本文將重點(diǎn)討論使用雙極性結(jié)型晶體管(BJT)和NMOS晶體管的穩(wěn)定電流源。
2022-08-01 09:03:571150 電路中,晶體管常常被用來(lái)當(dāng)做開(kāi)關(guān)使用。晶體管用作開(kāi)關(guān)時(shí)有兩種不同的接線方式:高邊(high side)和低邊(low side)。高邊和低邊是由晶體管在電路中的位置決定的。晶體管可以是雙極性晶體管(BJT)或者場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)。
2023-02-16 16:00:312851 規(guī)范的產(chǎn)品通常由硅制成,并作為推挽式應(yīng)用系統(tǒng)的一部分運(yùn)行。這些晶體管和其他晶體管如何在電化學(xué)水平上工作的機(jī)制可能有些復(fù)雜,但總的來(lái)說(shuō),它們用一系列極化離子引導(dǎo)和引導(dǎo)電荷。它們通常與放大器電路配合使用;在
2023-02-16 18:22:30
1.MOSFET的速度比晶體管或IGBT快。2.MOSFET的過(guò)電流適中;晶體管是一個(gè)流控流型的,要使集電極上的電流增大,基極上的電流就要增大,但是基極上的電流是無(wú)用的。IGBT一般使用在大電流的場(chǎng)景。...
2021-10-29 08:28:40
在本文中,我們將探討 MOSFET 和鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的不同器件配置及其演變。我們還看到 3D 配置如何允許每個(gè)集成電路使用更多晶體管。 平面與三維 (3D) 平面MOSFET(圖1)在Lg
2023-02-24 15:20:59
關(guān)于晶體管ON時(shí)的逆向電流在NPN晶體管中,基極 (B) 被偏置為正,集電極 (C) 被偏置為負(fù),由發(fā)射極 (E) 流向C的是逆電流。1. 不用擔(dān)心劣化和損壞,在使用上是沒(méi)有問(wèn)題的2. NPN-Tr
2019-04-09 21:27:24
晶體管并聯(lián)時(shí),當(dāng)需要非常大的電流時(shí),可以將幾個(gè)晶體管并聯(lián)使用。因?yàn)榇嬖赩BE擴(kuò)散現(xiàn)象,有必要在每一個(gè)晶體管的發(fā)射極上串聯(lián)一個(gè)小電阻。電阻R用以保證流過(guò)每個(gè)晶體管的電流近似相同。電阻值R的選擇依據(jù)
2024-01-26 23:07:21
晶體管之間的差異性:就三極管,mos管和可控硅之間的差別和相同點(diǎn)的相關(guān)概念有點(diǎn)模糊,請(qǐng)各位大俠指點(diǎn)!!!
2016-06-07 23:27:44
?5. 連續(xù)脈沖?單脈沖?6. 平均功耗是否在周圍溫度的額定功率以下?功率計(jì)算的積分公式使晶體管工作會(huì)產(chǎn)生電氣負(fù)載和熱負(fù)載。對(duì)晶體管來(lái)講,負(fù)載太大壽命會(huì)縮短,最壞的情況下會(huì)導(dǎo)致晶體管被破壞。為防止這種
2019-04-15 06:20:06
及制造工藝分類 晶體管按其結(jié)構(gòu)及制造工藝可分為擴(kuò)散型晶體管、合金型晶體管和平面型晶體管。 按電流容量分類 晶體管按電流容量可分為小功率晶體管、中功率晶體管和大功率晶體管按工作頻率分類 晶體管按
2010-08-12 13:59:33
晶體管的電流方向相反。如果使晶體管以開(kāi)關(guān)方式工作,需要加大基極電流晶體管VCE的飽和狀態(tài)當(dāng)晶體管處于開(kāi)關(guān)工作方式時(shí),因?yàn)殡娫措妷汉图姌O電阻的限制,集電極IC不足以提供hFEIB大小的電流。因此
2017-03-28 15:54:24
、電壓/電流反饋放大電路、晶體管/FET開(kāi)關(guān)電路、模擬開(kāi)關(guān)電路、開(kāi)關(guān)電源、振蕩電路等。上冊(cè)則主要介紹放大電路的工作、增強(qiáng)輸出的電路、功率放大器的設(shè)計(jì)與制作、拓寬頻率特性等。`
2019-03-06 17:29:48
晶體管圖示儀器是用來(lái)測(cè)量晶體管輸入、輸出特性曲線的儀器。在實(shí)驗(yàn)、教學(xué)和工程中通過(guò)使用圖示儀,可以獲得晶體管的實(shí)際特性,能更好的發(fā)揮晶體管的作用。
2021-05-07 07:43:17
1.反向擊穿電流的檢測(cè) 普通晶體管的反向擊穿電流(也稱反向漏電流或穿透電流),可通過(guò)測(cè)量晶體管發(fā)射極E與集電極C之間的電阻值來(lái)估測(cè)。測(cè)量時(shí),將萬(wàn)用表置于R×1k檔, NPN型管的集電極C接黑表筆
2012-04-26 17:06:32
在PROTUES中如何改變晶體管的放大倍數(shù)?有的器件有放大倍數(shù)改變的參數(shù)。另外,不同的仿真模型參數(shù)不同如何改變?
