慮哪些因素？

請問：驅動功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考慮哪些因素？

2019-07-31 10:13:38

SiC功率器件的封裝技術要點

SiC功率器件的封裝技術要點　　具有成本效益的大功率高溫半導體器件是應用于微電子技術的基本元件。SiC是寬帶隙半導體材料，與S

2009-11-19 08:48:43

2355

滿足供電需求的新型封裝技術和MOSFET

滿足供電需求的新型封裝技術和MOSFET

2012-08-29 14:52:06

771

何謂全SiC功率模塊?

羅姆在全球率先實現了搭載羅姆生產的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC功率模塊”量產。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關并可大幅降低損耗。

2018-05-17 09:33:13

13514

SiC功率半導體器件技術發展現狀及市場前景

本文首先介紹了SiC功率半導體器件技術發展現狀及市場前景，其次闡述了SiC功率器件發展中存在的問題，最后介紹了SiC功率半導體器件的突破。

2018-05-28 15:33:54

10899

采用ATPAK封裝功率MOSFET在開關器件設計中的應用

視頻簡介：目前，市場對低能耗和節能型電子產品的需求極大，從而符合及超越政府及行業標準組織的節能要求。功率MOSFET由于開關損耗低，已經成為主要開關器件的標準選擇。功率MOSFET在高速開關、高擊穿

2019-03-06 06:05:00

3591

SiC MOSFET為什么會使用4引腳封裝

用源極引腳的 4 引腳封裝，改善了開關特性，使開關損耗可以降低 35%左右。此次，針對 SiC MOSFET 采用 4 引腳封裝的原因及其效果等議題，我們采訪了 ROHM 株式會社的應用工程師。

2020-11-25 10:56:00

派恩杰SiC MOSFET批量“上車”，擬建車用SiC模塊封裝產線

自2018年特斯拉Model3率先搭載基于全SiC MOSFET模塊的逆變器后，全球車企紛紛加速SiC MOSFET在汽車上的應用落地。

2021-12-08 15:55:51

1670

安森美推出采用TOLL封裝的SiC MOSFET

。該晶體管滿足了對適合高功率密度設計的高性能開關器件迅速增長的需求。直到最近，SiC器件一直采用明顯需要更大空間的D2PAK 7引腳封裝。

2022-05-11 11:29:33

2312

全SiC MOSFET模塊實現系統的低損耗和小型化

SiC MOSFET模塊是采用新型材料碳化硅（SiC）的功率半導體器件，在高速開關性能和高溫環境中，優于目前主流應用的硅（Si）IGBT和MOSFET器件。在需要更高額定電壓和更大電流容量的工業設備

2022-11-06 21:14:51

956

SiC功率器件的現狀與展望！

碳化硅（SiC）功率器件具有提高效率、動態性能和可靠性的顯著優勢電子和電氣系統?；仡櫫?b class="flag-6" style="color: red">SiC功率器件發展的挑戰和前景

2022-11-11 11:06:14

1503

SIC功率器件的發展現狀！

近年來，SiC功率器件結構設計和制造工藝日趨完善，已經接近其材料特性決定的理論極限，依靠Si器件繼續完善來提高裝置與系統性能的潛力十分有限。本文首先介紹了SiC功率半導體器件技術發展現狀及市場前景，其次闡述了SiC功率器件發展中存在的問題，最后介紹了SiC功率半導體器件的突破。

2022-11-24 10:05:10

2020

新型EMIPAK 1B 封裝二極管和MOSFET功率模塊，滿足車載充電應用

Vishay?七款新型二極管和 MOSFET 功率模塊靈活的器件采用 PressFit 引腳壓合技術在小型封裝中內置各種電路配置 Vishay? 針對車載充電應用專門推出七款新型二極管

2022-11-25 15:20:05

926

碳化硅功率模塊封裝中4個關鍵問題的分析與研究

2022-12-12 13:57:58

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低雜感模塊封裝內部是如何設計的

大家好，我們都知道無論是**功率半導體模塊封裝設計**還是**功率變換器的母線**設計，工程師們都在力求 **雜散電感最小化** ，因為這樣可以有效減小器件的 **開關振蕩及過壓風險** ，今天我們結合主流功率半導體廠商的SiC MOSFET模塊，聊一下低雜感模塊封裝內部是如何設計的？

