Hanebeck表示，“GaN技術為更節能、更節約二氧化碳的脫碳解決方案鋪平了道路。在移動充電、數據中心電源、住宅太陽能逆變器和電動汽車車載充電器等應用領域的采用正處于轉折點，這將導致市場的動態增長。” 為什么是GaN Systems？ 官網信息顯示，作為一家GaN功率半導體廠商
2023-03-06 07:57:00
1583 大家清晰的了解GaN產品。 1．從氮化鎵GaN產品的名稱上對比 如下圖所示，產品GaN標示圖。納微：GaNFast Power ICs 是GaN 功率IC，而英諾賽科： E-Mode GaN FET
2020-05-12 01:31:0023135 
NexGen Power Systems Inc. 正在使用GaN 襯底上的同質外延 GaN 制造垂直功率器件（垂直氮化鎵或垂直 GaN）。垂直 GaN 器件能夠以更高的頻率進行開關并在更高的電壓下工作，這將催生新一代更高效的功率器件。
2022-07-27 17:15:064235 
100 V GaN FET 在 48 V 汽車和服務器應用以及 USB-C、激光雷達和 LED 照明中很受歡迎。然而，小尺寸和最小的封裝寄生效應為動態表征這些功率器件帶來了多重挑戰。本文回顧了GaN半導體制造商在表征這些器件方面面臨的挑戰，以及一些有助于應對這些挑戰的新技術。
2022-10-19 17:50:34789 
10 月 25 日，英飛凌科技股份公司今日宣布完成收購氮化鎵系統公司（GaN Systems，以下同）。這家總部位于加拿大渥太華的公司，為英飛凌帶來了豐富的氮化鎵 (GaN) 功率轉換解決方案
2023-10-25 11:38:30189 
功率半導體公司GaN Systems宣布，參加IEEE國際電力電子與應用會議和博覽會（PEAC）的細節。該國際活動專注于電力電子、能源轉換和應用，將于2018年11月4-7日在中國深圳舉辦。
2018-10-29 09:59:271402 貿澤電子 （Mouser Electronics） 即日起開始備貨GaN Systems的GS-EVB-HB-66508B-ON1評估板。
2020-03-16 15:04:331201 D類放大器和SMPS板均包含GaN Systems的增強型高電子遷移率晶體管 （E-HEMT）。E-HEMT采用GaN Systems的島技術 （Island Technology?） 單元布局以減小器件尺寸和成本，同時提供比其他GaN器件更高的電流和更優異的性能。
2020-07-06 14:10:191025 電子發燒友網報道（文/梁浩斌）今年10月，英飛凌以8.3億美元完成對功率GaN公司GaN Systems的收購，成為了功率GaN領域史上最大規模的一筆收購，這筆收購的價值甚至比2022年整個功率
2023-11-10 00:24:001758 
電子發燒友網報道（文/梁浩斌）今年1月，美國GaN初創公司NexGen Power Systems突然被曝人去樓空，工廠被關閉，據消息稱該公司在2023年圣誕節前夕就已經破產倒閉。NexGen成立
2024-02-07 00:08:004771 年出貨量占功率GaN市場的9%，僅次于GaN Systems。而在這次收購之后，此前全球出貨量排名前六的功率GaN廠商已經有兩家被大廠并購。 ? 功率GaN并購邏輯 ? 根據官方說法，英飛凌收購GaN
2024-02-26 06:30:001553 
FET器件的設計可能是主要由于棘手的柵極驅動電路而具有挑戰性的。除了向GaN功率FET提供正確的柵極驅動電壓之外，電路還必須為過壓驅動或欠壓條件提供保護。3.具有兩個GaN FET的LMG5200
2017-05-03 10:41:53
受到關注。因此，這些設備可能存在于航空航天和軍事應用的更苛刻條件下。但是這些行業對任何功率器件（硅或GaN）都要求嚴格的質量和可靠性標準，而這正是GaN HEMT所面臨的問題。氮化鎵HEMT與硅
2020-09-23 10:46:20
GaN為何這么火?原因是什么
2021-03-11 06:47:08
GaN功率半導體在快速充電市場的應用(氮化鎵)
2023-06-19 11:00:42
作者：Sandeep Bahl 最近，一位客戶問我關于氮化鎵（GaN）可靠性的問題：“JEDEC（電子設備工程聯合委員會）似乎沒把應用條件納入到開關電源的范疇。我們將在最終產品里使用的任何GaN器件
2018-09-10 14:48:19