2014-02-28 08:42:03
晶體管測(cè)量模塊的基本特性有哪些?晶體管測(cè)量模塊的基本功能有哪些?
2021-09-24 07:37:23
`非常不錯(cuò)的晶體管電路設(shè)計(jì)書籍!`
2016-11-08 14:12:33
晶體管電路設(shè)計(jì)叢書上冊(cè)晶體管電路設(shè)計(jì)(pdf電子書下載):是“實(shí)用電子電路設(shè)計(jì)叢書”之一,共分上下二冊(cè)。本書作為上冊(cè)主要內(nèi)容有晶體管工作原理,放大電路的性能、設(shè)計(jì)與應(yīng)用,射極跟隨器的性能與應(yīng)用電
2009-11-20 09:41:18
是晶體管的直流電流放大系數(shù),是指在靜態(tài)(無(wú)變化信號(hào)輸入)情況下,晶體管IC與IB的比值。即hFE=IC/IB。一般情況下β和hFE較為接近,也可相等,但兩者含義是有明顯區(qū)別的,而且在許多場(chǎng)合β并不
2018-06-13 09:12:21
晶體管的主要參數(shù)有哪些?晶體管的開(kāi)關(guān)電路是怎樣的?
2021-06-07 06:25:09
晶體管的代表形狀晶體管分類圖:按照該分類,掌握其種類1. 按結(jié)構(gòu)分類根據(jù)工作原理不同分類,分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi(2個(gè))、極是指Polar(極性)。雙極晶體管,即流經(jīng)構(gòu)成
2019-04-10 06:20:24
。與MOSFET同樣能通過(guò)柵極電壓控制進(jìn)行高速工作,還同時(shí)具備雙極晶體管的高耐壓、低導(dǎo)通電阻特征。工作上與MOSFET相同,通過(guò)給柵極施加電壓形成通道來(lái)流過(guò)電流。結(jié)構(gòu)上MOSFET(以Nch為例)是相同N型的源極
2018-11-28 14:29:28
的復(fù)合結(jié)構(gòu)。是為了利用MOSFET和雙極晶體管的優(yōu)點(diǎn)而開(kāi)發(fā)的晶體管。與MOSFET同樣能通過(guò)柵極電壓控制進(jìn)行高速工作,還同時(shí)具備雙極晶體管的高耐壓、低導(dǎo)通電阻特征。 工作上與MOSFET相同,通過(guò)
2020-06-09 07:34:33
控制大功率現(xiàn)在的功率晶體管能控制數(shù)百千瓦的功率,使用功率晶體管作為開(kāi)關(guān)有很多優(yōu)點(diǎn),主要是;(1)容易關(guān)斷,所需要的輔助元器件少,(2)開(kāi)關(guān)迅速,能在很高的頻率下工作,(3)可得到的器件耐壓范圍從
2018-10-25 16:01:51
晶體管概述的1. 1948年、在貝爾電話研究所誕生。1948年,晶體管的發(fā)明給當(dāng)時(shí)的電子工業(yè)界來(lái)帶來(lái)了前所未有的沖擊。而且,正是這個(gè)時(shí)候成為了今日電子時(shí)代的開(kāi)端。之后以計(jì)算機(jī)為首,電子技術(shù)取得急速
2019-05-05 00:52:40
)用業(yè)收集電子。晶體管的發(fā)射極電流IE與基極電流IB、集電極電流IC之間的關(guān)系如下:IE=IB+IC3.晶體管的工作條件晶體管屬于電流控制型半導(dǎo)體器件,其放大特性主要是指電流放大能力。所謂放大,是指當(dāng)
2013-08-17 14:24:32
晶體管的品種繁多,不同的電子設(shè)備與不同的電子電路,對(duì)晶體管各項(xiàng)性能指標(biāo)的要求是不同的。所以,應(yīng)根據(jù)應(yīng)用電路的具體要求來(lái)選擇不同用途,不同類型的晶體管。 1.一般高頻晶體管的選用一般小信號(hào)處理(例如
2012-01-28 11:27:38
關(guān)于晶體管ON時(shí)的逆向電流在NPN晶體管中,基極 (B) 被偏置為正,集電極 (C) 被偏置為負(fù),由發(fā)射極 (E) 流向C的是逆電流。1. 不用擔(dān)心劣化和損壞,在使用上是沒(méi)有問(wèn)題的2. NPN-Tr
2019-05-09 23:12:18
晶體管 &
2010-08-12 13:57:39
晶體管配對(duì)
2017-08-24 18:48:13