2023-01-21 15:45:00

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何謂全SiC功率模塊

繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產品，都有哪些機型。

2023-02-08 13:43:21

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搭載了SiC-MOSFET/SiC-SBD的全SiC功率模塊介紹

ROHM在全球率先實現了搭載ROHM生產的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關并可大幅降低損耗。

2023-02-10 09:41:08

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SiC功率器件的封裝形式

SiC器件的封裝襯底必須便于處理固態銅厚膜導電層，且具有高熱導率和低熱膨脹系數，從而可以把大尺寸SiC芯片直接焊接到襯底上。SiN是一種極具吸引力的襯底，因為它具有合理的熱導率（60W/m-K）和低熱膨脹系數（2.7ppm/℃），與SiC的熱膨脹系數（3.9ppm/℃）十分接近。

2023-02-16 14:05:57

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何謂全SiC功率模塊

繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產品，都有哪些機型。之后計劃依次介紹其特點、性能、應用案例和使用方法。

2023-02-24 11:51:08

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銀燒結技術在功率模塊封裝的應用

作為高可靠性芯片連接技術，銀燒結技術得到了功率模塊廠商的廣泛重視，一些功率半導體頭部公司相繼推出類似技術，已在功率模塊的封裝中取得了應用。

2023-03-31 12:44:27

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半導體功率器件封裝結構熱設計綜述

摘要半導體技術的進步使得芯片的尺寸得以不斷縮小，倒逼著封裝技術的發展和進步，也由此產生了各種各樣的封裝形式。當前功率器件的設計和發展具有低電感、高散熱和高絕緣能力的屬性特征，器件封裝上呈現出模塊

2023-04-20 09:59:41

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SiC功率模塊封裝技術：探索高性能電子設備的核心競爭力

隨著電子技術的不斷發展，硅碳化物（SiC）功率模塊逐漸在各領域獲得了廣泛應用。SiC功率模塊具有優越的電性能、熱性能和機械性能，為高性能電子設備提供了強大的支持。本文將重點介紹SiC功率模塊的封裝技術及其在實際應用中的優勢。

2023-04-23 14:33:22

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SiC MOSFET器件技術現狀分析

對于SiC功率MOSFET技術，報告指出，650-1700V SiC MOSFET技術快速迭代，單芯片電流可達200A。提升電流密度同時，解決好特有可靠性問題是提高技術成熟度關鍵。

2023-08-08 11:05:57

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碳化硅功率器件：革命性的封裝技術揭秘

碳化硅(SiC)作為一個新興的寬帶隙半導體材料，已經吸引了大量的研究關注。其優越的電氣性能、高溫穩定性和高頻響應使其在功率電子器件領域中具有巨大的應用潛力。但要完全發揮SiC功率器件的潛力，封裝技術同樣至關重要。本文主要探討碳化硅功率器件封裝的三個關鍵技術。

2023-08-15 09:52:11

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賽晶科技發布一種車規級HEEV封裝SiC模塊

賽晶科技表示，為電動汽車應用量身定做的HEEV封裝SiC模塊，導通阻抗低至1.8mΩ（@25℃），可用于高達250kW電驅系統，并滿足電動汽車驅動系統對高功率、小型化和高可靠性功率的需求。

2023-09-02 09:42:41

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長電科技高可靠性車載SiC功率器件封裝設計

長電科技在功率器件封裝領域積累了數十年的技術經驗，具備全面的功率產品封裝外形，覆蓋IGBT、SiC、GaN等熱門產品的封裝和測試。

2023-10-07 17:41:32

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SiC功率器件的封裝技術

傳統的功率半導體封裝技術是采用鉛或無鉛焊接合金把器件的一個端面貼合在熱沉襯底上，另外的端面與10-20mil鋁線楔或金線鍵合在一起。這種方法在大功率、高溫工作條件下缺乏可靠性，而且不具備足夠的堅固性。

2023-10-09 15:20:58

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SiC MOSFET的封裝、系統性能和應用

，能夠像IGBT一樣進行高壓開關，同時開關頻率等于或高于低壓硅MOSFET的開關頻率。之前的文章中，我們介紹了 SiCMOSFET特有的器件特性和如何優化SiC柵極驅動電路。今天將帶來本系列文章的第三部分 SiC MOSFET的封裝、系統性能和應用。封裝 WBG半導體使高壓轉換器能夠在更接近

2023-11-09 10:10:02

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