半導體的關鍵特性是能帶隙，能帶動電子進入導通狀態所需的能量。寬帶隙（WBG）可以實現更高功率，更高開關速度的晶體管，WBG器件包括氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半導體。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
領域的熱點。
如圖1所示，GaN材料作為第三代半導體材料的核心技術之一，具有禁帶寬度高、擊穿場強大、電子飽和速度高等優勢。由GaN材料制成的GaN器件具有擊穿電壓高、開關速度快、寄生參數低等優良特性
2023-06-25 15:59:21
價值的市場分析。很難弄明白GaN參與者在開發過程中所起的作用，因此這些更新信息僅供參考。市場分析結束后之后，我們接著討論了Ionel Dan Jitaru所做的一個電力轉換性能分析。我并沒有看出它與2013 APEC上提交的論文有多大區別，但新手們可能已經從中受益…
2022-11-16 08:05:34
寬禁帶半導體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學和電學性能成為繼第一代元素半導體硅（Si）和第二代化合物半導體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發展起來的第三代半導體
2019-06-25 07:41:00
, and isolated power supplies. This compact reference design is intended to control GaN in power
2018-09-21 08:37:53
已聽到我們的行業代言人宣布，“GaN將迎來黃金發展時間。”這一公告似乎在暗示，GaN已準備好出現在廣大聽眾、用戶或為數眾多的應用面前。這也表明，GaN技術已經如此成熟，不能認為它是一個有問題的技術
2018-08-30 15:05:41
”就是把手機收起來的意思；最后，我們終于可以起飛了。我們的行業發言人已經宣布，“GaN已經為黃金時間做好了準備。”這個聲明似乎預示著GaN已經為廣泛使用做好準備，或者說在大量的應用中，已經可以使用GaN
2018-09-06 15:31:50
PD快充65W常用什么規格GaN
2021-12-26 19:57:19
系統成本上的優勢將能越來越多地可以抵消GaN器件所需增加的額外成本。隨著GaN器件的可靠性和在服務成本上節省效應變得越來越令人信服，我們預計它的初始推動力將主要來自于高端工業、商業的烹飪和解凍市場。當
2017-04-17 18:19:05
效率、緊湊尺寸和可靠性等方面取得恰當的平衡，在價格上能與 LDMOS器件相媲美，才能進入到主流的市場應用中。固態器件的優勢MACOM公司的硅上GaN 技術是所有這些射頻能量應用的理想選擇，它能
2017-05-01 15:47:21
為什么GaN可以在市場中取得主導地位?簡單來說，相比LDMOS硅技術而言，GaN這一材料技術，大大提升了效率和功率密度。約翰遜優值，表征高頻器件的材料適合性優值， 硅技術的約翰遜優值僅為1， GaN最高，為324。而GaAs，約翰遜優值為1.44。肯定地說，GaN是高頻器件材料技術上的突破。
2019-06-26 06:14:34
基于碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導體的新型高效率、超快速功率轉換器已經開始在各種創新市場和應用領域攻城略地——這類應用包括太陽能光伏逆變器、能源存儲、車輛電氣化（如充電器
2019-07-31 06:16:52
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉換器SiC/GaN具有的優勢
2021-03-10 08:26:03
在德州儀器不斷推出的“技術前沿”系列博客中，一些TI全球頂尖人才正在探討目前最大的技術趨勢以及如何應對未來挑戰等問題。 相較于以往使用的硅晶體管，氮化鎵 (GaN) 可以讓全新的電源應用在同等的電壓
2018-09-11 14:04:25
作者： Steve Tom在德州儀器不斷推出的“技術前沿”系列博客中，一些TI全球頂尖人才正在探討目前最大的技術趨勢以及如何應對未來挑戰等問題。相較于以往使用的硅晶體管，氮化鎵 (GaN) 可以讓
2018-09-10 15:02:53