晶體管(BJT)和場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET),接下來(lái)我們就以BJT和FET為例來(lái)講述晶體管的工作原理。1.雙極性晶體管雙極性晶體管,英語(yǔ)名稱為Bipolar Transistor,是雙極性結(jié)型晶體管的簡(jiǎn)稱
2016-06-29 18:04:43
利用半導(dǎo)體的特性,每個(gè)管子工作原理個(gè)不同,你可以找機(jī)電方面的書看 下圖中的S是指源極(Source),D是指漏極(Drain),G是柵極(Gate)。晶體管的工作原理其實(shí)很簡(jiǎn)單,就是用兩個(gè)狀態(tài)表
2017-08-03 10:33:03
電壓(與功率MOSFET的低導(dǎo)通電阻相當(dāng))和較快的開(kāi)關(guān)特性的晶體管。盡管其具有較快的開(kāi)關(guān)特性,但仍比不上功率MOSFET,這是IGBT的弱點(diǎn)。【功率元器件的基本結(jié)構(gòu)與特點(diǎn)
2019-05-06 05:00:17
電壓(與功率MOSFET的低導(dǎo)通電阻相當(dāng))和較快的開(kāi)關(guān)特性的晶體管。盡管其具有較快的開(kāi)關(guān)特性,但仍比不上功率MOSFET,這是IGBT的弱點(diǎn)。【功率元器件的基本結(jié)構(gòu)與特點(diǎn)
2019-03-27 06:20:04
求大神相助,Multisim里面雪崩晶體管的過(guò)壓擊穿怎么放著那,當(dāng)我設(shè)的電壓已經(jīng)大于了Vcbo滯后還是不見(jiàn)晶體管導(dǎo)通。
2014-08-08 10:42:58
。晶體管NPN型和PNP型結(jié)晶體管工作狀態(tài)晶體管的工作原理類似于電子開(kāi)關(guān)。它可以打開(kāi)和關(guān)閉電流。晶體管背后的基本思想是,它允許您通過(guò)改變流經(jīng)第二個(gè)通道的較小電流的強(qiáng)度來(lái)控制通過(guò)一個(gè)通道的電流。1)截止
2023-02-15 18:13:01
PLC晶體管輸出和繼電器輸出區(qū)別
2012-08-20 08:26:07
一、引言PNP 晶體管是雙極結(jié)型晶體管(BJT)。PNP晶體管具有與NPN晶體管完全不同的結(jié)構(gòu)。在PNP晶體管結(jié)構(gòu)中,兩個(gè)PN結(jié)二極管相對(duì)于NPN晶體管反轉(zhuǎn),使得兩個(gè)P型摻雜半導(dǎo)體材料被一層薄薄的N
2023-02-03 09:44:48
眾所周知,像硅雙極晶體管等一些晶體管能夠在其中一些半導(dǎo)體單元因短路或負(fù)載失配等原因損壞時(shí)繼續(xù)工作。因此,將一個(gè)器件定義為“耐用晶體管”可能沒(méi)有清晰的界限。對(duì)硅LDMOS晶體管的耐用性測(cè)試通常是指器件
2019-06-26 07:11:37
)= + 25°CSGN19H181M1H砷化鎵晶體管SGN19H240M1H砷化鎵晶體管SGN21H180M1H砷化鎵晶體管SGN21H121M1H砷化鎵晶體管SGN21H181M1H砷化鎵晶體管
2021-03-30 11:32:19
,而且在高溫條件下的工作也表現(xiàn)良好,可以說(shuō)是具有極大優(yōu)勢(shì)的開(kāi)關(guān)元件。這張圖是各晶體管標(biāo)準(zhǔn)化的導(dǎo)通電阻和耐壓圖表。從圖中可以看出,理論上SiC-DMOS的耐壓能力更高,可制作低導(dǎo)通電阻的晶體管。目前
2018-11-30 11:35:30
工作電壓的極性而可分為NPN型或PNP型。雙極結(jié)型晶體管 雙極結(jié)型晶體管(Bipolar Junction Transistor—BJT)又稱為半導(dǎo)體三極管,它是通過(guò)一定的工藝將兩個(gè)PN結(jié)結(jié)
2010-08-13 11:36:51
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個(gè)晶體管來(lái)代替,MFR151管子能用哪個(gè)來(lái)代替?或是誰(shuí)有這兩個(gè)高頻管子的原件庫(kù)?求大神指教
2016-10-26 11:51:18
`內(nèi)容簡(jiǎn)介:《晶體管電路設(shè)計(jì)》(上)是“實(shí)用電子電路設(shè)計(jì)叢書”之一,共分上下二冊(cè)。《晶體管電路設(shè)計(jì)》(上)作為上冊(cè)主要內(nèi)容有晶體管工作原理,放大電路的性能、設(shè)計(jì)與應(yīng)用,射極跟隨器的性能與應(yīng)用電
2017-07-25 15:29:55
的制造商生產(chǎn)半導(dǎo)體(晶體管是該設(shè)備家族的成員),因此有數(shù)千種不同的類型。有低功率、中功率和高功率晶體管,用于高頻和低頻工作,用于非常高電流和/或高電壓工作。本文概述了什么是晶體管、不同類型的晶體管
2023-08-02 12:26:53
互補(bǔ)晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
制成的二極管、晶體管、場(chǎng)效應(yīng)晶體管、晶閘管等。晶體管大多是指晶體三極管。晶體管分為兩大類:雙極晶體管(BJT)和場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)。晶體管的結(jié)構(gòu)晶體管有三極:雙極晶體管的三極分別由N型和P型組成
2023-02-03 09:36:05
PNP 和 NPN 是兩種類型的雙極結(jié)型晶體管 (BJT)。BJT由可以放大電流的摻雜材料制成。它具有PNP和NPN配置選項(xiàng)。PNP 和 NPN晶體管可用于放大或開(kāi)關(guān)。本文將解釋NPN和PNP之間
2023-02-03 09:50:59
暴露在入射光中。除了曝光的半導(dǎo)體材料是雙極性晶體管晶體管(BJT)的基礎(chǔ)之外,光電晶體管的功能也是類似的。一個(gè)光敏晶體管被描述為一個(gè)去掉基極端子的 BJT,箭頭暗示基極對(duì)光敏感。本文中的其他圖只描述了
2022-04-21 18:05:28
達(dá)林頓晶體管是一對(duì)雙極晶體管,連接在一起,從低基極電流提供非常高的電流增益。輸入晶體管的發(fā)射極始終連接到輸出晶體管的基極;他們的收藏家被綁在一起。結(jié)果,輸入晶體管放大的電流被輸出晶體管進(jìn)一步放大
2023-02-16 18:19:11
本文探討了鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)、它們?cè)诟鞣N應(yīng)用中的用途,以及它們相對(duì)于 MOSFET 的優(yōu)缺點(diǎn)。 什么是鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管? 鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管是一種晶體管。作為晶體管,它是一個(gè)放大器和一個(gè)
2023-02-24 15:25:29
本文將重點(diǎn)討論使用雙極性結(jié)型晶體管(BJT)和NMOS晶體管的穩(wěn)定電流源。穩(wěn)定電流源(BJT)目標(biāo)本實(shí)驗(yàn)旨在研究如何利用零增益概念來(lái)產(chǎn)生穩(wěn)定(對(duì)輸入電流電平的變化較不敏感)的輸出電流。材料
2021-11-01 09:53:18
1.什么是晶體管,它是如何工作的?晶體管是一種微型電子元件,可以完成兩種不同的工作。它可以用作放大器或開(kāi)關(guān):流過(guò)晶體管一部分的微小電流可以使更大的電流流過(guò)晶體管的另一部分。換句話說(shuō),小電流打開(kāi)較大
2023-02-03 09:32:55
的規(guī)則,則可以互換使用NPN和PNP晶體管。雙極晶體管實(shí)際上是兩個(gè)背靠背連接的二極管,基極用作公共連接。PNP 結(jié)點(diǎn)如何工作?PNP晶體管是由夾在兩個(gè)P型半導(dǎo)體之間的N型半導(dǎo)體組成的雙極結(jié)型晶體管
2023-02-03 09:45:56
`功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)原理`
2012-08-20 09:10:49
請(qǐng)教:?jiǎn)谓Y(jié)晶體管在什么位置,有人說(shuō)是UJT,但好象用不了呀?