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：GaN 基板的表面處理編號：JFSJ-21-077作者：炬豐科技網址：http://www.wetsemi.com/index.html關鍵詞： GaN 襯底
2021-07-07 10:26:01
氮化鎵(GaN)這種寬帶隙材料將引領射頻功率器件新發展并將砷化鎵(GaAs)和LDMOS(橫向擴散金屬氧化物半導體)器件變成昨日黃花？看到一些媒體文章、研究論文、分析報告和企業宣傳文檔后你當然會這樣
2019-07-31 07:54:41
鎵(Ga) 是一種化學元素，原子序數為31。鎵在自然界中不存在游離態，而是鋅和鋁生產過程中的副產品。GaN 化合物由鎵原子和氮原子排列構成，最常見的是纖鋅礦晶體結構。纖鋅礦晶體結構（如下圖所示）呈六
2019-08-01 07:24:28
什么是GaN？如何面對GaN在測試方面的挑戰？
2021-05-06 07:52:03
氮化鎵南征北戰縱橫半導體市場多年，無論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強和良好的化學穩定性等優越性質，確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
圖像生成對抗生成網絡ganHello there! This is my story of making a GAN that would generate images of cars
2021-08-31 06:48:41
基于GaN器件的產品設計可以提高開關頻率，減小體積無源器件，進一步優化產品功率密度和成本。然而，由于小GaN器件的芯片尺寸和快速開關特性，給散熱帶來了一系列新的挑戰耗散設計、驅動設計和磁性元件
2023-06-16 08:59:35
在過去的十多年里，行業專家和分析人士一直在預測，基于氮化鎵(GaN)功率開關器件的黃金時期即將到來。與應用廣泛的MOSFET硅功率器件相比，基于GaN的功率器件具有更高的效率和更強的功耗處理能力
2019-06-21 08:27:30
描述基于 PCB 的特斯拉線圈 GaN 版
2022-07-01 08:37:14
從“磚頭”手機到笨重的電視機，電源模塊曾經在電子電器產品中占據相當大的空間，而且市場對更高功率密度的需求仍是有增無減。硅電源技術領域的創新曾一度大幅縮減這些應用的尺寸，但卻很難更進一步。在現有尺寸
2019-03-01 09:52:45
您已了解GaN晶體管出色的性能，您很興奮。樣品總算來到，您將它們放入板中。您打開電源，施加負載，結果……性能并沒有比以前更好。更糟糕的是，遇到了以前不存在的開關問題。這些晶體管不好。真遺憾。為何出現這種情況？有沒有可能遺漏了什么？如何正確理解GaN？十分重要！
2019-07-30 06:21:32
作為一項相對較新的技術，氮化鎵(GaN) 采用的一些技術和思路與其他半導體技術不同。對于基于模型的GaN功率放大器(PA) 設計新人來說，在知曉了非線性GaN模型的基本概念（非線性模型如何幫助進行
2019-07-31 06:44:26
如何設計GaN氮化鎵 PD充電器產品？
2021-06-15 06:30:55
。這一增長勢頭將持續下去，到2020年，LTE用戶數將達25億。 移動網絡運營商面臨著諸多挑戰，一方面要快速擴容以支持增量用戶，另一方面則要盡量減少網絡中斷并降低成本。長期而言，5G網絡有望大幅提升
2018-12-05 15:18:26
的機遇和挑戰等方面，為從事寬禁帶半導體材料、電力電子器件、封裝和電力電子應用的專業人士和研究生提供了難得的學習和交流機會。誠摯歡迎大家的參與。1、活動主題寬禁帶半導體(SiC、GaN)電力電子技術應用2
2017-07-11 14:06:55
GAN的數學推導和案例應用
2020-04-13 09:34:52
數字電視市場面臨哪些挑戰我國是消費類電子的制造大國，據CCID預測，我國2008年有望成為世界最大的消費電子產品制造國。同時作為電視機的主要制造國，我國數字電視業也正在厲兵秣馬，只待一觸即發。任何
2010-03-10 17:03:50
無線通信行業對5G市場的愿景和該市場面臨的技術挑戰是什么？BEE7原型設計環境的具體方面和設計過程中需要做出的部分利弊權衡和設計決策
2021-05-21 06:09:06
power amplifier simulation, I need a GaN device for that. Please give your suggestions.
2019-01-17 15:55:31
`根據Yole Developpement指出，氮化鎵(GaN)組件即將在功率半導體市場快速發展，從而使專業的半導體企業受惠；另一方面，他們也將會發現逐漸面臨來自英飛凌(Infineon)/國際
2015-09-15 17:11:46
的挑戰絲毫沒有減弱。氮化鎵（GaN）等新技術有望大幅改進電源管理、發電和功率輸出的諸多方面。預計到2030年，電力電子領域將管理大約80％的能源，而2005年這一比例僅為30％1。這相當于30億千瓦時以上
2020-11-03 08:59:19
能源并占用更小空間，所面臨的挑戰絲毫沒有減弱。氮化鎵(GaN)等新技術有望大幅改進電源管理、發電和功率輸出的諸多方面。預計到2030年，電力電子領域將管理大約80%的能源，而2005年這一比例僅為30
2018-11-20 10:56:25
受益于集成器件保護，直接驅動GaN器件可實現更高的開關電源效率和更佳的系統級可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開關特性可實現提高開關模式電源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
GaN將在高功率、高頻率射頻市場及5G 基站PA的有力候選技術。未來預估5-10年內GaN 新型材料將快速崛起并占有多半得半導體市場需求。。。以下內容均摘自網絡媒體，如果不妥，請聯系站內信進行刪除
2019-04-13 22:28:48
氮化鎵GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
更好地處理熱量，其熱導率高達5 W-cm-1K-1（與硅的1 W-cm-1K-1相比）。但對于PA 電路級，這意味著設計人員必須在考慮所有其他設計挑戰的同時考慮散熱問題，而GaN 模型可以提供幫助。從
2018-08-04 14:55:07
GaN電源管理芯片市場將增長快速
據iSuppli公司，由于高端服務器、筆記本電腦、手機和有線通訊領域的快速增長，氮化鎵(GaN)電源管理半導體市場到2013年
2010-03-25 10:12:471143 
The LMG3410 Single-Channel Gallium-Nitride (GaN)Power Stage contains a 70-mΩ 600-V GaN power
2016-10-17 11:34:43
27 今年的GaN(氮化鎵)器件市場異常活躍，GaN逐漸成為主流，開始滲透一些批量需求的商業市場。 GaN已經在大部分高功率軍事應用中站穩了腳跟，并且還抓住了有線電視、移動基礎設施的部分市場。
2016-12-14 02:16:114541 浙江大學近期首次報道了沒有電流折疊（即沒有動態導通電阻降低）的垂直GaN功率整流器（GaN-on-GaN）。這款功率整流器即使在從高反向應力偏置切換到500V后也僅需200ns，性能也超過了目前最先進的硅（GaN-on-Si）器件上的橫向氮化鎵。
2018-10-26 17:28:514990 產品包括SBD、常關型FET、常開型FET、級聯FET等產品，面向無線充電、電源開關、包絡跟蹤、逆變器、變流器等市場。而按工藝分，GaN器件則分為HEMT、HBT射頻工藝和SBD、Power FET電力電子器件工藝兩大類。
2019-02-03 12:54:0011330 出現，但GaN-on-SiC在技術上已經變得更加成熟。GaN-on-SiC目前主導了RF GaN市場，已滲透到4G LTE無線基礎設施市場，預計將部署在5G sub-6Ghz的RRH架構中。
2019-05-09 10:25:184319 
GaN Systems GS-EVB-AUD-xx1-GS平臺可作為D類放大器板（GS-EVB-AUD-AMP1-GS）單獨銷售，也可以與開關電源（SMPS）板（GS-EVB-AUD-BUNDLE1-GS）捆綁銷售。
2020-08-24 16:23:212630 GaN（氮化鎵）功率晶體管的全球領導者GaN Systems今天宣布，其低電流，大批量氮化鎵晶體管的價格已跌至1美元以下。
2021-03-13 11:38:46682 HMC1087F10：8瓦特佛山Gan MMIC Power Power，2-20 GHz數據Sheet