2013-09-26 16:55:49
各位高手,小弟正在學(xué)習(xí)單結(jié)晶體管,按照網(wǎng)上的電路圖做的關(guān)于單結(jié)晶體管的仿真,大多數(shù)都不成功,請(qǐng)問(wèn)誰(shuí)有成功的單結(jié)晶體管的仿真仿真啊,可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
如果平衡電阻與發(fā)射極串聯(lián),則雙極晶體管(BJT)可以并聯(lián)連接。隨著溫度的升高,BJT通常會(huì)變得更具導(dǎo)電性。以下MMBT2222A數(shù)據(jù)表中的示例顯示了該器件的典型增益如何隨溫度在允許的工作范圍內(nèi)變化而
2018-10-26 14:45:42
:dodo1999@vip.163.com雙極晶體管陣列 (BJT)DMMT5401-7晶體管, PNP, 最大直流集電極電流 200 mA, SOT-26封裝, 300 MHz, 6引腳規(guī)格 TRANS
2020-02-25 11:39:26
NPN型雙極性晶體管可以視為共用陽(yáng)極的兩個(gè)二極管接合在一起。在雙極性晶體管的正常工作狀態(tài)下,基極-發(fā)射極結(jié)(稱這個(gè)PN結(jié)為“發(fā)射結(jié)”)處于正向偏置狀態(tài),而基極-集電極(稱這個(gè)PN結(jié)為“集電結(jié)”)則處于反向偏置狀態(tài)。
2019-09-26 09:00:23
在開(kāi)關(guān)應(yīng)用中使用晶體管時(shí),請(qǐng)記住以下幾點(diǎn): 使用 BJT 時(shí),它們必須完全打開(kāi)或關(guān)閉 晶體管開(kāi)關(guān)可用于控制燈具、電機(jī)和繼電器 全導(dǎo)通晶體管在飽和區(qū)域工作,而全關(guān)斷晶體管在截止區(qū)域工作 為了使
2023-02-20 16:35:09
如何去判別晶體管材料與極性?如何去檢測(cè)晶體管的性能?怎樣去檢測(cè)特殊晶體管?
2021-05-13 07:23:57
什么是微波功率晶體管?如何提高微波功率晶體管可靠性?
2021-04-06 09:46:57
為了改善晶體管的開(kāi)關(guān)特性,減小晶體管的損耗,在晶體管基極驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)上會(huì)采取一些加速措施。如下: 加速電路一 在加速電路一中,并聯(lián)在RB兩端的電容CB稱為加速電容,數(shù)值一般在1nf
2020-11-26 17:28:49
來(lái)至網(wǎng)友的提問(wèn):如何選擇分立晶體管?
2023-11-24 08:16:54
。SOA的溫度降低方法雙極晶體管篇??MOSFET篇※降低的溫度基本是元件的溫度。關(guān)于元件溫度的詳細(xì)計(jì)算方法,請(qǐng)參照 "元件溫度的計(jì)算方法" 。附屬 SOA(安全工作區(qū)域)的溫度降低
2019-05-05 09:27:01
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻,它們?cè)谛吞?hào)上的大致區(qū)別是什么?例如《晶體管電路設(shè)計(jì)》中列舉的:高頻(2SA****,2SC*****)、低頻(2SB****,2SD****)。現(xiàn)在產(chǎn)品設(shè)計(jì)中最常用的型號(hào)是哪些?
2017-10-11 23:53:40
bandgap中晶體管的熱噪聲比較大,通過(guò)什么手段能解決?
2021-06-24 07:29:25
≦20((Vin-0.75)/(1.3×R1)-0.75/(1.04×R2))數(shù)字晶體管的型號(hào)說(shuō)明IO和IC的區(qū)別IC: 能夠通過(guò)晶體管的電流的最大理論值IO: 能夠作為數(shù)字晶體管使用的電流的最大值解說(shuō)
2019-04-22 05:39:52
選定方法數(shù)字晶體管的型號(hào)說(shuō)明IO和IC的區(qū)別GI和hFE的區(qū)別VI(on)和VI(off)的區(qū)別關(guān)于數(shù)字晶體管的溫度特性關(guān)于輸出電壓 - 輸出電流特性的低電流領(lǐng)域(數(shù)字晶體管的情況)關(guān)于數(shù)字晶體管
2019-04-09 21:49:36
晶體管的代表形狀晶體管分類圖:按照該分類,掌握其種類1. 按結(jié)構(gòu)分類根據(jù)工作原理不同分類,分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi(2個(gè))、極是指Polar(極性)。雙極晶體管,即流經(jīng)構(gòu)成
2019-05-05 01:31:57
勵(lì)磁電流ILM開(kāi)始在死區(qū)時(shí)間內(nèi)對(duì)低側(cè)晶體管的輸出電容放電。在狀態(tài)2時(shí),寄生輸出電容完全放電,GaN功率晶體管通過(guò)2DEG通道從源極到漏極以第三象限工作。至于Si和SiC MOSFET,有一個(gè)固有的雙極
2023-02-27 09:37:29
。在數(shù)字設(shè)備中,肯定會(huì)使用大規(guī)模集成電路,所以不會(huì)采用電子管。 通過(guò)以上的內(nèi)容可以看到,電子管與晶體管在結(jié)構(gòu)與工作方式上都存在著較大的區(qū)別,這就導(dǎo)致了兩者在應(yīng)用范圍上的不同,顯然適應(yīng)性更加廣泛的晶體管將逐漸取代傳統(tǒng)電子管是必然的發(fā)展方向,但在某些特定的設(shè)計(jì)或者場(chǎng)合中仍需使用電子管。
2016-01-26 16:52:08
受益于集成器件保護(hù),直接驅(qū)動(dòng)GaN器件可實(shí)現(xiàn)更高的開(kāi)關(guān)電源效率和更佳的系統(tǒng)級(jí)可靠性。高電壓(600V)氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)的開(kāi)關(guān)特性可實(shí)現(xiàn)提高開(kāi)關(guān)模式電源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
類型的晶體管的工作方式大致相同。但是,由于 IGBT 結(jié)合了 BJT 的低導(dǎo)通損耗和功率 MOSFET 的高開(kāi)關(guān)速度,存在一個(gè)最佳的固態(tài)開(kāi)關(guān),這是理想的電力電子應(yīng)用。另外,IGBT 具有比等效
2022-04-29 10:55:25
請(qǐng)問(wèn)BJT工藝的線性穩(wěn)壓源為什么多是PNP型晶體管呢?
2023-03-31 11:56:49
雙極性晶體管與MOSFET對(duì)比分析哪個(gè)好?
2021-04-20 06:36:55
來(lái)至網(wǎng)友的提問(wèn):如何選擇分立晶體管?
2018-12-12 09:07:55
這個(gè)達(dá)林頓晶體管廠家是哪家
2022-05-30 16:36:56
驅(qū)動(dòng)篇 – BJT晶體管應(yīng)用感謝閱讀本文,在接下來(lái)很長(zhǎng)的一段時(shí)間里,我將陸續(xù)分享項(xiàng)目實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn)。從電源、單片機(jī)、晶體管、驅(qū)動(dòng)電路、顯示電路、有線通訊、無(wú)線通信、傳感器、原理圖設(shè)計(jì)、PCB設(shè)計(jì)、軟件設(shè)計(jì)
2021-07-21 06:31:06
晶體管和二極管區(qū)別
首先說(shuō)明一下:晶體管,就是指的半導(dǎo)體器件,二極管也是晶體管里的一種。下面我們?cè)敿?xì)介紹一下二極管和三極管的特性
2010-02-06 12:05:4335898 工藝的不同可分為擴(kuò)散型晶體管、合金型晶體管和平面型晶體管;其還可根據(jù)電流容量的不同、工作頻率的不同、封裝結(jié)構(gòu)的不同等分類方式分為不同的種類。但晶體管多指晶體三極管,主要分為雙極性晶體管(BJT)和場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET),接下來(lái)我們就以BJT和FET為例來(lái)講述晶體管的工作原理。
2019-04-09 14:18:3133279 (如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來(lái)控制自身的開(kāi)合,而且開(kāi)關(guān)速度可以非常快,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
晶體管主要分為兩大類:雙極性晶體管(BJT)和場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)。...