2021-04-23 17:32:115 依托先進的半導體器件仿真設計平臺，天津賽米卡爾科技有限公司技術團隊實現了擊穿電壓為420 V的GaN基準垂直肖特基功率二極管的設計方案（SFP-SBD：具有側壁場板的GaN基準垂直肖特基功率二極管
2021-07-14 16:46:55959 氮化鎵（GaN）功率半導體的全球領導者GaN Systems 公司今天宣布，其合作伙伴的生態系統不斷壯大，通過加速全球可持續發展和清潔技術革命，應對凈零排放挑戰，中和二氧化碳（CO2）和其他溫室氣體的排放。
2021-12-21 13:54:03564 近年來智能快充市場爆火，GaN給智能快充領域帶來不少新機會，同時也進入多個新應用場景。如何通過GaN更好地發展智能快充成為行業內廣大廠商面臨的重大挑戰。
2022-07-14 14:44:10816 發明了 HexFET并與國際整流器一起推向市場。 我們的 GaN 體驗始于 2014 年夏天，當時我們參加了 Google 的 Little Box Challenge。我們知道 GaN，但擔心
2022-08-01 11:18:04513 GaN 晶體管是新電源應用的理想選擇。它們具有小尺寸、非常高的運行速度并且非常高效。它們可用于輕松構建任何電力項目。在本教程中，我們將使用 GaN Systems 的 GaN GS61008T 進行實驗。
2022-08-05 08:04:55881 
GaN 是一種高帶隙材料，與硅相比，它允許器件在更高的溫度下運行并承受更高的電壓。此外，GaN 更高的介電擊穿允許構建更薄且因此電阻更低的器件。較低的特性 R DS(on)導致具有較低電容的較小器件。垂直 GaN 器件能夠以更高的頻率進行開關并在更高的電壓下運行。
2022-08-08 10:04:591273 
依托先進的半導體器件仿真設計平臺，天津賽米卡爾科技有限公司技術團隊實現了擊穿電壓為420 V的GaN基準垂直肖特基功率二極管的設計方案（SFP-SBD：具有側壁場板的GaN
基準垂直肖特基功率
2023-02-27 15:50:380 該公告涉及的垂直器件包括NexGen 2 月發布的700V 和 1200V樣品。
2023-07-04 11:47:58211 GaN因其特性，作為高性能功率半導體材料而備受關注，近年來其開發和市場導入不斷加速。GaN功率器件有兩種類型：水平型（在硅晶圓上生長GaN晶體）和垂直型（原樣使用GaN襯底）。
2023-09-13 15:05:25660 
全球氮化鎵功率半導體領導廠商GaN Systems 今推出全新第四代氮化鎵平臺 (Gen 4 GaN Power Platform)，不僅在能源效率及尺寸上確立新的標竿，更提供顯著的性能表現優化及業界領先的質量因子 (figures of merit)。
2023-10-08 17:22:52263 英飛凌科技集團今天宣布，對GaN Systems Inc.的收購已經完成。這家總部位于渥太華的公司提供廣泛的氮化鎵(GaN)電源轉換解決方案和尖端應用專業知識。已獲得所有必要的監管批準，截至
2023-10-25 14:51:13479 德國慕尼黑和加拿大渥太華訊——英飛凌科技于2023年10月24日宣布完成收購氮化鎵系統公司（GaN Systems，以下同）。
2023-10-25 18:24:47326 ?10 月 25 日消息，英飛凌科技于 2023 年 10 月 24 日宣布完成收購氮化鎵系統公司（GaN Systems），并號稱“成為領先的氮化鎵龍頭企業”。 英飛凌表示，這家總部位于加拿大
2023-10-26 08:43:52207 的應用前景。然而，由于其特殊的材料性質，GaN的驅動電路面臨著一些挑戰。為了克服這些挑戰并實現GaN驅動電路的突破，需要采取一些技術手段和設計技巧。 首先，由于GaN具有較高的開關速度和能力，因此在驅動電路設計中需要考慮高頻響應和快速
2023-11-07 10:21:44513 GaN 如何改變了市場
2023-12-06 17:10:56186 
報告內容包含：
微帶WBG MMIC工藝
GaN HEMT 結構的生長
GaN HEMT 技術面臨的挑戰
2023-12-14 11:06:58178 
隨著半導體技術的發展，垂直GaN功率器件逐漸憑借其優勢逐漸應用在更多的領域中。高質量的GaN單晶材料是制備高性能器件的基礎。
2023-12-27 09:32:54374 
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