2022-02-09 12:34:230 晶體管是一個(gè)簡(jiǎn)單的組件,可以使用它來(lái)構(gòu)建許多有趣的電路。在本文中,將帶你了解晶體管是如何工作的,以便你可以在后面的電路設(shè)計(jì)中使用它們。
2022-04-26 12:02:413911 MOSFET的工作原理類似于BJT晶體管,但有一個(gè)重要的區(qū)別:
對(duì)于BJT晶體管,電流從一個(gè)基極到另一個(gè)發(fā)射極,決定了從集電極到發(fā)射極能流多少電流。
對(duì)于MOSFET晶體管,電壓柵極和源極之間的電流決定了有多少電流能從漏極流向另一個(gè)源極。
2022-06-01 14:55:095214 雙極結(jié)型晶體管(BJT或雙極型晶體管,通常稱為三極管)是一種晶體管,其原理取決于兩個(gè)半導(dǎo)體之間的接觸。 BJT可用于放大器電路,開(kāi)關(guān)電路或振蕩電路。 BJT也可以用于單獨(dú)組件或集成電路中。 之所以
2022-06-12 14:45:153221 雙極結(jié)型晶體管(BJT或雙極型晶體管,通常稱為三極管)是一種晶體管,其原理取決于兩個(gè)半導(dǎo)體之間的接觸。 BJT可用于放大器電路,開(kāi)關(guān)電路或振蕩電路。 BJT也可以用于單獨(dú)組件或集成電路中。 之所以
2022-06-17 09:04:104136 對(duì)于BJT晶體管,電流從一個(gè)基極到另一個(gè)發(fā)射極,決定了從集電極到發(fā)射極能流多少電流。
對(duì)于MOSFET晶體管,電壓柵極和源極之間的電流決定了有多少電流能從漏極流向另一個(gè)源極。
2022-11-21 09:44:153081 晶體管的工作原理就像電子開(kāi)關(guān),它可以打開(kāi)和關(guān)閉電流。一個(gè)簡(jiǎn)單的思考方法就是把晶體管看作沒(méi)有任何動(dòng)作部件的開(kāi)關(guān),晶體管類似于繼電器,因?yàn)槟憧梢杂盟鼇?lái)打開(kāi)或關(guān)閉一些東西。當(dāng)然了晶體管也可以部分打開(kāi),這對(duì)于放大器的設(shè)計(jì)很有用。
2023-03-25 10:40:43672 晶體管可以用來(lái)放大電信號(hào),可以用來(lái)做電子開(kāi)關(guān);晶閘管也可以用來(lái)做電子開(kāi)關(guān),但不能用來(lái)放大信號(hào),它用來(lái)做開(kāi)關(guān)比晶體管好,因?yàn)樗膶?dǎo)通電阻比晶體管的低,能通大電流;
2023-05-16 14:57:511050 晶體管和晶閘管區(qū)別是什么? 晶體管和晶閘管是電子元件中常用的兩種器件,它們?cè)陔娮与娐分邪l(fā)揮著重要的作用。雖然它們的名稱相似,但是從工作原理到應(yīng)用領(lǐng)域都存在著很大的區(qū)別。本文將詳細(xì)介紹晶體管和晶閘管
2023-08-25 15:21:071684 晶閘管和晶體管區(qū)別是什么? 晶閘管和晶體管都屬于半導(dǎo)體器件的范疇,它們的出現(xiàn)都徹底改變了電子行業(yè)的發(fā)展。但是,晶閘管和晶體管之間存在著一些關(guān)鍵的區(qū)別,這些區(qū)別在分析它們的工作原理、特點(diǎn)、應(yīng)用等方面
2023-08-25 15:47:411280 【科普小貼士】什么是雙極晶體管(BJT)?
2023-12-13 14:38:56403 晶體管和電子管區(qū)別? 晶體管和電子管是兩種用于電子設(shè)備中放大和控制電流的重要元件。盡管它們?cè)趯?shí)現(xiàn)相同功能方面存在共同點(diǎn),但它們?cè)诮Y(jié)構(gòu)、工作原理和性能方面存在顯著差異。在本文中,我們將詳細(xì)介紹晶體管
2023-12-08 10:31:585542
評(píng)論
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